本發(fā)明一般涉及可切換電致變色設備（例如，建筑窗），其能夠在實質上整個區(qū)域或整個區(qū)域的選定子區(qū)域上協(xié)調切換。更具體來說，并且在一個優(yōu)選實施方案中，本發(fā)明涉及可切換電致變色多層設備，尤其是用于建筑應用的大面積矩形窗，其在實質上整個區(qū)域或整個區(qū)域的選定子區(qū)域上以空間協(xié)調的方式切換；可選擇地，這些設備具有非均勻的形狀，可選擇地，這些設備在實質上整個區(qū)域或整個區(qū)域的選定子區(qū)域上同步地（即，一致地）切換，或者以協(xié)調但非同步的方式（例如，從一邊到另一邊，或從上到下）從第一光學狀態(tài)（例如，透明狀態(tài)）切換為第二光學狀態(tài)（例如，反射或彩色狀態(tài)）。

背景技術：
商用可切換上光設備眾所周知用作機動車輛、汽車窗、機窗總成、遮陽蓬、天窗、建筑窗中的鏡。例如，此類設備可以包括無機電致變色設備、有機電致變色設備、調光鏡，以及具有兩個導電層的這些設備的混合物，其中一個或多個有源層位于導電層之間。當在這些導電層上施加電壓時，在中間的一個或多個層的光學性質變化。此光學性質變化通常為電磁波頻譜的可見或太陽能子部分的透射率的調制。為了方便起見，兩個光學狀態(tài)將在下面的討論中被稱為照明狀態(tài)和黑暗狀態(tài)，但是應理解這些光學狀態(tài)僅僅是實例和相關術語（即，兩個狀態(tài)中的一個比另一個狀態(tài)“更亮”或更能透射），并且可以在可達到特定電致變色設備的極端之間存在一組照明狀態(tài)和黑暗狀態(tài)；例如，在這組中的中間照明狀態(tài)與黑暗狀態(tài)之間切換是可行的。在相對較小的電致變色設備（例如，電致變色后視鏡總成）中的照明狀態(tài)與黑暗狀態(tài)之間的切換通常是快速的和均勻的，而在大面積電致變色設備中的照明狀態(tài)與黑暗狀態(tài)之間的切換可能是緩慢和空間非均勻的。逐漸地，非均勻著色或切換是與大面積電致變色設備相關聯(lián)的常見的問題。通常被稱為“光圈效果”的這個問題通常是通過將電接觸提供到設備的一側或兩側的透明導電涂層實現(xiàn)電壓降的結果。例如，當將電壓最初施加到設備時，電勢通常在設備邊緣的附近（其中施加電壓）最大并且在設備中心最??；因此，在設備邊緣的附近的透射率與設備中心的透射率之間可能存在顯著差異。然而，隨著時間的推移，在中心與邊緣之間施加的電壓差減少，且因此，在設備的中心與邊緣處的透射率的差減少。在此類情況下，通過最初改變在施加電勢附近的設備的透射率，電致變色介質通常將顯示非均勻透射率，其中隨著切換進行，透射率循序漸進向設備中心改變。盡管在相對較大的設備中最常觀察到光圈效果，但是在具有相應較高電阻率的導電層的較小設備中也可能存在光圈效果。

技術實現(xiàn)要素：
在本發(fā)明的各個方面中，提供相對較大面積的電致變色多層設備，所述電致變色多層設備能夠在可以容易地制造的實質上整個區(qū)域上協(xié)調切換和著色。因此，簡單地說，本發(fā)明涉及一種多層設備，其包括第一襯底以及在第一襯底的表面上的第一導電層。第一導電層能透射具有在紅外到紫外的范圍中的波長的電磁輻射，并且具有作為第一導電層中的位置函數(shù)而變化的使電流流過第一導電層的薄層電阻Rs，其中第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為2。本發(fā)明的另一方面為一種多層設備，其包括第一襯底以及在第一襯底的表面上的第一導電層。第一導電層具有作為第一導電層中的位置函數(shù)而變化的使電流流過第一導電層的空間變化的薄層電阻Rs，其中第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.25。本發(fā)明的另一方面為一種多層設備，其包括第一襯底、在此襯底的表面上的第一導電層，以及在第一導電層的表面上的第一電極層。第一導電層具有作為第一導電層中的位置函數(shù)而變化的空間變化的薄層電阻Rs，其中第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.25。本發(fā)明的另一方面為一種多層設備，其包括第一襯底以及在襯底的表面上的第一導電層。第一導電層具有作為第一導電層中的位置函數(shù)而變化的空間變化的薄層電阻Rs，其中作為第一導電層內的位置函數(shù)而變化的薄層電阻Rs的等高線圖含有一組等電阻線和垂直于等電阻線的一組電阻梯度線。沿著這組中的梯度線的薄層電阻一般增加、一般減少、一般增加直到其達到最大值，然后一般減少，或一般減少直到其達到最小值，然后一般增加。在一個實施方案中，例如，薄層電阻中的梯度為常數(shù)。通過進一步的實例，在一個實施方案中，薄層電阻中的梯度為常數(shù)并且襯底的形狀為矩形。本發(fā)明的另一方面為一種多層設備，其包括第一襯底、在襯底的表面上的第一導電層，以及在第一導電層的表面上的第一電極層。第一導電層具有作為第一導電層中的位置函數(shù)而變化的空間變化的薄層電阻Rs，其中作為第一導電層內的位置函數(shù)而變化的薄層電阻Rs的等高線圖含有一組等電阻線和垂直于等電阻線的一組電阻梯度線。沿著這組中的梯度線的薄層電阻一般增加、一般減少、一般增加直到其達到最大值，然后一般減少，或一般減少直到其達到最小值，然后一般增加。在一個實施方案中，例如，薄層電阻中的梯度為常數(shù)。通過進一步的實例，在一個實施方案中，薄層電阻中的梯度為常數(shù)并且襯底的形狀為矩形。本發(fā)明的另一方面為一種電致變色多層設備，其包括在第一導電層與第二導電層之間并且與第一導電層和第二導電層電接觸的電致變色層。第一導電層和/或第二導電層具有作為第一導電層和/或第二導電層中的位置函數(shù)而變化的空間變化的薄層電阻Rs，其中作為第一導電層和/或第二導電層內的位置函數(shù)而變化的薄層電阻Rs的等高線圖含有一組等電阻線和垂直于等電阻線的一組電阻梯度線。沿著第一導電層和/或第二導電層中的梯度線的薄層電阻一般增加、一般減少、一般增加直到其達到最大值，然后一般減少，或一般減少直到其達到最小值，然后一般增加。在一個實施方案中，例如，薄層電阻中的梯度為常數(shù)。通過進一步的實例，在一個實施方案中，薄層電阻中的梯度為常數(shù)并且襯底的形狀為矩形。