專利名稱：屏蔽罩密封方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及機(jī)械加工方法，更具體地涉及一種屏蔽罩密封方法。
背景技術(shù)：
隨著社會(huì)信息化進(jìn)程的不斷加快，各種信息家電如機(jī)頂盒、手機(jī)等等不斷投放市 場(chǎng)。用于各種信息家電中的屏蔽罩通常連接有至少一個(gè)連接器，連接器一般以鉚壓的方式 固定于屏蔽罩上，因此連接器與屏蔽罩的連接處不可避免地出現(xiàn)了縫隙。為了實(shí)現(xiàn)屏蔽罩 的密封性以保障其較好的屏蔽能力，需要在將連接器固定于屏蔽罩之后對(duì)其連接縫隙處進(jìn) 行密封處理?，F(xiàn)有的密封處理一般采用以下兩種方式一種密封方式為純手工作業(yè)，人工使用電烙鐵將焊料(一般為錫絲)焊接于連接 器與屏蔽罩的連接處以實(shí)現(xiàn)其密封性。該手工焊接方式由于存在個(gè)體差異，容易導(dǎo)致焊接 表面不平整或不完全密封，合格率低且生產(chǎn)效率也低。另一種密封方式為回流焊流水型作業(yè)，該焊接過程為首先于屏蔽罩與連接器之間 的縫隙處點(diǎn)涂錫膏，然后將整個(gè)屏蔽罩放入類似流水線爐體，使錫膏熔化，達(dá)到焊錫效果。 該密封方式雖然能夠相對(duì)提高生產(chǎn)效率但是由于焊料是采用錫膏，容易出現(xiàn)點(diǎn)涂不均勻而 使得焊接表面不平整或不完全密封，合格率低。此外，該加工方式將整個(gè)屏蔽罩置于流水線 爐體內(nèi)傳送，整個(gè)屏蔽罩較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)處于加熱狀態(tài)，容易產(chǎn)生磁化現(xiàn)象，且置于焊縫處的錫 料因重力的作用往下流，進(jìn)一步導(dǎo)致錫料分布不均，降低合格率。因此，有必要提供一種密封效果好、合格率及生產(chǎn)效率較高的屏蔽罩密封方法來(lái) 克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種密封效果好、合格率及生產(chǎn)效率較高的屏蔽罩密封方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種屏蔽罩密封方法，其包括提供鉚接有連接器 的屏蔽罩，所述連接器與所述屏蔽罩之間形成裝配縫隙；提供與所述縫隙的形狀相對(duì)應(yīng)的 錫圈；將所述錫圈套于所述連接器上并覆蓋所述屏蔽罩和所述連接器之間的縫隙；提供連 接有感應(yīng)線圈的高周波加熱機(jī)，所述感應(yīng)線圈制成與所述錫圈相對(duì)應(yīng)的形狀，將所述連接 器套于所述感應(yīng)線圈內(nèi)，使所述錫圈位于所述感應(yīng)線圈的下方，且相對(duì)所述感應(yīng)線圈傾斜 一定角度，從而使所述感應(yīng)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)在所述錫圈所在區(qū)域的強(qiáng)度大致相同；所述高 周波加熱機(jī)對(duì)所述感應(yīng)線圈通電以產(chǎn)生磁場(chǎng)，所述錫圈在所述磁場(chǎng)中被加熱熔化而填充所 述縫隙。較佳地，所述角度為2°至35°的范圍內(nèi)。感應(yīng)線圈所在平面與所述錫圈所在平 面之間形成一適當(dāng)?shù)膬A斜夾角以使分布于錫圈上的熱量基本相同，錫圈可達(dá)到基本同時(shí)熔 化，進(jìn)一步提高焊接效果。較佳地，在將所述錫圈套于所述連接器之前還包括在所述連接器與所述屏蔽罩的連接處添加助焊劑。助焊劑的添加可進(jìn)一步提高焊接效率和焊接性能。較佳地，屏蔽罩密封方法還包括錫圈熔化后以風(fēng)扇常溫冷卻所述屏蔽罩。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明屏蔽罩密封方法采用與連接器外形對(duì)應(yīng)的錫圈作為焊 料，錫圈套于連接器上可準(zhǔn)確地覆蓋屏蔽罩上的縫隙以保證焊接表面的平整及焊接的完全 密封性。此外，采用設(shè)置有感應(yīng)線圈的高周波加熱機(jī)對(duì)錫圈部分進(jìn)行均勻加熱，減少加熱范 圍避免屏蔽罩產(chǎn)生磁化現(xiàn)象，進(jìn)一步提高合格率和生產(chǎn)率。通過以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明 的實(shí)施例。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附 圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附 圖。圖1為本發(fā)明屏蔽罩密封方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖。