專利名稱：上部電極和等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于使等離子體作用在被處理基板例如半導(dǎo)體晶片和液晶顯示裝置用的玻璃基板等而進(jìn)行蝕刻處理或成膜處理等規(guī)定的等離子體處理的上部電極和等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
先前，在半導(dǎo)體裝置的制造領(lǐng)域中，采用在真空腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，將該等離子體作用在被處理基板例如半導(dǎo)體晶片或液晶顯示裝置用的玻璃基板等上，進(jìn)行規(guī)定處理例如蝕刻處理或成膜處理等的等離子體處理裝置。
這種等離子體處理裝置為所謂的平行平板型的等離子體處理裝置。在真空腔室內(nèi)設(shè)有裝載半導(dǎo)體晶片等的載置臺(tái)(下部電極)。同時(shí)，與該載置臺(tái)相對(duì)，在真空腔室的頂部設(shè)有上部電極。由這些載置臺(tái)(下部電極)和上部電極構(gòu)成一對(duì)平行平板電極。
另外，在將規(guī)定處理氣體導(dǎo)入真空腔室內(nèi)的同時(shí)，通過從真空腔室底部進(jìn)行真空排氣，使真空腔室內(nèi)形成規(guī)定真空度的處理氣體氣氛。在這種狀態(tài)下，通過將規(guī)定頻率的高頻電力供給載置臺(tái)和上部電極之間，產(chǎn)生處理氣體的等離子體，再通過將該等離子體作用在半導(dǎo)體晶片上，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的蝕刻等處理。
在上述的等離子體處理裝置中，由于上部電極設(shè)在直接暴露在等離子體中的位置上，因此，上部電極的溫度具有可能不希望的升高。由于這樣，在上部電極內(nèi)要形成使冷卻介質(zhì)流通的冷卻介質(zhì)流路，使冷卻介質(zhì)在該冷卻介質(zhì)流路內(nèi)流通，以冷卻上部電極(例如，參見特許文獻(xiàn)1)。
另外，還已知一種等離子體處理裝置。它在上部電極中，在形成上述冷卻介質(zhì)流路的同時(shí)，還設(shè)有將處理氣體向著被處理基板呈噴水狀供給的多個(gè)噴出口(例如，參見特許文獻(xiàn)2)。
特許文獻(xiàn)1特開昭63-284820號(hào)公報(bào)(2-3頁，圖1)。
特許文獻(xiàn)2美國專利第4534816號(hào)說明書(2-3頁，圖1-6)。
如上所述，在先前的等離子體處理裝置中，要通過冷卻上部電極，使溫度保持一定。
然而，近年來，隨著半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的微細(xì)化，必需提高等離子體處理裝置的處理精度。由于這樣，與先前比較，希望通過提高上部電極的溫度控制的精度，提高整個(gè)上部電極的溫度均勻性，來提高等離子體處理裝置的處理精度。
另外，如上所述，因?yàn)樯喜侩姌O設(shè)置在直接暴露于等離子體的位置上，受到等離子體的損害而消耗。因此，必需進(jìn)行定期更換等維修。當(dāng)更換全部上部電極時(shí)，更換部件需要成本，結(jié)果造成運(yùn)轉(zhuǎn)成本提高。因此考慮安裝和脫開自由地只更換上部電極暴露在等離子體中的部分。
但是，這樣的可以自由安裝和脫開的結(jié)構(gòu)的熱傳導(dǎo)性差，難以進(jìn)行高精度的溫度控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮先前的問題而提出的，其目的是要提供一種可以抑制更換部件成本升高，減低運(yùn)轉(zhuǎn)成本，與先前比較，可提高溫度控制性能，進(jìn)行高精度的等離子體處理的上部電極和等離子體處理裝置。
