一種監(jiān)控金屬膜厚的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及液晶顯示器的陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計，尤其設(shè)計一種監(jiān)控陣列基板上的 金屬膜厚的方法。 技術(shù)背景
[0002] 薄膜的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)主要決定于薄膜的成核與生長過程，在氣相沉積技術(shù)中為了監(jiān) 控薄膜的性質(zhì)與生長過程，必須對沉積參數(shù)進(jìn)行有效的測量與監(jiān)控。在所有沉積技術(shù)中，沉 積膜厚是最重要的薄膜沉積參數(shù)之一。目前，在實際的成膜過程中，在線監(jiān)控膜厚的操作都 比較繁瑣和復(fù)雜，生產(chǎn)成本都相對較高，比如:光學(xué)方法和機械類方法都需要增加特定的測 量設(shè)備。
[0003] 現(xiàn)有液晶面板公司使用最多且結(jié)果更為準(zhǔn)確的膜厚監(jiān)控方法是：薄膜沉積完成 后，使用SEM(結(jié)構(gòu)方程模型，Shucturalequationmodeling)進(jìn)行直接測量，但是，使用 SEM測量膜厚有W下幾個缺點：
[0004] 1、SEM不能夠在線直接監(jiān)控膜厚，現(xiàn)慢結(jié)果不能及時反饋，數(shù)據(jù)處理滯后；
[0005] 2、SEM操作不能完全自動化，測量效率較低，影響產(chǎn)能；
[0006] 3、SEM機臺一次測量樣品數(shù)量非常有限，且測量周期長(2小時）；
[0007] 4、SEM測量膜厚需要切片制樣，提高了生產(chǎn)成本。
[000引陣列基板制成后，再使用測量金屬膜厚，其結(jié)果和單膜測量存在較大差別，因 為在完成金屬膜沉積之后，在大多情況下，后續(xù)還要再經(jīng)過幾道熱制程，在運一系列過程完 成之后，金屬膜厚將會發(fā)生變化，就會導(dǎo)致測量結(jié)果存在不確定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的在于提供一種在線監(jiān)控金屬層膜厚、及時測量數(shù)據(jù)、實現(xiàn)對金屬膜 厚實時監(jiān)控的監(jiān)控金屬膜厚的方法。
[0010] 本發(fā)明提供一種監(jiān)控金屬膜厚的方法，其包括如下步驟：
[0011] 第一步:構(gòu)建一金屬薄膜的結(jié)構(gòu)單元，其包括被測金屬薄膜層和與測試相關(guān)聯(lián)的 必要膜層，該被測金屬薄膜層至少包括由同一金屬薄膜組成的線寬和阻抗均不相同的兩組 金屬薄膜層。
[0012] 第二步:將上述第一步構(gòu)建被測金屬薄膜層獨立放置在液晶顯示面板的陣列基板 內(nèi)的任一區(qū)域內(nèi)，所述被測金屬薄膜層與陣列基板內(nèi)的結(jié)構(gòu)之間沒有電學(xué)連接關(guān)系；
[0013] 第Ξ步：陣列基板在制造過程中或制造完陣列基板后，監(jiān)控該被測金屬薄膜層的 兩組金屬薄膜層的阻抗的變化。
[0014] 其中，被測金屬薄膜層包括之間沒有任何電學(xué)聯(lián)系的第一組、第二組線狀金屬薄 膜層，該第一組、第二組線狀金屬薄膜層實際為同一金屬膜層。
[0015] 其中，該第一金屬薄膜層端部設(shè)有第一端點和第二端點，第一金屬模板層在第一 端點和第二端點之間呈多組彎折狀的線性;第二金屬薄膜層端部設(shè)有第Ξ端點和第四端 點，第二金屬模板層在第Ξ端點和第四端點之間也呈多組彎折狀的線性，其中，第一金屬薄 膜層的第一端點和第二金屬薄膜層的第Ξ端點之間通過第一測試端連接，第一金屬薄膜層 的第二端點與第二測試端連接，第二金屬薄膜層的第四端點與第Ξ測試端連接。
