專利名稱：液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶面板的制作方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)是利用液晶材料的特性來顯示圖像的一種平板顯示裝置(Flat Panel Display, FPD)，其相較于其他顯示裝置而言具輕薄、低驅(qū)動電壓及低功耗等優(yōu)點，已經(jīng)成為整個消費市場上的主流產(chǎn)品。液晶面板是液晶顯示器最主要的組成配件，其包括真空貼合的TFT陣列基板、CF基板、設(shè)置在兩者之間的液晶層及配向膜。該配向膜可以設(shè)置在TFT陣列基板和/或CF基板上，用于控制液晶層的液晶分子的預(yù)定的初始狀態(tài)排列，從而影響液晶面板的顯示特性。因此，對配向膜的控制極其重要?，F(xiàn)有技術(shù)中，液晶面板中配向膜的一種制作方法是，在制作TFT陣列基板及CF基板的同時，在TFT陣列基板以及CF基板的內(nèi)表面涂覆配向液，以形成配向膜。液晶面板中配向膜的另一種制作方法是，將用于聚合物配向的單體與液晶分子一起注入至真空貼合后的液晶面板內(nèi)，并照射光線，使其固化，因此在TFT陣列基板與CF基板的內(nèi)表面上，聚合物單體將形成配向膜，并引導(dǎo)液晶分子進行有規(guī)則的排列。上述第一種制作方法中，涂覆配向液時，極容易產(chǎn)生靜電及涂覆刷攜帶的雜質(zhì)，而對液晶面板造成損壞；第二種制作方法雖然是非接觸式形成配向膜，但是聚合物單體對于光線的吸收較敏感，所以通過光線照射形成配向膜時，不同的制程將對液晶面板的光學(xué)特性、可靠度及產(chǎn)能都將產(chǎn)生重要的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種液晶面板的制作方法，旨在使得制成的液晶面板的可靠度及光學(xué)特性更佳。本發(fā)明提供了一種液晶面板的制作方法，包括以下步驟在液晶中加入用于配向的聚合物單體后，將液晶注入真空貼合的TFT陣列基板與CF基板之間，形成液晶面板；對液晶面板進行曝光處理，所述曝光的光線頻譜在300_450nm之間，波長在300-400nm時的放射照度為10-30mW/cm2，對液晶面板的曝光時間為30_50s ；對曝光處理后的液晶面板進行固化處理，同時對液晶面板施加固化電壓。優(yōu)選地，所述對液晶面板施加的固化電壓為方波電壓或者直流電壓，而且其電壓有效值為10-20V。優(yōu)選地，所述對曝光處理后的液晶面板進行固化處理的同時還執(zhí)行步驟對曝光處理后的液晶面板進行加熱處理，其加熱的溫度為30-50°C。
優(yōu)選地，所述曝光的光線為主波長為340-350nm，1/2 亮高寬為 52_62nm，1/3 亮高寬為 70_80nm。
優(yōu)選地，所述對液晶面板進行曝光處理的步驟之前還包括開啟曝光光源，并對其發(fā)出的光線進行過濾，獲得頻譜在300_450nm之間的光線，波長在300-400nm時的放射照度為10-30mW/cm2。本發(fā)明還提供了另一種液晶面板的制作方法，包括以下步驟在液晶中加入用于配向的聚合物單體后，將液晶注入真空貼合的TFT陣列基板與CF基板之間，形成液晶面板；對液晶面板進行曝光處理，所述曝光的光線頻譜在300_450nm之間，波長在300-400nm時的放射照度為5-15mW/cm2，對液晶面板的曝光時間為40_60s ；對曝光處理后的液晶面板進行固化處理，同時對液晶面板施加固化電壓。優(yōu)選地，所述對液晶面板施加固化電壓為方波電壓或者直流電壓，而且其電壓有效值為10-20V。優(yōu)選地，所述對曝光處理后的液晶面板進行固化處理的同時還執(zhí)行步驟對曝光處理后的液晶面板進行加熱處理，其加熱的溫度為30_50°C。優(yōu)選地，所述曝光的光線為主波長為315-325nm，1/2 亮高寬為 35_45nm，1/3 亮高寬為 44_54nm。優(yōu)選地，所述對液晶面板進行曝光處理的步驟之前還包括開啟曝光光源，并對其發(fā)出的光線進行過濾，獲得頻譜在300_450nm之間的光線，且波長在300-400nm時的放射照度為5_15mW/cm2。本發(fā)明采用合適的光線結(jié)合與其相應(yīng)的制程，使得該液晶面板在對比度及液晶響應(yīng)度上的效果更佳。