即如發(fā)明方面1所述的上部電極，它與放置著被處理基板的載置臺(tái)相對(duì)配置，用于在與上述載置臺(tái)之間產(chǎn)生處理氣體的等離子體，其特征為，具有冷卻塊體；其上形成有使冷卻介質(zhì)在內(nèi)部流通的冷卻介質(zhì)流路，同時(shí)，形成有用于使上述處理氣體通過的多個(gè)通孔；電極板，通過具有柔軟性的傳熱部件，可自由安裝和脫開地固定在上述冷卻塊體的下面，其上形成有將上述處理氣體向著上述載置臺(tái)上的上述被處理基板噴出的多個(gè)噴出口；和電極基體，設(shè)置在上述冷卻塊體的上側(cè)，形成使上述處理氣體在與上述冷卻塊體之間擴(kuò)散用的處理氣體擴(kuò)散用空隙。
發(fā)明方面2所述的上部電極，如發(fā)明方面1所述的上部電極，其特征為，上述冷卻介質(zhì)流路在冷卻塊體內(nèi)彎曲配置，以鄰近上述各個(gè)通孔。
發(fā)明方面3所述的上部電極，如發(fā)明方面2所述的上部電極，其特征為，在彎曲配置的上述冷卻介質(zhì)流路中，相鄰的上述冷卻介質(zhì)流路中的冷卻介質(zhì)的流動(dòng)方向相反。
發(fā)明方面4所述的上部電極，如發(fā)明方面3所述的上部電極，其特征為，除了在上述冷卻塊體最外周側(cè)部分上設(shè)置的上述冷卻介質(zhì)流路以外，設(shè)在內(nèi)周側(cè)部分上的上述冷卻介質(zhì)流路彎曲地形成，直線部分的最大長度可達(dá)到上述通孔配置間距的三個(gè)間距。
發(fā)明方面5所述的上部電極，如發(fā)明方面1～4之一所述的上部電極，其特征為，上述冷卻介質(zhì)流路被分割成多個(gè)，設(shè)置多個(gè)系統(tǒng)。
發(fā)明方面6所述的上部電極，如發(fā)明方面5所述的上部電極，其特征為，多個(gè)系統(tǒng)的上述冷卻介質(zhì)流路，將冷卻介質(zhì)分別向著上述冷卻塊體的中央方向?qū)耄缓?，使冷卻介質(zhì)依次向外周側(cè)部分流動(dòng)。
發(fā)明方面7所述的上部電極，如發(fā)明方面1～6之一所述的上部電極，其特征為，上述電極板作成圓板形，利用設(shè)在其周邊部分上的多個(gè)外周側(cè)緊固螺釘，和離開外周側(cè)緊固釘?shù)?、設(shè)在內(nèi)側(cè)部分上的多個(gè)內(nèi)周側(cè)緊固螺釘，固定在上述冷卻塊體上。
發(fā)明方面8所述的上述電極，如發(fā)明方面7所述的上部電極，其特征為，上述外周側(cè)緊固螺釘和上述內(nèi)周側(cè)緊固螺釘設(shè)置為，從上述電極基體的上側(cè)與上述電極板螺合，將上述冷卻塊體夾持在上述電極基體和上述電極板之間。
發(fā)明方面9所述的上部電極，如發(fā)明方面8所述的上部電極，其特征為，在上述電極基體和上述電極板之間設(shè)有規(guī)定的間隙，在壓緊上述冷卻塊體和上述電極板的狀態(tài)下，上述電極基體、上述冷卻塊體和上述電極板固定成一體。
發(fā)明方面10所述的上部電極，它與放置著被處理基板的載置臺(tái)相對(duì)配置，用于在與上述載置臺(tái)之間產(chǎn)生處理氣體的等離子體，它具有冷卻塊體，其上形成有多個(gè)用于使上述處理氣體通過的通孔，同時(shí)，其上形成有使冷卻介質(zhì)在內(nèi)部流通用的冷卻介質(zhì)流路，該流路與各個(gè)上述的通孔鄰近；除了設(shè)置在上述冷卻塊體最外周部的上述冷卻介質(zhì)流路以外，設(shè)在內(nèi)周部的上述冷卻介質(zhì)流路彎曲形成，其直線部分的最大長度可達(dá)到上述通孔配置間距的三個(gè)間距，而且，上述冷卻介質(zhì)流路被分割成多個(gè)而設(shè)置多個(gè)系統(tǒng)，多個(gè)系統(tǒng)的上述冷卻介質(zhì)流路，將冷卻介質(zhì)分別向著上述冷卻塊體的中央方向?qū)?，然后，使冷卻介質(zhì)依次向外周部流動(dòng)。