本發(fā)明的另一方面為一種電致變色設備，其包括第一襯底、第一導電層、第一電極層、第二導電層以及第二襯底。第一導電層和第二導電層各自具有分別作為第一導電層和第二導電層中的位置函數(shù)而變化的使電流流過第一導電層和第二導電層的薄層電阻Rs，其中第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為2，并且第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為2。第一襯底和第一導電層能透射具有在紅外到紫外的范圍中的波長的電磁輻射。例如，在一個實施方案中，具有在紅外到紫外的范圍中的波長的電磁輻射可穿透第一襯底和第一導電層。本發(fā)明的另一方面為一種用于調制電致變色多層設備的透射率的工藝，多層設備包括在第一導電層與第二導電層之間并且與第一導電層和第二導電層電接觸的電致變色層。工藝包括在第一導電層與第二導電層之間施加電壓脈沖，電壓脈沖具有至少約2伏特的幅值。電壓脈沖引起電致變色層從第一光學狀態(tài)切換為第二光學狀態(tài)，其中第一光學狀態(tài)或第二光學狀態(tài)比另一光學狀態(tài)對具有介于紫外線與紅外線之間的波長的電磁輻射具有更大的透射率，并且在脈沖后和在缺乏施加在導電層之間的電壓時，第二光學狀態(tài)持續(xù)至少1秒。本發(fā)明的另一方面為一種用于制備多層設備的工藝，工藝包括在第一襯底的表面上形成第一導電層。第一導電層包括透明導體并且具有作為第一導電層中的位置函數(shù)而變化的使電流流過第一導電層的空間變化的薄層電阻Rs，其中第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.25。本發(fā)明的另一方面為一種用于制備多層設備的工藝。工藝包括形成多層結構，其包括電致變色層、導電層以及襯底，導電層位于第一電極層與襯底之間。第一導電層具有作為第一導電層中的位置函數(shù)而變化的使電流流過第一導電層的空間變化的薄層電阻Rs，其中第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.25。本發(fā)明的另一方面涉及一種用于制備多層設備的工藝。工藝包括形成多層結構，其包括在第一導電層與第二導電層之間并且與第一導電層和第二導電層電接觸的電致變色層。第一導電層和/或第二導電層具有分別作為第一導電層和/或第二導電層中的位置函數(shù)而變化的使電流流過第一導電層和/或第二導電層的空間變化的薄層電阻Rs，其中分別在第一導電層和/或第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.25。其它目的和特征將部分明顯并且在下文中被部分指出。附圖說明圖1為本發(fā)明的多層電致變色設備的示意性橫截面。圖2A至圖2E為第一導電層和/或第二導電層中的作為第一導電層和/或第二導電層內的位置（二維）函數(shù)而變化的薄層電阻Rs的一系列等高線圖，其示出產(chǎn)生于具有正方形和圓形周長的設備的匯流條的各種替代布置的等電阻線（有時也稱為等高線）和電阻梯度線（垂直于等電阻線的線）。圖3為在襯底上具有分級厚度的導電層的示意性橫截面。圖4為本發(fā)明的多層電致變色設備的替代實施方案的示意性橫截面。圖5為用于模擬實例1中所述的電致變色設備的動態(tài)行為的1-D集總元件電路模型圖。圖6為如實例1中所述的施加到匯流條的電壓波形的曲線圖。圖7為如實例1中所述的流入設備的電流相對于時間的曲線圖。圖8為如實例1中所述的在三個位置（接近邊緣、接近中心，以及在這兩個之間）在電致變色薄膜上的電壓的曲線圖。圖9為如實例1中所述的施加到匯流條的電壓波形的曲線圖。圖10為如實例1中所述的流入設備的電流相對于時間的曲線圖。圖11為如實例1中所述的在三個位置（接近邊緣、接近中心，以及在這兩個之間）在電致變色薄膜上的電壓的曲線圖。圖12為用于模擬實例2中所述的電致變色設備的動態(tài)行為的1-D集總元件電路模型圖。圖13為如實例1中所述的施加到匯流條的電壓波形的曲線圖。圖14為如實例1中所述的流入設備的電流相對于時間的曲線圖。圖15為如實例1中所述的在三個位置（接近邊緣、接近中心，以及在這兩個之間）在電致變色薄膜上的電壓的曲線圖。圖16為用于模擬實例3中所述的電致變色設備的動態(tài)行為的1-D集總元件電路模型圖。圖17為如實例1中所述的施加到匯流條的電壓波形的曲線圖。圖18為如實例1中所述的流入設備的電流相對于時間的曲線圖。圖19為如實例1中所述的在三個位置（接近邊緣、接近中心，以及在這兩個之間）在電致變色薄膜上的電壓的曲線圖。圖20為本發(fā)明的多層電致變色設備的替代實施方案的示意性橫截面。圖21為圖1的多層設備的分解圖。貫穿圖中，對應的參考字符指示對應的零件。另外，在不同圖中的層的相對厚度不代表尺寸的真實關系。例如，襯底通常比其它層厚得多。繪制圖只是為了說明連接原理，而不是為了提供任何尺寸信息。具體實施方式縮寫和定義提供下面的定義和方法以更好地定義本發(fā)明并且在本發(fā)明的實踐中指導本領域的普通技術人員。除非另有說明，否則應根據(jù)相關領域的普通技術人員的常規(guī)用法理解術語。術語“陽極電致變色層”指的是在去除離子后，從更多透射狀態(tài)改變?yōu)楦偻干錉顟B(tài)的電極層。術語“陰極電致變色層”指的是在插入離子后，從更多透射狀態(tài)改變?yōu)楦偻干錉顟B(tài)的電極層。術語“導電的”和“電阻的”指的是材料的電導率和電阻率。術語“凸多邊形”指的是簡單多邊形，其中每個內角小于或等于180度，并且在兩個頂點之間的每條線段保持在多邊形的內部或在多邊形的邊界上。示例性凸多邊形包括三角形、矩形、五邊形、六邊形等，其中每個內角小于或等于180度，并且在兩個頂點之間的每條線段保持在多邊形的內部或在多邊形的邊界上。術語“電致變色層”指的是包括電致變色材料的層。術語“電致變色材料”指的是由于插入或提取離子和電子而能夠可逆地改變其光學性質的材料。例如，電致變色材料可以在彩色狀態(tài)、半透明狀態(tài)和透明狀態(tài)之間改變。術語“電極層”指的是能夠導電離子以及電子的層。電極層含有在將離子插入材料中時可以氧化的物質，并且含有在從層提取離子時可以還原的物質。電極層中的物質的氧化狀態(tài)的這個變化負責設備中的光學性質的變化。術語“電勢”或簡單地“電勢”指的是在包括電極/離子導體/電極疊層的設備上出現(xiàn)的電壓。