本發(fā)明涉及曝光裝置和物品制造方法。

背景技術(shù)：

存在如下的技術(shù)，該技術(shù)在使用包含多個(gè)擊射(shot)區(qū)域的結(jié)合處(joint)的擊射區(qū)域?qū)νㄟ^(guò)第一曝光形成的多個(gè)相鄰的擊射區(qū)域執(zhí)行第二曝光時(shí)減少重疊誤差。

日本專(zhuān)利公開(kāi)No.09-007919公開(kāi)了檢測(cè)第一曝光中的布置誤差以及校正第二曝光中的擊射區(qū)域旋轉(zhuǎn)成分(圖2中的δ)以減少重疊誤差的方法。

在日本專(zhuān)利公開(kāi)No.09-007919中公開(kāi)的方法可平均減少整個(gè)擊射區(qū)域上的重疊誤差。但是，關(guān)于擊射區(qū)域之間的接合處，不能說(shuō)重疊誤差可被充分地校正。當(dāng)由多個(gè)擊射區(qū)域形成一個(gè)器件時(shí)，多個(gè)擊射區(qū)域之間的接合處上的重疊誤差需要進(jìn)一步被減少。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供例如有利于減少多個(gè)擊射區(qū)域之間的接合處的重疊誤差的技術(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于曝光基板上的多個(gè)擊射區(qū)域中的每一個(gè)的曝光裝置，該曝光裝置包括控制單元，該控制單元被配置為使用用于控制在基板上曝光的擊射區(qū)域的形狀的控制信息來(lái)控制曝光基板上的所述多個(gè)擊射區(qū)域中的每一個(gè)的曝光處理，從而使得所述多個(gè)擊射區(qū)域相鄰，其中，控制信息包含校正信息，該校正信息用于基于相鄰的多個(gè)擊射區(qū)的布局信息校正由曝光所述多個(gè)擊射區(qū)域中的每一個(gè)時(shí)所述多個(gè)擊射區(qū)域的形狀的變形導(dǎo)致的所述多個(gè)擊射區(qū)域的相鄰部分的偏移，以及，控制單元通過(guò)使用校正信息控制曝光處理。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種物品制造方法，該物品制造方法包括：使用曝光裝置曝光基板；以及顯影被曝光的基板，其中，曝光裝置是用于曝光基板上的多個(gè)擊射區(qū)域中的每一個(gè)的曝光裝置，該曝光裝置包括控制單元，該控制單元被配置為使用用于控制在基板上曝光的擊射區(qū)域的形狀的控制信息來(lái)控制曝光基板上的所述多個(gè)擊射區(qū)域中的每一個(gè)的曝光處理，從而使得所述多個(gè)擊射區(qū)域相鄰，控制信息包含校正信息，所述校正信息用于基于相鄰的多個(gè)擊射區(qū)的布局信息來(lái)校正由曝光所述多個(gè)擊射區(qū)域中的每一個(gè)時(shí)所述多個(gè)擊射區(qū)域的形狀的變形導(dǎo)致的所述多個(gè)擊射區(qū)域的相鄰部分的偏移，以及，控制單元通過(guò)使用校正信息控制曝光處理。

(參照附圖)閱讀示例性實(shí)施例的以下說(shuō)明，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。

