本發(fā)明涉及曝光技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板、曝光裝置及其進(jìn)行曝光的方法。

背景技術(shù)：

掩膜板作為轉(zhuǎn)移微細(xì)圖形的工具，在顯示面板生產(chǎn)中具有承上啟下的關(guān)鍵作用，是顯示面板產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的重要環(huán)節(jié)。生產(chǎn)過程中有多少次光刻就需要多少張不同圖形的掩膜板，即同一工藝制程的膜層圖案和對位標(biāo)識制作在同一張掩膜板上，不同工藝制程的膜層圖案和對位標(biāo)識制作在不同的掩膜板上上，利用對位標(biāo)識保證各膜層圖案的精確位置。例如如圖1所示，a代表包含柵極層(G)圖案和對位標(biāo)識的掩膜板，b代表另一張包含源漏極層(SD)圖案和對位標(biāo)識的掩膜板。對位標(biāo)識實現(xiàn)對位的原理是基板上形成包含柵極層圖案的掩膜板的對位標(biāo)識，實現(xiàn)包含柵極層圖案的掩膜板與基板之間的對位；而源漏極層圖案的掩膜板上設(shè)置有與柵極層圖案的對位標(biāo)識互補(bǔ)的對位標(biāo)識，c代表最終經(jīng)過對位光學(xué)系統(tǒng)以后圖像傳感器(Charge-coupled Device，CCD)抓到的完整的對位后的圖案?？梢?，掩膜板的數(shù)量代表了制造過程中采用的光刻工藝子流程的數(shù)目，而掩膜板價格昂貴，一直占據(jù)著技術(shù)開發(fā)項目成本中的絕大部分。

為降低技術(shù)開發(fā)成本，目前，高世代線的技術(shù)開發(fā)項目大部分采用選擇性的搭載已開發(fā)產(chǎn)品的方式進(jìn)行。具體方式是更改其中的一張或兩張掩膜板，通過共用其他掩膜板和工藝條件來降低成本和提高開發(fā)成功率。長期以來，這種方式已被驗證是進(jìn)行技術(shù)開發(fā)的最有效的方式，但是由于這種方式只針對單個關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行開發(fā)，因此，只適用于改良和性能提升的技術(shù)開發(fā)，而不能進(jìn)行顛覆性創(chuàng)新設(shè)計，例如新像素和新面板等的開發(fā)和驗證，從而導(dǎo)致整個行業(yè)每年新產(chǎn)生的大部分專利成果都無法得到驗證，嚴(yán)重影響了高性能產(chǎn)品的開發(fā)周期。

若新開掩膜板進(jìn)行較大創(chuàng)新項目的驗證以縮短開發(fā)周期，則需要拋棄原有的開發(fā)載體重新設(shè)計一整套掩膜板，這樣會成倍地增加開發(fā)成本。因此，如何設(shè)計掩膜板，以解決開發(fā)顛覆性創(chuàng)新設(shè)計的成本是目前亟需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種掩膜板、曝光裝置及其進(jìn)行曝光的方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的如何設(shè)計掩膜板，以解決開發(fā)顛覆性創(chuàng)新設(shè)計的成本是目前亟需解決的問題。

本發(fā)明實施例提供一種掩膜板，包括：至少兩個并排設(shè)置的用于形成單膜層圖案的有效圖形的掩膜圖案區(qū)域，以及與各所述掩膜圖案區(qū)域分別對應(yīng)的至少兩組對位標(biāo)識；每組所述對位標(biāo)識中包含的兩個所述對位標(biāo)識以對應(yīng)的所述掩膜圖案區(qū)域為中心對稱設(shè)置。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，在所述掩膜板中最先使用的掩膜圖案區(qū)域?qū)?yīng)的對位標(biāo)識的圖案與其他掩膜圖案區(qū)域?qū)?yīng)的對位標(biāo)識的圖案互補(bǔ)。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，各所述掩膜圖案區(qū)域按照用于形成的單膜層圖案的有效圖形的制備順序依次順序排列。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，全部所述掩膜圖案區(qū)域用于采用相同性質(zhì)光刻膠形成單膜層圖案的有效圖形。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，在全部所述掩膜圖案區(qū)域用于采用正性光刻膠形成單膜層圖案的有效圖形時，所述各單膜層圖案用于形成的單膜層圖案為以下任意組合：柵極層圖案、有源層圖案、源漏極層圖案、樹脂層圖案、公共電極層圖案和像素電極層圖案；