術語“能透射的”用于表示電磁輻射通過材料的透射。術語“穿透的”用于表示電磁輻射通過材料以使得例如可以使用適當?shù)膱D像傳感技術明顯看到或成像位于材料之外或后面的主體的大量透射。圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案的電致變色設備1的橫截面結構圖。從中心向外移動，電致變色設備1包括離子導體層10。第一電極層20在離子導體層10的第一表面的一側上并且與離子導體層10的第一表面接觸，并且第二電極層21在離子導體層10的第二表面的另一側上并且與離子導體層10的第二表面接觸。另外，第一電極層20和第二電極層21中的至少一個包括電致變色材料；在一個實施方案中，第一電極層20和第二電極層21各自包括電致變色材料。中央結構（即，層20、10、21）位于第一導電層22與第二導電層23之間，第一導電層22和第二導電層23進而被布置抵靠外襯底24、25。元件22、20、10、21和23統(tǒng)稱為電致變色疊層28。導電層22經(jīng)由匯流條26與電源（未示出）的一個端子電接觸，并且導電層23經(jīng)由匯流條27與電源（未示出）的另一端子電接觸，由此可以通過將電壓脈沖施加到導電層22和導電層23改變電致變色設備10的透射率。脈沖促使電子和離子在第一電極層20與第二電極層21之間移動，且因此，第一電極層和/或第二電極層中的電致變色材料改變光學狀態(tài)，從而將電致變色設備1從更多透射狀態(tài)切換為更少透射狀態(tài)，或從更少透射狀態(tài)切換為更多透射狀態(tài)。在一個實施方案中，電致變色設備1在電壓脈沖前是透明的并且在電壓脈沖后是更少透射的（例如，更多反射或彩色），或反之亦然。應理解，提及更少透射狀態(tài)與更多透射狀態(tài)之間的過渡是非限制性的，并且旨在描述由電致變色材料可達到的對電磁輻射的透射率轉換的整個范圍。例如，透射率的變化可以是從第一光學狀態(tài)改變?yōu)榈诙鈱W狀態(tài)，第二光學狀態(tài)(i)比第一狀態(tài)相對更多吸收（即，更少透射），(ii)比第一狀態(tài)相對更少吸收（即，更多透射），(iii)比第一狀態(tài)相對更多反射（即，更少透射），(iv)比第一狀態(tài)相對更少反射（即，更多透射），(v)比第一狀態(tài)相對更多反射和更多吸收（即，更少透射），或(vi)比第一狀態(tài)相對更少反射和更少吸收（即，更多透射）。另外，變化可以在由電致變色設備可達到的兩個極端光學狀態(tài)之間，例如，在第一透明狀態(tài)與第二狀態(tài)之間，第二狀態(tài)為不透明或反射（反光鏡）?；蛘撸兓梢栽趦蓚€光學狀態(tài)之間，至少一個光學狀態(tài)為沿著特定電致變色設備可達到的兩個極端狀態(tài)（例如，透明和不透明或透明和反光鏡）之間的光譜的中間狀態(tài)。除非本文另有指定，否則每當提及更少透射和更多透射，或甚至漂白色轉換時，對應的設備或工藝涵蓋其它光學狀態(tài)轉換，例如，非反射-反射、透明-不透明等。進一步地，術語“漂白的”指的是光學中性狀態(tài)，例如，未著色的、透明或半透明的。更進一步地，除非本文另有指定，否則電致變色轉換的“色彩”不限于任何特定波長或波長范圍。如本領域技術人員所理解，適當?shù)碾娭伦兩牧虾头措姌O材料的選擇管理相關的光學轉換。一般而言，透射率的變化優(yōu)選包括具有在紅外到紫外輻射的范圍中的波長的電磁輻射的透射率的變化。例如，在一個實施方案中，透射率的變化主要是在紅外光譜中的電磁輻射的透射率的變化。在第二實施方案中，透射率的變化是針對具有主要在可見光譜中的波長的電磁輻射。在第三實施方案中，透射率的變化是針對具有主要在紫外光譜中的波長的電磁輻射。在第四實施方案中，透射率的變化是針對具有主要在紫外光譜和可見光譜中的波長的電磁輻射。在第五實施方案中，透射率的變化是針對具有主要在紅外光譜和可見光譜中的波長的電磁輻射。在第六實施方案中，透射率的變化是針對具有主要在紫外光譜、可見光譜和紅外光譜中的波長的電磁輻射。組成電致變色疊層28的材料可以包括有機材料或無機材料，并且這些材料可以是固體或液體。例如，在某些實施方案中，電致變色疊層28包括無機、固體（即，處于固態(tài)），或無機和固體的材料。無機材料在建筑應用中顯示更好的可靠性。處于固態(tài)的材料也可以提供不具有封閉和泄漏問題的優(yōu)點，因為處于液態(tài)的材料經(jīng)常具有封閉和泄漏問題。應理解，疊層中的任何一個或多個層可以含有一些數(shù)量的有機材料，但是在許多實施中一個或多個層含有很少有機物質或不含有有機物質。這同樣也可以適用于可能少量存在于一個或多個層中的液體。在某些其它實施方案中，組成電致變色疊層28的一些或所有的材料為有機材料。有機離子導體可以提供更高的遷移率，因此可能具有更好的設備切換性能。有機電致變色層可以提供更高的對比度和更多樣化的色彩選擇。下文詳細地討論電致變色設備中的每個層。也應理解，可以通過使用液體組分的工藝（例如，使用溶膠-凝膠法或化學氣相沉積的某些工藝）沉積或以其它方式形成固態(tài)材料。再次參看圖1，連接到匯流條26、27的電源（未示出）通常為具有可選的電流限制或電流控制特征的電壓源，并且可以被配置成結合局部熱傳感器、光敏傳感器或其它環(huán)境傳感器進行操作。電壓源也可以被配置成與能量管理系統(tǒng)（例如，根據(jù)例如一年的時間、每天的時間和測量環(huán)境條件的因素控制電致變色設備的計算機系統(tǒng)）連接。這樣的能量管理系統(tǒng)連同大面積電致變色設備（例如，電致變色建筑窗）一起可以顯著降低建筑物的能量消耗。襯底24、25中的至少一個優(yōu)選是透明的，以便向環(huán)境顯示疊層28的電致變色性質。具有適合的光學、電、熱和機械性質的任何材料可以用作第一襯底24或第二襯底25。例如，此類襯底包括玻璃、塑料、金屬和金屬涂覆玻璃或塑料?？赡艿乃芰弦r底的非排他性實例為聚碳酸酯、聚丙烯酸、聚氨酯、氨酯碳酸酯共聚物、聚砜、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、聚醚、聚酯、聚乙烯、聚烯烴、聚酰亞胺、聚硫化物、聚乙烯乙酸酯和纖維素基聚合物。如果使用塑料襯底，那么例如有機玻璃領域中眾所周知的，可以使用例如類金剛石保護涂層、二氧化硅/硅酮耐磨涂層等的硬涂層來屏障保護和磨損保護塑料襯底。