圖2為本發(fā)明屏蔽罩密封方法另一個(gè)實(shí)施例的流程圖。圖3為采用本發(fā)明屏蔽罩密封方法加工屏蔽罩的一狀態(tài)示意圖。圖4為采用本發(fā)明屏蔽罩密封方法加工屏蔽罩的另一狀態(tài)示意圖。圖5為圖4所示狀態(tài)示意圖的部分放大圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描 述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā) 明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施 例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供了一種屏蔽罩密封方法，其包括以下步驟SlOl 提供鉚接有連接器的屏蔽罩，所述連接器與所述屏蔽罩之間形成裝配縫 隙；S102 提供與所述縫隙的形狀相對(duì)應(yīng)的錫圈；S103:將所述錫圈套于所述連接器上并覆蓋所述屏蔽罩和所述連接器之間的縫 隙；S104:提供連接有感應(yīng)線圈的高周波加熱機(jī)，所述感應(yīng)線圈制成與所述錫圈相對(duì)應(yīng)的形狀，將所述連接器套于所述感應(yīng)線圈內(nèi)，使所述錫圈位于所述感應(yīng)線圈的下方，且相 對(duì)所述感應(yīng)線圈傾斜一定角度，從而使所述感應(yīng)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)在所述錫圈所在區(qū)域的強(qiáng) 度大致相同；S105 所述高周波加熱機(jī)對(duì)所述感應(yīng)線圈通電以產(chǎn)生磁場(chǎng)，所述錫圈在所述磁場(chǎng)中被加熱熔化而填充所述縫隙。以下詳細(xì)描述本發(fā)明屏蔽罩密封方法一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例。請(qǐng)參閱圖2-5，本發(fā)明屏蔽罩密封方法包括以下步驟
S201 提供鉚接有連接器20的屏蔽罩10，所述連接器20與所述屏蔽罩10之間形 成裝配縫隙。S202 提供與所述縫隙的形狀相對(duì)應(yīng)的錫圈30。S203 在所述連接器20與所述屏蔽罩10的連接處添加助焊劑。 S204 將所述錫圈30套于所述連接器20上并覆蓋所述屏蔽罩10和所述連接器20之間的縫隙。S205 提供連接有感應(yīng)線圈40的高周波加熱機(jī)50，所述感應(yīng)線圈40制成與所述 錫圈30相對(duì)應(yīng)的形狀，將所述連接器20套于所述感應(yīng)線圈40內(nèi)，使所述錫圈30位于所述 感應(yīng)線圈40的下方，且相對(duì)所述感應(yīng)線圈40傾斜一定角度，從而使所述感應(yīng)線圈40產(chǎn)生 的磁場(chǎng)在所述錫圈30所在區(qū)域的強(qiáng)度大致相同。具體地，所述錫圈30相對(duì)于所述感應(yīng)線 圈40傾斜的角度為所述感應(yīng)線圈40的軸線41與所述錫圈30的軸線31之間的夾角A。較 佳地，所述夾角A為2°至35°的范圍內(nèi)。本具體實(shí)施例中，所述夾角A取值為16°。S206 所述高周波加熱機(jī)50對(duì)所述感應(yīng)線圈40通電以產(chǎn)生磁場(chǎng)，所述錫圈30在 所述磁場(chǎng)中被加熱熔化而填充所述縫隙。S207 錫圈30熔化后以風(fēng)扇常溫冷卻所述屏蔽罩10。本發(fā)明屏蔽罩10密封方法于加工過程中添加了助焊劑以使進(jìn)一步提高焊接效率 和焊接性能。采用錫圈30作為焊料，其套于連接器20之后可準(zhǔn)確地覆蓋屏蔽罩10上的縫 隙以保證焊接表面的平整及焊接的完全密封性。高周波加熱機(jī)50通過感應(yīng)線圈40對(duì)錫圈 30進(jìn)行加熱，加熱范圍集中，使得錫圈30可快速熔化，焊接效果更佳。其中，感應(yīng)線圈40是 對(duì)錫圈30進(jìn)行感應(yīng)加熱，感應(yīng)線圈40并不直接接觸錫圈30，而是通過電磁感應(yīng)把電能傳遞 給錫圈30，然后電能在錫圈30內(nèi)部轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮埽瑥亩a圈30被熔化了。感應(yīng)線圈40的通 電時(shí)間和其與錫圈30之間的距離均會(huì)影響錫圈30上產(chǎn)生的熱量，當(dāng)位于錫圈30上方的感 應(yīng)線圈40通電時(shí)間越長(zhǎng)或者是感應(yīng)線圈40越靠近錫圈30，錫圈30熔化得越快。