在全部所述掩膜圖案區(qū)域用于采用負(fù)性光刻膠形成單膜層圖案或采用正性光刻膠形成過孔圖案的有效圖形時，所述各單膜層圖案用于形成的單膜層圖案為以下任意組合：第一層絕緣層圖案、第二層絕緣層圖案和紫外固化圖案。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，與各所述掩膜圖案區(qū)域分別對應(yīng)的對位標(biāo)識為兩組，分別設(shè)置在對應(yīng)的所述掩膜圖案區(qū)域的四角位置。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，在全部所述掩膜圖案區(qū)域用于采用負(fù)性光刻膠形成單膜層圖案的有效圖形時，所述各單膜層圖案用于形成的單膜層圖案為以下任意組合：黑矩陣層圖案、彩色樹脂層圖案和光阻層圖案。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，與各所述掩膜圖案區(qū)域分別對應(yīng)的對位標(biāo)識為兩組，分別設(shè)置在對應(yīng)的所述掩膜圖案區(qū)域的相對兩個側(cè)邊位置。

本發(fā)明實施例還提供了一種曝光裝置，包括：多個載置臺，以及通過同一個通道與各所述載置臺連接的遮光罩載物臺；其中，各所述載置臺分別對應(yīng)放置一張上述掩膜板。

本發(fā)明實施例還提供了一種采用上述曝光裝置進(jìn)行曝光的方法，包括：根據(jù)各單膜層圖案形成的順序，調(diào)用相應(yīng)的所述載置臺上的掩膜板，對放置于所述遮光罩載物臺上的基板依次進(jìn)行曝光，形成各所述單膜層圖案的有效圖形。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板、曝光裝置及其進(jìn)行曝光的方法，該掩膜板包括：至少兩個并排設(shè)置的用于形成單膜層圖案的有效圖形的掩膜圖案區(qū)域，以及與各掩膜圖案區(qū)域分別對應(yīng)的至少兩組對位標(biāo)識；每組對位標(biāo)識中包含的兩個對位標(biāo)識以對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域為中心對稱設(shè)置。由于一個掩膜圖案區(qū)域可以用于對應(yīng)形成一個單膜層圖案的有效圖形，通過掩膜板中的至少兩個并排設(shè)置的掩膜圖案區(qū)域，即可形成至少兩個單膜層圖案的有效圖形，并且以對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域為中心對稱設(shè)置的每組對位標(biāo)識中包含的兩個對位標(biāo)識，保證了單膜層圖案的有效圖形的位置精度。因此，有效減少了掩膜板的數(shù)量，從而降低了開發(fā)顛覆性創(chuàng)新設(shè)計的成本。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中曝光工藝中使用的掩膜板的示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的掩膜板的示意圖之一；

圖3為本發(fā)明實施例提供的掩膜板的示意圖之二；

圖4為本發(fā)明實施例提供的掩膜板的示意圖之三；

圖5為本發(fā)明實施例提供的掩膜圖案區(qū)域?qū)?yīng)的對位標(biāo)識的圖案的示意圖之一；

圖6為本發(fā)明實施例提供的掩膜圖案區(qū)域?qū)?yīng)的對位標(biāo)識的圖案的示意圖之二；

圖7為本發(fā)明實施例提供的用于監(jiān)控曝光機(jī)擋板遮擋位置的標(biāo)識位置的示意圖之一；

圖8為本發(fā)明實施例提供的用于監(jiān)控曝光機(jī)擋板遮擋位置的標(biāo)識位置的示意圖之二；

圖9為現(xiàn)有技術(shù)中曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板、曝光裝置及其進(jìn)行曝光的方法的具體實施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。