圖I是本發(fā)明液晶面板的制作方法第一實施例的流程示意圖；圖2是本發(fā)明液晶面板的制作方法第一實施例中采用的光線的頻譜示意圖；圖3是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中對比度與曝光時間的關(guān)系不意圖；圖4時本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中液晶響應(yīng)速度與曝光時間的關(guān)系不意圖；圖5是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中曝光時間與VT曲線之間的關(guān)系示意圖；圖6是圖5中的局部放大示意圖；圖7是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中曝光時間、與VHR之間的關(guān)系不意圖；圖8是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板曝光時間與殘留的離子密度之間的關(guān)系示意圖；圖9是本發(fā)明液晶面板的制作方法第二實施例的流程示意圖；圖10是本發(fā)明液晶面板的制作方法第二實施例中采用的光線的頻譜示意圖；圖11是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中對比度與曝光時間的關(guān)系不意圖12是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中液晶響應(yīng)速度與曝光時間的關(guān)系不意圖；圖13是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中曝光時間與VT曲線之間的關(guān)系示意圖；圖14是圖13中的局部放大示意圖；圖15是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中曝光時間與VHR之間的關(guān)系不意圖；圖16是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板曝光時間與殘留的離子密度之間的關(guān)系示意圖。本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。
具體實施例方式以下結(jié)合說明書附圖及具體實施例進一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。參照圖1，圖I是本發(fā)明液晶面板的制作方法第一實施例的流程示意圖。該液晶面板的制作方法包括以下步驟步驟S101、在液晶中加入用于配向的聚合物單體后，將液晶注入真空貼合的TFT陣列基板與CF基板之間，形成液晶面板；在一般的液晶中加入用于配向的聚合物單體，使得聚合物單體在后續(xù)的光照下形成配向聚合物層，從而引導(dǎo)液晶分子進行一定的排列。步驟S102、對液晶面板進行曝光處理，所述照射的光線的頻譜范圍在300-450nm之間，且波長在300-400nm時的放射照度為10-30mW/cm2，所述曝光時間為30_50s ；對液晶面板進行曝光處理，使得液晶分子在聚合物單體的作用下進行規(guī)則的排列。例如液晶分子的長軸與液晶面板的基板垂直，或者液晶分子的長軸與液晶面板的基板呈一傾斜角，或者液晶分子的長軸與液晶面板的基板平行。在本發(fā)明實施例中，液晶分子的長軸與液晶面板的基板呈垂直排列。如圖2所示，圖2是本發(fā)明液晶面板的制作方法第一實施例中采用的光線的頻譜示意圖。該曝光處理所利用的光線頻譜范圍在300-450nm內(nèi)，且波長在300-400nm時的放射照度為10-30mW/cm2。其中波長在300_400nm時的放射照度優(yōu)選為20mW/cm2。步驟S103、對曝光處理后的液晶面板進行固化處理，同時對液晶面板施加固化電壓。液晶面板包括TFT陣列基板、CF基板、設(shè)置TFT陣列基板及CF基板之間的液晶層，所述TFT陣列基板上設(shè)置像素電極，所述CF基板上設(shè)置公共電極。當(dāng)對液晶面板施加電壓時，像素電極與公共電極之間將形成電磁場，該電磁場使得液晶分子偏轉(zhuǎn)一定角度。因此，通過施加固化電壓將液晶分子形成一定傾斜角的偏轉(zhuǎn)后，再將其固化，從而下次對液晶面板施加驅(qū)動電壓時，該液晶分子可以快速偏轉(zhuǎn)至合適的位置，進一步加快了液晶分子的響應(yīng)速度。該固化電壓可以為方波電壓或者直流電壓，而且電壓有效值為10-20V，優(yōu)選地，該電壓有效值為15V。本發(fā)明實施例針對光線頻譜在300-450nm之間，波長在300_400nm時的放射照度為10-30mW/cm2，而采用相應(yīng)的制程對液晶面板進行曝光,從而使得該液晶面板在對比度及液晶響應(yīng)度上的效果更佳。如圖3所示，圖3是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板的對比度與曝光時間的關(guān)系示意圖。其中，橫軸表示曝光時間，縱軸表示對比度。