專(zhuān)利名稱(chēng)：一種低熔點(diǎn)金屬焊接球及電子零件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種低熔點(diǎn)金屬焊接球及電子零件，特別是指一種錫球及電子零件。
本實(shí)用新型的另一目的是提供一種錫球及電子零件，該錫球在回回焊時(shí)不會(huì)使電子零件與PC板之間的熔接時(shí)不會(huì)發(fā)生錫球虹吸空焊和錫崩的缺陷。
實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的低熔點(diǎn)金屬焊接球由低熔點(diǎn)顆粒、外覆較高熔點(diǎn)金屬薄層、低熔點(diǎn)金屬熔接層等構(gòu)成，低熔點(diǎn)顆粒的外層設(shè)有比低熔點(diǎn)顆粒熔點(diǎn)較高的金屬薄層，在較高熔點(diǎn)金屬薄層的外層設(shè)有與低熔點(diǎn)顆粒熔點(diǎn)相同或相接近的金屬熔接層。較高金屬薄層和金屬熔接層可以是采用電鍍或者任意其他的被覆方式覆蓋在低熔點(diǎn)顆粒層外層。采用本實(shí)用新型的低熔點(diǎn)金屬焊接球，由于外面的低熔點(diǎn)金屬熔接層與低熔點(diǎn)顆粒層的熔點(diǎn)相同或者接近，而較高熔點(diǎn)的金屬層的熔點(diǎn)是高于低熔點(diǎn)顆粒層和低熔點(diǎn)金屬熔接層，在回焊時(shí)，低熔點(diǎn)顆粒層與低熔點(diǎn)金屬熔接層發(fā)生熔化變形，而較高熔點(diǎn)金屬層是不會(huì)發(fā)生熔化，只會(huì)因?yàn)樗艿膲毫Χ冃危粫?huì)使低熔點(diǎn)顆粒發(fā)生破壞而發(fā)生錫崩現(xiàn)象。同樣，由于較高金屬薄層的熔點(diǎn)高于低熔點(diǎn)顆粒熔接層，回焊時(shí)只要回焊的溫度高于低熔點(diǎn)金屬熔接層的熔點(diǎn)而低于較高熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn)就可以使低熔點(diǎn)金屬球既不會(huì)出現(xiàn)虹吸空焊，也不出現(xiàn)錫崩現(xiàn)象。
作為改進(jìn)，在低熔點(diǎn)顆粒外層可以設(shè)有多層的薄層。
作為本實(shí)用新型的改進(jìn)，所述的低熔點(diǎn)顆粒可以是低熔點(diǎn)的金屬顆粒。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的低熔點(diǎn)金屬顆粒為錫球。所述的低熔點(diǎn)金屬熔接層為錫球?qū)印?br> 本實(shí)用新型的電子零件的焊接金屬球采用低熔點(diǎn)金屬焊接球由低熔點(diǎn)顆粒、外覆較高熔點(diǎn)金屬薄層、低熔點(diǎn)金屬熔接層等構(gòu)成，低熔點(diǎn)顆粒的外層設(shè)有比低熔點(diǎn)顆粒熔點(diǎn)較高的金屬薄層，在較高熔點(diǎn)金屬薄層的外層設(shè)有與低熔點(diǎn)顆粒熔點(diǎn)相同或相接近的金屬熔接層。較高金屬薄層和金屬熔接層可以是采用電鍍或者任意其他的被覆方式覆蓋在低熔點(diǎn)顆粒層外層。采用本實(shí)用新型的電子零件，由于回焊的溫度便于確定，在進(jìn)行電子零件與PC板進(jìn)行回焊連接時(shí)，不易產(chǎn)生虹吸空焊和錫崩現(xiàn)象，便于生產(chǎn)，提高產(chǎn)品質(zhì)量。
作為本實(shí)用新型的改進(jìn)，所述的電子零件的焊接金屬球的低熔點(diǎn)顆粒可以是低熔點(diǎn)的金屬顆粒。
作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的電子零件的焊接金屬球的低熔點(diǎn)金屬顆粒為錫球。所述的低熔點(diǎn)金屬熔接層為錫球?qū)印?br> 采用本實(shí)用新型的焊接金屬球與電子零件，在回焊時(shí)便于控制生產(chǎn)時(shí)回焊爐的溫度，確保了電子零件與PC板之間的熔接時(shí)不會(huì)發(fā)生低熔點(diǎn)金屬焊接球虹吸空焊和錫崩缺陷，便于提供產(chǎn)品品質(zhì)。
