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一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的制造方法

文檔序號(hào):10739419閱讀:691來源:國知局
一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,公開一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,該等離子體化學(xué)氣相沉積裝置包括至少一個(gè)沉積工藝腔室,每一個(gè)沉積工藝腔室中設(shè)有下極板;沉積工藝腔室的側(cè)壁對(duì)應(yīng)下極板側(cè)面的部位設(shè)有至少一個(gè)通孔;每一個(gè)沉積工藝腔室的側(cè)壁外側(cè)設(shè)有與上述通孔一一對(duì)應(yīng)的頂桿裝置,每一個(gè)頂桿裝置包括:和通孔相通的波紋管,波紋管的第一端通過第一密封板密封,第二端密封安裝于沉積工藝腔室的側(cè)壁、以與通孔相連通;位于波紋管內(nèi)、且一端固定安裝于第一密封板的伸縮桿,伸縮桿的另一端伸入通孔內(nèi)部,當(dāng)波紋管折疊收縮至一定程度時(shí),伸縮桿可穿過通孔且與下極板的側(cè)面相抵。上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動(dòng)率較高。
【專利說明】
一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體化學(xué)氣相沉積裝置一般用于實(shí)現(xiàn)在基板上進(jìn)行鍍膜,其在薄膜晶體管液晶顯示技術(shù)(TFT—LCD)行業(yè)、薄膜太陽能行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用。等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中一般包括至少一個(gè)沉積工藝腔室,如圖1所示,沉積工藝腔室中設(shè)有用于承載帶加工基板的下極板(SUSCeptOr)20,該下極板20安裝于支承軸30上,其可以在電機(jī)的控制下進(jìn)行上下移動(dòng)以保證其與上極板之間的間距,并且,該下極板20可以與遮擋板40配合,使基板10邊緣在遮擋板40的保護(hù)部分形成膜邊(DEP Design)。
[0003]由于加工生產(chǎn)過程中,下極板20會(huì)頻繁的上下調(diào)節(jié)移動(dòng),從而其很容易相對(duì)于支承軸30發(fā)生旋轉(zhuǎn),而下極板20產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)會(huì)導(dǎo)致基板10與下極板20和遮擋板40的相對(duì)位置發(fā)生變動(dòng),進(jìn)而容易造成基板10受壓破損(Glass Broken)或者下極板20受尖端放電破損(Parts Arcing)等情況出現(xiàn),而一旦發(fā)生上述情況,則必須先將沉積工藝腔室降溫,然后再進(jìn)行腔室的清理和修復(fù),這將嚴(yán)重降低整個(gè)等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動(dòng)率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供了一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動(dòng)率較低的問題。
[0005]為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:
[0006]—種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,包括至少一個(gè)沉積工藝腔室,每一個(gè)所述沉積工藝腔室中設(shè)有支承軸以及安裝于所述支承軸上、用于承載待加工基底的下極板;其中,所述沉積工藝腔室的側(cè)壁與所述下極板的側(cè)面相對(duì)的部位設(shè)有至少一個(gè)通孔;每一個(gè)所述沉積工藝腔室的側(cè)壁外側(cè)設(shè)有與所述至少一個(gè)通孔一一對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)頂桿裝置,每一個(gè)所述頂桿裝置包括:
[0007]和與該頂桿裝置對(duì)應(yīng)的通孔相通的波紋管,所述波紋管的第一端通過第一密封板密封,所述波紋管的第二端密封安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁、以與所述通孔相連通;
