本發(fā)明涉及光通信用波分復(fù)用/解復(fù)用器的切割方法，更具體地是涉及一種曲線型陣列波導(dǎo)光柵芯片的分割方法以及切割用夾具，本發(fā)明屬于通信領(lǐng)域。

背景技術(shù)：
陣列波導(dǎo)光柵（AWG）是實(shí)現(xiàn)多通道密集波分復(fù)用（DWDM）光網(wǎng)絡(luò)的最理想器件。1988年，荷蘭Delft大學(xué)的Smit首先提出AWG的概念，它的基本功能是進(jìn)行波長的合波/分波，憑借其通道數(shù)多、體積小、易于與其它器件集成、價(jià)格低的優(yōu)勢已經(jīng)取代傳統(tǒng)的TFF的密集波分復(fù)用/解復(fù)用器，在骨干網(wǎng)和城域網(wǎng)中得到了廣泛的商用多年；另外，AWG能靈活地與其它光器件構(gòu)成多功能器件和模塊，如波長路由器、光分插復(fù)用器、多波長光源、光波長選擇器（OWS）、多波長接收器、多信道均衡器等。AWG器件是以光集成技術(shù)為基礎(chǔ)的平面波導(dǎo)型器件，具有高穩(wěn)定性及好的性價(jià)比，適宜于批量生產(chǎn)，重復(fù)性好，尺寸小，插入損耗均勻性較好，易于與其它器件集成等特點(diǎn)，是目前DWDM系統(tǒng)中商用的主流復(fù)用/解復(fù)用器。AWG的波導(dǎo)制作材料主要有SiO2、InGaAsP、Polymer和Si，其中硅基二氧化硅光波導(dǎo)集成技術(shù)由于具有成熟的半導(dǎo)體工藝技術(shù)基礎(chǔ)、與光纖耦合效率好、成本低廉等優(yōu)勢，已經(jīng)成為AWG芯片生產(chǎn)廠家普遍采用的主流技術(shù)。光通信用器件的價(jià)格每年約降低10%，成本是每個(gè)器件供應(yīng)商必須考慮的重要因素。尤其對(duì)已經(jīng)商用多年的AWG芯片，許多研究者已經(jīng)提出了多種方案來降低成本，其中，減小芯片尺寸是一種有效的降低成本的手段。目前已報(bào)道的專利文獻(xiàn)，減小芯片尺寸的方案主要有兩種：提高波導(dǎo)的折射率差、優(yōu)化AWG結(jié)構(gòu)本身圖案。優(yōu)化結(jié)構(gòu)圖案有個(gè)極限、提高折射率差對(duì)設(shè)計(jì)及工藝都需要重大技術(shù)突破。目前AWG芯片的外形輪廓都是方形，針對(duì)這種問題，本發(fā)明提出了一種簡單的曲線切割方案來減小AWG芯片的尺寸，切割后的AWG芯片的外形輪廓為曲線型，并且芯片的性能指標(biāo)、穩(wěn)定性與方形芯片完全相同。如圖1所示，陣列波導(dǎo)光柵由N個(gè)輸入波導(dǎo)、M個(gè)輸出波導(dǎo)和兩個(gè)波導(dǎo)星形耦合器及一個(gè)相鄰波導(dǎo)間具有恒定路徑長度差的波導(dǎo)陣列組成。輸入光從第一個(gè)星形耦合器的輸入端同一輸入波導(dǎo)輸入，該耦合器把光功率分配到每一個(gè)陣列波導(dǎo)中，由于波導(dǎo)陣列中的波導(dǎo)長度不等，產(chǎn)生不同的相位延遲，在輸出星型耦合波導(dǎo)中相干疊加,從而表現(xiàn)出光柵的功能和特性,輸出端口與波長有一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系。不同光波長組成的入射光束經(jīng)陣列波導(dǎo)光柵傳輸后，依波長的不同出現(xiàn)在不同的波導(dǎo)端口上。精確設(shè)計(jì)陣列波導(dǎo)的長度差，可以使不同波長的信號(hào)從不同的輸出端口輸出，從而起到解復(fù)用器的作用。