[0016] 其中，被測金屬薄膜層置于液晶顯示面板的陣列基板內(nèi)距離顯示區(qū)最近的Dummy 區(qū)或TEG區(qū)。
[0017] 其中，被測金屬薄膜層置于液晶顯示面板的陣列基板的顯示區(qū)兩側(cè)。
[0018]其中，被測金屬膜層的標(biāo)準(zhǔn)阻抗Δ相錐和實際阻抗Δ晤掠的計算公式如下：
[0019]
[0020] 其中：R1標(biāo)準(zhǔn)為第一組金屬薄膜層的阻抗的設(shè)計值，R2標(biāo)準(zhǔn)為第二組金屬薄膜層的阻 抗的設(shè)計值，R1撕為第一組金屬薄膜層的阻抗測量值，R2娜為第二組金屬薄膜層的阻抗測 量值。
[0021 ]本發(fā)明通在線監(jiān)控金屬層膜厚，其可操作性強，可完全自動化運用，提高生產(chǎn)效 率;本發(fā)明直接在線測量金屬層膜厚，不需要拆片制樣，降低生產(chǎn)成本;且本發(fā)明可用于在 陣列基板在制造過程中或制造完陣列基板后的膜厚測量。
【附圖說明】
[0022] 圖1所示為本發(fā)明金屬薄膜層的結(jié)構(gòu)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2所示為一般方塊金屬電阻的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0024] 眾所周知，TFT-LC的夜晶顯示面板中所使用的薄膜晶體管（TFT)，其電學(xué)特性都是 通過薄膜之間實現(xiàn)的，其中金屬薄膜的特性對TFT的電學(xué)性能影響很大。由于薄膜的尺寸效 應(yīng)，薄膜的厚度不同，其各種特性就會發(fā)生很大的變化。
[0025] 本發(fā)明掲示一種監(jiān)控TFT-LCD液晶顯示面板的金屬薄膜的方法，本發(fā)明通在線監(jiān) 控金屬層膜厚，及時反饋測量數(shù)據(jù)，對金屬膜厚達(dá)到實時監(jiān)控。
[0026]本發(fā)明監(jiān)控金屬膜厚的方法，包括如下步驟：
[0027]第一步：構(gòu)建一金屬薄膜的結(jié)構(gòu)單元，其包括被測金屬薄膜層和與測試相關(guān)聯(lián)的 必要膜層，該被測金屬薄膜層至少包括由同一金屬薄膜組成的線寬和阻抗均不相同的兩組 金屬薄膜層。
[0028]第二步:將上述第一步構(gòu)建被測金屬薄膜層獨立放置在液晶顯示面板的陣列基板 內(nèi)的任一區(qū)域內(nèi)，所述被測金屬薄膜層與陣列基板內(nèi)的結(jié)構(gòu)之間沒有電學(xué)連接關(guān)系；
[0029]第Ξ步：陣列基板在制造過程中或制造完陣列基板后，監(jiān)控該被測金屬薄膜層的 兩組金屬薄膜層的阻抗的變化。
[0030] 本發(fā)明通過構(gòu)建一個如圖1所示的金屬薄膜的結(jié)構(gòu)單元，該金屬薄膜的結(jié)構(gòu)單元 包括被測金屬薄膜層100和被測金屬薄膜層相關(guān)聯(lián)的其他膜層，在本實施例中，被測金屬薄 膜層100包括之間沒有任何電學(xué)聯(lián)系的第一組、第二組線狀金屬薄膜層1〇、20,該第一組、第 二組線狀金屬薄膜層10、20實際為同一金屬膜層，由于制成上，造成該第一組、第二組線狀 金屬薄膜層10、20的線寬和阻抗均不相同。
[0031 ]其中，第一金屬薄膜層10為的線寬為W1、阻抗為R1，該第一金屬薄膜層10端部設(shè)有 第一端點11和第二端點12,第一金屬模板層10在第一端點11和第二端點12之間呈多組彎折 狀的線性;第二金屬薄膜層20的線寬為W2、阻抗為R2,該第二金屬薄膜層20端部設(shè)有第Ξ 端點21和第四端點22,第二金屬模板層20在第Ξ端點21和第四端點22之間也呈多組彎