附圖說(shuō)明

圖1是表示根據(jù)實(shí)施例的曝光裝置的布置的示圖；

圖2是用于解釋校正擊射區(qū)域的布置誤差的常規(guī)方法的示圖；

圖3是用于解釋校正擊射區(qū)域的布置誤差的常規(guī)方法的示圖；

圖4是用于解釋擊射區(qū)域的接合處的重疊誤差的產(chǎn)生的示圖；

圖5是用于解釋由擊射區(qū)域形狀的變形導(dǎo)致的擊射區(qū)域之間的接合處的不連續(xù)的示圖；

圖6是表示根據(jù)實(shí)施例的第一曝光與第二曝光之間的關(guān)系的示圖；

圖7是表示在第一曝光中使用擊射區(qū)域偏移形成連續(xù)接合處的例子的示圖；

圖8是表示在第一曝光中使用擊射區(qū)域旋轉(zhuǎn)形成連續(xù)接合處的例子的示圖；

圖9是表示在第一曝光使用擊射區(qū)域倍率變化形成連續(xù)接合處的例子的示圖；

圖10是表示在第一曝光中通過(guò)改變掃描方向形成連續(xù)接合處的例子的示圖；

圖11是表示根據(jù)實(shí)施例的曝光裝置的操作過(guò)程的流程圖；

圖12是用于解釋擊射區(qū)域A與擊射區(qū)域B之間的接合處的關(guān)注部分的坐標(biāo)的示圖；

圖13是表示擊射區(qū)域A與B的初始坐標(biāo)值的例子的示圖；

圖14是表示接合處的調(diào)整前后的擊射區(qū)域A與B的關(guān)系的例子的示圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例、特征和方面。注意，本發(fā)明不限于以下的實(shí)施例，并且以下的實(shí)施例僅表示有利于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的詳細(xì)例子。另外，在實(shí)施例中描述的特征的所有組合不都是本發(fā)明的解決手段所必需的。

圖1是表示根據(jù)本實(shí)施例的曝光裝置100的布置的示圖。在曝光裝置100中，原件臺(tái)架109保持原件108(掩膜(mask)或中間掩膜(reticle))。照明光學(xué)系統(tǒng)114用光源115的光照射由原件臺(tái)架109保持的原件108。投影光學(xué)系統(tǒng)110將透過(guò)原件108的光投影到基板111(晶片)上。此時(shí)，基板111由基板保持器112保持?；灞３制?12由被配置為可移動(dòng)的基板臺(tái)架113支撐。

基板臺(tái)架113包含具有例如X軸、Y軸、Z軸、ωX軸、ωY軸、和ωZ軸的六軸驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，并且基板臺(tái)架113基于來(lái)自主控制器101的指令值被驅(qū)動(dòng)。通過(guò)由激光干涉計(jì)103測(cè)量照射基板臺(tái)架上的鏡子106的來(lái)自激光頭104和105的光束的反射光并且將該光轉(zhuǎn)換成姿勢(shì)量，獲得基板臺(tái)架113的當(dāng)前位置。主控制器101從激光干涉計(jì)103獲得基板臺(tái)架113的當(dāng)前位置，產(chǎn)生新的驅(qū)動(dòng)指令值并且反饋這些值，由此保持基板臺(tái)架113的姿勢(shì)。

一對(duì)聚焦傳感器107被放置在Y軸方向上，以?shī)A著投影光學(xué)系統(tǒng)110的出射部分的附近。跟隨掃描曝光，一個(gè)焦點(diǎn)傳感器以預(yù)定節(jié)距(pitch)用斜入射光照射基板111，另一焦點(diǎn)傳感器接收反射光。然后，圖像處理器102將接收的光量轉(zhuǎn)換成Z位移量，并且主控制器101基于區(qū)域中的各點(diǎn)的Z位移量計(jì)算近似平面?；迮_(tái)架113的Z軸、ωX軸和ωY軸的驅(qū)動(dòng)指令值改變，以使基板111的表面與經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)110投影的原件108的圖像對(duì)準(zhǔn)。

對(duì)準(zhǔn)測(cè)量單元120測(cè)量原件108與基板111之間的相對(duì)位置偏移。對(duì)準(zhǔn)測(cè)量單元120可測(cè)量多個(gè)擊射區(qū)域中的每一個(gè)的預(yù)定位置的坐標(biāo)。在本實(shí)施例中，例如，在各擊射區(qū)域的預(yù)定位置(例如，四個(gè)角和中心處的五個(gè)點(diǎn))處，形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

主控制器101是總體地控制曝光裝置100的單元的控制器，并且主控制器101包含例如CPU 101a、保持控制程序和永久數(shù)據(jù)的ROM 101b以及用作CPU 101a的工作區(qū)域且保持暫時(shí)數(shù)據(jù)的RAM 101c。根據(jù)本實(shí)施例的主控制器101還用作校正關(guān)于曝光的控制信息(例如，擊射區(qū)布局信息、投影倍率和掃描方向等)的校正單元(獲得單元)，由此產(chǎn)生(獲得)校正控制信息。

根據(jù)本實(shí)施例的曝光裝置100是在相對(duì)地驅(qū)動(dòng)原件和基板的同時(shí)執(zhí)行曝光的掃描曝光裝置。在半導(dǎo)體器件的制造中，一般地，在基板上對(duì)準(zhǔn)和重疊要形成圖案的多個(gè)層。即，執(zhí)行曝光步驟以在具有通過(guò)第一曝光在基板上形成的圖案的第一層上重疊具有通過(guò)第二曝光形成的圖案的第二層。根據(jù)本實(shí)施例的曝光裝置100可在曝光步驟中至少執(zhí)行第一曝光。

