本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種掩膜版的版圖修正方法、掩膜版及其制造方法。

背景技術：

MPW(Multi-Project Wafer，多項目晶圓)就是將多個具有相同工藝的集成電路設計放在同一晶圓上流片，按面積分擔流片費用，以降低開發(fā)成本和新產品開發(fā)風險，降低中小集成電路設計企業(yè)在起步時的門檻，降低單次實驗流片造成的資源嚴重浪費。

一個MPW的光罩通常由多個客戶共享，這些客戶的產品在制造過程中會有不同程度的差別。如有些離子注入工序，有些客戶需要出光罩，有些客戶不出光罩，甚至出現(xiàn)少數(shù)工藝的光罩只有一家客戶需要的情況。在這種情況下其它客戶的產品圖案就需要用鉻(Cr)覆蓋，以免在離子注入工藝中被注入離子。但是，這樣同時會造成光罩的圖形密度(Pattern Density)分布嚴重不均衡。如圖1所示，掩膜版10包括多個單元，其中單元11不具備圖形(也即該圖形對應的產品在這一工藝中不需要光罩)，單元12則具備圖形，因此，單元11的圖形密度為0，而單元12的圖形密度不為零，例如為30％等。

在光罩的制作工藝中，光罩的曝光和蝕刻都需要考慮圖形密度的影響，工藝工程師會通過模擬或實驗建立圖形密度和曝光劑量，以及圖形密度和蝕刻參數(shù)的函數(shù)關系來控制光罩的諸多參數(shù)，例如關鍵尺寸均勻性(CD Uniformity)，注記差(registration)等。但是對于分布嚴重不均勻的，如圖1中所示的情況，通常沒有好的辦法，因為光罩針對產品的一層結構只出一片，無法像晶圓一樣反復試驗來調整蝕刻參數(shù)，因此這類光罩的報廢率會很高。

于是，改善這一狀況，已經成為業(yè)內的一個攻堅方向。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜版的版圖修正方法、掩膜版及其制造方法，以使得光罩整體的圖形密度變得均勻。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種掩膜版的版圖修正方法，包括：

提供前端版圖，所述前端版圖中存在非零圖形密度的第一單元；

對所述前端版圖進行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元，則對所述第二單元添加SRAF圖形，所述SRAF圖形小于的光刻設備的分辨率。

可選的，對于所述的掩膜版的版圖修正方法，所述第一單元的圖形密度與一標準圖形密度相差至多10％，添加所述SRAF圖形后，所述第二單元的圖形密度至少為所述標準圖形密度的90％。

可選的，對于所述的掩膜版的版圖修正方法，所述SRAF圖形包括多個相間隔的矩形。

可選的，對于所述的掩膜版的版圖修正方法，所述多個矩形相互平行且交錯排列呈多列。

可選的，對于所述的掩膜版的版圖修正方法，每個所述矩形的寬度為60nm-120nm。

可選的，對于所述的掩膜版的版圖修正方法，每個所述矩形的寬度為60nm-160nm。

可選的，對于所述的掩膜版的版圖修正方法，每個所述矩形的長度為寬度的5-7倍。

可選的，對于所述的掩膜版的版圖修正方法，每列中相鄰矩形間距為200nm-1000nm。

可選的，對于所述的掩膜版的版圖修正方法，相鄰列之間的所述矩形的間距為100-1000nm。

本發(fā)明還提供一種掩膜版的制造方法，包括：利用所述的掩膜版的版圖修正方法，在對所述單元添加SRAF圖形后，將所述前端版圖轉印至基片上。

本發(fā)明還提供一種掩膜版，所述掩膜版包括第一單元和第二單元，所述第一單元具有實際圖形，所述第二單元具有SRAF圖形。

可選的，對于所述的掩膜版，所述第二單元的圖形密度至少為標準圖形密度的90％。

本發(fā)明提供的掩膜版的版圖修正方法，包括提供前端版圖，所述前端版圖中存在非零圖形密度的第一單元；對所述前端版圖進行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元，則對所述第二單元添加SRAF圖形，所述SRAF圖形小于的光刻設備的分辨率。與現(xiàn)有技術相比，添加SRAF圖形后，能夠使得各個單元的圖形密度變得接近。那么由此進一步獲得的掩膜版，能夠使得光罩整體的圖形密度變得均勻，提高了光罩的合格率，基本上避免了報廢。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術中掩膜版的版圖及本發(fā)明中前端版圖的示意圖；

圖2為本發(fā)明中的掩膜版的版圖修正方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明一實施例中版圖修正后的示意圖；

圖4為本發(fā)明一實施例中的SRAF圖形的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發(fā)明的掩膜版的版圖修正方法、掩膜版及其制造方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

本發(fā)明的核心思想是，提供一種掩膜版的版圖修正方法，包括：

步驟S101：提供前端版圖，所述前端版圖中存在非零圖形密度的第一單元；

步驟S102：對所述前端版圖進行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元，則對所述第二單元添加SRAF圖形，所述SRAF圖形小于的光 刻設備的分辨率。