發(fā)明方面11所述的等離子體處理裝置，其特征為，它具有發(fā)明方面1～10之一所述的上部電極。


圖1為表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的等離子體處理裝置的全部概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖2為表示圖1的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖3為表示圖1的等離子體處理裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)的圖。
符號(hào)說明W半導(dǎo)體晶片；1真空腔室；2載置臺(tái)；3上部電極；6、7高頻電源；30電極基體；31冷卻塊體；32電極板；33處理氣體擴(kuò)散用空隙；34通孔；35冷卻介質(zhì)流路；36硅橡膠片；37噴出口；38外周緊固螺釘；39內(nèi)周緊固螺釘。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式；圖1示意性地表示在進(jìn)行半導(dǎo)體晶片蝕刻的等離子體蝕刻裝置中應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施方式的概略結(jié)構(gòu)。在該圖中，符號(hào)1表示由材質(zhì)例如鋁等制成，內(nèi)部可氣密地封閉的結(jié)構(gòu)的圓筒形真空腔室。
在該真空腔室1內(nèi)，設(shè)有放置半導(dǎo)體晶片W的載置臺(tái)2，該載置臺(tái)2兼作下部電極。另外，在真空腔室1內(nèi)的頂部，設(shè)有構(gòu)成噴頭的上部電極3。利用載置臺(tái)(下部電極)2和上部電極3構(gòu)成一對(duì)平行平板電極。后面詳細(xì)說明該上部電極3的結(jié)構(gòu)。
二個(gè)高頻電源6、7，通過二個(gè)匹配器4、5，與載置臺(tái)2連接?？蓪⒍N規(guī)定頻率(例如100MHz和3.2MHz)的高頻電力重疊而供給載置臺(tái)2。也可以將向高頻電力供給載置臺(tái)2的高頻電源只取用1臺(tái)，只供給一種頻率的高頻電力。
另外，在載置臺(tái)2的半導(dǎo)體晶片W的載置面上，設(shè)置用于吸附保持半導(dǎo)體晶片W的靜電夾頭8。靜電夾頭8是將靜電夾頭用電極8b配置在絕緣層8a內(nèi)構(gòu)成的，直流電源9與靜電夾頭用電極8b連接。在載置臺(tái)2的上面，還裝有聚焦環(huán)P，用于包圍半導(dǎo)體晶片W的周圍。
在真空腔室1的底部設(shè)有排氣口11，由真空泵等構(gòu)成的排氣系統(tǒng)12與該排氣口11連接。
另外，在載置臺(tái)2的周圍設(shè)有由導(dǎo)電性材料環(huán)狀形成的、形成有多個(gè)通孔13a的排氣環(huán)13。排氣環(huán)13電氣上與接地電位連接。通過排氣環(huán)13，利用排氣系統(tǒng)12從排氣口11進(jìn)行真空排氣，可將真空腔室1內(nèi)設(shè)定成規(guī)定的真空氣氛。