以圓形的陣列波導(dǎo)光柵晶圓片為基底，在其上依次通過熱氧化、下包層沉積、波導(dǎo)芯層沉積、光刻、刻蝕和上包層沉積、表面鈍化、退火等工藝，在整個(gè)陣列波導(dǎo)光柵晶圓片上一次性制作出多個(gè)AWG芯片；然后將包含有多個(gè)AWG的陣列波導(dǎo)光柵晶圓片用切割設(shè)備切割成單個(gè)的芯片。受限于采用的切割技術(shù)，目前已知的切割技術(shù)是采用機(jī)械運(yùn)動(dòng)的方式進(jìn)行切割，只能進(jìn)行直線切割，因此陣列波導(dǎo)光柵晶圓片上的多個(gè)AWG只能低密度地分開排放，見圖1，AWG芯片包括輸入波導(dǎo)2、陣列波導(dǎo)3、輸出波導(dǎo)4、平板波導(dǎo)5。直線切割后的AWG芯片只能是方形的輪廓，見圖2，如果AWG芯片的外形輪廓為方形，那么單個(gè)襯底基片可以排放的芯片總個(gè)數(shù)有限，這種直線切割技術(shù)浪費(fèi)了大量可用空間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的克服現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)缺陷，提供一種曲線型陣列波導(dǎo)光柵芯片的分割方法以及切割用夾具，采用本發(fā)明方法可以能大大減小芯片尺寸，進(jìn)一步降低芯片成本。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種曲線型陣列波導(dǎo)光柵芯片的切割方法,陣列波導(dǎo)光柵芯片位于陣列波導(dǎo)光柵圓晶，包括如下步驟:步驟1：沿陣列波導(dǎo)光柵芯片輸入端和輸出端側(cè)面將陣列波導(dǎo)光柵晶圓分切成條狀硅晶芯片；步驟2：在條狀硅晶芯片中的單個(gè)陣列光柵芯片表面外圍制作凹槽，該凹槽是一個(gè)連接整體凹槽體，或者是由多個(gè)排列緊密的凹槽單體組成的凹槽體；步驟3：對(duì)暴露在外的條狀硅晶芯片表面進(jìn)行保護(hù)處理；步驟4：采用夾具將條狀硅晶芯片固定于切割臺(tái)；步驟5：沿著條狀硅晶芯片的陣列光柵芯片外圍凹槽的曲線方向進(jìn)行激光劃片。所述步驟1和步驟2之間有步驟A：在條狀硅晶芯片有圖形一面沿步驟1切割后的邊沿，將蓋片平行對(duì)齊粘貼在條狀硅晶芯片的輸入以及輸出端兩側(cè)；所述步驟A中蓋片粘接位置需要考慮蓋片8°角或15°角的拋光距離，且蓋片突出于條狀硅晶芯片邊緣表面1～2mm。所述步驟2中的凹槽的槽體是U槽或者V槽或者矩形槽。所述凹槽槽體寬度為100-600um，其深度<500um。所述步驟3的保護(hù)處理方式采用在條狀硅晶芯片表面表面涂膠的化學(xué)方式處理。所述步驟3的保護(hù)處理方式可以采用在條狀硅晶芯片正表面粘貼耐熱膠帶紙，耐熱膠帶紙覆蓋蓋片之外的區(qū)域。所述步驟5中激光劃片采用紅外光頻段波長進(jìn)行切割，功率為80~120W,脈沖釋放時(shí)間控制在2～8us之間。所述方法使用的夾具，所述夾具包括上底板夾具和基板夾具，所述基板夾具上設(shè)置有一個(gè)凸臺(tái)，上底板夾具上表面開有凹臺(tái)，該凹臺(tái)區(qū)域包括中部凹臺(tái)區(qū)域和邊緣凹臺(tái)區(qū)域，中部凹臺(tái)區(qū)域同條狀硅晶芯片的形狀相匹配，邊緣凹臺(tái)區(qū)域是上底板夾具的邊緣且同中部凹臺(tái)區(qū)域相通的相隔設(shè)置的第二凹槽，上底板夾具底部間隔設(shè)置有多個(gè)第一凹槽，基板夾具的凸臺(tái)寬度因與第一凹槽尺寸相匹配。