由圖3可知，曝光時間(即光照時間)在15-45S之間時，所制成的液晶面板的對比度幾乎沒有變化；而曝光時間超過45s時，曝光時間越長，所制成的液晶面板的對比度越低，因此曝光時間在15-45s之間所制成的液晶面板的對比度更佳。如圖4所示，圖4是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板的液晶響應(yīng)速度與曝光時間的關(guān)系示意圖。其中，橫軸表示曝光時間，縱軸表示液晶響應(yīng)速度。該液晶響應(yīng)速度的快慢可以由10%亮度至90%亮度之間所經(jīng)歷的時間的長短來反映，包括上升經(jīng)歷的時間及下降經(jīng)歷的時間。由于亮度與液晶面板的驅(qū)動電壓成正比，所以亮度的變化也反應(yīng)了電壓的變化。由圖4可知,在電壓的上升沿(rise time)時,曝光時間在15-30s時，曝光時間越長，所制成的液晶面板的液晶響應(yīng)時間越短，即液晶響應(yīng)速度越 快；而曝光時間超過30s而形成的液晶面板的液晶響應(yīng)速度幾乎沒有變化；在電壓的下降沿(fall time)時，在曝光時間15_120s之間制成的液晶面板的液晶響應(yīng)速度基本上保持不變。因此，曝光時間在30-120S之間時制成的液晶面板的液晶響應(yīng)速度更佳。所以，綜合考慮液晶面板的對比度及液晶響應(yīng)速度，可知采用圖2所示的光線對液晶面板進行曝光時，曝光時間在30-50s時制成的液晶面板，在對比度及液晶響應(yīng)速度上的效果更佳。優(yōu)選地，該曝光時間可以為40s。上述對液晶面板進行曝光處理后，可以將液晶面板放置在工作臺上，并對其進行固化，且該工作臺的固化溫度為30-50°C，優(yōu)選地，該固化溫度為40°C。上述曝光的光線可以為主波長為340-350nm，1/2亮高寬為52_62nm，1/3亮高寬為70-80nm。其中，該1/2亮高寬指該光線照度的峰值的二分之一所對應(yīng)的兩個波長值的差，即寬度；1/3亮寬度指光線照度的峰值的三分之一所對應(yīng)的兩個波長值的差，即寬度。進行曝光的光線可采用一種準(zhǔn)分子光源產(chǎn)生，準(zhǔn)分子光源是通過準(zhǔn)分子工作物質(zhì)來制造高功率的紫外光線，其中準(zhǔn)分子工作物質(zhì)可為KrF、ArP、NeF和XeCl中的任一種。當(dāng)然，進行曝光的光線也可以采用其他的光源產(chǎn)生，并同時設(shè)置一濾波器，用于過濾除上述曝光用的光線以外的其他光線。參照圖5及圖6，圖5是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中曝光時間與VT曲線之間的關(guān)系示意圖；圖6是圖5中的局部放大示意圖。其中VT曲線的橫軸為電壓有效值，縱軸為穿透率，即VT曲線表示電壓有效值與穿透率的關(guān)系。由圖5及圖6可知，曝光時間為15s、30s、45s時，穿透率由5%至0%之間變化時，液晶面板相對應(yīng)的電壓差值相對于曝光時間為60s、120s時在穿透率5%至0%之間液晶面板的電壓差值要大，因此，曝光時間為15s、30s、45s而形成的液晶面板所控制的灰階更多。參照圖7，圖7是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中曝光時間與VHR之間的關(guān)系示意圖。對上述液晶面板進行VHR測試，其測試條件為溫度為20±2°C、電壓為±5V、脈沖寬度為10ms、電壓保持時間為166. 7ms。該VHR是液晶的電壓保持率。由圖7的測試結(jié)果可知，曝光時間對VHR幾乎沒有影響。參照圖8，圖8是本發(fā)明第一實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板曝光時間與殘留的離子密度之間的關(guān)系示意圖。由于在液晶分子中添加的聚合物單體在曝光后，將產(chǎn)生一些影響液晶面板的雜質(zhì)離子。所以，在液晶面板制成后，需對液晶面板進行離子濃度的測試，其測試條件為溫度為20±2°C，電壓為5V，波形為鋸齒波，頻率為0. 01Hz。由圖8可知，液晶面板殘留的離子密度整體上并沒有隨著曝光時間的增加而增大。參照圖9，圖9是本發(fā)明液晶面板的制作方法第二實施例的流程示意圖。該液晶面板的制作方法包括以下步驟步驟S201、在液晶中加入用于配向的聚合物單體后，將液晶注入真空貼合的TFT陣列基板與CF基板之間，形成液晶面板；步驟S202、對液晶面板進行曝光處理，所述曝光的光線頻譜在300_450nm之間，波長在300-400nm時的放射照度為5-15mW/cm2，對液晶面板的曝光時間為40_60s ；步驟S203、對曝光處理后的液晶面板進行固化處理，同時對液晶面板施加固化電壓。