[0008]位于所述波紋管內(nèi)、且一端固定安裝于所述第一密封板的伸縮桿,所述伸縮桿的另一端伸入所述通孔內(nèi)部,當(dāng)所述第一密封板朝向所述沉積工藝腔室的側(cè)壁方向運(yùn)動(dòng)、以使所述波紋管折疊收縮至一定程度時(shí),所述伸縮桿可穿過所述通孔且與所述下極板的側(cè)面相抵。
[0009]上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中,每一個(gè)沉積工藝腔室的側(cè)壁上與下極板的側(cè)壁相對(duì)的部位設(shè)有通孔、以及與通孔一一對(duì)應(yīng)的頂桿裝置,每一個(gè)頂桿裝置中包括與通孔相連通的波紋管、以保證整個(gè)沉積工藝腔室內(nèi)部環(huán)境的密封性;每一個(gè)頂桿裝置的波紋管中設(shè)有伸縮桿,伸縮桿的一端安裝于波紋管、另一端伸入沉積工藝腔室側(cè)壁上的通孔內(nèi)部,當(dāng)波紋管折疊收縮至一定程度時(shí),伸縮桿伸入通孔內(nèi)部的一端可以進(jìn)入沉積工藝腔室中與下極板的側(cè)面相抵,從而,可以通過推動(dòng)伸縮桿來驅(qū)動(dòng)下極板旋轉(zhuǎn),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)下極板的位置進(jìn)行調(diào)整;因此,上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中,當(dāng)某一個(gè)沉積工藝腔室中的下極板在上下移動(dòng)過程中產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)時(shí),可以通過該沉積工藝腔室側(cè)壁上設(shè)有的頂桿裝置對(duì)下極板的位置進(jìn)行調(diào)整,以避免由于下極板位置偏移而導(dǎo)致基板受壓破損(Glass Broken)或者下極板受尖端放電破損(Parts Arcing)等情況出現(xiàn),從而提高整個(gè)等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動(dòng)率。
[0010]因此,上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動(dòng)率較高。
[0011]優(yōu)選地,所述波紋管的第二端設(shè)有與所述沉積工藝腔室的側(cè)壁相對(duì)設(shè)置、且固定安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁的第二密封板,所述第二密封板上設(shè)有與所述通孔相對(duì)設(shè)置、且供伸縮桿穿過的過孔,所述第二密封板朝向所述沉積工藝腔室側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有環(huán)繞所述過孔設(shè)置、且壓緊于所述沉積工藝腔室側(cè)壁上的密封環(huán)。
[0012]優(yōu)選地,每一個(gè)所述頂桿裝置還包括用于調(diào)節(jié)所述波紋管的折疊伸縮的波紋管架。
[0013]優(yōu)選地,所述波紋管架包括:位于所述波紋管外部、且沿所述波紋管的延伸方向延伸的至少一根螺紋桿;每一根所述螺紋桿的一端固定安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁;所述第一密封板設(shè)有與所述至少一根螺紋桿一一對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)過孔;每一根螺紋桿穿過與其對(duì)應(yīng)的過孔,且每一根所述螺紋桿位于所述第一密封板的兩側(cè)分別設(shè)有一個(gè)調(diào)節(jié)螺母、以用于驅(qū)動(dòng)所述第一密封板在沿所述螺紋桿的延伸方向上進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。
[0014]優(yōu)選地,所述第二密封板上設(shè)有與所述至少一根螺紋桿一一對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)過孔;每一根螺紋桿穿過與其對(duì)應(yīng)的過孔、且每一根所述螺紋桿位于所述第二密封板背離所述沉積工藝腔室側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有鎖緊螺母、以使第二密封板壓緊于沉積工藝腔室的側(cè)壁上。
[0015]優(yōu)選地,所述波紋管架包括四根螺紋桿,所述四根螺紋桿均勻分布于所述波紋管的外側(cè)。
[0016]優(yōu)選地,所述伸縮桿背離所述第一密封板的一端設(shè)有非剛性墊片結(jié)構(gòu)。
[0017]優(yōu)選地,每一個(gè)所述沉積工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)有2?6個(gè)通孔。