附圖中各部件的形狀和大小不反映真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板，如圖2至圖4所示，包括：至少兩個并排設(shè)置的用于形成單膜層圖案的有效圖形的掩膜圖案區(qū)域201，以及與各掩膜圖案區(qū)域201分別對應(yīng)的至少兩組對位標(biāo)識202；每組對位標(biāo)識202中包含的兩個對位標(biāo)識以對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201為中心對稱設(shè)置。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，由于一個掩膜圖案區(qū)域201可以用于對應(yīng)形成一個單膜層圖案的有效圖形，通過掩膜板中的至少兩個并排設(shè)置的掩膜圖案區(qū)域201，即可形成至少兩個單膜層圖案的有效圖形，并且以對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201為中心對稱設(shè)置的每組對位標(biāo)識202中包含的兩個對位標(biāo)識，保證了單膜層圖案的有效圖形的位置精度。因此，有效減少了掩膜板的數(shù)量，從而降低了開發(fā)顛覆性創(chuàng)新設(shè)計的成本。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，如圖2和圖3所示，還可以包括設(shè)置在掩膜板相對的兩側(cè)的上中下位置處的三組對位標(biāo)識203，用于掩膜板首次曝光時與機(jī)臺進(jìn)行對位。較佳地，為確保各單膜層圖案的有效圖形能夠正常形成，上述三組對位標(biāo)識203與各掩膜圖案區(qū)域201和以對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201為中心對稱設(shè)置的每組對位標(biāo)識202之間無重疊。

較佳地，為了實現(xiàn)采用掩膜圖案區(qū)域201形成的單膜層圖案的有效圖形的位置精度，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，如圖2至圖4所示，與各掩膜圖案區(qū)域201分別對應(yīng)的對位標(biāo)識202為兩組，分別設(shè)置在對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201的相對兩個側(cè)邊位置，較佳地，分別設(shè)置在對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201的四角位置。當(dāng)然，對位標(biāo)識202還可以有其他設(shè)置方式，在此不做限定。并且，一般地，如圖5和圖6所示，在掩膜板中最先使用的掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)的對位標(biāo)識的圖案501與其他掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)的對位標(biāo)識的圖案502互補(bǔ)。即在掩膜板中其他掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)的對位標(biāo)識的圖案502相同，并且與最先使用的掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)的對位標(biāo)識的圖案501組成一個完整的對位標(biāo)識，以實現(xiàn)后續(xù)工藝中各膜層圖案的有效圖形曝光時所用的掩膜圖案區(qū)域201，與基板上已形成的工藝圖案的有效圖形之間的對位。

值得注意的是，對位標(biāo)識的圖案需要根據(jù)每款曝光機(jī)的識別技術(shù)進(jìn)行設(shè)定，并不存在通用的對位標(biāo)識的圖案。例如圖5所示的對位標(biāo)識的圖案適用于佳能Canon曝光機(jī)；圖6所示的對位標(biāo)識的圖案適用于NSK曝光機(jī)。

進(jìn)一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，如圖7所示，在基板上形成的第一層單膜層圖案701相對于葉片Blade位置703的位移偏差，可以通過曝光形成后的標(biāo)尺圖形讀出，其他膜層圖案702相對于Blade位置703的位移偏差，可以通過曝光形成后條形圖案長短比對讀出。

具體地，為監(jiān)控單膜層圖案的有效圖形是否能夠完全形成，如圖7和圖8所示，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，還可以包括設(shè)置在有效曝光區(qū)801四邊位置的用于監(jiān)控曝光機(jī)擋板位置的標(biāo)識704。該有效曝光區(qū)801所在的區(qū)域包含以掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)的對位標(biāo)識202為頂點組成的四邊形區(qū)域802。標(biāo)識704通過監(jiān)控曝光機(jī)擋板位置是否在有效曝光區(qū)801四邊位置，來監(jiān)控單膜層圖案的有效圖形是否能夠完全形成。當(dāng)曝光機(jī)擋板位置在有效曝光區(qū)801四邊位置時，則單膜層圖案的有效圖形能夠完全形成；否則，單膜層圖案的有效圖形不能完全形成。一般地，可以在有效曝光區(qū)801四邊位置分別至少設(shè)置一組標(biāo)識704，并且各組標(biāo)識704可以對稱設(shè)置，也可以不對稱設(shè)置，在此不做限定。

