專利名稱：一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及聲表面波器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面
波器件及其制備方法，可用于高頻、高機(jī)電耦合系數(shù)以及大功率的聲表面波器件領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
近年來，移動(dòng)通信的飛速發(fā)展，使得無線電通信頻帶成為一個(gè)有限而寶貴的自然 資源。對(duì)于移動(dòng)通信系統(tǒng)，低于lGHz的頻帶已被占滿(第一代數(shù)字系統(tǒng))；第二代數(shù)字 系統(tǒng)的頻率從900MHz到1. 9GHz ;在第三代數(shù)字系統(tǒng)中，全球漫游游游頻率范圍為1. 8 2. 2GHz，衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)頻率為1. 575GHz，低地球軌道新衛(wèi)星通信(LE0)的應(yīng)用頻率范 圍為1. 6GHz 2. 5GHz，因此，目前的移動(dòng)通信系統(tǒng)的應(yīng)用頻率越來越高，急需高頻的聲表 面波(SAW)濾波器，而且，移動(dòng)通動(dòng)通信裝置都要求聲表面波SAW濾波器盡量小型化以及具 有較大的功率承受能力。 常規(guī)SAW材料(如石英、鈮酸鋰LiNb(^、氧化鋅Zn0等)，聲表面波相速較低(均 低于4000m/s)，用其制作頻率為2. 5GHz的SAW器件，其叉指換能器(IDT)指寬d必須小于 0. 4 ii m，頻率為5GHz的SAW器件所對(duì)應(yīng)的IDT指寬d小于0. 2 y m，已經(jīng)逼近目前半導(dǎo)體工 業(yè)水平的極限，因此在生產(chǎn)中會(huì)遇到例如斷指嚴(yán)重、可靠性差、成品率低、價(jià)格昂貴等各種 問題，從而嚴(yán)重制約了SAW器件頻率的進(jìn)一步提高；而且，移動(dòng)通信系統(tǒng)的發(fā)射端(TX)濾波 器是對(duì)大功率信號(hào)濾波，如此細(xì)的IDT指寬d，電阻較大，會(huì)產(chǎn)生大量的耗散熱，再加上這些 常規(guī)SAW材料的熱導(dǎo)率低，所以無法承受大功率，這使得由上述常規(guī)SAW材料制成的SAW器 件很難滿足高頻率和/或大功率移動(dòng)通信的要求。 因此，目前迫切需要開發(fā)出一種聲表面波器件，其頻率高，且可以承受大功率，可 以滿足高頻率和/或大功率移動(dòng)通信的要求。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表 面波器件，其頻率高，且可以承受大功率，可以滿足高頻率和/或大功率移動(dòng)通信的要求， 此外，本發(fā)明還提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件的制備方法，該制備方法所 用設(shè)備簡單、工藝條件方便易行，有利于大規(guī)模的推廣應(yīng)用，具有重大的生產(chǎn)實(shí)踐意義。 為此，本發(fā)明提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件，包括有襯底，所述襯 底為化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜，該CVD金剛石薄膜襯底表面形成有一層六方氮化硼 h-BN薄膜。 優(yōu)選地，所述CVD金剛石薄膜襯底表面通過磁控濺射方式形成有一層六方氮化硼 h-BN薄膜。 優(yōu)選地，所述CVD金剛石薄膜是晶粒線度為150 200nm、薄膜厚度為25 30 y m 的納米薄膜，所述在CVD金剛石薄膜表面形成的h-BN薄膜是晶粒線度為30 60nm、薄膜厚 度為O. 5 0. 7iim的納米薄膜。
3
