專利名稱：吸附臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種藉由真空吸附而將平板狀的基板固定的吸附臺(tái)，更詳細(xì)而言本發(fā)明是關(guān)于一種吸附面由多孔質(zhì)材料形成的吸附臺(tái)。
背景技術(shù)：
藉由真空吸附而將基板固定的吸附臺(tái)利用在各種領(lǐng)域的基板加工裝置中。例如， 在在大型的玻璃基板或半導(dǎo)體基板(所謂的母基板)上對(duì)多個(gè)電子零件進(jìn)行圖案形成，并將其按各個(gè)電子零件分?jǐn)嗟幕寮庸ぱb置中，藉由使用刀輪等的機(jī)械刻劃或使用雷射光束的雷射刻劃，而進(jìn)行在基板上形成劃線的加工。此時(shí)，為在所需位置上形成劃線，而對(duì)基板進(jìn)行定位并利用吸附臺(tái)將基板固定。在用于基板加工裝置的吸附臺(tái)中，已知有在金屬板上形成多個(gè)吸附用的貫通孔并將其作為吸附面的類型的吸附臺(tái)、及將多孔質(zhì)板作為吸附面的類型的吸附臺(tái)(參照專利文獻(xiàn)1) O圖8表示在金屬板上形成有多個(gè)吸附用的貫通孔的類型的吸附臺(tái)的一例的剖面圖。吸附臺(tái)50包含在上面51a(成為吸附面的載臺(tái)表面)上載置有基板的金屬制的載臺(tái)51， 與在其周緣支持載臺(tái)51的底座52。載臺(tái)51在載置有基板G的區(qū)域中，呈格子狀形成有多個(gè)貫通孔53。載臺(tái)51的下方緊貼處，形成有中空空間54，將載臺(tái)51的背面51b設(shè)為面向中空空間M。而且，各貫通孔53通達(dá)中空空間M。底座52的中心安裝有插塞55，插塞55中形成有通達(dá)中空空間M的流路55a。插塞55進(jìn)而經(jīng)由外部流路56連接于真空泵57、空氣源58，藉由閥59、60的開閉而可將中空空間M設(shè)為減壓狀態(tài)，或者使其返回至大氣壓狀態(tài)。吸附臺(tái)50中，藉由將基板G載置在載臺(tái)51上而阻塞所有貫通孔53時(shí)發(fā)揮較強(qiáng)的吸附力，可穩(wěn)定地固定基板G。例如，利用真空泵57排氣時(shí)若所有貫通孔53均被基板G阻塞，利用設(shè)置于插塞陽附近的壓力感測(cè)器61進(jìn)行監(jiān)控，中空空間M的壓力減壓至_60KPa 左右的壓力，若除去基板G而開放所有貫通孔53則中空空間M成為左右的壓力。因此，只要以阻塞所有貫通孔53的方式載置基板G，則該些2個(gè)狀態(tài)之間的壓力差(差壓約 5510 左右)成為經(jīng)由各貫通孔53而發(fā)揮吸附力。再者，在吸附臺(tái)50的情形時(shí)，若因基板 G的位置偏移而開放即便1個(gè)貫通孔53，則自所開放的貫通孔產(chǎn)生較大的泄漏，吸附力一下子變?nèi)?。另一方面，圖9是顯示吸附面使用陶瓷制的多孔質(zhì)板的類型的吸附臺(tái)的一例的剖面圖。在吸附臺(tái)70中，使用由多孔質(zhì)板所構(gòu)成的載臺(tái)71代替圖8中的金屬制載臺(tái)51。 多孔質(zhì)板中含有多個(gè)細(xì)微孔，且在上面71a與下面71b之間具有透氣性。再者，除載臺(tái)71 以外的各部分是與圖8相同的構(gòu)成，故標(biāo)注相同符號(hào)并省略部分說明。在吸附臺(tái)70中，若使真空泵57運(yùn)轉(zhuǎn)則中空空間M變成減壓狀態(tài)，經(jīng)由多孔質(zhì)板整個(gè)面的細(xì)微孔而產(chǎn)生泄漏，成為可以載臺(tái)71的上面71a的大致整個(gè)面吸附。