如圖5和圖6所示，本實(shí)用新型的電子零件4的焊接金屬球采用低熔點(diǎn)金屬焊接球由錫球1、較高熔點(diǎn)金屬薄層2、低熔點(diǎn)錫球熔接層3等構(gòu)成，由于回焊的溫度便于確定，在進(jìn)行電子零件4與PC板5進(jìn)行回焊連接時(shí)，錫球顆粒只會(huì)發(fā)生變形，不易產(chǎn)生虹吸空焊和錫崩現(xiàn)象，便于生產(chǎn)，提高產(chǎn)品質(zhì)量。
權(quán)利要求1.一種低熔點(diǎn)金屬焊接球其特征在于由低熔點(diǎn)顆粒、外覆較高熔點(diǎn)金屬薄層、低熔點(diǎn)金屬熔接層等構(gòu)成，低熔點(diǎn)顆粒的外層設(shè)有比低熔點(diǎn)顆粒熔點(diǎn)較高的金屬薄層，在較高熔點(diǎn)金屬薄層的外層設(shè)有與低熔點(diǎn)顆粒熔點(diǎn)相同或相接近的金屬熔接層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)金屬焊接球，其特征在于在低熔點(diǎn)顆粒外層可以設(shè)有多層的金屬薄層。
3.如權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)金屬焊接球，其特征在于所述的低熔點(diǎn)顆?？梢允堑腿埸c(diǎn)的金屬顆粒。
4.如權(quán)利要求3所述的一種低熔點(diǎn)金屬焊接球，其特征在于所述的低熔點(diǎn)金屬顆粒為錫球。
5.如權(quán)利要求3所述的一種低熔點(diǎn)金屬焊接球，其特征在于所述的低熔點(diǎn)金屬熔接層為錫球?qū)印?br> 6.一種電子零件，其特征在于所述的電子零件的焊接金屬球是一種低熔點(diǎn)金屬焊接球，由低熔點(diǎn)顆粒、外覆較高熔點(diǎn)金屬薄層、低熔點(diǎn)金屬熔接層等構(gòu)成，低熔點(diǎn)顆粒的外層設(shè)有比低熔點(diǎn)顆粒熔點(diǎn)較高的金屬薄層，在較高熔點(diǎn)金屬薄層的外層設(shè)有與低熔點(diǎn)顆粒熔點(diǎn)相同或相接近的金屬熔接層。
7.如權(quán)利要求6所述的電子零件，其特征在于所述焊接金屬球的低熔點(diǎn)顆?？梢允堑腿埸c(diǎn)的金屬顆粒。
8.如權(quán)利要求7所述的電子零件，其特征在于所述電子零件的焊接金屬球的低熔點(diǎn)金屬顆粒為錫球。
9.如權(quán)利要求7所述的電子零件，其特征在于所述所述的低熔點(diǎn)金屬熔接層為錫球?qū)印?br> 專(zhuān)利摘要一種錫球及電子零件，連接錫球由錫球顆粒、外覆較高熔點(diǎn)金屬薄層、錫球熔接層等構(gòu)成，錫球的外層設(shè)有比錫球熔點(diǎn)較高的金屬薄層，在較高熔點(diǎn)金屬薄層的外層設(shè)有與錫球熔點(diǎn)相同的錫球熔接層。較高金屬薄層和錫球熔接層可以是采用電鍍或者任意其他的被覆方式覆蓋在錫球?qū)油鈱?。在進(jìn)行電子零件與PC板進(jìn)行回焊連接時(shí)，錫球顆粒只會(huì)發(fā)生變形，不易產(chǎn)生虹吸空焊和錫崩現(xiàn)象，便于生產(chǎn)，提高產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號(hào)B23K35/22GK2547456SQ0127155
公開(kāi)日2003年4月30日 申請(qǐng)日期2001年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月31日
發(fā)明者朱德祥 申請(qǐng)人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司