本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備，特別涉及一種曝光裝置及方法。

背景技術(shù)：

光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路的制造中。在這種情況下，可認(rèn)為是掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成對(duì)應(yīng)于所述集成電路的單層的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。特殊的，在LED制造領(lǐng)域，首先需要將密集孔的圖案成像到圖形化藍(lán)寶石襯底。

和線條的成像相比，密集孔或密集圓柱的成像會(huì)困難得多，其實(shí)際的焦深也會(huì)大大減少，因此，對(duì)光刻而言，焦面的控制要求就非常高；另一方面，相較于硅片，圖形化藍(lán)寶石襯底本身的特點(diǎn)在于材質(zhì)比較硬，面型翹曲較大，這又進(jìn)一步降低了實(shí)際可使用的焦深(Useful Depth Of Focus,UDOF)，在實(shí)際可使用的焦深不夠的情況下，光刻系統(tǒng)焦面控制誤差導(dǎo)致的離焦量會(huì)造成基底上圖形的一致性超出可接收范圍，宏觀效果顯示為在相同光照條件下，基底上不同圖形的區(qū)域明暗程度不同，形成肉眼可觀測(cè)到的“不一致(Not Consistent)”或“色差(Color Difference)”現(xiàn)象。在產(chǎn)線上，肉眼觀察是一個(gè)重要指標(biāo)，肉眼對(duì)“不一致”或“色差”現(xiàn)象非常敏感，因此，對(duì)各種工藝參數(shù)的控制，尤其是焦面控制的要求就非常高。

請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)中的照明系統(tǒng)的勻光設(shè)計(jì)，采用四邊形的勻光棒10。請(qǐng)參考圖2，現(xiàn)有技術(shù)的掩模20采用四邊形形狀，掩模可以進(jìn)行方形拼接，此 種結(jié)構(gòu)的照明系統(tǒng)和掩模主要用于激光退火領(lǐng)域，無(wú)法用于LED光刻領(lǐng)域。

目前，曝光圖形化藍(lán)寶石襯底圖形的光刻機(jī)，受鏡頭設(shè)計(jì)成本或控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)等因素的影響，這些機(jī)器良率低，適應(yīng)性差，難以滿足大批量的生產(chǎn)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種曝光裝置，以在相同曝光視場(chǎng)的情況下能夠有效降低物鏡場(chǎng)曲對(duì)焦深的影響，提高實(shí)際可使用的焦深；在投影物鏡相同的焦深的情況下，擴(kuò)大了曝光視場(chǎng)的曝光面積。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種曝光裝置，包括曝光單元，，用于對(duì)晶圓進(jìn)行曝光；所述曝光單元包括照明系統(tǒng)和掩模，所述照明系統(tǒng)包括勻光單元，所述勻光單元包括正六邊形的勻光石英棒。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，所述掩模的形狀為與所述勻光石英棒相匹配的正六邊形。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，還包括泛曝光單元，用于對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行泛曝光。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，所述泛曝光單元，包括物料支撐結(jié)構(gòu)，用于承載曝光后的晶圓；泛曝光源，提供泛曝光能量；泛曝光控制單元，用于控制所述泛曝光源的打開或閉合，以及控制所述泛曝光源打開或閉合的時(shí)間。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，所述泛曝光源密閉設(shè)置在所述物料支撐結(jié)構(gòu)的下方，以阻止外部光源進(jìn)入泛曝光單元。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，所述物料支撐結(jié)構(gòu)向下兼容設(shè)置，以用于承載所有規(guī)格尺寸的晶圓。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，還包括晶圓盒單元，用于存放晶圓；提取單元，用于提取晶圓；預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元，用于將提取的晶圓進(jìn)行對(duì)位；曝光單元，通過(guò)正六邊形的勻光石英棒和掩模將對(duì)準(zhǔn)后的晶圓進(jìn)行曝光。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，所述提取單元為旋轉(zhuǎn)機(jī)械手。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，所述晶圓為藍(lán)寶石襯底或硅襯底或鍺硅襯底。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，所述照明系統(tǒng)，還依次包括光源、聚光單元、中繼單元，所述勻光單元位于所述聚光單元與所述中繼單元之間。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的上述曝光裝置，所述照明系統(tǒng)，還包括設(shè)置在所述勻光單元與所述中繼單元之間的可動(dòng)刀口，用于開啟或關(guān)閉光源以及調(diào)節(jié)光源經(jīng)聚光單元的照射視場(chǎng)大小。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供一種曝光方法，至少包括以下步驟：將照明系統(tǒng)的勻光單元中的勻光石英棒設(shè)計(jì)成正六邊形形狀，將掩模的形狀設(shè)計(jì)成與所述勻光石英棒相匹配的正六邊形的步驟進(jìn)行曝光。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的曝光方法，在曝光步驟之后，還增加了泛曝光的步驟，使經(jīng)過(guò)泛曝光的圖形變成規(guī)則的柱形形狀。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的曝光方法，在曝光時(shí)，采用對(duì)晶圓的表面形貌特征進(jìn)行全部測(cè)量后，然后一次性對(duì)晶圓進(jìn)行曝光的步驟。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的曝光方法，至少包括以下步驟：提取步驟，用于提取晶圓；預(yù)對(duì)準(zhǔn)步驟；將晶圓進(jìn)行對(duì)位；曝光步驟，通過(guò)正六邊形的勻光石英棒和掩模將對(duì)準(zhǔn)后的晶圓進(jìn)行曝光。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的曝光方法，在曝光時(shí)，采用對(duì)晶圓的表面形貌特征進(jìn)行連續(xù)多次測(cè)量后，然后一次性對(duì)晶圓進(jìn)行曝光的步驟。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的曝光方法，所述測(cè)量的具體步驟為：采用垂向測(cè)量裝置連續(xù)多次測(cè)量晶圓的表面形貌特征，將載片運(yùn)動(dòng)臺(tái)與所述垂向測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行匹配，擬合并計(jì)算出每一個(gè)視場(chǎng)相對(duì)于最佳焦面的傾斜度。