所述第二凹槽寬度小于上底板夾具底部的第一凹槽之間距離。所述中部凹臺(tái)區(qū)域由間隔分布的凹臺(tái)組成。本發(fā)明具有如下特點(diǎn)：1、本發(fā)明的曲線型陣列波導(dǎo)光柵芯片及其切割方法，是采用激光切割、Water-Jet水切割或線切割的曲線切割技術(shù)，而激光切割方案又根據(jù)激光器不同又分為光纖激光切割方案，半導(dǎo)體固體激光切割方案以及LED激光方案等等，本發(fā)明采用激光切割中的半導(dǎo)體固體激光切割方案將含有多個(gè)陣列波導(dǎo)光柵芯片切割成單個(gè)的芯片，從而實(shí)現(xiàn)切割后的陣列波導(dǎo)光柵芯片具有曲線型的外形輪廓，減小芯片尺寸，降低成本；2、本發(fā)明采用激光切割、Water-Jet水切割或線切割的曲線切割技術(shù)，實(shí)現(xiàn)針對(duì)陣列波導(dǎo)光柵芯片種類多樣化的低成本，高效率的實(shí)施方案；3、本發(fā)明采用預(yù)切割的方式，可以最大程度減少傳統(tǒng)固體激光切割過程中高溫氣化以及熱應(yīng)力帶來對(duì)芯片指標(biāo)的影響。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)采用直線切割技術(shù)AWG芯片排放示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的直線切割后的方形AWG芯片示意圖；圖3是本發(fā)明陣列波導(dǎo)光柵晶圓片上AWG的密集排放示意圖；圖4是本發(fā)明采用直線切割處理后的條狀硅晶片示意圖；圖5-1A是本發(fā)明條狀硅晶片上覆蓋第一種結(jié)構(gòu)蓋板的示意圖；圖5-1B是本發(fā)明條狀硅晶片上覆蓋第一種結(jié)構(gòu)蓋板的放大圖；圖5-2A是本發(fā)明本發(fā)明條狀硅晶片上覆蓋第二種結(jié)構(gòu)蓋板的示意圖；圖5-2B是本發(fā)明本發(fā)明條狀硅晶片上覆蓋第二種結(jié)構(gòu)蓋板的示意圖；圖6是本發(fā)明處理之后的條狀硅晶片側(cè)視圖；圖7-1是本發(fā)明采用的夾具的上底俯視示意圖；圖7-2是本發(fā)明采用的夾具的第二種上底俯視示意圖；圖8是是本發(fā)明采用的上底板夾具側(cè)視視示意圖。圖9是本發(fā)明采用的基板夾具的俯視示意圖；圖10是本發(fā)明采用的基板夾具的側(cè)視示意圖。圖11是本發(fā)明采用的夾具裝配示意圖圖12是根據(jù)不同制作要求部分沿著陣列波導(dǎo)光柵圖案的邊緣切割后的曲線型芯片示意圖。其中：1：陣列波導(dǎo)光柵晶圓片；2：輸入波導(dǎo)；3：陣列波導(dǎo)；4：輸出波導(dǎo)；5：平板波導(dǎo)；6：條狀硅晶芯片7：蓋片；8：凹槽；9：耐熱膠帶紙；10：中部凹臺(tái)區(qū)域；11：邊緣凹臺(tái)區(qū)域；12：夾具；13：上底板夾具；14：基板夾具；15：第一凹槽；16：凸臺(tái)；17：第二凹槽；A：上底板夾具底部的第一凹槽15之間的距離；B：第二凹槽17的寬度；具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的曲線型陣列波導(dǎo)光柵芯片及其切割方法做出詳細(xì)說明。步驟1：采用傳統(tǒng)機(jī)械切片設(shè)備沿芯片輸入端和輸出端側(cè)面將如圖3所示的陣列波導(dǎo)光柵晶圓片1分切成條狀的條狀硅晶芯片6，一般分切為2條到3條，這樣處理后的條狀硅晶芯片可以方便于之后的陣列波導(dǎo)光柵芯片條的芯片指標(biāo)測試以及激光外型曲線切割。