傳統(tǒng)地，為了校正第一曝光中的布置誤差，在下一層的第二曝光中使用“掃描期間的臺(tái)架控制”來(lái)減少重疊誤差?！皰呙杵陂g的臺(tái)架控制”指的是根據(jù)掃描方向上的曝光位置來(lái)調(diào)整原件臺(tái)架與基板臺(tái)架之間的相對(duì)位置或相對(duì)角度。圖2是表示如下例子的示圖，在該例子中，對(duì)于通過(guò)第一曝光形成的其中兩個(gè)擊射區(qū)域在X方向和Y方向中的每一個(gè)上相鄰的總共四個(gè)擊射區(qū)域，在X方向上出現(xiàn)布置誤差。為了通過(guò)第二曝光補(bǔ)償圖2所示的布置誤差，如圖3所示，通過(guò)L執(zhí)行掃描。然后，例如，基板臺(tái)架偏移△X，并然后掃描剩余區(qū)域。但是，實(shí)際上，如圖4所示，掃描期間的基板臺(tái)架控制在擊射區(qū)域之間的接合處不連續(xù)。出于這種原因，不僅在擊射區(qū)域之間的接合處，而且在其它區(qū)域中出現(xiàn)控制延遲和重疊誤差。當(dāng)掃描速度降低時(shí)，基板臺(tái)架的控制誤差可被減少。但是，在這種情況下，第二曝光的吞吐量(throughput)下降?？赏ㄟ^(guò)執(zhí)行曝光以消除第一曝光中的布置誤差來(lái)解決該問(wèn)題。但是，例如，在擊射區(qū)域形狀從理想形狀變形的情況下，如圖5所示，即使不存在布置誤差，擊射區(qū)域之間的接合處也不連續(xù)。

根據(jù)本實(shí)施例，如以下將描述的那樣，當(dāng)使用包含多個(gè)擊射區(qū)域的接合處的擊射區(qū)域執(zhí)行第二曝光之后的重疊曝光時(shí)，可在不降低吞吐量的情況下減少重疊誤差。在本實(shí)施例中，曝光裝置具有通過(guò)曝光多個(gè)區(qū)域中的每一個(gè)來(lái)曝光由多個(gè)區(qū)域形成的整個(gè)區(qū)域使得彼此相鄰的區(qū)域被連接的模式。在該模式中，主控制器101評(píng)價(jià)根據(jù)用于控制曝光區(qū)域的形狀的控制信息(例如，擊射區(qū)布局信息、投影倍率和掃描方向等)曝光的整個(gè)區(qū)域中的彼此相鄰區(qū)域的連接狀態(tài)。主控制器101基于評(píng)價(jià)來(lái)校正控制信息以改善連接狀態(tài)，由此產(chǎn)生校正控制信息。曝光單元根據(jù)在該模式中產(chǎn)生的校正控制信息來(lái)曝光多個(gè)區(qū)域中的每一個(gè)，由此曝光整個(gè)區(qū)域。

作為例子，將描述如下情況，其中在該模式中，如圖6所示，通過(guò)使用包含Y方向上的兩個(gè)擊射區(qū)域的視角，對(duì)通過(guò)第一曝光形成為在Y方向(掃描方向)上彼此相鄰的兩個(gè)擊射區(qū)域執(zhí)行第二曝光。圖7表示在第一曝光中使用擊射偏移形成連續(xù)接合處的例子。假定作為矩形區(qū)域的擊射區(qū)域A(第一擊射區(qū)域)和擊射區(qū)域B(第二擊射區(qū)域)在X方向上變形為平行四邊形形狀。如果不存在布置誤差，那么如圖7的校正之前的視圖所示，擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B具有在相鄰的部分處具有偏移的位置關(guān)系。更具體而言，雖然擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B在邊上接觸，但是頂點(diǎn)偏移，并且接合處不連續(xù)。在本實(shí)施例中，為了使得接觸的區(qū)域的邊匹配，擊射區(qū)域A在與掃描方向垂直的X方向上以偏移量△X偏移，由此在第一曝光中依次曝光擊射區(qū)域B和A(擊射偏移掃描)。如圖7的校正之后的示圖所示，兩個(gè)擊射區(qū)域之間的接合處的誤差由此減少，并且形成連續(xù)的接合處。由此，當(dāng)執(zhí)行第二曝光時(shí)，不需要在掃描期間不連續(xù)地驅(qū)動(dòng)臺(tái)架，且重疊誤差可被減少。