進(jìn)一步的，本發(fā)明的曝光方法，所述曝光的具體步驟為：通過(guò)載片運(yùn)動(dòng)臺(tái)的垂向傳感器控制晶圓的最佳焦面，一次性的進(jìn)行步進(jìn)曝光。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的曝光裝置及方法，將照明系統(tǒng)中勻光單元的勻光石英棒由四邊形改進(jìn)為正六邊形，并將掩模匹配設(shè)計(jì)為正六邊形。具有在相 同曝光視場(chǎng)的情況下，正六邊形的對(duì)角線長(zhǎng)度要比四邊形的對(duì)角線的長(zhǎng)度要小，降低了投影物鏡對(duì)焦深的影響，提高了投影物鏡實(shí)際有用的焦深；在投影物鏡相同的焦深的情況下，正六邊形的勻光石英棒反映的正六邊形曝光視場(chǎng)，擴(kuò)大了曝光視場(chǎng)的曝光面積的技術(shù)效果。本發(fā)明由于提高了投影物鏡實(shí)際有用的焦深，因此，能夠克服光刻系統(tǒng)焦面控制誤差導(dǎo)致的離焦量會(huì)造成基底上圖形的一致性超出可接收范圍的缺陷；能夠克服肉眼觀測(cè)到的“不一致”或“色差”的現(xiàn)象。本發(fā)明的勻光石英棒和掩模的匹配設(shè)計(jì)，以及形成的正六邊形拼接，特別適應(yīng)于LED制造領(lǐng)域等密集孔或集圓柱的成像工藝。本發(fā)明增加了泛曝光單元及泛曝光的步驟，以改善曝光步驟的圖形的側(cè)壁陡度，使經(jīng)過(guò)泛曝光的圖形變成規(guī)則的柱形形狀，以提高曝光產(chǎn)品良率。本發(fā)明的曝光方法，通過(guò)連續(xù)多次測(cè)量晶圓的表面形貌特征，擬合并計(jì)算出每一個(gè)視場(chǎng)相對(duì)于最佳焦面的傾斜度，然后一次性對(duì)晶圓進(jìn)行曝光的步驟，與現(xiàn)有技術(shù)中采用的測(cè)量一次曝光一次的循環(huán)步驟相比，具有降低了晶圓物料的敏感度，提高了對(duì)硬度較高的襯底例如藍(lán)寶石襯底或者翹曲的晶圓的適應(yīng)能力。本發(fā)明采用一次性曝光的步驟，具有節(jié)省了曝光的工時(shí)，降低制造成本的效果。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的勻光棒的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的掩模的拼接結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的曝光單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明的勻光石英棒的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明的掩模的拼接結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7－8是物鏡視場(chǎng)與曝光視場(chǎng)關(guān)系的效果圖；

