1.光掩模坯，其被加工成適于使用波長(zhǎng)250nm以下的曝光光進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)印的光掩模，該光掩模坯包含透明襯底和含鉻膜，所述含鉻膜直接或通過(guò)光學(xué)膜而設(shè)置在所述襯底上，其中，
所述含鉻膜由一個(gè)鉻化合物層或至少兩個(gè)鉻化合物層構(gòu)成，每個(gè)鉻化合物層由包含鉻和氮或包含鉻、氮和氧的鉻化合物形成，并且具有如下組成：鉻含量為至少30at％，鉻、氮和氧的總含量為至少93at％，且滿(mǎn)足式(1)，
3Cr≤2O+3N (1)
其中，Cr是鉻含量(at％)，O是氧含量(at％)，N是氮含量(at％)，
當(dāng)所述含鉻膜由一個(gè)鉻化合物層構(gòu)成時(shí)，所述鉻化合物層滿(mǎn)足第一組成：氮/鉻的原子比為至少0.95，鉻含量為至少40at％，鉻和氮的總含量為至少80at％，氧含量為10at％以下，
當(dāng)所述含鉻膜由至少兩個(gè)鉻化合物層構(gòu)成時(shí)，所述鉻化合物層包含至少一個(gè)滿(mǎn)足第一組成的鉻化合物層，所述第一組成是，氮/鉻的原子比為至少0.95，鉻含量為至少40at％，鉻和氮的總含量為至少80at％，氧含量為10at％以下，所述至少一個(gè)滿(mǎn)足第一組成的鉻化合物層的總厚度在所述含鉻膜的總厚度的大于70％且小于等于100％的范圍內(nèi)，
所述含鉻膜的薄層電阻為10,000Ω/□以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模坯，其中，所述含鉻膜相對(duì)于所述曝光光的光密度為2.5～3.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模坯，其中，所述含鉻膜通過(guò)光學(xué)膜被設(shè)置在所述透明襯底上，所述光學(xué)膜包括由含硅但不含過(guò)渡金屬的材料或含硅和過(guò)渡金屬的材料形成的相移膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光掩模坯，進(jìn)一步包含設(shè)置在所述含鉻膜的遠(yuǎn)離所述襯底側(cè)的蝕刻掩模膜，所述蝕刻掩模膜由含硅材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光掩模坯，其中，所述含鉻膜相對(duì)于所述曝光光的光密度為1.5～2.6。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光掩模坯，其中，所述含鉻膜和所述相移膜相對(duì)于所述曝光光的光密度之總和為2.5～3.5。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光掩模坯，其中，所述含鉻膜、所述相移膜和所述蝕刻掩模膜相對(duì)于所述曝光光的光密度之總和為2.5～3.5。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模坯，其中，所述含鉻膜通過(guò)所述光學(xué)膜設(shè)置在所述透明襯底上，所述光學(xué)膜包括由含硅但不含過(guò)渡金屬的材料或含硅和過(guò)渡金屬的材料形成的遮光膜。