適合的玻璃包括透明玻璃或有色堿石灰玻璃（包括堿石灰浮法玻璃）。玻璃可以是鋼化玻璃或非鋼化玻璃。在具有用作第一襯底24和/或第二襯底25的玻璃（例如，堿石灰玻璃）的電致變色設備1的一些實施方案中，在第一襯底24與第一導電層22之間和/或在第二襯底25與第二導電層23之間存在鈉擴散阻擋層（未示出）以防止鈉離子從玻璃擴散到第一導電層和/或第二導電層23中。在一些實施方案中，省略第二襯底25。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案中，第一襯底24和第二襯底25各自為浮法玻璃。在建筑應用的某些實施方案中，該玻璃至少為0.5米×0.5米，并且可以更大，例如，大到約3米×4米。在此類應用中，該玻璃通常至少為約2mm厚并且更常見為4-6mm厚。獨立于應用，本發(fā)明的電致變色設備可以具有廣泛范圍的大小。一般而言，優(yōu)選電致變色設備包括具有表面積至少為0.001m2的表面的襯底。例如，在某些實施方案中，電致變色設備包括具有表面積至少為0.01m2的表面的襯底。通過進一步的實例，在某些實施方案中，電致變色設備包括具有表面積至少為0.1m2的表面的襯底。通過進一步的實例，在某些實施方案中，電致變色設備包括具有表面積至少為1m2的表面的襯底。通過進一步的實例，在某些實施方案中，電致變色設備包括具有表面積至少為5m2的表面的襯底。通過進一步的實例，在某些實施方案中，電致變色設備包括具有表面積至少為10m2的表面的襯底。兩個導電層22、23中的至少一個也優(yōu)選為透明的以便向環(huán)境顯示疊層28的電致變色性質。在一個實施方案中，導電層23為透明的。在另一實施方案中，導電層22為透明的。在另一實施方案中，導電層22、23各自為透明的。在某些實施方案中，導電層22、23中的一個或兩個為無機物和/或固體。導電層22和導電層23可以由許多不同的透明材料制成，包括透明導電氧化物、薄金屬涂層、導電納米粒子（例如，桿、管、點）導電金屬氮化物的網(wǎng)絡，以及復合導體。透明導電氧化物包括金屬氧化物和摻雜一種或多種金屬的金屬氧化物。此類金屬氧化物和摻雜金屬氧化物的實例包括氧化銦、氧化銦錫、摻雜氧化銦、氧化錫、摻雜氧化錫、氧化鋅、氧化鋅鋁、摻雜氧化鋅、氧化釕、摻雜氧化釕等。透明導電氧化物有時稱為(TCO)層。也可以使用實質上透明的薄金屬涂層。用于此類薄金屬涂層的金屬的實例包括金、鉑、銀、鋁、鎳以及這些元素的合金。透明導電氮化物的實例包括氮化鈦、氮化鉭、氮氧化鈦和氮氧化鉭。導電層22和導電層23也可以是透明復合導體。通過在襯底的一個面上放置高導電陶瓷和金屬線或導電層圖案，然后用透明導電材料（例如，摻雜氧化錫或氧化銦錫）過量涂覆，可以制造此類復合導體。理想地，此類金屬線應該足夠薄以使肉眼看不見（例如，約100μm或更薄）。對可見光透明的電子導體22和導電層23的非排他性實例為氧化銦錫(ITO)、氧化錫、氧化鋅、氧化鈦、n型或p型摻雜氧化鋅和氟氧化鋅的薄膜。最近也探索基于金屬的層（例如，ZnS/Ag/ZnS）和碳納米管層。取決于特定的應用，導電層22和導電層23中的一個或兩個可以由金屬格柵制成或包括金屬格柵。導電層的厚度可能受在層內包括的材料的組合物和其透明特性影響。在一些實施方案中，導電層22和導電層23為透明的并且各自具有在約1000nm與約50nm之間的厚度。在一些實施方案中，導電層22和導電層23的厚度在約500nm與約100nm之間。在其它實施方案中，導電層22和導電層23各自具有在約400nm與約200nm之間的厚度。一般而言，只要導電層22和導電層23提供必要的電氣性質（例如，導電性）和光學性質（例如，透射率），就可以使用更厚或更薄的層。對于某些應用而言，一般地優(yōu)選導電層22和導電層23盡可能薄以便增加透明度并且降低成本。再次參看圖1，導電層的功能為在電致變色疊層28的整個表面上將由電源提供的電勢施加到疊層的內部區(qū)域。通過與導電層的電連接將電勢轉移到導電層。在一些實施方案中，匯流條在電壓源與導電層22和導電層23之間提供電連接，其中一個匯流條與第一導電層22接觸并且一個匯流條與第二導電層23接觸。在一個實施方案中，第一導電層22和第二導電層23的薄層電阻Rs為約500Ω/□至1Ω/□。在一些實施方案中，第一導電層22和第二導電層23的薄層電阻為約100Ω/□至5Ω/□。一般而言，第一導電層22和第二導電層23中的每個的薄層電阻大約相同是可取的。在一個實施方案中，第一導電層22和第二導電層23各自具有約20Ω/□至約8Ω/□的薄層電阻。為了促進將電致變色設備1從相對較大透射率的狀態(tài)快速切換為相對較小透射率的狀態(tài)，或反之亦然，導電層22、23中的至少一個優(yōu)選地具有使電子流過非均勻層的薄層電阻Rs。例如，在一個實施方案中，第一導電層22和第二導電層23中只有一個具有使電子流過層的非均勻薄層電阻?；蛘撸⑶彝ǔ８鼉?yōu)選地，第一導電層22和第二導電層23各自具有使電子流過各自的層的非均勻薄層電阻。不受任何特定理論的約束，目前相信通過控制導電層中的電壓降以在設備上、在設備的區(qū)域上提供均勻電勢降或所需的非均勻電勢降，導電層22的空間變化的薄層電阻、導電層23的空間變化的薄層電阻，或導電層22和導電層23的空間變化的薄層電阻提高設備的切換性能。一般而言，考慮到電致變色設備的類型、設備形狀和尺寸、電極特性以及與電壓源的電連接（例如，匯流條）的放置，電路建模可以用于確定提供所需的切換性能的薄層電阻分布。至少部分地通過分級第一導電層和/或第二導電層的厚度、分級第一導電層和/或第二導電層的組合物，或圖案化第一導電層和/或第二導電層，或這些操作的某一組合，又可以控制薄層電阻分布。在一個示例性實施方案中，電致變色設備為矩形電致變色窗。再次參看圖1，在這個實施方案中，第一襯底24和第二襯底25為矩形玻璃片或其它透明襯底，并且電致變色設備1具有分別位于第一電極層20和第二電極層21的相對側上的兩個匯流條26、27。當以這種方式配置時，一般地優(yōu)選電子在第一導電層22中流動的電阻隨著與匯流條26增加的距離而增加，并且電子在第二導電層23中流動的電阻隨著與匯流條27增加的距離而增加。例如，通過隨著與匯流條26增加的距離而減少第一導電層22的厚度并且隨著與匯流條27增加的距離而減少第二導電層23的厚度，又可能影響上述情況。