另外，在真空腔室1的周圍設(shè)有磁場形成機(jī)構(gòu)14。可以在真空腔室1內(nèi)的處理空間中，形成所希望的磁場。在該磁場形成機(jī)構(gòu)14上設(shè)有回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)15，通過在真空腔室1的周圍，使磁場形成機(jī)構(gòu)14轉(zhuǎn)動(dòng)，可以使真空腔室1內(nèi)的磁場轉(zhuǎn)動(dòng)。
其次，說明上述的上部電極3的結(jié)構(gòu)。如圖3所示，上部電極3的主要部分，由電極基體30、設(shè)在該電極基體30的下側(cè)的冷卻塊體31、和設(shè)在冷卻塊體31的下側(cè)的電極板32構(gòu)成；全體形狀大致為圓板形。
設(shè)在最下側(cè)的電極板32位于暴露在等離子體中的位置上，因此，會(huì)由于等離子體的作用而消耗。由于這樣，通過從上部電極3只取出電極板32進(jìn)行更換，可以抑制更換部件的成本，降低運(yùn)轉(zhuǎn)成本。另外，在冷卻塊體31內(nèi)形成后述的冷卻介質(zhì)流路35，其制造成本提高。因此，可以將冷卻塊體31和電極板32分開，通過只更換電極板32，可以抑制更換部件的成本。
在上述電極基體30和冷卻塊體31之間形成有處理氣體擴(kuò)散用空隙33，使從處理氣體供給系統(tǒng)16供給而從電極基體30的上部導(dǎo)入的處理氣體擴(kuò)散。
另外，在冷卻塊體31上形成有使從上述處理氣體用空隙33來的處理氣體通過的多個(gè)通孔34，在這些通孔34之間，如圖2所示，形成有作成細(xì)的彎曲的形狀、使冷卻介質(zhì)可在內(nèi)部流通的冷卻介質(zhì)流路35。
另外，電極板32通過具有柔軟性的傳熱部件，例如傳熱性高的硅橡膠片36，可自由安裝和脫開地固定在冷卻塊體31的下側(cè)。與作在冷卻塊體31上的多個(gè)通孔34分別對(duì)應(yīng)而與通孔34的數(shù)目相同地形成有輸出處理氣體的噴出口37。在硅橡膠片36上，也可形成有與噴出口37和通孔34一致的開口。
上述電極基體30、冷卻塊體31和電極板32，利用在上部電極3的外周側(cè)部分沿著周邊方向以等間距設(shè)置的多個(gè)外周緊固螺釘38，和在筆外周緊固螺釘38靠內(nèi)側(cè)的部分上沿著周邊方向以等間隔設(shè)置的多個(gè)內(nèi)周緊固螺釘39，而固定成一體。這些外周緊固螺釘38和內(nèi)周緊固螺釘39從電極基體30的上方插入，螺合在電極板32上。向上方拉起該電極板32，可在電極基體30和電極板32之間夾持冷卻塊體31。這時(shí)，在電極基體30和電極板32之間，如圖3所示，設(shè)有一定的間隙C(例如0.5mm以上)，以便上述夾緊力可靠地作用，從而電極板32和冷卻塊體31在良好的狀態(tài)下接觸。
如上所述，在本實(shí)施方式中，在冷卻塊體31的上方形成處理氣體擴(kuò)散用的空隙33，使在該處理氣體擴(kuò)散用空隙33內(nèi)擴(kuò)散的處理氣體，經(jīng)過在冷卻塊體31上形成有的多個(gè)通孔34，和在電極板32上形成有的噴出口37，呈噴水狀輸出。
由于這樣，使冷卻塊體31和電極板32接近，可使它們?cè)趯拸V的接觸面積上接觸，利用冷卻塊體31，高效率和均勻地冷卻電極板32。另外，由于在冷卻塊體31和電極板32之間放入熱傳導(dǎo)性高的硅橡膠片36等有柔軟性的傳熱部件，因此與直接使硬質(zhì)的冷卻塊體3 1和電極板(例如由鋁等構(gòu)成)接觸的情況比較，可提高它們之間的密封性，可促進(jìn)熱傳導(dǎo)，可以用冷卻塊體31高效率和均勻地冷卻電極板32。另外，由于不僅是用外周緊固螺釘38，而且是用內(nèi)周緊固螺釘39螺合內(nèi)周部分的結(jié)構(gòu)，因此可以抑制由于熱膨脹造成的變形等，抑制冷卻塊體31和電極板32密接性惡化。