優(yōu)選地，所述CVD金剛石薄膜為鏡面拋光且以氫終止的CVD金剛石薄膜，所述h-BN 薄膜為c軸取向的強(qiáng)壓電納米h-BN薄膜。 此外，本發(fā)明還通提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件的制備方法，包 括以下步驟 第一步、對(duì)化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜的表面進(jìn)行拋光，形成鏡面拋光的CVD金 剛石薄膜表面； 第二步、上述鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面進(jìn)行等離子體處理，形成以氫終止 且鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面； 第三步、在真空濺射室里，以h-BN作為靶材，在上述以氫終止且鏡面拋光的CVD金 剛石薄膜表面進(jìn)行真空磁控濺射，最后沉積形成一層h-BN薄膜。 優(yōu)選地，所述拋光步驟具體為利用拋光機(jī)以尺寸為100 300納米的金剛石微粉
進(jìn)行粗拋，然后以二氧化硅為研磨料進(jìn)行表面精密修復(fù)。 優(yōu)選地，所述化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜通過以下步驟來制備 首先，在鏡面拋光硅襯底上，在氬氣、氫氣、甲烷組成的混合氣氛中，所述氬氣、氫
氣、甲烷之間的體積比為70% : 27% : 3X，在沉積腔中，微波功率為5000W，沉積腔壓強(qiáng)為
80乇，混合氣流量600sccm和基底溫度為75(TC條件下，進(jìn)行化學(xué)汽相沉積，沉積時(shí)間為2
小時(shí)； 接著，調(diào)節(jié)基底溫度，使基底溫度在2小時(shí)內(nèi)從75(TC逐漸降低到600°C ，并且在降 低基底溫度開始的同時(shí)加入氧氣，并使氬氣、氫氣、甲烷之間的體積比在15分鐘內(nèi)改變?yōu)?10% : 86. 5% : 2%，繼續(xù)進(jìn)行化學(xué)汽相沉積，沉積時(shí)間為2小時(shí)； 然后，在氬氣Ar氣氛下保持400°C的溫度進(jìn)行4 5小時(shí)的回火處理，最終制備獲 得化學(xué)汽相沉積CVD納米金剛石薄膜。 優(yōu)選地，所述第二步具體為鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面在氬氣和氫氣的混 合氣體氛圍中進(jìn)行等離子體處理，所述氬氣和氫氣之間的質(zhì)量流量比為2 : 8，在該鏡面拋 光的CVD金剛石薄膜表面，H原子與C原子結(jié)合形成H-C共價(jià)鍵，從而形成以氫終止且鏡面 拋光的CVD金剛石薄膜表面。 優(yōu)選地，所述真空濺射室為超高真空射頻磁控濺射系統(tǒng)具有的真空濺射室，所述 h-BN薄膜為c軸取向的強(qiáng)壓電納米h-BN薄膜。 優(yōu)選地，所述真空濺射室的本底真空度低于5X10-4Pa，濺射所用靶材是純度為
99. 99%的熱壓h-BN，在濺射過程中，真空濺射室中的工作氣體為氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w，
氬氣和氮?dú)庵g的質(zhì)量流量比為20 : 4，在濺射時(shí)所使用的濺射功率為220W，襯底溫度為
40(TC，襯底負(fù)偏壓為IOOV，工作壓強(qiáng)為1. 2Pa，濺射沉積時(shí)間為2小時(shí)。 由以上方案可見，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表
面波器件，其頻率高，且可以承受大功率，可以滿足高頻率和/或大功率移動(dòng)通信的要求，
此外，本發(fā)明還提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件的制備方法，該制備方法所
用設(shè)備簡單、工藝條件方便易行，有利于大規(guī)模的推廣應(yīng)用，具有重大的生產(chǎn)實(shí)踐意義。