因此，不論將基板G載置于上面71a的何處均吸附。然而，在多孔質(zhì)板中通過細(xì)微孔的氣體的流動(dòng)的阻力較大、泄漏量較小，故無法期望較大的吸附力。例如，利用真空泵57排氣時(shí)若上面71a的全體(即吸附面全體)完全被基板G阻塞，雖然中空空間M以壓力感測(cè)器61而減壓至_60KPa左右的壓力為止，但在除去基板G 而開放上面71a全體的情形時(shí)，細(xì)微孔的泄漏量較小，中空空間M變成_55KPa左右的減壓狀態(tài)。即，多孔質(zhì)板只能將較小的壓力差(差壓左右)用作吸附力。[先前技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)]專利文獻(xiàn)1 日本特開2000-332087號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所欲解決的問題]如上述般，在后者的使用多孔質(zhì)板的吸附臺(tái)70中，無法獲得如在前者的吸附臺(tái)50 中經(jīng)由貫通孔53所能獲得的強(qiáng)吸附力。在吸附臺(tái)70中，因在基板G與上面71a(多孔質(zhì)面)接觸的整個(gè)面中產(chǎn)生吸附力，故只要增加與上面71a接觸的基板面積則吸附力會(huì)一點(diǎn)點(diǎn)增大。因此，為將載置于上面71a的基板G確實(shí)地固定，必須充分增大基板G的面積以使作用于基板G全體的吸附力大于為保持基板所必需的力(亦可稱為基板保持力)。例如，在圖9所示的吸附臺(tái)70中，在上面71a上，若將可使吸附力產(chǎn)生的區(qū)域的面積作為吸附有效面積S，則雖亦依存于多孔質(zhì)板的材質(zhì)、尤其是孔隙率，但在一般的陶瓷制的多孔質(zhì)板的情形時(shí)，如圖10所示，若不以覆蓋吸附有效面積S的60%以上(即0. 6S以上)的方式載置基板G，則無法穩(wěn)定地固定基板。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種吸附面使用多孔質(zhì)板的吸附臺(tái)，其具有能夠以作用于載置于吸附面的基板的吸附力強(qiáng)于(或者相反弱于)迄今為止的吸附力的方式進(jìn)行調(diào)整的構(gòu)造。又，本發(fā)明的目的在于提供一種吸附臺(tái)，其藉由僅以基板覆蓋載置有基板的載臺(tái)的上面中的吸附有效面積的10% 30%即可獲得穩(wěn)定地固定該基板所需的充分的吸附力。進(jìn)而，自其他觀點(diǎn)研究而成的本發(fā)明的目的在于提供一種吸附臺(tái)，其在使用多孔質(zhì)板的吸附臺(tái)中，使產(chǎn)生于多孔質(zhì)內(nèi)的泄漏的流動(dòng)的狀態(tài)發(fā)生變化，使吸附力強(qiáng)于先前、或相反使吸附力弱于先前，藉此可調(diào)整對(duì)載置于吸附臺(tái)的基板的吸附力的大小或分布。[解決問題的手段]為解決上述問題而完成的本發(fā)明的吸附臺(tái)，其包含由以多孔質(zhì)板形成且上面載置基板的載臺(tái)與支持載臺(tái)的周緣部分的底座構(gòu)成，且以內(nèi)部形成有中空空間并且載臺(tái)的背面朝向中空空間的方式構(gòu)成的載臺(tái)本體、及對(duì)中空空間進(jìn)行減壓的真空排氣機(jī)構(gòu)；載臺(tái)的背面是以無透氣性的密封構(gòu)件覆蓋并且在密封構(gòu)件的一部分上形成有泄漏孔，若使中空空間成為減壓狀態(tài)則自泄漏孔經(jīng)由多孔質(zhì)板而產(chǎn)生泄漏。