[0018]優(yōu)選地,所述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置包括多個(gè)沉積工藝腔室、以及將待加工基底傳遞到每一個(gè)所述沉積工藝腔室中的一個(gè)中間傳遞腔室,所述多個(gè)沉積工藝腔室圍繞所述中間傳遞腔室排列設(shè)置;每一個(gè)所述沉積工藝腔室為方形、且每一個(gè)所述沉積工藝腔室上的通孔設(shè)置于所述沉積工藝腔室中除了與所述中間傳遞腔室相鄰的一個(gè)側(cè)壁以外的三個(gè)側(cè)壁上。
[0019]優(yōu)選地,每一個(gè)所述沉積工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)有兩個(gè)通孔,所述兩個(gè)通孔分別位于所述沉積工藝腔室的三個(gè)側(cè)壁中相對(duì)的兩個(gè)側(cè)壁上。
【附圖說明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的一個(gè)沉積工藝腔室的切面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0021]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的一個(gè)沉積工藝腔室的切面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中的頂桿裝置的切面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的沉積工藝腔室和中間傳遞腔室的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0025]請(qǐng)參考圖2?圖4。
[0026]如圖2?圖4所示,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,包括至少一個(gè)沉積工藝腔室I,每一個(gè)沉積工藝腔室I中設(shè)有支承軸3以及安裝于支承軸3上、用于承載待加工基底10的下極板2;其中,沉積工藝腔室I的側(cè)壁與下極板2的側(cè)面相對(duì)的部位設(shè)有至少一個(gè)通孔4;每一個(gè)沉積工藝腔室I的側(cè)壁外側(cè)設(shè)有與至少一個(gè)通孔4一一對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)頂桿裝置5,每一個(gè)頂桿裝置5包括:
[0027]和與該頂桿裝置5對(duì)應(yīng)的通孔4相通的波紋管6,波紋管6的第一端通過第一密封板61密封,波紋管6的第二端密封安裝于沉積工藝腔室I的側(cè)壁、以與通孔4相連通;
[0028]位于波紋管6內(nèi)、且一端固定安裝于第一密封板61的伸縮桿7,伸縮桿7的另一端伸入通孔4內(nèi)部,當(dāng)?shù)谝幻芊獍?1朝向沉積工藝腔室I的側(cè)壁方向運(yùn)動(dòng)、以使波紋管6折疊收縮至一定程度時(shí),伸縮桿7可穿過通孔4且與下極板2的側(cè)面21相抵。
[0029]上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中,每一個(gè)沉積工藝腔室I的側(cè)壁上與下極板2的側(cè)壁21相對(duì)的部位設(shè)有通孔4、以及與通孔4——對(duì)應(yīng)的頂桿裝置5,每一個(gè)頂桿裝置5中包括與通孔4相連通的波紋管6、以保證整個(gè)沉積工藝腔室I內(nèi)部環(huán)境的密封性;每一個(gè)頂桿裝置5的波紋管6中設(shè)有伸縮桿7,伸縮桿7的一端安裝于波紋管6、另一端伸入沉積工藝腔室I側(cè)壁上的通孔4內(nèi)部,當(dāng)波紋管6折疊收縮至一定程度時(shí),伸縮桿7伸入通孔4內(nèi)部的一端可以進(jìn)入沉積工藝腔室I中并與下極板2的側(cè)面21相抵,從而,可以通過推動(dòng)伸縮桿7來驅(qū)動(dòng)下極板2旋轉(zhuǎn),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)下極板2的位置進(jìn)行調(diào)整;因此,上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中,當(dāng)某一個(gè)沉積工藝腔室I中的下極板2在上下移動(dòng)過程中產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)時(shí),可以通過該沉積工藝腔室I側(cè)壁上設(shè)有的頂桿裝置5對(duì)下極板2的位置進(jìn)行調(diào)整,以避免由于下極板2位置偏移而導(dǎo)致基板10受壓破損(Glass Broken)或者下極板2受尖端放電破損(Parts Arcing)等情況出現(xiàn),從而提高整個(gè)等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動(dòng)率。