本具體實(shí) 施例中，感應(yīng)線圈40的每一圈中靠近高周波加熱機(jī)50 —側(cè)相較其另一側(cè)更先通入電流，導(dǎo) 致了感應(yīng)線圈40靠近高周波加熱機(jī)50 —側(cè)相較其另一側(cè)傳熱更快，為了彌補(bǔ)這一分布不 均的缺陷，使所述錫圈30相對(duì)于所述感應(yīng)線圈40傾斜一定角度，所述感應(yīng)線圈40的軸線 與所述錫圈30的軸線之間形成適當(dāng)?shù)膴A角使得傳熱較慢的感應(yīng)線圈40 —側(cè)更為接近錫圈 30，從而使得分布于錫圈30上的熱量基本相同，錫圈30可達(dá)到基本同時(shí)熔化，進(jìn)一步提高 焊接效果。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明屏蔽罩密封方法采用與連接器20外形對(duì)應(yīng)的錫圈30作 為焊料，錫圈30套于連接器20上可準(zhǔn)確地覆蓋屏蔽罩10上的縫隙以保證焊接表面的平整 及焊接的完全密封性。此外，采用設(shè)置有感應(yīng)線圈40的高周波加熱機(jī)50對(duì)錫圈30部分進(jìn) 行均勻加熱，減少加熱范圍避免屏蔽罩10產(chǎn)生磁化現(xiàn)象，進(jìn)一步提高合格率和生產(chǎn)率。需要說明的是，本發(fā)明屏蔽罩10密封方法的上述各步驟并不限于上述描述的順 序，可根據(jù)具體操作需要而變更。本發(fā)明屏蔽罩10密封方法的其它步驟及高周波加熱機(jī)50 的原理均為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知，在此不再做詳細(xì)的說明。以上結(jié)合最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本發(fā)明并不局限于以上揭示的實(shí)施 例，而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本發(fā)明的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
權(quán)利要求
一種屏蔽罩密封方法，其特征在于，包括提供鉚接有連接器的屏蔽罩，所述連接器與所述屏蔽罩之間形成裝配縫隙；提供與所述縫隙的形狀相對(duì)應(yīng)的錫圈；將所述錫圈套于所述連接器上并覆蓋所述屏蔽罩和所述連接器之間的縫隙；提供連接有感應(yīng)線圈的高周波加熱機(jī)，所述感應(yīng)線圈制成與所述錫圈相對(duì)應(yīng)的形狀，將所述連接器套于所述感應(yīng)線圈內(nèi)，使所述錫圈位于所述感應(yīng)線圈的下方，且相對(duì)所述感應(yīng)線圈傾斜一定角度，從而使所述感應(yīng)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)在所述錫圈所在區(qū)域的強(qiáng)度大致相同；所述高周波加熱機(jī)對(duì)所述感應(yīng)線圈通電以產(chǎn)生磁場(chǎng)，所述錫圈在所述磁場(chǎng)中被加熱熔化而填充所述縫隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽罩密封方法，其特征在于所述角度為2°至35°的范 圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽罩密封方法，其特征在于，在將所述錫圈套于所述連接 器之前還包括在所述連接器與所述屏蔽罩的連接處添加助焊劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽罩密封方法，其特征在于，還包括錫圈熔化后以風(fēng)扇常 溫冷卻所述屏蔽罩。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種屏蔽罩密封方法，包括提供鉚接有連接器的屏蔽罩，所述連接器與所述屏蔽罩之間形成裝配縫隙；提供與所述縫隙的形狀相對(duì)應(yīng)的錫圈；將所述錫圈套于所述連接器上并覆蓋所述屏蔽罩和所述連接器之間的縫隙；提供連接有感應(yīng)線圈的高周波加熱機(jī)，所述感應(yīng)線圈制成與所述錫圈相對(duì)應(yīng)的形狀，將所述連接器套于所述感應(yīng)線圈內(nèi)，使所述錫圈位于所述感應(yīng)線圈的下方，且相對(duì)所述感應(yīng)線圈傾斜一定角度，從而使所述感應(yīng)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)在所述錫圈所在區(qū)域的強(qiáng)度大致相同；所述高周波加熱機(jī)對(duì)所述感應(yīng)線圈通電以產(chǎn)生磁場(chǎng)，所述錫圈在所述磁場(chǎng)中被加熱熔化而填充所述縫隙。本發(fā)明屏蔽罩密封方法密封效果好、合格率及生產(chǎn)效率較高。
文檔編號(hào)B23K1/002GK101837495SQ200910213849
公開日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者汪志彥 申請(qǐng)人:東莞弘隆金屬制品有限公司