圖8表示其中在第一曝光中使用擊射旋轉(zhuǎn)形成連續(xù)接合處的例子。假定擊射區(qū)域的形狀如圖8所示的那樣變形。如果不存在布置誤差，那么擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B具有圖8的校正之前的示圖所示的位置關(guān)系。在這種情況下，擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B之間的接合處不連續(xù)。在本實(shí)施例中，為了使得接觸的區(qū)域的邊匹配，擊射區(qū)域A可以在第一曝光中以旋轉(zhuǎn)量Δθ旋轉(zhuǎn)并且被曝光(擊射旋轉(zhuǎn)掃描)。如圖8的校正之后的示圖所示，兩個(gè)擊射區(qū)域之間的接合處的誤差由此減少，并且形成連續(xù)的接合處。由此，當(dāng)執(zhí)行第二曝光時(shí)，不需要在掃描期間不連續(xù)地驅(qū)動(dòng)臺(tái)架，并且重疊誤差可被減少。在這種情況下，第二曝光中的掃描期間的臺(tái)架控制指的是根據(jù)理想狀態(tài)旋轉(zhuǎn)原件與基板之間的相對(duì)關(guān)系。

圖9是表示其中在第一曝光中使用擊射倍率變化形成連續(xù)接合處的例子。假定擊射區(qū)域具有圖9所示的形狀。如果不存在布置誤差，那么擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B具有圖9的校正之前的示圖所示的位置關(guān)系。在這種情況下，擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B之間的接合處不連續(xù)。在本實(shí)施例中，為使得接觸的區(qū)域的邊匹配，可通過(guò)控制投影光學(xué)系統(tǒng)以改變擊射區(qū)域A的X方向倍率來(lái)執(zhí)行曝光(擊射縮(scale)掃描)。如圖9的校正之后的示圖所示，兩個(gè)擊射區(qū)域之間的接合處的誤差由此減少，并且形成連續(xù)的接合處。由此，當(dāng)執(zhí)行第二曝光時(shí)，不需要在掃描期間不連續(xù)地驅(qū)動(dòng)臺(tái)架，并且重疊誤差可被減少。在這種情況下，如在例如日本專(zhuān)利No.3278303中描述的那樣，可以使用在掃描期間改變投影光學(xué)系統(tǒng)的曝光倍率的方法，實(shí)現(xiàn)第二曝光中的連續(xù)驅(qū)動(dòng)。

圖10表示其中在第一曝光中通過(guò)改變掃描方向形成連續(xù)接合處的例子?？紤]其中擊射區(qū)域具有圖10所示的形狀且這些形狀依賴(lài)于掃描方向的情況。如果擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B在相同的掃描方向上被曝光并且不存在布置誤差，那么擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B具有圖10的校正之前的示圖所示的位置關(guān)系。在這種情況下，擊射區(qū)域A與擊射區(qū)域B之間的接合處不連續(xù)。在本實(shí)施例中，可通過(guò)改變掃描方向來(lái)使擊射區(qū)域A的掃描方向反轉(zhuǎn)(反轉(zhuǎn)方向掃描)。如圖10的校正之后的示圖所示，兩個(gè)擊射區(qū)域之間的接合處的誤差由此減少，并且形成連續(xù)接合處。由此，當(dāng)執(zhí)行第二曝光時(shí)，不需要在掃描期間不連續(xù)地驅(qū)動(dòng)臺(tái)架，并且重疊誤差可被減少。同樣，在這種情況下，如在例如日本專(zhuān)利No.3278303中描述的那樣，可以使用在掃描期間改變投影光學(xué)系統(tǒng)的曝光倍率的方法，實(shí)現(xiàn)第二曝光中的連續(xù)驅(qū)動(dòng)。

在這種情況下，為了在擊射區(qū)域A與擊射區(qū)域B之間形成連續(xù)接合處，校正參數(shù)包含代表掃描方向變化的參數(shù)。在校正參數(shù)中包含代表掃描方向變化的參數(shù)的條件，例如，可被定義如下。

