技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了表面等離子體多次干涉曝光的亞波長結(jié)構(gòu)制備裝置，該裝置包括He?Cd激光器，光電快門，擴束器，1/2波片，分束器，平面反射鏡，棱鏡，Al膜，光刻樣品和光刻樣品旋轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)。He?Cd激光器發(fā)出的激光束經(jīng)光電快門，擴束器、1/2波片和分束器后，由平面反射鏡反射，經(jīng)棱鏡耦合，以表面等離子體的激發(fā)角輻照到Al膜上，激發(fā)Al膜和光刻膠界面的兩束沿相反方向傳播的表面等離子體波，兩束表面等離子體波的干涉場曝光光刻膠。通過對光刻樣品多次旋轉(zhuǎn)曝光，可刻寫制備出二維點陣、六邊形、同心等間隔圓環(huán)等各種亞波長光學(xué)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉的優(yōu)勢，在亞波長光學(xué)結(jié)構(gòu)制造領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：王向賢;龐志遠;王茹;陳宜臻;張東陽;楊華
受保護的技術(shù)使用者：蘭州理工大學(xué)
文檔號碼：201710037370
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.19
技術(shù)公布日：2017.06.13