[發(fā)明的效果]根據(jù)本發(fā)明，若對(duì)中空空間進(jìn)行真空排氣而使其成為減壓狀態(tài)，則自形成于密封構(gòu)件的一部分的泄漏孔經(jīng)由多孔質(zhì)板而產(chǎn)生泄漏。由于泄漏孔以外的部分被密封構(gòu)件阻塞，故并非如迄今為止般于多孔質(zhì)板整個(gè)面(載臺(tái)整個(gè)面)上均勻地產(chǎn)生泄漏，而是自泄漏孔產(chǎn)生朝向其上方區(qū)域的局部的泄漏。其結(jié)果為，多孔質(zhì)板內(nèi)的泄漏的產(chǎn)生狀態(tài)(氣體的流動(dòng)狀態(tài))發(fā)生變化，且吸附力的大小或分布發(fā)生變化，而以與迄今為止的吸附臺(tái)(例如參照?qǐng)D9)不同的分布獲得吸附力。具體而言，吸附力的產(chǎn)生區(qū)域是集中于泄漏孔的上方區(qū)域，即便為多孔質(zhì)板亦可僅使形成泄漏孔的附近產(chǎn)生吸附力。此處，泄漏孔亦可自密封構(gòu)件向深度方向延伸而在多孔質(zhì)板形成泄漏孔的底。若藉由加深泄漏孔而在多孔質(zhì)板形成泄漏孔的底，則泄漏量依存于多孔質(zhì)板上所形成的泄漏孔的表面積(孔的底面積與側(cè)面面積的和)而增大，又，多孔質(zhì)板內(nèi)的氣體的流動(dòng)的分布亦發(fā)生變化，與先前的未設(shè)置密封構(gòu)件與泄漏孔的多孔質(zhì)板的吸附臺(tái)相比可加強(qiáng)吸附力。此處，泄漏孔的底的深度較佳為多孔質(zhì)板的板厚的10% 50%。若形成于多孔質(zhì)板的泄漏孔的深度較此淺，則雖可調(diào)整產(chǎn)生吸附力的區(qū)域的分布，但泄漏量變少且吸附力變小。若泄漏孔的深度較此深，則吸附力于大致整個(gè)上面作用， 泄漏量亦變得過大，根據(jù)基板的種類不同，過強(qiáng)的吸附力有可能對(duì)基板帶來沖擊而造成惡劣影響。因此，只要泄漏孔的底的深度為多孔質(zhì)板的板厚的10% 50%，便可獲得大于未形成泄漏孔的多孔質(zhì)板的吸附力，并且可獲得適度的吸附力，而成為吸附力保持平衡的吸附臺(tái)。在上述發(fā)明中，較佳為泄漏孔于載臺(tái)的背面呈格子狀地形成多個(gè)。藉此，可遍及載臺(tái)的全體而大致均勻地吸附基板。在上述發(fā)明中，泄漏孔亦可在載臺(tái)的背面形成多個(gè)，并且使泄漏孔的分布、泄漏孔的每單位面積的數(shù)、泄漏孔的深度、泄漏孔的徑中的至少任一者變得不均勻，從而使吸附力不均勻地作用。藉由將泄漏量設(shè)為不均勻的分布，吸附力亦可不均勻地施加給載臺(tái)。例如，可使吸附力于中央與周圍變化、或者可對(duì)載臺(tái)的一部分施加較強(qiáng)的吸附力。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1表示本發(fā)明的吸附臺(tái)的一實(shí)施例的剖面圖。圖2是圖1中的吸附臺(tái)的平面圖。圖3表示用于本發(fā)明的吸附臺(tái)的載臺(tái)的加工順序的步驟圖。圖4表示利用泄漏孔22的載臺(tái)的吸附狀態(tài)的圖。圖5表示將泄漏孔23的深度設(shè)為5mm左右時(shí)的載臺(tái)的吸附狀態(tài)的圖。圖6表示將泄漏孔23的深度設(shè)為15mm左右時(shí)的載臺(tái)的吸附狀態(tài)的圖。圖7表示使泄漏孔23的深度于載臺(tái)的左右發(fā)生變化時(shí)的載臺(tái)的吸附狀態(tài)的圖。圖8表示在金屬板上形成多個(gè)吸附用貫通孔的類型的吸附臺(tái)的一例的剖面圖(先前例)。圖9表示在吸附面使用多孔質(zhì)板的類型的吸附臺(tái)的一例的剖面圖(先前例)。