圖9是本發(fā)明增加泛曝光單元的曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明泛曝光單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明的物料支撐結(jié)構(gòu)與泛曝光源的結(jié)構(gòu)關(guān)系示意圖；

圖12是未加入泛曝光的傳統(tǒng)曝光效果圖；

圖13是加入泛曝光的效果圖；

圖14是晶圓傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15－16是本發(fā)明的照明系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17是硅片工作臺(tái)位置和垂向測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行匹配的示意圖；

圖18是擬合并計(jì)算出每一個(gè)視場(chǎng)相對(duì)于最佳焦面的傾斜度的示意圖。

現(xiàn)有技術(shù)圖示：10、勻光棒，20、掩模。

本發(fā)明圖示：100、曝光單元，110、照明系統(tǒng)，111、光源，112、聚光單元，113、勻光單元，1131、勻光石英棒，114、中繼單元，115、可動(dòng)刀口，120、掩模，200、晶圓，201、曝光圖形，202、泛曝光圖形，300、泛曝光單元，301、物料支撐結(jié)構(gòu)，302、泛曝光源，303、泛曝光控制單元，304、提取單元，305、晶圓盒單元，306、預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元，401、物鏡視場(chǎng)、402、正六邊形曝光視場(chǎng)，403、四邊形曝光視場(chǎng)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述：

實(shí)施例一

請(qǐng)參考圖3至6，本實(shí)施方式提供一種曝光裝置，包括曝光單元100，用于對(duì)晶圓200進(jìn)行曝光；所述曝光單元100包括照明系統(tǒng)110和掩模120，所述照明系統(tǒng)110包括勻光單元113，所述勻光單元113包括正六邊形的勻光石英棒1131，所述掩模120的形狀為與所述勻光石英棒1131相匹配的正六邊形。

請(qǐng)參考圖5至8，本發(fā)明的曝光裝置，將照明系統(tǒng)110中勻光單元113的勻光石英棒1131由四邊形改進(jìn)為正六邊形，并將掩模120匹配設(shè)計(jì)為正六邊形。圖7－8是物鏡視場(chǎng)與曝光視場(chǎng)關(guān)系的效果圖，請(qǐng)參考圖8，在相同曝光視場(chǎng)的情況下，正六邊形的勻光石英棒1131反映的正六邊形曝光視場(chǎng)的對(duì)角線長(zhǎng)度要 比四邊形曝光視場(chǎng)的對(duì)角線的長(zhǎng)度要短，從而降低了投影物鏡對(duì)焦深的影響，提高了投影物鏡實(shí)際有用的焦深；請(qǐng)參考圖7，在投影物鏡相同的焦深的情況下，正六邊形的勻光石英棒1131反映的正六邊形曝光視場(chǎng)大于四邊形的勻光石英棒的曝光視場(chǎng)，從而擴(kuò)大了曝光視場(chǎng)的曝光面積。本發(fā)明由于提高了投影物鏡實(shí)際有用的焦深，因此，能夠克服光刻系統(tǒng)焦面控制誤差導(dǎo)致的離焦量會(huì)造成基底上圖形的一致性超出可接收范圍的缺陷；能夠克服肉眼觀測(cè)到的“不一致”或“色差”的現(xiàn)象。本發(fā)明的勻光石英棒1131和掩模120的匹配設(shè)計(jì)，以及形成的六邊形拼接的掩模120，特別適應(yīng)于LED制造領(lǐng)域等密集孔或集圓柱的成像工藝。