圖1為在金剛石薄膜襯底上物理濺射沉積h-BN時(shí)，傅立葉變換紅外光譜儀FTIR的顯示圖； 圖2為在金剛石薄膜襯底上物理濺射沉積h-BN時(shí)，掃描電子顯微鏡SEM的顯示 圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本 發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。 本發(fā)明提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件，包括有襯底，所述襯底為 化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜，該CVD金剛石薄膜襯底表面形成有一層六方氮化硼h-BN薄 膜； 在本發(fā)明中，所述CVD金剛石薄膜襯底表面通過磁控濺射方式形成有一層六方氮 化硼h-BN薄膜； 需要說明的是，在本發(fā)明中，所述CVD金剛石薄膜是晶粒線度為150 200nm、薄 膜厚度為25 30 m的納米薄膜；在CVD金剛石薄膜表面形成的h_BN薄膜優(yōu)選為納米薄 膜，其晶粒線度為30 60nm，薄膜厚度為0. 5 0. 7 y m。 在本發(fā)明中，所述CVD金剛石薄膜優(yōu)選為鏡面拋光且以氫終止的CVD金剛石薄 膜； 在本發(fā)明中，所述納米h-BN薄膜優(yōu)選為c軸取向(即h-BN薄膜的晶粒呈柱狀生 長，其生長方向與襯底表面垂直)的強(qiáng)壓電納米h-BN薄膜。 需要說明的是，為了滿足高頻率和/或大功率移動(dòng)通信的要求，必須選用高聲速、 高彈性模量、高熱導(dǎo)率、低密度的材料來制備SAW器件。 在所有材料中，金剛石的彈性模量最高(彈性模量E = 1200Gpa)，密度較低(密 度P 二3.51g/cm"，從而具有所有物質(zhì)中最高的聲速，用其制作的多層膜SAW器件，IDT指 寬d是相同頻率常規(guī)材料的2. 5倍(例如，頻率為2. 5GHz的SAW器件對(duì)應(yīng)的指寬d可大于 1 y m，頻率為5GHz的SAW器件對(duì)應(yīng)的指寬d可大于0. 5 y m)，而電阻只有常規(guī)材料的2/5， 產(chǎn)生的耗的耗散熱也只有常規(guī)材料的2/5，再加上金剛石的熱導(dǎo)率在所有材料中最高，使得 金剛石薄膜成為高頻率、大功率SAW器件，S卩"壓電薄膜/高聲速薄膜"多層膜聲表面波SAW 器件中最理想的高聲速材料。SAW器件的性能則由壓電薄膜和金剛石襯底共同決定。
在"壓電薄膜/高聲速薄膜"多層膜SAW器件結(jié)構(gòu)中，高聲速薄膜用來傳播聲表面 波，壓電晶體薄膜用來實(shí)現(xiàn)電磁波與聲表面波的能量轉(zhuǎn)換。III-V族化合物薄膜III-N(如 氮化鋁AlN、h-BN)在"壓電薄膜/金剛石薄膜"多層膜結(jié)構(gòu)中用作壓電薄膜，來實(shí)現(xiàn)電磁波 與聲表面波的能量轉(zhuǎn)換。 六方氮化硼h-BN屬于六方晶系，具有與石墨類似的二維平面層狀結(jié)構(gòu)，在空氣中 非常穩(wěn)定，具有高度的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。更重要的是h-BN具有高聲波傳輸速率和優(yōu) 良的透光性，可作為SAW器件中合適的壓電薄膜。h-BN相速比氧化鋅ZnO和鈮酸鋰LiNb03 的高，因此，"h-BN/金剛石"結(jié)構(gòu)SAW器件的相速應(yīng)該高于"Zn0/金剛石"和"LiNb03/金 剛石"結(jié)構(gòu)SAW器件的相速。這樣，當(dāng)叉指換能器指寬d相同時(shí)，SAW器件的頻率可以達(dá)到 更高；h-BN的相速較大，和金剛石的相速差別也較小，從而大大減小了該結(jié)構(gòu)的速度頻散， 即相速度隨頻率不同變化很小；金剛石和h-BN薄膜的溫度系數(shù)都很小，近似為零，因此，當(dāng)SAW器件溫度升高時(shí)，SAW器件的中心頻率隨溫度升高而漂移很小。 在本發(fā)明中，為了制備上述高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件，本發(fā)明還提供了 一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件的制備方法，可以通過在CVD金剛石薄膜表面上濺 射形成一層h-BN薄膜，最終獲得高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件；具體包括以下步驟