[0030]因此,上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動(dòng)率較高。
[0031]如圖2和圖3所示,一種具體的實(shí)施例中,頂桿裝置5中,波紋管6的第二端設(shè)有與沉積工藝腔室I的側(cè)壁相對(duì)設(shè)置、且固定安裝于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上的第二密封板62,該第二密封板62上設(shè)有與通孔4相對(duì)設(shè)置、且供伸縮桿7穿過的過孔,第二密封板62朝向沉積工藝腔室I側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有環(huán)繞過孔設(shè)置、且壓緊于沉積工藝腔室I側(cè)壁上的密封環(huán)620。
[0032]通過第二密封板62可以將波紋管6的第二端封裝起來,而第二密封板62上設(shè)有的密封環(huán)620環(huán)繞第二密封板62上的過孔設(shè)置且壓緊于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上,可以保證第二密封板62與沉積工藝腔室I側(cè)壁之間的密封連接,進(jìn)而保證波紋管6與通孔4之間的密封連通。
[0033]如圖2和圖3所示,在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上,一種具體的實(shí)施例中,每一個(gè)頂桿裝置5還可以包括用于調(diào)節(jié)波紋管6的折疊伸縮的波紋管架8。
[0034]如圖3所示,一種具體的實(shí)施方式中,波紋管架8可以包括:
[0035]位于波紋管6外部、且沿波紋管6的延伸方向延伸(即垂直于沉積工藝腔室I的側(cè)壁方向上)的至少一根螺紋桿81;每一根螺紋桿81的一端固定安裝于沉積工藝腔室I的側(cè)壁;
[0036]第一密封板62上設(shè)有與螺紋桿81—一對(duì)應(yīng)的過孔,每一根螺紋桿81穿過第一密封板62上與其對(duì)應(yīng)的過孔,且每一根螺紋桿81位于第一密封板62的兩側(cè)分別設(shè)有一個(gè)調(diào)節(jié)螺母82、以用于驅(qū)動(dòng)第一密封板62在沿螺紋桿81的延伸方向上進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。
[0037]上述波紋管架8包括沿波紋管6的延伸方向延伸的至少一根螺紋桿81,且每一根螺紋桿81穿過第一密封板61,因此,第一密封板61可以在螺紋桿81的延伸方向上運(yùn)動(dòng)以帶動(dòng)波紋管6伸縮運(yùn)動(dòng);并且,由于與螺紋桿81螺紋配合的調(diào)節(jié)螺母82可以沿螺紋桿81的延伸方向上調(diào)節(jié)移動(dòng),因此,通過調(diào)節(jié)移動(dòng)第一密封板61兩側(cè)的調(diào)節(jié)螺母82,可以驅(qū)動(dòng)第一密封板61沿螺紋桿81的延伸方向(即朝向或遠(yuǎn)離沉積工藝腔室I的側(cè)壁方向)運(yùn)動(dòng),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)波紋管6伸縮運(yùn)動(dòng)的調(diào)節(jié);并且,第一密封板61兩側(cè)通過調(diào)節(jié)螺母82進(jìn)行限位,可以避免第一密封板61受到壓力或者在外部大氣壓力下運(yùn)動(dòng)、進(jìn)而可以避免在不需要調(diào)整下極板2位置時(shí)伸縮桿7觸碰到下極板2。
[0038]如圖3所示,在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上,一種具體的實(shí)施例中,第二密封板62上也設(shè)有與螺紋桿81--對(duì)應(yīng)的過孔;每一根螺紋桿81穿過第二密封板62上與其對(duì)應(yīng)的過孔、且每一根螺紋桿81位于第二密封板62背離沉積工藝腔室I側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有鎖緊螺母83、以使第二密封板62壓緊于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上。
[0039]由于每一根螺紋桿81穿過第二密封板62、且一端安裝于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上,所以,通過調(diào)節(jié)螺紋桿81上的鎖緊螺母83的位置可以使第二密封板62貼緊并固定于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上,進(jìn)而,可以使第二密封板62的密封環(huán)620壓緊于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上,進(jìn)而保證波紋管6與通孔4之間的密封連通。