經(jīng)過該步驟處理后的條狀硅晶芯片結(jié)構(gòu)如圖4所示；步驟2、粘貼條狀蓋片7。在條狀硅晶芯片有圖形一面，沿步驟1切割后的邊沿，將蓋片7平行對(duì)齊粘貼在條狀硅晶芯片的正表面之上，位于條狀硅晶芯片的輸入以及輸出端兩側(cè)。蓋片粘接位置需要考慮蓋片8°角或15°角或其他特殊角度的拋光距離，蓋片7一般突出于條狀硅晶芯片邊緣表面1～2mm。蓋片7可采用高硼硅玻璃、石英以及硅材料等。預(yù)先粘貼蓋片工藝，便于芯片在之后工藝過程中起到更好的對(duì)準(zhǔn)定位，也起到了保護(hù)輸入輸出波導(dǎo)端，減少芯片切割過程中清洗清潔的步驟。所述蓋片7粘接用于陣列波導(dǎo)光柵芯片與光纖陣列的芯片指標(biāo)測試以及之后的耦合工藝步驟，同時(shí)便于曲線切割后的單個(gè)陣列波導(dǎo)光柵芯片與熱敏電阻或者金屬底板或者其他材料的粘接定位。如圖5-1A、圖5-1B中蓋片7覆蓋波導(dǎo)圖形部分。蓋片7寬度尺寸根據(jù)拋光工藝決定。厚度尺寸一般為1～1.5mm。若使用多段等長度短條蓋片7，蓋片與蓋片之間留有一定距離，跟據(jù)蓋片7尺寸大小，距離可為500～1500um。如圖5-2A、圖5-2B所示，也可采用粘接整條蓋片7的工藝完全覆蓋條狀硅晶芯片邊緣，但需要采用傳統(tǒng)機(jī)械切片設(shè)備在單個(gè)陣列波導(dǎo)光柵芯片之間位置開出一定寬度以及深度的凹槽，凹槽不宜太淺，否則之后所用的激光切割方式無法將其切透。步驟3、凹槽8處理：在條狀硅晶芯片表面，沿著條狀硅晶芯片上單個(gè)陣列波導(dǎo)光柵芯片波導(dǎo)圖形外圍制造一個(gè)的凹槽8輪廓，凹槽的形狀可以是U槽，V槽或者是矩形槽。槽體為一連續(xù)整體，但考慮到固體激光器采用脈沖模式對(duì)硅晶芯片表面進(jìn)行切割，也可以制作為由小段凹槽體組成的凹槽8，用于定位激光切割路徑以及達(dá)到芯片減薄?？梢栽谇肮に嚕谀ぐ逯谱鞯倪^程中，通過光刻,刻蝕的方法完成；也可以通過激光器、金剛石刀片或其他切割方式完成。所述凹槽8的深度、寬度可以根據(jù)芯片之間相互擺放的不同而設(shè)定，為保證在條狀硅晶芯片上最大限度的擺放陣列波導(dǎo)光柵芯片，凹槽8不宜太寬，最佳寬度是L，100<L<600um，凹槽8的深度為D，最佳深度控制在D<500um。凹槽8的寬度過寬或過窄都可能導(dǎo)致芯片在正表面激光切割過程中造成芯片劃傷。凹槽8的深度過深容易在正表面激光切割過程中出現(xiàn)崩裂或者崩壞。步驟4、對(duì)條狀硅晶芯片6表面進(jìn)行保護(hù)處理。如圖6所示在條狀硅晶芯片6正表面粘貼耐熱膠帶紙9，并確保耐熱膠帶紙覆蓋到除蓋片7之外的所有陣列波導(dǎo)光柵芯片正表面。耐熱膠帶紙9用以防止激光切割過程中，材料部分熔融體硅屑附著在芯片邊緣以及表面而難以清除。在清洗工藝環(huán)節(jié)中，容易造成對(duì)芯片正表面劃傷。另一方面在一定程度上耐熱膠帶紙9起到隔熱效果，降低芯片在瞬時(shí)高溫下發(fā)生的物理化學(xué)性質(zhì)的變化而導(dǎo)致的指標(biāo)影響。所述耐熱膠帶紙9厚度為N，厚度根據(jù)芯片本身厚度有所調(diào)整。對(duì)于0.5~0.7mm厚度芯片，選取N1=0.06mm；對(duì)于0.7~1.0mm厚度芯片，選取N2=0.08mm；對(duì)于1.0~1.5mm厚度芯片，選取N3=0.1mm。貼耐膠帶紙尺寸厚度過薄，容易過薄或者過厚都容易對(duì)芯片切割質(zhì)量造成影響。