圖10表示為利用圖9的先前類型的吸附臺(tái)將基板穩(wěn)定地固定所需的基板面積的圖(先前例)。G 基板10、50、70 吸附臺(tái)lla、51a、71a 上面llc、71b:下面13 載臺(tái)本體15、55 插塞16、56 外部流路18、58 空氣源21 密封構(gòu)件53:貫通孔
具體實(shí)施例方式以下，針對(duì)本發(fā)明的吸附臺(tái)的詳細(xì)內(nèi)容，根據(jù)表示其實(shí)施形態(tài)的圖式而進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1表示本發(fā)明的吸附臺(tái)的一實(shí)施例的剖面圖，圖2是其平面圖。吸附臺(tái)10包含載臺(tái)本體13，該載臺(tái)本體13是由上面Ila(載臺(tái)表面)載置有基板G的方形的載臺(tái)11、及對(duì)于載臺(tái)11以在其周緣抵接的方式進(jìn)行支持的底座12構(gòu)成。本實(shí)施形態(tài)中，是由載臺(tái)11的周緣的下面Ilc被底座12支持，但亦可與圖9中所說明的載臺(tái) 71同樣地，由載臺(tái)周緣的側(cè)面被底座支持。任一情形時(shí)只要使接觸面密著而不自邊界面產(chǎn)生泄漏便可。載臺(tái)11是利用陶瓷制的多孔質(zhì)板形成，且在背面lib上固著有密封構(gòu)件21并且以一定間距呈格子狀地形成有密封孔23 。關(guān)于該些的詳細(xì)內(nèi)容在下文敘述。在載臺(tái)11 及底座12的除周緣以外的內(nèi)側(cè)部分，藉由將載臺(tái)11的下面及底座12的上面加工為凹部而形成中空空間14，且載臺(tái)11的背面llb(內(nèi)側(cè)部分的下面)是面向中空空間14。再者，中空空間14既可僅藉由于載臺(tái)11側(cè)加工凹部而設(shè)，亦可僅藉由于底座12側(cè)加工凹部而設(shè)。在底座12的中心安裝有插塞15，且在插塞15中形成有通達(dá)中空空間14的流路 15a。插塞15進(jìn)而經(jīng)由外部流路16而連接于真空泵17、空氣源18，且可藉由打開閥19而使中空空間14成為減壓狀態(tài)，或者可藉由打開閥30而使其返回至大氣壓狀態(tài)。在插塞15的附近的外部流路16安裝有壓力感測(cè)器31，其可監(jiān)控中空空間14的壓力，并且可作為真空開關(guān)而使用，即藉由預(yù)先設(shè)定閥值，而進(jìn)行是否能夠確保為穩(wěn)定地固定基板G所需的基板保持力的判定。其次，對(duì)載臺(tái)11的背面lib的加工進(jìn)行說明。圖3表示由多孔質(zhì)板構(gòu)成的載臺(tái)11 的加工順序的圖。首先，如圖3(a)所示，將載置有基板的表面Ila加工為平坦面，并在相反側(cè)形成由背面lib與周緣的下面Ilc構(gòu)成的凹部。繼而，如圖3(b)所示，以覆蓋背面lib的方式固著密封構(gòu)件21。具體而言，以覆蓋載臺(tái)11的背面lib全體的方式涂布用作接著劑的環(huán)氧樹脂作為密封構(gòu)件21。再者，密封構(gòu)
P、31、61 壓力感測(cè)器 11、51、71 載臺(tái)(多孔質(zhì)板) lib,51b 背面 12,52 底座 14,54 中空空間 15a、55a 流路 17,57 真空泵(真空排氣機(jī)構(gòu)) 19、30、59、60 閥 22、23:泄漏孔(密封孔)件21只要為可阻斷多孔質(zhì)構(gòu)件的透氣性的材料便無特別限定。然后，如圖3(c)所示，對(duì)所形成的密封構(gòu)件21形成泄漏孔22。本實(shí)施形態(tài)中，泄漏孔22是以一定間距遍及背面lib的全體而呈正方格子狀地形成。