本發(fā)明的多層設備可以具有不同于矩形的形狀，可以具有多于兩個的匯流條，和/或可以在設備的相對側上不具有由匯流條。例如，多層設備可以具有更一般為四邊形的周長，或具有比例如四邊更多或更少的邊的形狀，多層設備的形狀可以是三角形、五邊形、六邊形等。通過進一步的實例，多層設備可以具有彎曲但缺少頂點的周長，例如，圓形、橢圓形等。通過進一步的實例，多層設備可以包括連接多層設備與電壓源的三個、四個或更多個匯流條，或獨立于數(shù)量的匯流條可以位于非相對的側上。在此類情況中的每種情況下，導電層中的優(yōu)選電阻分布可以不同于在矩形、兩個匯流條的配置中所述的電阻分布。然而，一般而言，并且獨立于多層設備是否具有不同于矩形的形狀，存在多于兩個的電連接（例如，匯流條），和/或電連接（例如，匯流條）在設備的相對側上，可以根據(jù)第一導電層和/或第二導電層內的（二維）位置繪制第一導電層22、第二導電層23，或第一導電層22和第二導電層23中的薄層電阻Rs以連接相等的薄層電阻的點（即，等電阻線）。這種一般性的曲線圖（有時稱為等高線圖）常規(guī)用于制圖法以連接相等高程的點。在本發(fā)明的上下文中，作為第一導電層和/或第二導電層內的（二維）位置函數(shù)的第一導電層和/或第二導電層中的薄層電阻Rs的等高線圖優(yōu)選含有一系列等電阻線（有時也稱為等高線）和電阻梯度線（垂直于等電阻線的線）。沿著第一導電層和/或第二導電層中的梯度線的薄層電阻一般增加、一般減少、一般增加直到其達到最大值，然后一般減少，或一般減少直到其達到最小值，然后一般增加。圖2A至圖2E描繪對于根據(jù)本發(fā)明的電致變色疊層的幾個示例性實施方案，作為導電層內的（二維）位置函數(shù)的導電層（即，第一導電層、第二導電層，或第一導電層和第二導電層的每個）中的薄層電阻Rs的等高線圖。在圖2A至圖2E中的每一個中，等高線圖50描繪一組薄層等電阻曲線52（即，薄層電阻Rs具有常數(shù)值所沿著的曲線）和垂直于等電阻曲線52的一組電阻梯度曲線54，這些曲線產(chǎn)生于具有正方形（圖2A、圖2B和圖2C）或圓形（圖2D和圖2E）的周長的電致變色疊層以及與電致變色疊層的第一導電層和第二導電層（未標示）接觸的匯流條226和227的不同數(shù)量和位置。在圖2A中，這組梯度54的方向指示導電層內的薄層電阻Rs沿著這組梯度54并且在與匯流條227接觸的導電層的西側55與東側56之間逐步增加。在圖2B中，梯度54A的方向指示與匯流條227接觸的導電層內的薄層電阻Rs從西南角57到質心59逐步減少，然后從質心59到東北角58減少。在圖2C中，這組梯度54的方向指示與匯流條227接觸的導電層內的薄層電阻Rs從西側60和東側61到質心59逐步減少，并且從頂側58和底側57到質心59逐步增加；換句話說，薄層電阻Rs形成以質心59為中心的鞍狀形式。在圖2D中，梯度54a和54b的方向指示與匯流條227接觸的導電層內的薄層電阻Rs從位置64和65中的每個到質心59逐步減少并且從位置63和62中的每個到質心59逐步增加；換句話說，薄層電阻Rs形成以質心59為中心的鞍狀形式。在圖2E中，這組梯度54的方向指示與匯流條227接觸的導電層內的薄層電阻Rs從西側55到東側56逐步減少。在一個實施方案中，例如，薄層電阻中的梯度為常數(shù)。通過進一步的實例，在一個實施方案中，薄層電阻中的梯度為常數(shù)并且襯底的形狀為矩形。在一個目前優(yōu)選的實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.25。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.5。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約2。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約3。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約4。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約5。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約6。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約7。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約8。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約9。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約10。圖21圖示多層電致變色設備1的第一導電層22的薄層電阻的非均勻性。第一導電層22包括薄層電阻梯度曲線（包括線段X1-Y1的線，其指示導電層22內的薄層電阻Rs逐步增加，如結合圖2所述）。在X1與Y1之間，第一導電層22的薄層電阻一般增加、一般減少或一般增加，然后減少。在一個實施方案中，線段X1-Y1具有至少1cm的長度。例如，線段X1-Y1可以具有2.5cm、5cm、10cm或25cm的長度。另外，線段X1-Y1可以是直的或彎曲的。在一個實施方案中，通過對第一導電層的兩個不同區(qū)域中的平均薄層電阻Ravg的比率進行比較，可以觀察第一導電層的薄層電阻的非均勻性，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。例如，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.25，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積?？梢詤⒄請D21圖示這種情況。第一導電層22包括凸多邊形A1和凸多邊形B1并且各自包圍包括第一導電層22的至少25%的表面積的區(qū)域；在一個實施方案中，以凸多邊形A1為邊界的第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與以凸多邊形B1為邊界的第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.25。