在本實(shí)施方式中，如圖2所示，在上述冷卻塊體31上形成有的冷卻介質(zhì)流路35，分成兩個(gè)系統(tǒng)在冷卻塊體31的大致一半的區(qū)域(圖2中的上半部)中使冷卻介質(zhì)流路的冷卻介質(zhì)流路35a和在剩余的大致一半?yún)^(qū)域(圖2中的下半部)中使冷卻介質(zhì)流通的冷卻介質(zhì)流路35b。這二個(gè)系統(tǒng)的冷卻介質(zhì)流路35a、35b對(duì)稱形成；冷卻介質(zhì)流路35a的冷卻介質(zhì)入口40a和冷卻介質(zhì)出口41a，與冷卻介質(zhì)流路35b的冷卻介質(zhì)入口40b和冷卻介質(zhì)出口41b，分別配置在大約為相差180°的反對(duì)側(cè)的位置上。這樣，通過這樣設(shè)置二個(gè)系統(tǒng)的冷卻介質(zhì)流路35a、35b，可以更高效地將電極板32全體控制至均勻的溫度。
另外，從冷卻介質(zhì)入口40a和冷卻介質(zhì)入口40b導(dǎo)入的冷卻介質(zhì)，首先從反方向向中央部流入；然后，依次向著外周方向，分別從冷卻介質(zhì)出口41a和冷卻介質(zhì)出口41b向外部導(dǎo)出。這樣，從冷卻介質(zhì)入口40a、40b導(dǎo)入的冷卻介質(zhì)，通過首先流向中央部，容易產(chǎn)生密度更高的等離子體。因此可以抑制溫度容易升高的電極板32的中央部的溫度升高。結(jié)果，可進(jìn)行均勻的溫度控制。
另外，形成上述冷卻介質(zhì)流路35a、35b，使它們通過在冷卻塊體31上形成的全部通孔34的附近。在這些冷卻介質(zhì)流路35a、35b中，夾住通孔34的相鄰的冷卻介質(zhì)流路形成為冷卻介質(zhì)流通方向互相相反。通過形成這樣的冷卻介質(zhì)流動(dòng)可以更高效地控制全部電極板32達(dá)到均勻的溫度。
另外，冷卻介質(zhì)流路35a、35b，除了最外周部的冷卻介質(zhì)流路部分以外，使在內(nèi)側(cè)的部分作成細(xì)的彎曲形狀，不形成比通孔34的配置間距的三個(gè)間距長的直線部分。在本實(shí)施方式中，通孔34的配置間距(相鄰?fù)?4的中央間的距離)為15mm。在這種情況下，電極板32的噴出口37的配置間距當(dāng)然也相同。
這樣，通過將冷卻介質(zhì)流路35a、35b作成細(xì)的彎曲結(jié)構(gòu)，冷卻介質(zhì)在其中流通的過程中被充分地?cái)嚢?，可以更高效地進(jìn)行溫度控制。
其次，說明這樣構(gòu)成的等離子蝕刻裝置的蝕刻處理。
首先，打開在真空腔室1的圖中沒有示出的搬入/搬出口上設(shè)置的圖中沒有示出的閘閥，利用輸送機(jī)構(gòu)來將半導(dǎo)體晶片W搬入真空腔室1內(nèi)，放置在載置臺(tái)2上。然后，放置在載置臺(tái)2上的半導(dǎo)體晶片W，通過將從直流電源9來的規(guī)定直流電壓加在靜電夾頭8的靜電夾頭用電極8b上，而被吸附保持。
接著，在將輸送機(jī)構(gòu)退出真空腔室1外后，關(guān)閉閘閥，利用排氣系統(tǒng)12的真空泵等排出真空腔室1內(nèi)的氣體。在真空腔室1內(nèi)部達(dá)到規(guī)定的真空度后，通過氣體擴(kuò)散用間隙33、通孔34、和噴出口37，將處理氣體供給系統(tǒng)16輸出的規(guī)定蝕刻處理用處理氣體，按例如100-1000sccm的流量導(dǎo)入真空腔室1內(nèi)，使真空腔室1內(nèi)保持規(guī)定壓力例如1.3～133Pa(10～1000mTorr)左右。)。