第一步、對(duì)化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜的表面進(jìn)行拋光，形成鏡面拋光的CVD金 剛石薄膜表面； 所述化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜的制備步驟具體為 首先，在鏡面拋光硅襯底上，在氬氣、氫氣、甲烷組成的混合氣氛中，所述氬氣、氫 氣、甲烷之間的體積比為70% : 27% : 3X，在沉積腔中，微波功率為5000W，沉積腔壓強(qiáng)為 80乇，混合氣流量600sccm(毫升每分鐘)和基底溫度為75(TC條件下，進(jìn)行化學(xué)汽相沉積， 沉積時(shí)間為2小時(shí)； 接著，調(diào)節(jié)基底(即襯底)溫度，使基底溫度在2小時(shí)內(nèi)從75(TC逐漸降低到 60(TC，并且在降低基底溫度開始的同時(shí)加入氧氣，并使氬氣、氫氣、甲烷之間的體積比在15 分鐘內(nèi)改變?yōu)?0%: 86.5%: 2%，繼續(xù)進(jìn)行化學(xué)汽相沉積，沉積時(shí)間為2小時(shí)；
然后，在氬氣Ar氣氛下保持400°C的溫度進(jìn)行4 5小時(shí)的回火處理，最終可以制 備獲得C-軸擇優(yōu)取向的化學(xué)汽相沉積CVD納米金剛石薄膜； 所述拋光步驟具體為利用CP4型拋光機(jī)對(duì)比較平整的金剛石薄膜表面拋光，首 先利用拋光機(jī)以尺寸為100 300納米的金剛石微粉進(jìn)行粗拋，實(shí)現(xiàn)全局平坦；然后拋光機(jī) 以較低硬度的二氧化硅為研磨料進(jìn)行表面精密修復(fù)。 第二步、上述鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面進(jìn)行等離子體處理，形成以氫終止 且鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面； 所述第二步具體為鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面在氬氣和氫氣的混合氣體氛 圍中進(jìn)行等離子體處理，所述氬氣和氫氣之間的質(zhì)量流量比為2 : 8，在該鏡面拋光的CVD 金剛石薄膜表面，H原子與C原子結(jié)合形成H-C共價(jià)鍵，從而形成以氫終止且鏡面拋光的 CVD金剛石薄膜表面。 第三步、在真空濺射室里，以h-BN作為靶材，在上述以氫終止且鏡面拋光的CVD金 剛石薄膜表面進(jìn)行真空磁控濺射，最后沉積形成一層h-BN薄膜。 在本發(fā)明中，所述真空濺射室為超高真空射頻磁控濺射系統(tǒng)具有的真空濺射室， 所述h-BN薄膜為c軸取向(即h-BN薄膜的晶粒呈柱狀生長，其生長方向與襯底表面垂直) 的強(qiáng)壓電納米h-BN薄膜。 在本發(fā)明中，真空濺射室的本底真空度低于5X10-4Pa，濺射所用靶材是純度為 99. 99%的熱壓h-BN，在濺射過程中，真空濺射室中的工作氣體為氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w， 氬氣和氮?dú)庵g的質(zhì)量流量比為20 : 4，靶與基片(即襯底)之間的距離可調(diào)(即靶可以 自由升降)，范圍為3 15cm ;所使用的濺射功率為220W，襯底(即以氫終止且鏡面拋光的 CVD金剛石薄膜)溫度為40(TC，襯底負(fù)偏壓為IOOV，工作壓強(qiáng)為1. 2Pa，濺射沉積時(shí)間為2 小時(shí)。 需要說明的是，在真空濺射過程中，在以氫終止且鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表 面，硼B(yǎng)原子取代H原子后形成B-C鍵，由于B-C共價(jià)鍵的結(jié)合力比C-H共價(jià)鍵和C-0共價(jià) 鍵的結(jié)合力強(qiáng)，因此可排除a-BN(非晶BN)生長的可能性，使h-BN薄膜具有很強(qiáng)的附著力