如圖所示，僅僅為了例證的目的，凸多邊形A1為三角形并且凸多邊形B1為正方形；實際上，第一區(qū)域可能以任何凸多邊形為邊界并且第二區(qū)域可能以任何凸多邊形為邊界。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.5，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為2，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為3，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為4，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為5，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為6，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為7，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為8，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為9，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為10，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積。在一個實施方案中，在上述實例的每個中，第一區(qū)域和第二區(qū)域為互不相交的區(qū)域。在一個實施方案中，通過對第一導電層的四個不同區(qū)域中的平均薄層電阻Ravg進行比較，可以觀察第一導電層的薄層電阻的非均勻性，其中第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰，第二區(qū)域與第三區(qū)域相鄰，第三區(qū)域與第四區(qū)域相鄰，這些區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第一導電層的至少10%的表面積。例如，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.25，第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg與第一導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg的比率至少為1.25，第一導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg與第一導電層的第四區(qū)域中的平均薄層電阻R4avg的比率至少為1.25，其中第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰，第二區(qū)域與第三區(qū)域相鄰，第三區(qū)域與第四區(qū)域相鄰，這些區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第一導電層的至少10%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.5，第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg與第一導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg的比率至少為1.5，第一導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg與第一導電層的第四區(qū)域中的平均薄層電阻R4avg的比率至少為1.5，其中第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰，第二區(qū)域與第三區(qū)域相鄰，第三區(qū)域與第四區(qū)域相鄰，這些區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第一導電層的至少10%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為2，第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg與第一導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg的比率至少為2，第一導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg與第一導電層的第四區(qū)域中的平均薄層電阻R4avg的比率至少為2，其中第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰，第二區(qū)域與第三區(qū)域相鄰，第三區(qū)域與第四區(qū)域相鄰，這些區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第一導電層的至少10%的表面積。在一個實施方案中，在上述實例的每個中，第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域和第四區(qū)域為互不相交的區(qū)域。在一個目前優(yōu)選實施方案中，第二導電層具有作為第二導電層中的位置函數(shù)而變化的使電流流過第二導電層的薄層電阻Rs。在一個此實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.25。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約1.5。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約2。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約3。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約4。