一種離子束減速裝置制造方法
【專利摘要】一種離子束減速裝置，離子束減速裝置主要用于低能大束流離子注入機(jī)離子束的一級減速，該裝置包括過渡連接塊(1)，連接塊(2)，減速電極防護(hù)板(3)；減速電極基板(4)，終端電極(5)，終端電極側(cè)板(6)，絕緣陶瓷(7)，聚集電極側(cè)板(8)，聚集電極(9)，聚集電極安裝板(10)，抑制電極(11)，地電極(12)，地電極安裝板(13)，抑制電極安裝板(14)，抑制電極安裝條(15)，聚集電極安裝條(16)，抑制電極短接條(17)，接線柱(18)，聚焦電極短接條(19)，其特征在于：對離子束進(jìn)行減速，用以獲得低能的離子束流。本發(fā)明涉及離子注入裝置，隸屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
【專利說明】一種離子束減速裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造控制系統(tǒng)，即注入機(jī)，特別地，涉及一種用于低能大束流離子注入機(jī)的束流減速裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路制造技術(shù)及工藝是關(guān)乎國計(jì)民生的戰(zhàn)略性工程，對保障國家安全和增強(qiáng)綜合國力具有重大戰(zhàn)略意義，是一種高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)。集成電路芯片制造概括的來講就是將元器件做在極小半導(dǎo)體芯片上的過程。通常情況下，要完成集成電路芯片的制造過程需要數(shù)十種工藝設(shè)備的數(shù)百道工序。一條工藝線主要有曝光、刻蝕、離子注入、氧化、鍍膜等工藝，這些工藝多次循環(huán)往復(fù)進(jìn)行。離子注入技術(shù)與常規(guī)熱摻雜工藝相比具有高精度的劑量均勻性與重復(fù)性，橫向擴(kuò)散小等優(yōu)點(diǎn)。離子注入克服了常規(guī)工藝的限制，提高了電路的集成度、速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗，因此離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝，當(dāng)代VLS1、ULSI等工藝重要特征之一就是“全離子注入”。離子注入對控制半導(dǎo)體的摻雜剖面，結(jié)深，保證器件各項(xiàng)電參數(shù)非常重要。
[0003]經(jīng)過對低能大束流項(xiàng)目的指標(biāo)參數(shù)和工藝要求分析，但由于工藝技術(shù)和工藝特點(diǎn)不同，為了低能大束流的離子束，得到更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，所以需要對離子束減速，通過減速裝置產(chǎn)生的電場可以實(shí)現(xiàn)對帶正電荷的離子束減速。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明公開了一種離子束流減速裝置，可用于低能大束流離子注入機(jī)系統(tǒng)；為了獲得較低能量的離子束。
[0005]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0006]1.一種離子束減速裝置，離子束減速裝置主要用于低能大束流離子注入機(jī)離子束的一級減速，該裝置包括過渡連接塊(1)，連接塊(2)，減速電極防護(hù)板(3)，減速電極基板
(4)，終端電極(5)，終端電極側(cè)板(6)，絕緣陶瓷(7)，聚集電極側(cè)板(8)，聚集電極(9)，聚集電極安裝板(10)，抑制電極(11)，地電極(12)，地電極安裝板(13)，抑制電極安裝板(14)，抑制電極安裝條(15)，聚集電極安裝條(16)，抑制電極短接條(17)，接線柱(18)，聚焦電極短接條(19)，其特征在于對離子束進(jìn)行減速，用以獲得低能的離子束流。
[0007]2.一種離子束減速裝置，其特征在于:其中終端電極(5)與地電極(12)加載電壓后產(chǎn)生的電場對離子束減速。
[0008]3.一種離子束減速裝置，其特征在于:聚集電極(9)與抑制電極(11)加載電壓后產(chǎn)生的電場調(diào)節(jié)離子束水平與垂直方向的聚集與擴(kuò)散。
[0009]4.一種離子束減速裝置，其特征在于:終端電極(5)與抑制電極(11)加載電壓后產(chǎn)生的電場抑制離子束流中二次電子的產(chǎn)生，同時(shí)抑制電極與聚集電極形成的電場調(diào)節(jié)離子束水平與垂直方向的聚集與擴(kuò)散。
[0010]5.一種離子束減速裝置，其特征在于:減速電極防護(hù)板(3)可以限制離子束流高度方向的尺寸，它的材質(zhì)為石墨，不會(huì)對離子束產(chǎn)生金屬污染。
[0011]本發(fā)明具有如下顯著優(yōu)點(diǎn):
[0012]1.結(jié)構(gòu)簡單，上下對稱布置，易于加工制造。