接著，如圖3(d)所示，朝向載臺(tái)11的深度方向而加工泄漏孔22，形成到達(dá)載臺(tái)11 內(nèi)部的泄漏孔23(未貫通)。具體而言，藉由鉆孔加工或雷射剝離加工而形成所需深度的泄漏孔23。形成于載臺(tái)11的泄漏孔的較佳深度為板厚的10% 50%。例如，若將板厚設(shè)為 20mm則只要將泄漏孔設(shè)為2mm IOmm的深度，便可設(shè)為平衡較佳的吸附力。即，可確實(shí)地固定具有載臺(tái)11的有效吸附面積的10% 30%的面積的基板。再者，只要不貫通載臺(tái)11，則既可形成較此深的密封孔23，亦可設(shè)為僅貫通密封構(gòu)件21的密封孔22。分別以特征性分布而產(chǎn)生吸附力。又，泄漏孔的較佳孔徑雖亦依存于多孔質(zhì)板的材質(zhì)、泄漏孔深度等其他參數(shù)，但只要為0. 5mm 5mm艮口可。圖4 圖6表示根據(jù)泄漏孔22、23的深度的不同的吸附狀態(tài)的變化的圖。圖4為形成僅貫通密封構(gòu)件21的泄漏孔22時(shí)的吸附狀態(tài)，圖5為在載臺(tái)11上形成深度為5mm左右(板厚20mm的25%)的泄漏孔23時(shí)的吸附狀態(tài)，圖6為在載臺(tái)11上形成深度為15mm左右(板厚20mm的75% )的泄漏孔時(shí)的吸附狀態(tài)?？讖骄鶠?mm。任一圖中，(a)是載臺(tái)11的剖面的示意圖，以實(shí)線表示產(chǎn)生氣流流動(dòng)的范圍。又， (b)是載臺(tái)11的上面Ila的示意圖，以A、B、C表示產(chǎn)生吸附力的區(qū)域。在密封構(gòu)件21上僅開有泄漏孔22的情形時(shí)，如圖4所示，泄漏量受到限制，吸附力僅在泄漏孔22的上方近處的區(qū)域A起作用。在此情形時(shí)，例如可利用于欲以較弱吸附力吸附非常脆的基板的情形等。在開有孔底到達(dá)多孔質(zhì)板的泄漏孔23的情形時(shí)，如圖5所示，吸附區(qū)域B變得相當(dāng)寬，而且在泄漏孔23的上方近處的位置多孔質(zhì)的板厚變薄，故流動(dòng)的阻力變小，吸附力亦增大。在此情形時(shí)，基板G的面積即便為載臺(tái)11的吸附有效面積S的10% 30%左右亦可確實(shí)地吸附。在加深泄漏孔至孔底成為多孔質(zhì)板的板厚的50%以上的深度的情形時(shí)，如圖6所示，吸附區(qū)域C進(jìn)而變寬，在載臺(tái)11的吸附有效面積的大致整個(gè)面而較強(qiáng)地吸附。以上，對(duì)本發(fā)明的代表性的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但木發(fā)明并不特定于上述實(shí)施形態(tài)，在達(dá)成其目的且不脫離申請(qǐng)專利范圍的范圍內(nèi)，可進(jìn)行適當(dāng)?shù)男拚?、變更。例如，迄今為止，在載臺(tái)11的上面Ila上，以盡可能變成均勻分布的方式使吸附力呈格子狀地發(fā)揮作用，但亦可與此相反地，使泄漏孔的分布、泄漏孔的每單位面積的數(shù)、泄漏孔的深度、泄漏孔的徑等參數(shù)變得不均勻，而使吸附力不均勻地發(fā)揮作用。圖7是將泄漏孔23的深度分布設(shè)為不均勻之例。本實(shí)施形態(tài)中，是將左側(cè)半部分設(shè)為圖5中所說明的泄漏孔23，將右側(cè)半部分設(shè)為圖4中所說明的泄漏孔22。藉此，可在沿劃線將基板G的左側(cè)較強(qiáng)地吸附，并較弱地吸附右側(cè)的狀態(tài)下進(jìn)行加工，并在外力施加于基板G上時(shí)可藉由右側(cè)易避讓而不會(huì)施加過大的負(fù)荷。