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約5。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約6。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約7。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約8。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約9。在一個示例性實施方案中，第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約10。圖21圖示多層電致變色設備1的第二導電層23的薄層電阻的非均勻性。導電層22包括包括線段X-Y的薄層電阻梯度曲線54；在X與Y之間，第二導電層23的薄層電阻一般增加、一般減少或一般增加，然后減少。在一個實施方案中，線段X1-Y1具有至少1cm的長度。例如，線段X-Y可以具有2.5cm、5cm、10cm或25cm的長度。另外，線段X-Y可以是直的或彎曲的。在一個實施方案中，通過對第二導電層的兩個不同區(qū)域中的平均薄層電阻Ravg的比率進行比較，可以觀察第二導電層的薄層電阻的非均勻性，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。例如，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.25，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。可以參照圖21圖示這種情況。第二導電層23包括凸多邊形A和凸多邊形B并且各自包圍包括第二導電層23的至少25%的表面積的區(qū)域；在一個實施方案中，以凸多邊形A為邊界的第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與以凸多邊形B為邊界的第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.25。如圖所示，僅僅為了例證的目的，凸多邊形A為三角形并且凸多邊形B為正方形；實際上，第一區(qū)域可能以任何凸多邊形為邊界并且第二區(qū)域可能以任何凸多邊形為邊界。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.5，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為2，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為3，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為4，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為5，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為6，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為7，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為8，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為9，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為10，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。在一個實施方案中，在上述實例的每個中，第一區(qū)域和第二區(qū)域為互不相交的區(qū)域。在一個實施方案中，通過對第二導電層的四個不同區(qū)域中的平均薄層電阻Ravg進行比較，可以觀察第二導電層的薄層電阻的非均勻性，其中第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰，第二區(qū)域與第三區(qū)域相鄰，第三區(qū)域與第四區(qū)域相鄰，這些區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第二導電層的至少10%的表面積。例如，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.25，第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg與第二導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg的比率至少為1.25，第二導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg與第二導電層的第四區(qū)域中的平均薄層電阻R4avg的比率至少為1.25，其中第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰，第二區(qū)域與第三區(qū)域相鄰，第三區(qū)域與第四區(qū)域相鄰，這些區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第二導電層的至少10%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.5，第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg與第二導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg的比率至少為1.5，第二導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg與第二導電層的第四區(qū)域中的平均薄層電阻R4avg的比率至少為1.5，其中第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰，第