[0040]如圖2和圖4所示,在上述兩個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上,一種優(yōu)選的實(shí)施例中,波紋管架8可以包括四根螺紋桿81、以保證整個(gè)頂桿裝置5的穩(wěn)定性,該四根螺紋桿81均勻分布于波紋管6的外周側(cè)。
[0041]當(dāng)然,本實(shí)用新型中,上述螺紋桿81的數(shù)量并不限于四個(gè),也可以是二個(gè)或者三個(gè)。
[0042]如圖3所示,在上述各實(shí)施例的基礎(chǔ)上,一種具體的實(shí)施例中,伸縮桿7背離第一密封板61的一端可以設(shè)置有非剛性的墊片結(jié)構(gòu)71;該墊片結(jié)構(gòu)71可以避免伸縮桿7的端部對(duì)下極板2造成劃損。進(jìn)一步地,一種優(yōu)選的實(shí)施例中,伸縮桿7安裝于第二密封板62的一端可以設(shè)有臺(tái)階部72,以限定伸縮桿7可伸入沉積工藝腔室I中的極限位置。
[0043]優(yōu)選地,上述墊片結(jié)構(gòu)71的材料可以為聚四氟乙烯。聚四氟乙烯(商標(biāo)名為“特氟龍”)這種材料具有抗酸抗堿、抗各種有機(jī)溶劑的特點(diǎn),幾乎不溶于所有的溶劑,同時(shí),聚四氟乙烯具有耐高溫摩擦系數(shù)極低的特點(diǎn),因此,它很適合用作于墊片結(jié)構(gòu)。
[0044]在上述各實(shí)施例的基礎(chǔ)上,一種具體的實(shí)施例中,每一個(gè)沉積工藝腔室I的側(cè)壁上可以設(shè)有2?6個(gè)通孔4、并安裝有2?6個(gè)與通孔4——對(duì)應(yīng)的頂桿裝置5。
[0045]如圖4所示,在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上,一種具體的實(shí)施例中,本實(shí)用新型提供的離子體化學(xué)氣相沉積裝置可以包括多個(gè)沉積工藝腔室1、以及將待加工基底10傳遞到每一個(gè)沉積工藝腔室I中的一個(gè)中間傳遞腔室9,多個(gè)沉積工藝腔室I圍繞中間傳遞腔室9排列設(shè)置;每一個(gè)沉積工藝腔室I為方形、且每一個(gè)沉積工藝腔室I上的通孔4設(shè)置于沉積工藝腔室I中除了與中間傳遞腔室9相鄰的一個(gè)側(cè)壁11以外的三個(gè)側(cè)壁(側(cè)壁12、側(cè)壁13和側(cè)壁14)上。
[0046]沉積工藝腔室I與中間傳遞腔室9相鄰的側(cè)壁一側(cè)不利于頂桿裝置5的安裝與調(diào)節(jié),因此,優(yōu)選地,在每一個(gè)沉積工藝腔室I的其它三個(gè)側(cè)壁(側(cè)壁12、側(cè)壁13和側(cè)壁14)上設(shè)置通孔4并安裝頂桿裝置5。
[0047]如圖4所示,在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上,一種具體的實(shí)施例中,每一個(gè)沉積工藝腔室I的側(cè)壁上設(shè)有兩個(gè)通孔4,該兩個(gè)通孔4分別位于沉積工藝腔室I的三個(gè)側(cè)壁(側(cè)壁12、側(cè)壁13和側(cè)壁14)中相對(duì)的兩個(gè)側(cè)壁(側(cè)壁12和側(cè)壁14)上;優(yōu)選地,該兩個(gè)通孔4的中心線重合。通過上述對(duì)應(yīng)設(shè)置的兩個(gè)頂桿裝置5即可以實(shí)現(xiàn)對(duì)下極板2在兩個(gè)旋轉(zhuǎn)方向上進(jìn)行移動(dòng)調(diào)
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[0048]顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣,倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,包括至少一個(gè)沉積工藝腔室,每一個(gè)所述沉積工藝腔室中設(shè)有支承軸以及安裝于所述支承軸上、用于承載待加工基底的下極板;其中,所述沉積工藝腔室的側(cè)壁與所述下極板的側(cè)面相對(duì)的部位設(shè)有至少一個(gè)通孔;每一個(gè)所述沉積工藝腔室的側(cè)壁外側(cè)設(shè)有與所述至少一個(gè)通孔一一對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)頂桿裝置,每一個(gè)所述頂桿裝置包括: 和與該頂桿裝置對(duì)應(yīng)的通孔相通的波紋管,所述波紋管的第一端通過第一密封板密封,所述波紋管的第二端密封安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁、以與所述通孔相連通; 位于所述波紋管內(nèi)、且一端固定安裝于所述第一密封板的伸縮桿,所述伸縮桿的另一端伸入所述通孔內(nèi)部,當(dāng)所述第一密封板朝向所述沉積工藝腔室的側(cè)壁方向運(yùn)動(dòng)、以使所述波紋管折疊收縮至一定程度時(shí),所述伸縮桿可穿過所述通孔且與所述下極板的側(cè)面相抵。