不僅可將泄漏孔的深度設(shè)為不均勻，還可將孔徑設(shè)為不均勻，亦可將孔數(shù)設(shè)為不均勻。又，即便將泄漏孔的分布、泄漏孔的每單位面積的數(shù)設(shè)為不均勻亦可獲得相同的效^ ο又，除此以外，亦可在載臺(tái)11的中央與外側(cè)將泄漏孔設(shè)為不均勻而使吸附力發(fā)生變化。[產(chǎn)業(yè)上的可利用性]本發(fā)明的吸附臺(tái)可作為基板加工裝置中固定基板的載臺(tái)而利用。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種吸附臺(tái)，其包含由以多孔質(zhì)板形成且上面載置基板的載臺(tái)與支持上述載臺(tái)的周緣部分的底座構(gòu)成，且以內(nèi)部形成有中空空間并且上述載臺(tái)的背面面向上述中空空間的方式構(gòu)成的載臺(tái)本體、及對(duì)上述中空空間進(jìn)行減壓的真空排氣機(jī)構(gòu)；其特征在于上述載臺(tái)的背面是由無透氣性的密封構(gòu)件覆蓋，并且在上述密封構(gòu)件的一部分形成有泄漏孔；若使中空空間成為減壓狀態(tài)則自上述泄漏孔經(jīng)由多孔質(zhì)板而產(chǎn)生泄漏。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附臺(tái)，其特征在于其中上述泄漏孔是自密封構(gòu)件向深度方向延伸且在多孔質(zhì)板形成泄漏孔的底而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附臺(tái)，其特征在于其中上述泄漏孔的底的深度為多孔質(zhì)板的板厚的10% 50%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附臺(tái)，其特征在于其中上述泄漏孔是在載臺(tái)的背面呈格子狀地形成有多個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附臺(tái)，其特征在于其中上述泄漏孔是在載臺(tái)的背面形成多個(gè)，并且使泄漏孔的分布、泄漏孔的每單位面積的數(shù)、泄漏孔的深度、泄漏孔的徑中的至少任一者變得不均勻，從而使吸附力不均勻地發(fā)揮作用。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種使用多孔質(zhì)板的吸附臺(tái)，且具有可調(diào)整作用于基板的吸附力的大小或分布的構(gòu)造。該吸附臺(tái)(10)包含載臺(tái)本體(13)，其是由以多孔質(zhì)板形成且上面(11a)載置基板(G)的載臺(tái)(11)、及底座(12)構(gòu)成，且以內(nèi)部形成有中空空間(14)并且載臺(tái)的背面(11b)面向中空空間(14)的方式構(gòu)成；及真空排氣機(jī)構(gòu)(17)，其對(duì)中空空間(14)進(jìn)行減壓；載臺(tái)的背面(11b)是由無透氣性的密封構(gòu)件(21)覆蓋，并且在密封構(gòu)件的一部分形成有泄漏孔(22)，若使中空空間(14)變成減壓狀態(tài)則自泄漏孔(22)經(jīng)由多孔質(zhì)板而產(chǎn)生泄漏。
文檔編號(hào)B23Q3/08GK102446799SQ20111029065
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月5日
發(fā)明者岡島康智 申請(qǐng)人:三星鉆石工業(yè)股份有限公司