下面，請參考圖1-圖4，對本發(fā)明的掩膜版的版圖修正方法及掩膜版的制造方法進行詳細說明。其中圖1為本發(fā)明中前端版圖的示意圖；圖2為本發(fā)明中的掩膜版的版圖修正方法的流程圖；圖3為本發(fā)明一實施例中版圖修正后的示意圖；圖4為本發(fā)明一實施例中的SRAF圖形的結構示意圖。

本發(fā)明提供的掩膜版的版圖修正方法，包括：

首先，執(zhí)行步驟S101：提供前端版圖；如圖1所示，圖1中示意性的示出了前端版圖10的結構，所述前端版圖10包括第一單元11，所述第一單元11具備圖形，故有著一定的圖形密度。

在圖1中僅示出了一個第一單元11，當然，在實際生產當中，也會出現(xiàn)在前端版圖10中有著多個第一單元11，即具備圖形的單元具有多個的情況，那么這些第一單元11的圖形密度在設計時是相近的，所述第一單元11的圖形密度與一標準圖形密度相差至多10％。例如，若僅存在一個第一單元11，則該第一單元11的圖形密度即為標準圖形密度，若存在多個第一單元11，則依據(jù)每個第一單元11的圖形密度，經過綜合分析后獲得，例如可以采用每個單元12的圖形密度的平均值。

然后，執(zhí)行步驟S102，對所述前端版圖進行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元12，則對所述單元添加SRAF圖形(Sub-Resolution Assistant Feature，亞分辨率輔助圖形)，所述SRAF圖形小于的光刻設備的分辨率。如圖1所示，所述第二單元12不具備圖形，因此其圖形密度為0。如圖3所示，前端版圖10經過SRAF圖形的添加，第二單元12'具有了圖形密度。

較佳的，在經過SRAF圖形的添加后，第二單元12'的圖形密度至少為所述標準圖形密度的90％。當然，第二單元12'的圖形密度也不能夠過大，而SRAF圖形的添加能夠控制在使得第二單元12'的圖形密度不大于標準圖形密度，而且第二單元12'的圖形密度在大于標準圖形密度時不僅會增加SRAF圖形的復雜度，也沒有必要超過標準圖形密度。

請參考圖4，圖4中示意性的示出了SRAF圖形的結構，可見，所述SRAF圖形20包括多個相間隔的矩形21。這些矩形21排列成多列，如圖4中虛線框22所示為一列，每列之間相互平行，每列也包括有多個矩形21。所述矩形21 的寬度W受限于曝光時的波長，具體的，如對于氟化氬(ArF)的光罩，寬度W為60nm-120nm；而對于氟化氪(KrF)的光罩，矩形21的寬度W為60nm-160nm。上述范圍的寬度W，使得所述SRAF圖形小于的光刻設備的分辨率，從而能夠確保在晶圓上不會成像。所述矩形21的長度L一般為寬度W的5-7倍，太短容易給光罩檢驗帶來困擾，太長容易增加制作難度。

請繼續(xù)參考圖4，可見在每列中，矩形21之間存在間隔，這一間距d1優(yōu)選為200nm-1000nm，相鄰列之間的間距d2優(yōu)選為100nm-1000nm。于是，可以通過調節(jié)每列中矩形21之間的間距d1和相鄰列之間的間距d2，來控制之后獲得的光罩的穿透率，以便實現(xiàn)使得第二單元12'的圖形密度接近標準圖形密度。

當然，所述SRAF圖形20并不限于是由矩形21組成，例如還可以是圓形、三角形、五邊形等圖形構成，依據(jù)不同的圖形選擇，圖形的排布方式和尺寸等也可以有著不同。

接下來，依據(jù)上述掩膜版的版圖修正方法，還可以獲得一種掩膜版的制造方法，包括：在對所述第二單元11添加SRAF圖形后，將版圖轉印至基片上。版圖轉印至基片這一過程可以采用現(xiàn)有技術完成，本發(fā)明對此不做贅述。由此，可以獲得一種掩膜版，該掩膜版包括第一單元和第二單元，所述第一單元具有實際圖形，所述第二單元具有SRAF圖形。所述第一單元和第二單元的圖形密度相近，所述第二單元的圖形密度至少為第一單元的圖形密度的90％。

本發(fā)明的掩膜版的制造方法，從波段而言，可以適用在例如ArF光罩、KrF光罩和I-line光罩，從類型而言，可以適用在例如Binary光罩(二進制光罩)和PSM光罩(相偏移光罩)，以及OMOG光罩(含鉬光罩)。并且，本發(fā)明的方法并不限于MPW光罩，其他需要平衡光罩圖形密度的場合也可以采用。

至此，本發(fā)明的掩膜版的版圖修正方法、掩膜版及其制造方法，通過添加SRAF圖形后，能夠使得各個單元的圖形密度變得接近。那么由此獲得的掩膜版，能夠使得光罩整體的圖形密度變得均勻，提高了光罩的合格率，基本上避免了報廢。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。