并可以在激光切割完畢后采用紫外燈照射、酒精浸泡超聲等方式去除耐熱膠帶紙。本步驟也可以通過在條狀硅晶芯片表面涂膠的化學(xué)方式處理完成。步驟5、將如圖4所示的條狀硅晶芯片6使用夾具固定于切割臺(tái)。本發(fā)明一種曲線型陣列波導(dǎo)光柵芯片的切割方法使用的夾具12總體分為上底板夾具13以及基板夾具14兩部分。夾具12的裝配結(jié)構(gòu)如圖11所示?；鍔A具14如圖7-1、圖7-2、圖8所示，基板夾具14是平板上設(shè)置有一個(gè)凸臺(tái)16，基板夾具14固定于激光設(shè)備切割工作平臺(tái)上，并需確保基板夾具本身不與平臺(tái)發(fā)生相對(duì)的位置變化。上底板夾具13如圖7-1所示，上底板夾具的上表面開有凹臺(tái)，凹臺(tái)區(qū)域包括中部凹臺(tái)區(qū)域10和邊緣凹臺(tái)區(qū)域11，中部凹臺(tái)區(qū)域10同條狀硅晶芯片6的形狀相匹配，條狀硅晶芯片6可以放置并且固定于上底板夾具上表面的中部凹臺(tái)區(qū)域10內(nèi)，邊緣凹臺(tái)區(qū)域11是中部凹臺(tái)區(qū)域10相通的相隔凹槽區(qū)域，位于上底板夾具的邊緣，邊緣凹臺(tái)區(qū)域11中的凹槽寬度為條狀硅晶芯片6上的單個(gè)陣列波導(dǎo)光柵芯片的寬度。圖7-1和圖7-2中的上底板夾具的邊緣凹臺(tái)區(qū)域11是用于切割前后陣列波導(dǎo)光柵芯片取放以及條狀硅晶芯片6的定位。上底板夾具上的邊緣凹臺(tái)區(qū)域11中的第二凹槽17的寬度B，應(yīng)保證B<A，并確保有足夠位置便于左右施力同時(shí)拿取激光切割完后的單個(gè)曲線型陣列波導(dǎo)光柵芯片。上底板夾具中部凹臺(tái)區(qū)域10內(nèi)與條狀硅晶芯片6之間需要有較高的匹配程度，并確保條狀硅晶芯片6一側(cè)與上底板夾具一邊對(duì)齊，穩(wěn)定的固定于上底板夾具13的中部凹臺(tái)區(qū)域10內(nèi)。針對(duì)于不同大小尺寸的條狀硅晶芯片來設(shè)計(jì)夾具上的中部凹臺(tái)區(qū)域10的尺寸外型。并可以根據(jù)要求，在上底板夾具上放置多條條狀硅晶芯片，如圖7-2中夾具上的中部凹臺(tái)區(qū)域10由間隔分布的凹臺(tái)組成，不同尺寸的條狀硅晶芯片分布對(duì)應(yīng)固定放置于各自匹配凹臺(tái)內(nèi)。上底板夾具的底部間隔設(shè)置有多個(gè)第一凹槽15，基板夾具14的凸臺(tái)16寬度因與上底板夾具底部的第一凹槽15尺寸一致，并能完美的放置在一起，再將表面處理好后的條狀硅晶芯片正表面朝上的放置在圖7-1、圖7-2的上底板夾具的中部凹臺(tái)區(qū)域10的凹臺(tái)位置，也可以通過吸附等其他的方式對(duì)條狀硅晶芯片6進(jìn)行固定。夾具本身也需要有較好的熱傳導(dǎo)性能，材料可以是硅片或者玻璃片或者陶瓷片或者金屬片。圖7-1和圖7-2中上底板夾具底部的第一凹槽15之間的距離A為條狀硅晶芯片中各陣列波導(dǎo)光柵芯片之間的距離，這樣確保了通過紅外光源校準(zhǔn)第一條激光切割路徑，即：沿著凹槽8的路途位置之后，僅通過平移上底板夾具，達(dá)到快速找尋下條凹槽8位置切割路徑的方法。若條狀硅晶芯片上含有多種類型芯片，而帶來的芯片間距有差異的情況，也可以根據(jù)其要求改變上底板第一凹槽15間隔A的尺寸，由于曲線切割采用脈沖高溫氣化材料的方式，而且芯片材料可能與上底板材料不一致，因而熱傳導(dǎo)能力不同，很容易引起切割后的單個(gè)芯片粘合在夾具表面。