[0013]2.功能可靠齊全:可以實(shí)現(xiàn)對離子束的減速與聚集，還可以抑制離子束中二次電子的產(chǎn)生。
[0014]3.易于控制:四個(gè)獨(dú)立控制的電源就可以實(shí)現(xiàn)對該裝置的控制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1減速電極結(jié)構(gòu)圖
[0016]圖2減速電極供電原理圖
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖1和附圖2對本發(fā)明作進(jìn)一步的介紹，但不作為對本發(fā)明的限定。
[0018]參見圖1和圖2，一種離子束流減速裝置它由過渡連接塊(I)安裝在減速電極運(yùn)動(dòng)軸上，連接塊(2)將減速電極與過渡連接塊(I)連結(jié)；減速電極防護(hù)板(3)安裝在減速電極基板(4)上；兩個(gè)終端電極(5)與終端兩個(gè)電極側(cè)板(6)上下對稱連接之后在安裝在減速電極基板(4)上；絕緣陶瓷(7)用來對幾個(gè)不同電位區(qū)的電壓隔離；聚集電極側(cè)板(8)與兩個(gè)聚集電極(9)連接之后安裝在兩個(gè)聚集電極安裝板(10)上面，這一組件與聚集電極安裝條(16)連接；抑制電極(11)與抑制電極安裝板(14)連接之后安裝在抑制電極安裝條
(15)，該裝置上下對稱安裝相同結(jié)構(gòu)的抑制電極；地電極(12)與地電極安裝板(13)連接；抑制電極短接條(17)用來對上下兩個(gè)抑制電極(11)短接，接線柱(18)用來和外部電源連接，聚焦電極短接條(19)用來對左右兩側(cè)兩個(gè)聚集電極短接。
[0019]上下在同一位置的電極為同一電位，由同一電源供電；通過對終端電極(5)與地電極(12)加載適合的電位形成電場，這種電場可以對帶正電荷的離子束減速，抑制電極
(11)與其它電極相互作用可以抑制離子束中二次電子的產(chǎn)生，聚集電極可以調(diào)節(jié)離子束水平方向的發(fā)散與聚集，調(diào)節(jié)束流的均勻性。
[0020]在該實(shí)施方式中，減速裝置的，聚焦電極短接條(19)與抑制電極短接條(17)布置形式可以替代。
[0021]在該實(shí)施方式中，地電極安裝板(13)的安裝方式可替代的。
[0022]在該實(shí)施方式中，抑制電極安裝條(15)聚集電極安裝條(16)布置方式可以替代。
[0023]在該實(shí)施方式中，過渡連接塊(I)與連接塊(2)布置方式可以替代。
[0024]本發(fā)明專利的特定實(shí)施例已對本發(fā)明專利的內(nèi)容做了詳盡說明。對本領(lǐng)域一般技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明專利精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動(dòng)，都構(gòu)成對本發(fā)明專利的侵犯，將承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任。
【權(quán)利要求】
1.一種離子束減速裝置，離子束減速裝置主要用于低能大束流離子注入機(jī)離子束的一級減速，該裝置包括過渡連接塊(1)，連接塊(2)，減速電極防護(hù)板(3)，減速電極基板(4)，終端電極(5)，終端電極側(cè)板(6)，絕緣陶瓷(7)，聚集電極側(cè)板(8)，聚集電極(9)，聚集電極安裝板(10)，抑制電極(11)，地電極(12)，地電極安裝板(13)，抑制電極安裝板(14)，抑制電極安裝條(15)，聚集電極安裝條(16)，抑制電極短接條(17)，接線柱(18)，聚焦電極短接條(19)，其特征在于對離子束進(jìn)行減速，用以獲得低能的離子束流。
2.如權(quán)利要求1所述的一種離子束減速裝置，其特征在于:其中終端電極(5)與地電極(12)加載電壓后產(chǎn)生的電場對離子束減速。
3.如權(quán)利要求1所述的一種離子束減速裝置，其特征在于:聚集電極(9)與抑制電極(11)加載電壓后產(chǎn)生的電場調(diào)節(jié)離子束水平與垂直方向的聚集與擴(kuò)散。
4.如權(quán)利要求1所述的一種離子束減速裝置，其特征在于:終端電極(5)與抑制電極(11)加載電壓后產(chǎn)生的電場抑制離子束流中二次電子的產(chǎn)生，同時(shí)抑制電極與聚集電極形成的電場調(diào)節(jié)離子束水平與垂直方向的聚集與擴(kuò)散。
5.如權(quán)利要求1所述的一種離子束減速裝置，其特征在于:減速電極防護(hù)板(3)可以限制離子束流高度方向的尺寸`，它的材質(zhì)為石墨，不會(huì)對離子束產(chǎn)生金屬污染。
【文檔編號】H01J37/04GK103779164SQ201310557475
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】馬國宇 申請人:北京中科信電子裝備有限公司