·擊射區(qū)域A和B中的每一個(gè)從由控制信息(擊射區(qū)布局信息)定義的矩形形狀變形為梯形形狀。

·擊射區(qū)域A(第一區(qū)域)的下底和擊射區(qū)域B(第二區(qū)域)的上底重疊(圖10中的校正之前的狀態(tài))，并且擊射區(qū)域A的上底與擊射區(qū)域B的上底之間的長(zhǎng)度差是允許值或更小。該允許值可被設(shè)定為使得擊射區(qū)域的上底之間的長(zhǎng)度差可被視為基本上為零的值。

以上描述了其中在擊射區(qū)域A曝光時(shí)執(zhí)行諸如擊射偏移掃描、擊射旋轉(zhuǎn)掃描、擊射縮放掃描或反轉(zhuǎn)方向掃描的校正掃描的例子。但是，可在擊射區(qū)域B曝光時(shí)或者對(duì)于擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B執(zhí)行校正掃描。校正參數(shù)可指示擊射偏移掃描、擊射旋轉(zhuǎn)掃描、擊射縮放掃描和反轉(zhuǎn)方向掃描中的多個(gè)校正的組合。以上描述了其中兩個(gè)擊射區(qū)域在第二曝光中重疊的例子。但是，即使對(duì)于三個(gè)或更多個(gè)擊射區(qū)域，也可通過(guò)上述的相同方法在第一曝光中形成連續(xù)接合處。在第一曝光中使用的校正參數(shù)基于例如事先通過(guò)測(cè)試曝光獲得的擊射區(qū)域形狀被決定，使得在擊射區(qū)域之間形成連續(xù)接合處。

圖11表示根據(jù)本實(shí)施例的操作過(guò)程。首先，假定擊射區(qū)域形狀是理想的，決定要使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(步驟S1)。然后，使用決定的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)執(zhí)行用于曝光測(cè)試基板的測(cè)試曝光(步驟S2)。對(duì)測(cè)試曝光中的各擊射區(qū)域測(cè)量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的坐標(biāo)(步驟S3)。然后，用于在擊射區(qū)域A與擊射區(qū)域B之間形成連續(xù)接合處的對(duì)準(zhǔn)量基于測(cè)量結(jié)果被決定(步驟S4)。將在后面描述該處理的細(xì)節(jié)。然后，使用決定的新對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)執(zhí)行實(shí)際的曝光(步驟S5)。

以下，將描述如何獲得執(zhí)行擊射區(qū)域A的擊射偏移、擊射旋轉(zhuǎn)和擊射倍率變化時(shí)的校正參數(shù)以在擊射區(qū)域A與擊射區(qū)域B之間形成連續(xù)接合處。如圖12所示，擊射區(qū)域之間的接合處上的關(guān)注點(diǎn)被設(shè)定為擊射區(qū)域A的右下角和左下角以及擊射區(qū)域B的右上角和左上角。這些點(diǎn)的理想位置的坐標(biāo)被定義為(X0L,Y0L)和(X0R,Y0R)。坐標(biāo)(0,0)表示擊射區(qū)域A的中心位置。接合處不連續(xù)的情況下的擊射區(qū)域的關(guān)注點(diǎn)的坐標(biāo)被定義如下。

·擊射區(qū)域A的左下坐標(biāo)：(X0L+△XaL,Y0L+△YaL)

·擊射區(qū)域A的右下坐標(biāo)：(X0R+△XaR,Y0R+△YaR)

·擊射區(qū)域B的左上坐標(biāo)：(X0L+△XbL,Y0L+△YbL)

·擊射區(qū)域B的右上坐標(biāo)：(X0R+△XbR,Y0R+△YbR)

這里，

△XaL是測(cè)試曝光中擊射區(qū)域A的左下坐標(biāo)的X偏移量，

△YaL是測(cè)試曝光中擊射區(qū)域A的左下坐標(biāo)的Y偏移量，

△XaR是測(cè)試曝光中擊射區(qū)域A的右下坐標(biāo)的X偏移量，

△YaR是測(cè)試曝光中擊射區(qū)域A的右下坐標(biāo)的Y偏移量，

△XbL是測(cè)試曝光中擊射區(qū)域B的左上坐標(biāo)的X偏移量，

△YbL是測(cè)試曝光中擊射區(qū)域B的左上坐標(biāo)的Y偏移量，

△XbR是測(cè)試曝光中擊射區(qū)域B的右上坐標(biāo)的X偏移量，

△YbR是測(cè)試曝光中擊射區(qū)域B的右上坐標(biāo)的Y偏移量，

參數(shù)針對(duì)擊射區(qū)域A改變的情況下的坐標(biāo)被定義如下。

·擊射區(qū)域A的左下坐標(biāo)：(X0L+△XaL',Y0L+△YaL')