在這種狀態(tài)下，將規(guī)定頻率(例如100MHz和3.2MHz)的高頻電力從高頻電源6、7供給載置臺(tái)2。
如上所述，通過將高頻電力加在載置臺(tái)2上，可在上部電極3和載置臺(tái)(下部電極)2之間的處理空間中，形成高頻電場，另外，在處理空間中，還形成由磁場形成機(jī)構(gòu)14產(chǎn)生的規(guī)定磁場。這樣，可從供給到處理空間的處理氣體，產(chǎn)生規(guī)定的等離子體，利用該等離子體，可蝕刻半導(dǎo)體晶片W上的規(guī)定的膜。
這時(shí)，上部電極3，由裝在上部電極3內(nèi)的加熱器(圖中沒有示出)加熱至規(guī)定溫度(例如60℃)。在產(chǎn)生等離子體后，停止用加熱器加熱，使冷卻水等冷卻介質(zhì)在冷卻介質(zhì)流路35a、35b中流通進(jìn)行冷卻，將上部電極3的溫度控制至規(guī)定溫度。在本實(shí)施方式中，如上所述，由于可以高精度和均勻地控制上部電極3的溫度，因此可以利用穩(wěn)定和均勻的等離子體，高精度地進(jìn)行所希望的蝕刻處理。
實(shí)際上，在處理氣體為C4F6/Ar/O2＝30/1000/35sccm，壓力為6.7Pa(50mTorr)，功率為HF/LF＝500/4000W的條件下，對(duì)半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行10分鐘的蝕刻，測定這時(shí)上部電極3的中央部和周邊部等各部分的溫度，均勻地溫度控制，使整體的溫度差在5℃以內(nèi)。
當(dāng)進(jìn)行規(guī)定的蝕刻處理時(shí)，停止從高頻電源6、7供給高頻電力，停止蝕刻處理，并按與上述順序相反的順序，將半導(dǎo)體晶片W輸出至真空腔室1外面。
在上述實(shí)施方式中，就在進(jìn)行半導(dǎo)體晶片蝕刻的等離子蝕刻裝置中使用本發(fā)明的情況作了說明，但本發(fā)明不是僅限于這種情況。例如，處理半導(dǎo)體晶片以外的基板也可以，在蝕刻以外的處理例如CVD等的成膜處理裝置中也可適用。
如上所述，采用本發(fā)明的上部電極和等離子體處理裝置，可以抑制更換部件的成本上升，降低運(yùn)轉(zhuǎn)成本，與先前比較，可提高溫度控制性能，可進(jìn)行高精度的等離子體處理。
權(quán)利要求
1.一種上部電極，與放置著被處理基板的載置臺(tái)相對(duì)配置，用于在與所述載置臺(tái)之間產(chǎn)生處理氣體的等離子體，其特征為，具有冷卻塊體，內(nèi)部形成有使冷卻介質(zhì)流通的冷卻介質(zhì)流路，同時(shí)，形成有用于使所述處理氣體通過的多個(gè)通孔；電極板，通過具有柔軟性的傳熱部件，可自由安裝和脫開地固定在所述冷卻塊體的下面，其上形成有將所述處理氣體向著所述載置臺(tái)上的所述被處理基板輸出的多個(gè)噴出口；和電極基體，設(shè)置在所述冷卻塊體的上側(cè)，在與所述冷卻塊體之間形成使所述處理氣體擴(kuò)散用的處理氣體擴(kuò)散用空隙。
2.如權(quán)利要求1所述的上部電極，其特征為，所述冷卻介質(zhì)流路在冷卻塊體內(nèi)彎曲配置，以鄰近所述各個(gè)通孔。
3.如權(quán)利要求2所述的上部電極，其特征為，在彎曲配置的所述冷卻介質(zhì)流路中，相鄰的所述冷卻介質(zhì)流路中的冷卻介質(zhì)的流動(dòng)方向相反。
4.如權(quán)利要求3所述的上部電極，其特征為，除了設(shè)置在所述冷卻塊體最外周部的所述冷卻介質(zhì)流路以外，設(shè)在內(nèi)周部的所述冷卻介質(zhì)流路彎曲形成，使直線部分的最大長度在所述通孔配置間距的三個(gè)間距以下。