6和金剛石薄膜結(jié)合，h-BN薄膜與金剛石薄膜形成牢固的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 通過上述三個(gè)步驟，在以氫終止且鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面最后可以形成 晶粒線度為30 60nm、薄膜厚度為0. 5 0. 7 y m的納米h_BN薄膜。 參見圖1、圖2，圖1和圖2分別顯示了在金剛石薄膜襯底上沉積h-BN的傅立葉變 換紅外光譜儀FTIR圖和掃描電子顯微鏡SEM圖。由圖l和圖2可知，本發(fā)明在以氫終止且 鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面濺射沉積所形成的h-BN薄膜表面結(jié)構(gòu)光滑致密，粗糙度 小，顆粒大小均勻，結(jié)晶程度好。 具體運(yùn)用上，在本發(fā)明中，在以氫終止且鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面濺射沉 積形成h-BN薄膜后，可以繼續(xù)在h-BN薄膜表面制備叉指換能器IDT。具體操作為采用電 子束蒸發(fā)的方法在h-BN薄膜表面沉積一層厚度約lOOnm的鋁Al膜，粗糙度小于5nm，然后 用光刻法制成指寬為1. 7 m的等值叉指，叉指對(duì)數(shù)為50對(duì)。 下面給出本發(fā)明提供的一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件的制備方法的具
體實(shí)施例 實(shí)施例1 在鏡面拋光且以氫終止的CVD金剛石薄膜表面(作為襯底)，使用超高真空射頻磁 控濺射系統(tǒng)濺射一層h-BN薄膜，所使用的濺射功率為220W，襯底溫度為400°C ，襯底負(fù)偏壓 為100V，工作壓強(qiáng)為1.2Pa，氬氣和氮?dú)庵g的質(zhì)量流量比為12 : 3。那么最后在以氫終止 且鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面最后可以形成的納米h-BN薄膜的晶粒線度為40nm，薄膜 厚度為0.6iim。
實(shí)施例2 在鏡面拋光且以氫終止的CVD金剛石薄膜表面，使用超高真空射頻磁控濺射系統(tǒng) 濺射一層h-BN薄膜，所使用的濺射功率為230W，襯底溫度為400°C ，襯底負(fù)偏壓為IOOV，工 作壓強(qiáng)為l. 1Pa，氬氣和氮?dú)庵g的質(zhì)量流量比為20 : 4，那么最后在以氫終止且鏡面拋 光的CVD金剛石薄膜表面最后可以形成的納米h-BN薄膜的晶粒線度為50nm，薄膜厚度為 0. 7um。 綜上所述，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器
件，其頻率高，且可以承受大功率，可以滿足高頻率和/或大功率移動(dòng)通信的要求，此外，本
發(fā)明還提供了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件的制備方法，該制備方法所用設(shè)備簡
單、工藝條件方便易行，有利于大規(guī)模的推廣應(yīng)用，具有重大的生產(chǎn)實(shí)踐意義。 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人
員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)
視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件，其特征在于，包括有襯底，所述襯底為化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜，該CVD金剛石薄膜襯底表面形成有一層六方氮化硼h-BN薄膜。
2. 如權(quán)利要求1所述的聲表面波器件，其特征在于，所述CVD金剛石薄膜襯底表面通過 磁控濺射方式形成有一層六方氮化硼h-BN薄膜。
3. 如權(quán)利要求1所述的聲表面波器件，其特征在于，所述CVD金剛石薄膜是晶粒線度為 150 200nm、薄膜厚度為25 30 y m的納米薄膜，所述在CVD金剛石 薄膜表面形成的h_BN 薄膜是晶粒線度為30 60nm、薄膜厚度為0. 5 0. 7 y m的納米薄膜。
4. 如權(quán)利要求1所述的聲表面波器件，其特征在于，所述CVD金剛石薄膜為鏡面拋光且 以氫終止的CVD金剛石薄膜，所述h-BN薄膜為c軸取向的強(qiáng)壓電納米h-BN薄膜。
