一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，對(duì)顯示產(chǎn)品的分辨率要求越來(lái)越高，進(jìn)而對(duì)陣列基板的制作工藝要求也越來(lái)越高。
[0003]一般地，現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，與每個(gè)像素單元N對(duì)應(yīng)的柵極G延伸到像素區(qū)域的面積較大，幾乎為整個(gè)柵極G的面積，進(jìn)而柵極G延伸到像素區(qū)域的邊緣周長(zhǎng)較長(zhǎng)，在陣列基板的制作工藝中，有源層成膜之后進(jìn)行的清洗工藝過(guò)程中，隨著清洗溶液的流動(dòng)有源層金屬則易較多的殘留于柵極延伸到像素區(qū)域的邊緣處，造成有源層金屬沿著柵極的邊緣形成殘留，同時(shí)，由于殘留的有源層殘留物中含有N+導(dǎo)電金屬，在陣列基板完成制作源漏電極的工藝之后，易造成像素電極與數(shù)據(jù)線之間通過(guò)殘留的導(dǎo)電金屬在圖1中虛線框標(biāo)注的區(qū)域形成短路，在后期單色畫(huà)面點(diǎn)燈測(cè)試時(shí)，像素電極的電流會(huì)隨著殘留的有源層金屬流向相鄰的數(shù)據(jù)線，進(jìn)而使得像素電極上的電壓變小，驅(qū)動(dòng)液晶翻轉(zhuǎn)的能力下降，造成顯示畫(huà)面出現(xiàn)多暗點(diǎn)，影像了顯示畫(huà)面的質(zhì)量。
[0004]因此，如何減少陣列基板制作工藝中，有源層金屬沿著柵極的邊緣處的殘留，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的在陣列基板的制作工藝中，有源層金屬較多的殘留于柵極的邊緣處的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括:柵極、柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極線；其中，所述公共電極線與所述柵線延伸方向相同，所述像素電極位于相鄰的所述柵線和相鄰的所述數(shù)據(jù)線定義的區(qū)域；
[0007]所述柵線沿其延伸方向貫穿于與所述柵線位于同一行的所述柵極；
[0008]所述像素電極靠近所述柵線的一端與所述柵線之間具有間隙。
[0009]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述柵極在垂直于所述柵線的方向上相對(duì)于所述柵線具有突出部。
[0010]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述像素電極靠近所述公共電極線的一端與所述柵線對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有突出部。
[0011]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述公共電極線與所述柵極對(duì)應(yīng)的區(qū)域沿著背離所述柵極的方向彎折，其余區(qū)域向著靠近所述柵線的方向彎折。
[0012]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述公共電極線與所述柵線同層設(shè)置。
[0013]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括與所述公共電極線相連的公共電極。
[0014]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:有源層、源極和漏極；其中，
[0015]所述有源層位于所述柵極之上；
[0016]所述數(shù)據(jù)線與所述源極同層設(shè)置且電性相連；
[0017]所述像素電極位于所述漏極之上且與所述漏極電性相連。
[0018]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述像素電極的材料為透明導(dǎo)電金屬。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括:
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，該陣列基板包括:柵極、柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極線；其中，公共電極線與柵線延伸方向相同，像素電極位于相鄰的柵線和相鄰的數(shù)據(jù)線定義的區(qū)域；柵線沿其延伸方向貫穿于與柵線位于同一行的柵極，像素電極靠近柵線的一端與柵線之間具有間隙，這樣可以將像素電極沿著背離柵線的方向減小，使柵線可以沿著靠近像素電極的方向移動(dòng)，進(jìn)而柵線可以水平穿過(guò)柵極，使得柵極延伸到像素區(qū)域的面積減小，隨之柵極延伸到像素區(qū)域的邊緣的周長(zhǎng)可以減小，在陣列基板的制作工藝中，有源層成膜后的清洗過(guò)程中，有源層金屬在柵極邊緣處的殘留可以減少，從而有效降低陣列基板制作工藝中有源層金屬的殘留，可以提高陣列基板的產(chǎn)品良率。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0026]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之三。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、顯示面板及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0028]附圖中各膜層的厚度和區(qū)域的大小形狀不反映陣列基板各部件的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖2所示，可以包括:柵極1、柵線2、數(shù)據(jù)線3、像素電極4和公共電極線5 ;其中，公共電極線5與柵線2延伸方向相同，像素電極4位于相鄰的柵線2和相鄰的數(shù)據(jù)線3定義的區(qū)域；柵線2沿其延伸方向貫穿于與柵線2位于同一行的柵極I ;像素電極4靠近柵線2的一端與柵線2之間具有間隙。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，包括:柵極1、柵線2、數(shù)據(jù)線3、像素電極4和公共電極線5 ;其中，公共電極線5與柵線2延伸方向相同，像素電極4位于相鄰的柵線2和相鄰的數(shù)據(jù)線3定義的區(qū)域；柵線2沿其延伸方向貫穿于與柵線2位于同一行的柵極1，像素電極4靠近柵線2的一端與柵線2之間具有間隙，這樣將可以像素電極4沿著背離柵線2的方向減小，使柵線2可以沿著靠近像素電極4的方向移動(dòng)，進(jìn)而柵線2可以水平穿過(guò)柵極1，如圖2所示，使得柵極I延伸到像素區(qū)域的面積(圖2中虛線框M標(biāo)注的區(qū)域)減小，隨之柵極I延伸到像素區(qū)域的邊緣的周長(zhǎng)可以減小，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中柵線沿著柵極靠近公共電極線的一端的邊緣穿過(guò)，柵極整個(gè)面積幾乎全部延伸到像素區(qū)域，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，柵線水平穿過(guò)柵極，使得柵極延伸到像素區(qū)域的面積減小，隨之柵極延伸到像素區(qū)域的邊緣的周長(zhǎng)可以減小，這樣在陣列基板的制作工藝中，有源層成膜后的清洗過(guò)程中，有源層金屬在柵極邊緣處的殘留可以減少，從而有效降低陣列基板制作工藝中有源層金屬的殘留，可以提高陣列基板的產(chǎn)品良率。
[0031]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，柵極在垂直于柵線的方向上相對(duì)于柵線具有突出部，具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，例如圖2所示，柵極I與柵線2為一體結(jié)構(gòu)，圖2中柵極I的三角形狀僅為示意，其柵極I的形狀不限于此，柵線2延其延伸方向從柵極I的中間穿過(guò)，柵極I在垂直于柵線2的方向上相對(duì)于柵線2具有突出部，這樣?xùn)艠OI延伸到像素區(qū)域的部分僅為柵極I相對(duì)于柵線2靠近像素電極4的突出部分，這樣使得柵極延伸到像素區(qū)域的面積減小，隨之柵極延伸到像素區(qū)域的邊緣的周長(zhǎng)可以減小，這樣在陣列基板的制作工藝中，有源層成膜后的清洗過(guò)程中，有源層金屬在柵極邊緣處的殘留可以減少，從而有效降低陣列基板制作工藝中有源層金屬的殘留，可以提尚陣列基板的廣品良率。
[0032]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖3所示，像素電極4靠近公共電極線5的一端與與柵線2對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有突出部B。
[0033]具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，為了使柵線2可以水平穿過(guò)柵極1，因此將像素電極4沿著背離柵線2的方向減小，這樣使得像素電極4的面積減小，因此為了保證像素電極4的面積不會(huì)因?yàn)槭箹啪€2水平穿過(guò)柵極I而減小，因此如圖3所示，可以將像素電極4靠近公共電極線5的一端設(shè)置成與柵線2對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有突出部B，這樣可以通過(guò)改變像素電極4的形狀，像素電極4靠近公共電極線5的一端與柵線2對(duì)應(yīng)的區(qū)域的突出部B可以補(bǔ)償像素電