二區(qū)域與第三區(qū)域相鄰，第三區(qū)域與第四區(qū)域相鄰，這些區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第二導電層的至少10%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為2，第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg與第二導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg的比率至少為2，第二導電層的第三區(qū)域中的平均薄層電阻R3avg與第二導電層的第四區(qū)域中的平均薄層電阻R4avg的比率至少為2，其中第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰，第二區(qū)域與第三區(qū)域相鄰，第三區(qū)域與第四區(qū)域相鄰，這些區(qū)域中的每個被圍成凸多邊形，并且各自包括第二導電層的至少10%的表面積。在一個實施方案中，在上述實例的每個中，第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域和第四區(qū)域為互不相交的區(qū)域。在一個目前優(yōu)選實施方案中，第一導電層22和第二導電層23具有作為第一導電層和第二導電層中的位置函數(shù)而變化的使電流流過第二導電層的薄層電阻Rs。盡管一般在這個實施方案中優(yōu)選第一導電層和第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率近似相同，但是這比率可以具有不同值。例如，在一個此實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率具有至少為第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率兩倍大的值。更典型地，然而，第一導電層和第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率將大致相同并且每個比率至少為約1.25。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率將大致相同并且每個比率至少為約1.5。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約2。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約3。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約4。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約5。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約6。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約7。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約8。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約9。在一個示例性實施方案中，第一導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率、第二導電層中的最大薄層電阻Rmax的值與最小薄層電阻Rmin的值的比率至少為約10。在一個實施方案中，通過分別對第一導電層和第二導電層的兩個不同區(qū)域中的平均薄層電阻Ravg的比率進行比較，可以觀察第一導電層和第二導電層的薄層電阻的非均勻性，其中第一導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積，并且第二導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。例如，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.25，并且第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.25，其中第一導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積，并且第二導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.5，并且第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為1.5，其中第一導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積，并且第二導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為2，并且第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為2，其中第一導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積，并且第二導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第二導電層的至少25%的表面積。通過進一步的實例，在一個此實施方案中，第一導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第一導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為3，并且第二導電層的第一區(qū)域中的平均薄層電阻R1avg與第二導電層的第二區(qū)域中的平均薄層電阻R2avg的比率至少為3，其中第一導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域各自被圍成凸多邊形并且各自包括第一導電層的至少25%的表面積，并且第二導電層的第一區(qū)域和第二區(qū)域...