5. —種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 第一步、對(duì)化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜的表面進(jìn)行拋光，形成鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面；第二步、上述鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面進(jìn)行等離子體處理，形成以氫終止且鏡 面拋光的CVD金剛石薄膜表面；第三步、在真空濺射室里，以h-BN作為靶材，在上述以氫終止且鏡面拋光的CVD金剛石 薄膜表面進(jìn)行真空磁控濺射，最后沉積形成一層h-BN薄膜。
6. 如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述拋光步驟具體為利用拋光機(jī)以尺 寸為100 300納米的金剛石微粉進(jìn)行粗拋，然后以二氧化硅為研磨料進(jìn)行表面精密修復(fù)。
7. 如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)汽相沉積CVD金剛石薄膜通過 以下步驟來制備首先，在鏡面拋光硅襯底上，在氬氣、氫氣、甲烷組成的混合氣氛中，所述氬氣、氫氣、甲 烷之間的體積比為70% : 27% : 3%，在沉積腔中，微波功率為5000W，沉積腔壓強(qiáng)為80 乇，混合氣流量600sccm和基底溫度為75(TC條件下，進(jìn)行化學(xué)汽相沉積，沉積時(shí)間為2小時(shí)；接著，調(diào)節(jié)基底溫度，使基底溫度在2小時(shí)內(nèi)從75(TC逐漸降低到60(TC，并且在降低 基底溫度開始的同時(shí)加入氧氣，并使氬氣、氫氣、甲烷之間的體積比在15分鐘內(nèi)改變?yōu)?10% : 86. 5% : 2%，繼續(xù)進(jìn)行化學(xué)汽相沉積，沉積時(shí)間為2小時(shí)；然后，在氬氣Ar氣氛下保持400°C的溫度進(jìn)行4 5小時(shí)的回火處理，最終制備獲得化 學(xué)汽相沉積CVD納米金剛石薄膜。
8. 如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第二步具體為鏡面拋光的CVD金 剛石薄膜表面在氬氣和氫氣的混合氣體氛圍中進(jìn)行等離子體處理，所述氬氣和氫氣之間的 質(zhì)量流量比為2 : 8，在該鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面，H原子與C原子結(jié)合形成H-C 共價(jià)鍵，從而形成以氫終止且鏡面拋光的CVD金剛石薄膜表面。
9. 如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述真空濺射室為超高真空射頻磁控 濺射系統(tǒng)具有的真空濺射室，所述h-BN薄膜為c軸取向的強(qiáng)壓電納米h-BN薄膜。
10. 如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述真空濺射室的本底真空度低于 5 X 10-4Pa，濺射所用靶材是純度為99. 99 %的熱壓h-BN，在濺射過程中，真空濺射室中的 工作氣體為氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w，氬氣和氮?dú)庵g的質(zhì)量流量比為20 : 4，在濺射時(shí)所 使用的濺射功率為220W，襯底溫度為40(TC，襯底負(fù)偏壓為IOOV，工作壓強(qiáng)為1. 2Pa，濺射沉 積時(shí)間為2小時(shí)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件，其頻率高，且可以承受大功率，可以滿足高頻率和/或大功率移動(dòng)通信的要求，此外，本發(fā)明還公開了一種高性能多層薄膜結(jié)構(gòu)聲表面波器件的制備方法，該制備方法所用設(shè)備簡單、工藝條件方便易行，有利于大規(guī)模的推廣應(yīng)用，具有重大的生產(chǎn)實(shí)踐意義。
文檔編號(hào)C23C28/00GK101768741SQ20091024520
公開日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2009年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月30日
發(fā)明者宋殿友, 曲長慶, 楊保和, 童崢嶸, 薛玉明, 韓睿琪 申請(qǐng)人:天津理工大學(xué)