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述波紋管的第二端設(shè)有與所述沉積工藝腔室的側(cè)壁相對(duì)設(shè)置、且固定安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁的第二密封板,所述第二密封板上設(shè)有與所述通孔相對(duì)設(shè)置、且供伸縮桿穿過的過孔,所述第二密封板朝向所述沉積工藝腔室側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有環(huán)繞所述過孔設(shè)置、且壓緊于所述沉積工藝腔室側(cè)壁上的密封環(huán)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,每一個(gè)所述頂桿裝置還包括用于調(diào)節(jié)所述波紋管的折疊伸縮的波紋管架。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述波紋管架包括: 位于所述波紋管外部、且沿所述波紋管的延伸方向延伸的至少一根螺紋桿;每一根所述螺紋桿的一端固定安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁; 所述第一密封板設(shè)有與所述至少一根螺紋桿一一對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)過孔;每一根螺紋桿穿過與其對(duì)應(yīng)的過孔,且每一根所述螺紋桿位于所述第一密封板的兩側(cè)分別設(shè)有一個(gè)調(diào)節(jié)螺母、以用于驅(qū)動(dòng)所述第一密封板在沿所述螺紋桿的延伸方向上進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述第二密封板上設(shè)有與所述至少一根螺紋桿一一對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)過孔;每一根螺紋桿穿過與其對(duì)應(yīng)的過孔、且每一根所述螺紋桿位于所述第二密封板背離所述沉積工藝腔室側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有鎖緊螺母、以使第二密封板壓緊于沉積工藝腔室的側(cè)壁上。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述波紋管架包括四根螺紋桿,所述四根螺紋桿均勻分布于所述波紋管的外側(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,所述伸縮桿背離所述第一密封板的一端設(shè)有非剛性墊片結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,每一個(gè)所述沉積工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)有2?6個(gè)通孔。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,包括多個(gè)沉積工藝腔室、以及將待加工基底傳遞到每一個(gè)所述沉積工藝腔室中的一個(gè)中間傳遞腔室,所述多個(gè)沉積工藝腔室圍繞所述中間傳遞腔室排列設(shè)置;每一個(gè)所述沉積工藝腔室為方形、且每一個(gè)所述沉積工藝腔室上的通孔設(shè)置于所述沉積工藝腔室中除了與所述中間傳遞腔室相鄰的一個(gè)側(cè)壁以外的三個(gè)側(cè)壁上。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,每一個(gè)所述沉積工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)有兩個(gè)通孔,所述兩個(gè)通孔分別位于所述沉積工藝腔室的三個(gè)側(cè)壁中相對(duì)的兩個(gè)側(cè)壁上。
【文檔編號(hào)】C23C16/54GK205420545SQ201620173419
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年3月7日
【發(fā)明人】楊曉東, 董杰, 金哲山, 王謙, 周東淇, 張興洋, 胡毓龍, 龔勛, 高歡
【申請(qǐng)人】北京京東方顯示技術(shù)有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
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