所示芯片固定的夾具如圖7-1、圖7-2、圖8所示，目前使用的陣列波導(dǎo)光柵芯片是利用掩膜版通過光刻方法進(jìn)行制作，故可以實(shí)現(xiàn)切割的陣列波導(dǎo)光柵芯片尺寸的規(guī)范性。在掩模版前工藝時(shí)可以根據(jù)要求來調(diào)節(jié)芯片與芯片之間的間距，也可以配合采用微調(diào)架或電機(jī)控制步進(jìn)長度來達(dá)到高效快速批量生產(chǎn)。步驟6、芯片曲線切割：將激光起始聚焦點(diǎn)，調(diào)節(jié)至芯片上表面凹槽8的位置上，并調(diào)節(jié)激光光束，采用連續(xù)脈沖激光切割方式沿芯片凹槽的曲線方向進(jìn)行激光劃片。激光劃片采用紅外光頻段波長進(jìn)行切割，功率一般在80~120W之間,脈沖釋放時(shí)間在控制在2～8us之間。功率過大以及脈沖時(shí)間過長會(huì)產(chǎn)生大量熱應(yīng)力并很容易導(dǎo)致硅晶芯片斷裂，功率過小以及脈沖時(shí)間過短會(huì)無法切斷或達(dá)到切割目的。采用激光切割、Water-Jet水切割或線切割的曲線切割技術(shù)，切割后的單個(gè)陣列波導(dǎo)芯片具有曲線型的切割邊緣輪廓，具有最小的外形尺寸，切割后的芯片外形輪廓具有“∧”形。曲線型的切割邊緣輪廓可以是全部沿著沿陣列波導(dǎo)光柵圖案的邊緣，也可以是部分地沿著陣列波導(dǎo)光柵圖案的邊緣。本步驟可以采用激光切割、Water-Jet水切割或線切割的曲線切割方法，切割邊緣位于凹槽8之上，并與陣列波導(dǎo)光柵芯片圖案邊緣保留有大于200微米的安全距離，保證切割后不會(huì)破壞波導(dǎo)部分。由于采用凹槽8的特殊處理后，硅晶芯片局部厚度減薄，同時(shí)提高了切割后的芯片邊緣平滑度，另外采用了表面處理后的芯片。本發(fā)明實(shí)施例中以硅基二氧化硅材料為例來說明，但不只局限于此材料，還包括InGaAsP、Polymer和Si等本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其它波導(dǎo)材料。激光切割模式采用連續(xù)切割模式，降低一般采用分段切割模式帶來的熱應(yīng)力影響，減少降低原本采用分段切割模式帶來的激光與芯片接觸面可能發(fā)生的特性變化。減少由于局部溫度過高而帶來的熱量分散不均勻帶來的應(yīng)力影響。AWG陣列波導(dǎo)光柵結(jié)構(gòu)圖案本身具有彎曲的輪廓，因此，為了進(jìn)一步減小芯片尺寸，降低成本，本發(fā)明提出通過激光光束、水注、電流注可以沿任意路徑進(jìn)行切割的特點(diǎn)，采用激光切割、Water-Jet水切割或線切割的方法進(jìn)行陣列波導(dǎo)光柵晶圓片的切割，來取代傳統(tǒng)機(jī)械切割法。采用曲線切割技術(shù)，陣列波導(dǎo)光柵晶圓片上的多個(gè)AWG可以密集排放，見圖3，曲線切割后的AWG陣列波導(dǎo)光柵芯片為曲線型的外形輪廓，這種曲線型的外形輪廓可以是全部沿著沿陣列波導(dǎo)光柵圖案的邊緣，也可以是部分地沿著陣列波導(dǎo)光柵圖案的邊緣，見圖12所示，這種非接觸式的曲線切割技術(shù)最大程度地利用了可用空間，極大增加了陣列波導(dǎo)光柵晶圓片上可排放的陣列波導(dǎo)光柵芯片個(gè)數(shù)，從而大降低了陣列波導(dǎo)光柵芯片成本。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。