其中，晶圓200為藍(lán)寶石襯底或硅襯底或鍺硅襯底等。

請(qǐng)參考圖5和15，本發(fā)明的照明系統(tǒng)110，還依次包括汞燈或LED等光源111、聚光單元112、中繼單元114，所述勻光單元113位于所述聚光單元112與所述中繼單元114之間。

請(qǐng)參考圖16，本發(fā)明的曝光裝置，還包括設(shè)置在勻光單元113與所述中繼單元114之間的可動(dòng)刀口115，用于開啟或關(guān)閉光源111以及調(diào)節(jié)光源111經(jīng)聚光單元112的照射視場(chǎng)大小。即本發(fā)明可以根據(jù)可動(dòng)刀口115配合不同尺寸大小的掩模120進(jìn)行調(diào)節(jié)曝光視場(chǎng)的大小，以適應(yīng)于各種尺寸晶圓200的曝光工藝。

請(qǐng)參考圖14，本發(fā)明的曝光裝置，還包括晶圓盒單元305，用于存放晶圓200；提取單元304，用于提取晶圓200；預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元306，用于將提取的晶圓200進(jìn)行對(duì)位；曝光單元100，通過(guò)正六邊形的勻光石英棒1131和掩模120將對(duì)準(zhǔn)后的晶圓200進(jìn)行曝光。本發(fā)明的預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元306和曝光單元100可分體設(shè)計(jì)，也可以一體式設(shè)計(jì)。本發(fā)明的提取單元304、預(yù)對(duì)準(zhǔn)曝光單元100與泛曝光單元300構(gòu)成晶圓傳輸系統(tǒng)，以用于實(shí)現(xiàn)曝光前后以及泛曝光前后對(duì)晶圓200的傳輸。提取單元304在晶圓盒單元305、預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元306、曝光單元100中均起到對(duì)晶圓200提取的作用。例如可以采用旋轉(zhuǎn)機(jī)械手為提取單元304，將晶圓 盒單元305的晶圓200提取放入預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元306，也可以將預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元306的晶圓200放入到曝光單元100進(jìn)行曝光，還可以將曝光單元100的晶圓200提取回收。

請(qǐng)參考圖9、圖12、圖13，本發(fā)明的曝光裝置，還包括泛曝光單元300，用于對(duì)曝光后的晶圓200進(jìn)行泛曝光。增加泛曝光單元300后，晶圓傳輸系統(tǒng)則由提取單元304、晶圓盒單元305、預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元306、曝光單元100、泛曝光單元300構(gòu)成。本發(fā)明增加了泛曝光單元300，能夠改善曝光步驟的圖形的側(cè)壁陡度，使經(jīng)過(guò)泛曝光的圖形變成規(guī)則的柱形形狀，以提高曝光產(chǎn)品良率。圖12是未加入泛曝光的傳統(tǒng)曝光效果圖；曝光圖形201的側(cè)壁出現(xiàn)陡度，本圖示示例了曝光圖形201的側(cè)壁陡度為規(guī)則的梯形結(jié)構(gòu)，梯形結(jié)構(gòu)中上底與下底之差的線段與腰線圍合成的三角形的側(cè)壁部分均為多余的部分，實(shí)際傳統(tǒng)曝光后曝光圖形201也可能是非等腰梯形結(jié)構(gòu)。圖13是加入泛曝光的效果圖；對(duì)曝光圖形201進(jìn)行泛曝光后形成泛曝光圖形202，泛曝光圖形202去除了側(cè)壁的多余部分，使圖形為柱形形狀或接近柱形形狀。由此可知，本發(fā)明增加泛曝光單元后，能夠提高產(chǎn)品的曝光良率。

請(qǐng)參考圖10，所述泛曝光單元300，包括物料支撐結(jié)構(gòu)301，用于承載曝光后的晶圓200；泛曝光源302，提供泛曝光能量；泛曝光控制單元303，用于控制所述泛曝光源302的打開或閉合，以及控制所述泛曝光源302打開或閉合的時(shí)間。