·擊射區(qū)域A的右下坐標(biāo)：(X0R+△XaR',Y0R+△YaR')

根據(jù)以上的定義，我們獲得

△XaL'＝△XaL+Sx+X0L*cosθ-Y0L*sinθ+X0L*Mx...(1)

△YaL'＝△YaL+Sy+X0L*sinθ+Y0L*cosθ...(2)

△XaR'＝△XaR+Sx+X0R*cosθ-Y0R*sinθ+X0R*Mx...(3)

△YaR'＝△YaR+Sy+X0R*sinθ+Y0R*cosθ...(4)

這里，

Sx是在X方向上改變擊射區(qū)域A的量，

Sy是在Y方向上改變擊射區(qū)域A的量，

θ是關(guān)于(0,0)旋轉(zhuǎn)擊射區(qū)域A的量，

Mx是在X方向上改變擊射區(qū)域A的倍率。

形成連續(xù)接合處的條件如下。

△XaL'＝△XbL...(5)

△YaL＝△YbL...(6)

△XaR'＝△XbR...(7)

△YaR＝△YbR...(8)

Sx、Sy、θ和Mx是通過(guò)變換以上的表達(dá)式并且求解下式獲得的。

△XbL＝△XaL+Sx+X0L*cosθ-Y0L*sinθ+X0L*Mx...(9)

△YbL＝ΔYaL+Sy+X0L*sinθ+Y0L*cosθ...(10)

ΔXbR＝ΔXaR+Sx+X0R*cosθ-Y0R*sinθ+X0R*Mx...(11)

ΔYbR＝ΔYaR+Sy+X0R*sinθ+Y0R*cosθ...(12)

將描述使用以上的表達(dá)式的參數(shù)計(jì)算的例子。擊射區(qū)域A和擊射區(qū)域B兩者具有X＝26mm且Y＝20mm的擊射區(qū)域尺寸。如圖13所示的那樣設(shè)定擊射區(qū)域A和B的初始坐標(biāo)值。坐標(biāo)(X,Y)＝(0,0)表示擊射區(qū)域A的中心。參照?qǐng)D13，ΔX和△Y表示距離理想坐標(biāo)的偏移量。

用于調(diào)整接合處的參數(shù)通過(guò)上述的方法被計(jì)算為

Sx＝-7.92nm

Sy＝-2.00nm

θ＝0.69μrad

Mx＝-0.31ppm

圖14表示這種情況下的接合處的調(diào)整之前和之后的擊射區(qū)域A和B的關(guān)系。實(shí)線(xiàn)表示擊射區(qū)域A，虛線(xiàn)表示擊射區(qū)域B。狀態(tài)1401是接合處調(diào)整之前的狀態(tài)，狀態(tài)1402是接合處調(diào)整之后的狀態(tài)。注意，在圖14中，繪制的坐標(biāo)偏移被增強(qiáng)以清楚地表示擊射區(qū)域的關(guān)系。

在以上的例子中，由于針對(duì)接合處的兩個(gè)關(guān)注點(diǎn)(按照X坐標(biāo)和Y坐標(biāo)，為四個(gè)點(diǎn))獲得四個(gè)參數(shù)Sx、Sy、θ和Mx，因此通過(guò)求解聯(lián)立方程獲得參數(shù)。如果關(guān)注點(diǎn)的數(shù)量比要獲得的參數(shù)的數(shù)量多，那么可通過(guò)最小二乘法擬合獲得參數(shù)。

<物品制造方法的實(shí)施例>

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的物品制造方法適于制造例如微器件(諸如半導(dǎo)體器件)或具有細(xì)微結(jié)構(gòu)的元件之類(lèi)的物品。根據(jù)本實(shí)施例的物品制造方法包括通過(guò)使用上述的曝光裝置在施加到基板的光刻膠上形成潛像圖案的步驟(曝光基板的步驟)和用在以上的步驟中形成的潛像圖案使基板顯影的步驟。該制造方法還包括其它已知的步驟(例如，氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑去除、切割、接合和封裝)。與傳統(tǒng)的方法相比，根據(jù)本實(shí)施例的物品制造方法在物品的性能、質(zhì)量、生產(chǎn)率和生產(chǎn)成本中的至少一個(gè)上是有利的。

雖然已參照示例性實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于公開(kāi)的示例性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬泛的解釋以包含所有的變更方式以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。