較佳地，如圖8所示，可以在有效曝光區(qū)801四邊位置每組標(biāo)識704包括兩個標(biāo)識。此外，由于在掩膜板中包含的每一掩膜圖案區(qū)域201可以用于形成一個單膜層圖案的有效圖形，因此，在掩膜板中需要設(shè)置至少4*掩膜圖案區(qū)域201的數(shù)量組標(biāo)識704。另外，還可以在有效曝光區(qū)域801的四邊位置附近設(shè)置掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)形成的單膜層圖案的有效圖形的保護(hù)圖形，以在基板多次曝光時，保護(hù)單膜層圖案的有效圖形免受二次曝光。

具體地，在面板制作過程中，還會涉及到對位精度測量檢測標(biāo)識、對盒標(biāo)識、切割標(biāo)記和磨邊標(biāo)識等標(biāo)識，較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，這些標(biāo)識204可以設(shè)置在采用最先使用的掩膜圖案區(qū)域201形成的單膜層圖案的有效圖形的周圍，并與最先使用的掩膜圖案區(qū)域201形成的單膜層圖案的有效圖形同時曝光形成。例如如圖2和圖3所示，若掩膜板虛線區(qū)域205為最先使用的掩膜圖案區(qū)域201，這些標(biāo)識204設(shè)置在掩膜板虛線區(qū)域205對應(yīng)的最先使用的掩膜圖案區(qū)域201形成的單膜層圖案的有效圖形的周圍。當(dāng)然，這些標(biāo)識204還可以有其他設(shè)置方式，在此不做限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，全部掩膜圖案區(qū)域201可以用于采用相同性質(zhì)光刻膠形成單膜層圖案的有效圖形。例如，在全部掩膜圖案區(qū)域201用于采用正性光刻膠形成單膜層圖案的有效圖形時，各單膜層圖案用于形成的單膜層圖案為以下任意組合：柵極層圖案、有源層圖案、源漏極層圖案、樹脂層圖案、公共電極層圖案和像素電極層圖案；又如，在全部掩膜圖案區(qū)域201用于采用負(fù)性光刻膠形成單膜層圖案或采用正性光刻膠形成過孔圖案的有效圖形時，各單膜層圖案用于形成的單膜層圖案為以下任意組合：第一層絕緣層圖案、第二層絕緣層圖案和紫外固化圖案。當(dāng)然，還可以根據(jù)實際需要選擇其他方式在同一張掩膜板上設(shè)計各掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)形成的單膜層圖案的有效圖形。例如，在技術(shù)開發(fā)項目中涉及的工藝膜層是4Mask、5Mask、6Mask等其他工藝膜層，則可以將除了非有機(jī)膜的過孔圖層放置在同一張掩膜板上以外，其他圖層均放置在另一張掩膜板上，在此不做限定。

需要說明的是，在使用正性光刻膠進(jìn)行曝光時，未曝光位置的光刻膠膠會留下，從而形成單膜層圖案的有效圖形。若樹脂層圖案中含過孔等透光圖案，則樹脂層圖案的有效圖形可以使用負(fù)性光刻膠進(jìn)行曝光，從而使得未曝光位置的光刻膠被移除，形成過孔圖案。若第一層絕緣層圖案和第二層絕緣層圖案中都含有過孔等透光圖案，那么第一層絕緣層圖案的有效圖形、第二層絕緣層圖案的有效圖形和紫外固化圖案的有效圖形還可以使用正性光刻膠進(jìn)行曝光，以移除曝光位置的光刻膠，此時第一層絕緣層圖案的有效圖形和第二層絕緣層圖案的有效圖形對應(yīng)的掩膜板圖案區(qū)域201需要設(shè)計成反圖形設(shè)計才能形成過孔圖案，反圖形即有圖形的區(qū)域為鏤空，無圖形的區(qū)域為鉻膜。當(dāng)然，紫外固化圖案的有效圖形對應(yīng)的掩膜板圖案區(qū)域201也可以以反圖形設(shè)計的形式放置在第一層絕緣層圖案的有效圖形和第二層絕緣層圖案的有效圖形對應(yīng)的掩膜板圖案區(qū)域201所在的同一張掩膜板上，原因是紫外固化圖案的有效圖形簡單，具備圖形取反的可行性。