請(qǐng)參考圖11，所述泛曝光源302密閉設(shè)置在所述物料支撐結(jié)構(gòu)301的下方，以阻止外部光源進(jìn)入泛曝光單元300。此種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，防止外部散射光源通過(guò)物料支撐結(jié)構(gòu)301照射到泛曝光單元300承載的晶圓200上，避免外部散射光源對(duì)晶圓200泛曝光的影響，以提高泛曝光的良率。

作為較佳的實(shí)施方式，所述物料支撐結(jié)構(gòu)301向下兼容設(shè)置，以用于承載所有規(guī)格尺寸的晶圓200。此種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，能夠適應(yīng)于4英寸、8英寸、10英寸、16英寸等所有尺寸的晶圓200，兼容性較好。

實(shí)施例二

本實(shí)施例二提供一種曝光方法，本實(shí)施例二是基于實(shí)施例一的曝光裝置，至少包括以下步驟：將照明系統(tǒng)的勻光單元中的勻光石英棒設(shè)計(jì)成正六邊形形狀，將掩模的形狀設(shè)計(jì)成與所述勻光石英棒相匹配的正六邊形的步驟進(jìn)行曝光。在相同曝光視場(chǎng)的情況下，正六邊形的勻光石英棒反映的正六邊形曝光視場(chǎng)的對(duì)角線長(zhǎng)度要比四邊形曝光視場(chǎng)的對(duì)角線的長(zhǎng)度要短，從而降低了投影物鏡的焦深，提高了投影物鏡實(shí)際有用的焦深；在投影物鏡相同的焦深的情況下，正六邊形的勻光石英棒反映的正六邊形曝光視場(chǎng)大于四邊形的勻光石英棒的曝光視場(chǎng)，從而擴(kuò)大了曝光視場(chǎng)的曝光面積。

作為較佳的實(shí)施方式，本發(fā)明的曝光方法，在曝光步驟之后，還增加了泛曝光的步驟，以改善曝光步驟的圖形的側(cè)壁陡度，使經(jīng)過(guò)泛曝光的圖形變成規(guī)則的柱形形狀，以提高曝光圖形的良率。結(jié)合實(shí)施例一的泛曝光單元可知，本發(fā)明增加泛曝光步驟后，能夠提高產(chǎn)品的曝光良率，便于后續(xù)工藝的加工和制造，有效提高產(chǎn)品的合格率。

本發(fā)明的曝光方法具體包括以下步驟：提取步驟，用于提取晶圓；預(yù)對(duì)準(zhǔn)步驟；將晶圓進(jìn)行對(duì)位；曝光步驟，通過(guò)正六邊形的勻光石英棒和掩模將對(duì)準(zhǔn)后的晶圓進(jìn)行曝光；泛曝光步驟，用于將曝光后的晶圓進(jìn)行泛曝光。該具體步驟對(duì)晶圓的曝光工藝處理可以進(jìn)行流水化作業(yè)，便于制造和管理。

作為較佳的實(shí)施方式，本發(fā)明的曝光方法，在曝光時(shí)，采用對(duì)晶圓的表面形貌特征進(jìn)行連續(xù)多次測(cè)量后，然后一次性對(duì)晶圓進(jìn)行曝光的步驟。其中，測(cè)量的具體步驟為：采用垂向測(cè)量裝置連續(xù)多次測(cè)量晶圓的表面形貌特征，將載片運(yùn)動(dòng)臺(tái)與所述垂向測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行匹配，擬合并計(jì)算出每一個(gè)視場(chǎng)相對(duì)于最佳焦面的傾斜度。此步驟的優(yōu)點(diǎn)在于，測(cè)量具有多次連續(xù)性，無(wú)需等待傳統(tǒng)曝光方法中曝光后再次測(cè)量的步驟，節(jié)約了測(cè)量的工時(shí)。其中，曝光的具體步驟為：通過(guò)載片運(yùn)動(dòng)臺(tái)的垂向傳感器控制晶圓的最佳焦面，一次性的進(jìn)行步進(jìn)曝光。此步驟的優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)步進(jìn)一次性曝光，使晶圓的曝光更加精 確，具有節(jié)省了曝光的工時(shí)，降低制造成本，提高產(chǎn)品的質(zhì)量的效果。