與上述方法實施例的區(qū)別在于，本實施例液晶面板的制作方法中，對面板進行曝光的曝光的光線的光線頻譜在300-450nm之間，波長在300_400nm時的放射照度為5_15mW/cm2，如圖10所示，圖10是本發(fā)明液晶面板的制作方法第二實施例中采用的光線的頻譜示意圖。其中，波長在300-400nm時的放射照度可優(yōu)選為10mW/cm2。針對該光線進行曝光時，其曝光的時間將為40-60s。該曝光的時間優(yōu)選為50s。步驟S203中對液晶面板施加的固化電壓也可以為方波電壓或者直流電壓，而且電壓有效值為10-20V。該電壓有效值為15V。本發(fā)明針對光線頻譜在300-450nm之間，波長在300_400nm時的放射照度為5-15mff/cm2,而采用相應(yīng)的制程對液晶面板進行曝光,從而使得該液晶面板在對比度及液晶響應(yīng)度上的效果更佳。如圖11所示，圖11是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中對比度與曝光時間的關(guān)系示意圖。其中，橫軸表示曝光時間，縱軸表示對比度。由圖11可知，曝光時間(即光照時間)在15-60S之間時，所制成的液晶面板的對比度幾乎沒有變化(保持在4500左右)；而曝光時間超過60s時，曝光時間越長，所制成的液晶面板的對比度越低，因此曝光時間在15-60s之間所制成的液晶面板的對比度更佳。如圖12所示，圖12是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中液晶響應(yīng)速度與曝光時間的關(guān)系示意圖。其中，橫軸表示曝光時間，縱軸表示液晶響應(yīng)速度。該液晶響應(yīng)速度的快慢可以由10%亮度至90%亮度之間所經(jīng)歷的時間的長短來反映，包括上升經(jīng)歷的時間及下降經(jīng)歷的時間。由于亮度與液晶面板的驅(qū)動電壓成正比，所以亮度的變化也反應(yīng)了電壓的變化。由圖12可知，在電壓的上升沿(rise time)時，曝光時間越長，所制成的液晶面板的液晶響應(yīng)時間越短，即液晶響應(yīng)速度越快；在電壓的下降沿(fall time)時，在曝光時間30_45s之間液晶響應(yīng)速度隨著曝光時間的延長而加快，而在曝光時間45s后基本上保持不變。因此，曝光時間在45-120S之間時制成的液晶面板的液晶響應(yīng)速度更佳。所以，綜合考慮液晶面板的對比度及液晶響應(yīng)速度，可知采用圖10所示的光線對液晶面板進行曝光時，曝光時間在40-60s時制成的液晶面板，在對比度及液晶響應(yīng)速度上的效果更佳。優(yōu)選地，該曝光時間可以為50s。上述對液晶面板進行曝光處理后，可以將液晶面板放置在工作臺上，并對其進行固化，且該工作臺的 固化溫度為30-50°C，優(yōu)選地，該固化溫度為40°C。上述曝光的光線可以為主波長為315-325nm，1/2亮高寬為35_45nm，1/3亮高寬為44-54nm。其中，該1/2亮高寬指該光線照度的峰值的二分之一所對應(yīng)的兩個波長值的差，即寬度；1/3亮寬度指光線照度的峰值的三分之一所對應(yīng)的兩個波長值的差，即寬度。進行曝光的光線可采用一種準(zhǔn)分子光源產(chǎn)生，準(zhǔn)分子光源是通過準(zhǔn)分子工作物質(zhì)來制造高功率的紫外光線，其中準(zhǔn)分子工作物質(zhì)可為KrF、ArP、NeF和XeCl中的任一種。當(dāng)然，進行曝光的光線也可以采用其他的光源產(chǎn)生，并同時設(shè)置一濾波器，用于過濾除上述曝光用的光線以外的其他光線。參照圖13及圖14，圖13是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中曝光時間與VT曲線之間的關(guān)系不意圖；圖14是圖13中的局部放大不意圖。其中VT曲線的橫軸為電壓有效值，縱軸為穿透率，即VT曲線表示電壓有效值與穿透率的關(guān)系。由圖13及圖14可知，曝光時間為15s、30s、45s、60s時，且穿透率由5%至0%之間變化時，液晶面板相對應(yīng)的電壓差值相對于曝光時間為120s時在穿透率5%至0%之間液晶面板的電壓差值要大，因此，曝光時間為15s、30s、45s、60s而形成的液晶面板所控制的灰階更多。參照圖15，圖15是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板中曝光時間與VHR之間的關(guān)系示意圖。對上述液晶面板進行VHR測試，其測試條件為溫度為20±2°C、電壓為±5V、脈沖寬度為10ms、電壓保持時間為166. 7ms。由圖15的測試結(jié)果可知，曝光時間對VHR幾乎沒有影響。參照圖16，圖16是本發(fā)明第二實施例的液晶面板的制作方法所制成的液晶面板曝光時間與殘留的離子密度之間的關(guān)系示意圖。