此外，由于單張掩膜板的面積有限，因此，可以根據(jù)實際情況在單張掩膜板上進(jìn)行掩膜板圖案區(qū)域201的設(shè)計。例如，若掩膜板圖案區(qū)域201對應(yīng)形成的單膜層圖案的有效圖形增大，則單張掩膜板上的掩膜板區(qū)域201的數(shù)量應(yīng)相應(yīng)減少，并可適當(dāng)增加掩膜板的張數(shù)，以保證工藝制程中全部單膜層圖案的有效圖形都有相對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201。

具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，在全部掩膜圖案區(qū)域201用于采用負(fù)性光刻膠形成單膜層圖案的有效圖形時，各單膜層圖案用于形成的單膜層圖案為以下任意組合：黑矩陣層圖案、彩色樹脂層圖案和光阻層圖案，在此不做限定。

具體地，為了便捷地調(diào)用用于形成的單膜層圖案的有效圖形的各掩膜圖案區(qū)域201，在本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板中，各掩膜圖案區(qū)域201可以按照用于形成的單膜層圖案的有效圖形的制備順序依次順序排列。例如如圖2所示，在掩膜板中各掩膜圖案區(qū)域201自上而下的排列順序，與依次形成柵極層圖案的有效圖形、有源層圖案的有效圖形、源漏極層圖案的有效圖形、樹脂層圖案的有效圖形、像素電極層圖案的有效圖形和公共電極層圖案的有效圖形的順序一致；又如如圖3所示，在掩膜板中各掩膜圖案區(qū)域201自上而下的排列順序，與依次形成紫外固化圖案的有效圖形、第一層絕緣層圖案的有效圖形和第二層絕緣層圖案的有效圖形的順序一致。

值得注意的是，從圖2和圖3中，可以看出，同一掩膜板中各單膜層圖案的有效圖形對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201，關(guān)于掩膜板上下不對稱，從掩膜板正面看方向偏上，原因是圖2和圖3所示的掩膜板適用于Canon曝光機(jī)，掩膜板Blade位置803沿一個方向受限；而如圖4所示的掩膜板適用于NSK曝光機(jī)。

由于NSK曝光機(jī)的結(jié)構(gòu)與Canon曝光機(jī)的結(jié)構(gòu)有差異，NSK曝光機(jī)的對位區(qū)域受到很大限制，因此，使用圖4所示的掩膜板中首末兩端處的掩膜圖案區(qū)域201形成黑矩陣圖案的有效圖形，并且用于形成黑矩陣圖案的有效圖形的掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)的對位標(biāo)識202分別設(shè)置在對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201的相對兩個側(cè)邊位置。較佳地，可以分別設(shè)置在掩膜圖案區(qū)域201的右上角、右下角、左上角和左下角，以保證在基板上形成的黑矩陣圖案的有效圖形位置的精確性。當(dāng)然，用于形成黑矩陣圖案的有效圖形的掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)的對位標(biāo)識202還可以有其他設(shè)置方式，在此不做限定。

而在圖4所示的掩膜板中另外兩個掩膜板圖案區(qū)域201分別用于形成彩色樹脂層圖案的有效圖形和光阻層圖案的有效圖形，并且這兩個掩膜板圖案區(qū)域201共用設(shè)置在對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域201的相對兩個側(cè)邊位置的兩組對位標(biāo)識202。較佳地，如圖4所示，對位標(biāo)識202分別設(shè)置在這兩個掩膜圖案區(qū)域201的右上角、右下角、左上角和左下角對位標(biāo)識，以實現(xiàn)與在基板上形成的黑矩陣圖案的有效圖形的對位。當(dāng)然，用于形成彩色樹脂層圖案的有效圖形和光阻層圖案的有效圖形的掩膜圖案區(qū)域201對應(yīng)的對位標(biāo)識202還可以有其他設(shè)置方式，在此不做限定。