5.如權(quán)利要求1所述的上部電極，其特征為，所述冷卻介質(zhì)流路被分割成多個(gè)而設(shè)置多個(gè)系統(tǒng)。
6.如權(quán)利要求5所述的上部電極，其特征為，多個(gè)系統(tǒng)的所述冷卻介質(zhì)流路，將冷卻介質(zhì)分別向著所述冷卻塊體的中央方向?qū)?，然后，使冷卻介質(zhì)依次向外周部流動(dòng)。
7.如權(quán)利要求1所述的上部電極，其特征為，所述電極板作成圓板形，利用設(shè)在其外周部分上的多個(gè)外周側(cè)緊固螺釘，和比這些外周側(cè)緊固釘更靠近內(nèi)側(cè)的部分而設(shè)置的多個(gè)內(nèi)周側(cè)緊固螺釘，固定在所述冷卻塊體上。
8.如權(quán)利要求7所述的上部電極，其特征為，所述外周側(cè)緊固螺釘和所述內(nèi)周側(cè)緊固螺釘，從所述電極基體的上側(cè)與所述電極板螺合，將所述冷卻塊體夾持在所述電極基體和所述電極板之間。
9.如權(quán)利要求8所述的上部電極，其特征為，在所述電極基體和所述電極板之間設(shè)有規(guī)定的間隙，在所述冷卻塊體和所述電極板被擠壓的狀態(tài)下，所述電極基體、所述冷卻塊體和所述電極板固定成一體。
10.一種上部電極，它與放置著被處理基板的載置臺(tái)相對(duì)配置，用于在與所述載置臺(tái)之間產(chǎn)生處理氣體的等離子體，其特征為，具有冷卻塊體，在形成有用于使所述處理氣體通過的多個(gè)通孔的同時(shí)，形成有使冷卻介質(zhì)在內(nèi)部流通用的冷卻介質(zhì)流路，以便與各個(gè)所述的通孔鄰近；除了設(shè)置在所述冷卻塊體最外周部的所述冷卻介質(zhì)流路以外，設(shè)在內(nèi)周部的所述冷卻介質(zhì)流路彎曲形成，使直線部分的最大長度在所述通孔配置間距的三個(gè)間距以下，而且，所述冷卻介質(zhì)流路被分割成多個(gè)而設(shè)置多個(gè)系統(tǒng)，多個(gè)系統(tǒng)的所述冷卻介質(zhì)流路，將冷卻介質(zhì)分別向著所述冷卻塊體的中央方向?qū)耄缓?，使冷卻介質(zhì)依次向外周部流動(dòng)。
11.一種等離子體處理裝置，其特征為，具有如權(quán)利要求1所述的上部電極。
12.一種等離子體處理裝置，其特征為，具有如權(quán)利要求10所述的上部電極。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可抑制更換部件的成本增加，可降低運(yùn)轉(zhuǎn)成本，與先前比較，可提高溫度控制性能，可以進(jìn)行高精度的等離子體處理的上部電極和等離子體處理裝置。設(shè)在真空腔室(1)上的上部電極(3)由電極基體(30)、冷卻塊體(31)和電極板(32)構(gòu)成。在電極基體(30)和冷卻塊體(31)之間，形成有處理氣體擴(kuò)散用空隙(33)。在冷卻塊體(31)上形成多個(gè)通孔(34)，在這些通孔(34)之間，形成細(xì)的彎曲狀的冷卻介質(zhì)流路(35)。電極板(32)通過作為具有柔軟性的傳熱部件的硅橡膠片(36)，可自由安裝和脫開地固定在冷卻塊體(31)的下側(cè)，分別與通孔(34)對(duì)應(yīng)而形成有噴出口(37)。
文檔編號(hào)C23F4/00GK1551302SQ20041003801
公開日2004年12月1日 申請(qǐng)日期2004年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月13日
發(fā)明者林大輔, 石田壽文, 木村滋利, 利, 文 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社