由于在液晶分子中添加的聚合物單體在曝光后，將廣生一些影響液晶面板的雜質(zhì)尚子。所以，在液晶面板制成后，需對液晶面板進行離子濃度的測試，其測試條件為溫度為20±2°C,電壓為5V,波形為鋸齒波,頻率為O-OlHz0由圖16可知，液晶面板殘留的離子密度整體上并沒有隨著曝光時間的增加而增大。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制其專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟 在液晶中加入用于配向的聚合物單體后，將液晶注入真空貼合的TFT陣列基板與CF基板之間，形成液晶面板； 對液晶面板進行曝光處理，所述曝光的光線頻譜在300-450nm之間，波長在300_400nm時的放射照度為10-30mW/cm2，對液晶面板的曝光時間為30_50s ； 對曝光處理后的液晶面板進行固化處理，同時對液晶面板施加固化電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述對液晶面板施加固化電壓為方波電壓或者直流電壓，而且其電壓有效值為10-20V。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述對曝光處理后的液晶面板進行固化處理的同時還執(zhí)行步驟 對曝光處理后的液晶面板進行加熱處理，其加熱的溫度為30-50°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述曝光的光線為 主波長為340-350nm，1/2亮高寬為52_62nm，1/3亮高寬為70_80nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述對液晶面板進行曝光處理的步驟之前還包括 開啟曝光光源，并對其發(fā)出的光線進行過濾，獲得頻譜在300-450nm之間的光線，且波長在300-400nm時的放射照度為10-30mW/cm2。
6.一種液晶面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟 在液晶中加入用于配向的聚合物單體后，將液晶注入真空貼合的TFT陣列基板與CF基板之間，形成液晶面板； 對液晶面板進行曝光處理，所述曝光的光線頻譜在300-450nm之間，波長在300_400nm時的放射照度為5-15mW/cm2，對液晶面板的曝光時間為40_60s ； 對曝光處理后的液晶面板進行固化處理，同時對液晶面板施加固化電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述對液晶面板施加固化電壓為方波電壓或者直流電壓，而且其電壓有效值為10-20V。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述對曝光處理后的液晶面板進行固化處理的同時還執(zhí)行步驟 對曝光處理后的液晶面板進行加熱處理，其加熱的溫度為30-50°C。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述曝光的光線為 主波長為315-325nm，1/2亮高寬為35_45nm，1/3亮高寬為44_54nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的任一項所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述對液晶面板進行曝光處理的步驟之前還包括 開啟曝光光源，并對其發(fā)出的光線進行過濾，獲得頻譜在300-450nm之間的光線，且波長在300-400nm時的放射照度為5_15mW/cm2。
全文摘要
本發(fā)明公開一種液晶面板及其制作方法，該制作方法包括以下步驟在液晶中加入用于配向的聚合物單體后，將液晶注入真空貼合的TFT陣列基板與CF基板之間，形成液晶面板；對液晶面板進行曝光處理，所述曝光的光線頻譜在300-450nm之間，波長在300-400m時的放射照度為10-30mW/cm2，對液晶面板的曝光時間為30-50s；對曝光處理后的液晶面板進行固化處理，同時對液晶面板施加固化電壓。本發(fā)明采用合適的光線結(jié)合與其相應(yīng)的制程，使得該液晶面板在對比度及液晶響應(yīng)度上的效果更佳。
文檔編號G02F1/1337GK102645791SQ201210118220
公開日2012年8月22日 申請日期2012年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月19日
發(fā)明者康志聰 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司