需要說明的是，各掩膜圖案區(qū)域201也可以根據(jù)實際情況按照其他順序排列，在此不做限定。

現(xiàn)有技術(shù)中利用如圖9所示的曝光裝置對光刻膠曝光的工藝流程為：首先利用機(jī)器人901將基板轉(zhuǎn)移到掩膜板存儲stocker區(qū)902中；然后將基板裝載在基板載置臺903上，并與掩膜板彎曲補(bǔ)償裝置bend結(jié)合，進(jìn)行預(yù)對位；預(yù)對位后，通過抽真空至指定壓力處理將基板吸附在基板載置臺903上，調(diào)整基板與掩膜板之間的間隙，并實現(xiàn)玻璃基板與掩膜板之間的精確對位；對位完成之后，將掩膜板送入遮光罩載物臺904，利用紫外光對基板上的光刻膠曝光；曝光結(jié)束后，解除基板與基板載置臺903之間的真空，將基板從基板載置臺903上卸載。每一道曝光工序都要重復(fù)上述過程，但由于曝光工序較多，一次工序?qū)?yīng)一張掩膜板，每次工序都需要更換一張掩膜板，因此，需要進(jìn)行多次掩膜板裝載、卸載以及切換操作，使得準(zhǔn)備掩膜板的時間較長；并且反復(fù)裝載掩膜板還會對設(shè)備造成一定的磨損。

由于現(xiàn)有技術(shù)中一次光刻工藝對應(yīng)一張掩膜板，而本發(fā)明實施例提供的一張掩膜板可以對應(yīng)多次光刻工藝，因此，基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例提供了一種曝光裝置，如圖10所示，包括：多個載置臺1001，以及通過同一個通道與各載置臺1001連接的遮光罩載物臺904；其中，各載置臺1001可以分別對應(yīng)放置一張上述掩膜板。這種曝光裝置結(jié)構(gòu)來可以優(yōu)化掩膜板的搬送和利用效率。如圖10所示，第一張掩膜板經(jīng)過機(jī)器人901搬送到第一載置臺1001，并與和第二載置臺1001對應(yīng)設(shè)置的掩膜板彎曲補(bǔ)償裝置bend結(jié)合，達(dá)到基本理想彎曲狀態(tài)；第二張掩膜板經(jīng)過機(jī)器人901搬送到第二載置臺1001，并與和第二載置臺1001對應(yīng)設(shè)置的bend結(jié)合，達(dá)到基板理想彎曲狀態(tài)。當(dāng)曝光機(jī)進(jìn)入下一曝光工序曝光準(zhǔn)備狀態(tài)時，不需要再進(jìn)行現(xiàn)有技術(shù)中的切換掩膜板的動作，而是可以直接從第一載置臺1001或第二載置臺1001調(diào)用需要的掩膜板進(jìn)入遮光罩載物臺904進(jìn)行曝光。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例提供了一種采用上述曝光裝置進(jìn)行曝光的方法，包括：根據(jù)各單膜層圖案形成的順序，調(diào)用相應(yīng)的載置臺上的掩膜板，對放置于遮光罩載物臺上的基板依次進(jìn)行曝光，形成各單膜層圖案的有效圖形。

為了更好地說明本發(fā)明提供的曝光方法，以下以在陣列基板上形成包含柵極層圖案的有效圖形、有源層圖案的有效圖形、源漏極層圖案的有效圖形、樹脂層圖案的有效圖形、公共電極層圖案的有效圖形、像素電極層圖案的有效圖形、紫外固化圖案的有效圖形、第一層絕緣層圖案的有效圖形和第二層絕緣層圖案的有效圖形為例進(jìn)行說明。

其中，各單膜層圖案的有效圖形形成的順序依次為：柵極層圖案的有效圖形、有源層圖案的有效圖形、源漏極層圖案的有效圖形、第一層絕緣層圖案的有效圖形、樹脂層圖案的有效圖形、像素電極層圖案的有效圖形、第二層絕緣層圖案的有效圖形、公共電極層圖案的有效圖形、紫外固化圖案的有效圖形。