由于傳統(tǒng)的曝光流程，直接用垂向測(cè)量裝置控制硅片工件臺(tái)，由于垂向測(cè)量裝置通常響應(yīng)速度較慢，因此直接控制的效率較低。且直接控制用有限的點(diǎn)進(jìn)行調(diào)平代表全場(chǎng)的面型，對(duì)晶圓的面型要求較高，尤其是片子的邊緣，要求更高，一旦物料情況稍差，焦深稍小，就會(huì)帶來(lái)場(chǎng)場(chǎng)間的不一致情況，影響曝光良率。

采用本發(fā)明的曝光方法后，可以克服傳統(tǒng)曝光流程的上述缺陷。下面以硅片為例給出以下具體實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的曝光過(guò)程及其效果。

步驟S1，將硅片傳輸?shù)焦杵ぜ_(tái)；

步驟S2，硅片工件臺(tái)執(zhí)行全局對(duì)準(zhǔn)；

步驟S3，硅片工件臺(tái)保持硅片工件臺(tái)垂向姿態(tài)不變，采用硅片工件臺(tái)的垂向傳感器，例如光柵尺，在全視場(chǎng)范圍內(nèi)高速來(lái)回掃描，工件臺(tái)記錄實(shí)時(shí)位置并傳到上位機(jī)；

步驟S4，垂向測(cè)量裝置在硅片工件臺(tái)掃描的同時(shí)，連續(xù)測(cè)量，記錄每次測(cè)量結(jié)果并傳到上位機(jī)；

步驟S5，上位機(jī)將硅片工作臺(tái)位置和垂向測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行匹配，如圖17所示，擬合并計(jì)算出每一個(gè)視場(chǎng)相對(duì)于最佳焦面的傾斜度，如圖18所示。

步驟S6，硅片由硅片工件臺(tái)的垂向傳感器控制到最佳焦面，進(jìn)行步進(jìn)曝光

步驟S7，將曝光后的硅片傳輸?shù)椒浩毓鈫卧?/p>

步驟S8，執(zhí)行泛曝光；

步驟S9，從泛曝光單元下片。

采用本發(fā)明的上述步驟的曝光方法，通過(guò)連續(xù)多次測(cè)量，精確定位最佳焦面，能夠充分考慮晶圓的面型分布，曝光結(jié)果一致性良好，良率提高。即使在掃描測(cè)量時(shí)需要一定的時(shí)間，但整體時(shí)間仍優(yōu)于傳統(tǒng)的曝光流程；本發(fā)明由于垂向測(cè)量裝置不參與直接控制，因此硅片工件臺(tái)水平向或垂向都能以高速運(yùn)動(dòng) 的方式進(jìn)行補(bǔ)償，以適應(yīng)硬度較高或者翹曲的晶圓。

本發(fā)明的曝光方法，通過(guò)連續(xù)多次測(cè)量晶圓的表面形貌特征，擬合并計(jì)算出每一個(gè)視場(chǎng)相對(duì)于最佳焦面的傾斜度，然后一次性對(duì)晶圓進(jìn)行曝光的步驟，與現(xiàn)有技術(shù)中采用的測(cè)量一次曝光一次的循環(huán)步驟相比，具有降低了晶圓物料的敏感度，提高了對(duì)硬度較高的襯底例如藍(lán)寶石襯底或者翹曲的晶圓的適應(yīng)能力。本發(fā)明采用一次性曝光的步驟，具有節(jié)省了曝光的工時(shí)，降低制造成本的效果。

本實(shí)施方式中的六邊形指正六邊形；四邊形是指正四邊形，即正方形。

本發(fā)明不限于上述具體實(shí)施方式，本發(fā)明的曝光裝置及方法，同樣適用于集成光電系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案，平板顯示器、液晶顯示器、薄膜磁頭等領(lǐng)域。凡在本發(fā)明的權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)所作出的任何變化，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。