并且，用于形成柵極層圖案的有效圖形、有源層圖案的有效圖形、源漏極層圖案的有效圖形、樹脂層圖案的有效圖形、公共電極層圖案的有效圖形和像素電極層圖案的有效圖形的各掩膜圖案區(qū)域201放在第一張掩膜板上，并將第一張掩膜板放置在第一載置臺1001上；將紫外固化圖案的有效圖形、第一層絕緣層圖案的有效圖形和第二層絕緣層圖案的有效圖形各掩膜圖案區(qū)域201放在第二張掩膜板上，并將第二張掩膜板放置在第二載置臺1001上。具體曝光過程如下：

將第一張掩膜板從第一載置臺1001搬送至遮光罩載物臺904，使用柵極層圖案的有效圖形的掩膜板曝光區(qū)域進(jìn)行曝光，從而在基板上得到對柵極層圖案的有效圖形；

若中途曝光機(jī)不暫停使用，第一張掩膜板保留遮光罩載物臺904上，通過形成有源層圖案的有效圖形的掩膜板曝光區(qū)域?qū)?yīng)的對位標(biāo)識202與基板上的柵極層圖案的有效圖形的對位標(biāo)識202進(jìn)行對位，并使用有源層圖案的有效圖形的掩膜板曝光區(qū)域進(jìn)行曝光，從而在基板上得到對有源層圖案的有效圖形；

由于用于形成源漏極層圖案的有效圖形的掩膜板圖案區(qū)域也在第一張掩膜板中，因此，源漏極層圖案的有效圖形的曝光方式可以參照有源層圖案的有效圖形的曝光方式；

由于第一層絕緣層圖案的有效圖形的掩膜板圖案區(qū)域在第二張掩膜板上，因此，需要切換掩膜板；具體地，需要將第一張掩膜板搬送回第一載置臺1001，并將第二張掩膜板從第二載置臺1001搬送至遮光罩載物臺904；

第一層絕緣層圖案的有效圖形以及后續(xù)各單膜層圖案的有效圖形的曝光方式，可以參照柵極層圖案的有效圖形和有源層圖案的有效圖形的曝光方式，直至在基板上形成全部單膜層圖案的有效圖形。

可見，采用本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板和曝光裝置，由于同一張掩膜板上包含多個用于形成單膜層圖案的有效圖形，并且各掩膜板相應(yīng)地配置了一個載置臺，因此，當(dāng)不同曝光工序切換時，可以減少掩膜板運(yùn)送步驟，從而縮減搬送時間，降低設(shè)備磨損。并且，相比于業(yè)界背溝道刻蝕氧化物薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)技術(shù)開發(fā)，該方案一共節(jié)省了8張掩膜板，同時該方案可以驗證兩種變量的主面板Main Panel方案的技術(shù)開發(fā)。

本發(fā)明實施例提供的上述掩膜板、曝光裝置及其進(jìn)行曝光的方法，該掩膜板包括：至少兩個并排設(shè)置的用于形成單膜層圖案的有效圖形的掩膜圖案區(qū)域，以及與各掩膜圖案區(qū)域分別對應(yīng)的至少兩組對位標(biāo)識；每組對位標(biāo)識中包含的兩個對位標(biāo)識以對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域為中心對稱設(shè)置。由于一個掩膜圖案區(qū)域可以用于對應(yīng)形成一個單膜層圖案的有效圖形，通過掩膜板中的至少兩個并排設(shè)置的掩膜圖案區(qū)域，即可形成至少兩個單膜層圖案的有效圖形，并且以對應(yīng)的掩膜圖案區(qū)域為中心對稱設(shè)置的每組對位標(biāo)識中包含的兩個對位標(biāo)識，保證了單膜層圖案的有效圖形的位置精度。因此，有效減少了掩膜板的數(shù)量，從而降低了開發(fā)顛覆性創(chuàng)新設(shè)計的成本。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。