專利名稱：液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一 種液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板。
技術(shù)背景液晶顯示器(LCD)是一種使用最廣泛的平板顯示器。LCD用在筆記本 或膝上型電腦、臺式電腦監(jiān)視器和電視機中。LCD重量輕，且比傳統(tǒng)的陰 極射線管(CRT)顯示器占用的空間少。LCD的通常結(jié)構(gòu)由位于一對面板之間的液晶(LC)層構(gòu)成，該對面板包 括電場形成電極和偏振片。LC層受由電極產(chǎn)生的電場的作用，且電場強度 的變化改變LC層的分子取向。例如，根據(jù)施加的電場，LC層的分子改變 其取向，且使經(jīng)過該LC層的光偏振。適當(dāng)定位的偏振濾光片(polarized filter) 阻擋了該偏振光，形成可表現(xiàn)所需圖像的暗區(qū)。LCD質(zhì)量的一個量度標(biāo)準(zhǔn)是視角(即，觀看LCD時的可用區(qū)域，其中 可看到最小對比度)。已經(jīng)提出了各種用于增大視角的技術(shù)，包括采用垂直 配向的LC層并在像素電極上設(shè)置切口或凸起的技術(shù)。但是，切口和凸起降 低了開口率(ape加re ratio)(即子像素(sub-pixel)的實際尺寸與子像素的可透 光的區(qū)域之間的比)。為了增大開口率，已經(jīng)建議將像素電極的尺寸最大化。 但是，像素電極尺寸的最大化導(dǎo)致像素電極間的距離減小，在像素電極之 間引起很強的橫向電場。強電場導(dǎo)致LC分子的取向的所不期望的改變，產(chǎn) 生紋理和光泄漏并降低顯示特性。伴隨用于在LCD的面板上形成各種圖形的光刻工藝，產(chǎn)生另外的問題。 當(dāng)LCD的底板過大以致于不能使用曝光掩模時，整個曝光(例如對抗蝕劑 的照射)通過重復(fù)分區(qū)域曝光來完成。這被稱為分步重復(fù)工藝(step-and-repeat process),且一單獨的曝光區(qū)域或場稱作一曝光區(qū)(shot)。分 步重復(fù)工藝的一個特性是曝光區(qū)因曝光過程中產(chǎn)生的平移、旋轉(zhuǎn)、變形等 而對不準(zhǔn)。因此，引線與像素電極間產(chǎn)生的寄生電容隨它們所處的曝光區(qū) 而不同。這些電容差異導(dǎo)致了曝光區(qū)之間的亮度差，該亮度差在位于曝光 區(qū)之間的邊界處的像素中出現(xiàn)。結(jié)果，因曝光區(qū)之間的亮度不連續(xù)，在LCD 顯示屏上產(chǎn)生了狹縫缺陷(stitch defect)。因此，現(xiàn)有技術(shù)中需要一種LCD板和切口配置，其允許增加視角，而 不導(dǎo)致開口率的所不期望的減小和LC層取向的變形。還需要一種LCD板 配置，該配置將曝光區(qū)之間的寄生電容差和相應(yīng)的亮度不連續(xù)減至最小， 或者將其消除。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種液晶顯示器包括第一基板，其包括形 成在其上的多個像素電極，所述多個像素電極中的每個具有第 一部分和第 二部分；第二基板，其包括形成在其上的公共電極，其中該第二基板與該 第一基板間隔一間隙；形成在該公共電極中的至少一個切口 ，其中，該至 少 一 個切口與該第 一 和第二部分間的間隔對準(zhǔn)；以及用于傳輸數(shù)據(jù)電壓的多條數(shù)據(jù)線，其形成在該第一基板上，其中所述像素電極的每個的所述第 一和第二部分之間的所述間隔與所述數(shù)據(jù)線之一對準(zhǔn)。該第一部分和該第二部分彼此連接。該間隙可以包括構(gòu)造來容納液晶 分子的液晶層，且該至少 一個切口可以包括平行于該第 一部分的面對該第 二部分的一邊緣定位的第一邊和平行于該第二部分的面對該第一部分的一 邊緣定位的第二邊。該公共電極與像素電極之間產(chǎn)生的電場的用于導(dǎo)致液 晶分子傾斜方向變化的分量可以按以下方式中的至少一種定位垂直于該 切口的該第一邊；垂直于該切口的該第二邊；垂直于該第一部分的該邊緣； 以及垂直于該第二部分的該邊緣。該至少一個切口可以具有約9微米至約 12微米范圍內(nèi)的寬度。因該第一部分和該第二部分之間的電壓差產(chǎn)生的電場可以在該第一部 分和第二部分間產(chǎn)生，且該電場的方向可以是以下方向中的至少一種垂直于該至少一個切口的該第一邊；以及垂直于該至少一個切口的該第二邊。分和該第二部分中的一個上。該液晶顯示器還可以包括形成在該第 一基板上的至少 一個柵極電極， 以及形成在該第 一基板上的至少 一對晶體管，其中關(guān)于每個柵極電極對稱 設(shè)置有一對晶體管，以跨越該第一基板的多個曝光區(qū)，在該至少一個柵極 電極和該至少一對晶體管的漏極電極之間形成不變的寄生電容。 一對對稱 設(shè)置的晶體管可以包括一個柵極電極、 一個源4及電4及、兩個漏極電極、以 及一個半導(dǎo)體島。該第一和第二部分關(guān)于該數(shù)據(jù)線對稱設(shè)置，以跨越該第 一基板上的多個曝光區(qū)，在該第 一和第二部分以及該數(shù)據(jù)線之間形成不變 的寄生電容。該液晶顯示器還可以包括形成在該第 一基板上用于傳輸柵極信號的多 條柵極線、形成在該第 一基板上用于傳輸至少 一個預(yù)定電壓的多條存儲電 極線。該第 一 部分和該第二部分中的至少 一 個可以位于由該多條柵極線、 該多條存儲電極線和該多條數(shù)據(jù)線包圍的區(qū)域內(nèi)，且可以與該多條數(shù)據(jù)線 中的 一條交疊。該多條數(shù)據(jù)線可以與該多條柵極線和該多條存儲線交叉。 該多條數(shù)據(jù)線中的每一條數(shù)據(jù)線可以是彎曲的，且可以包括彼此相連形成V字形(chevron)的多對傾斜部分。所述傾斜部分的相背離的末端(opposite end) 可以與跨過柵極電極的各縱向部分連接。每對傾斜部分的長度可以是縱向 部分的長度的約1至約9倍。該多條柵極線、該多條存儲電極線和該多條 數(shù)據(jù)線中的至少一條可以包括斜側(cè)面(tapered side)，其中該斜側(cè)面的相對于 該第一基板的水平表面的傾斜角在約30度至約80度范圍內(nèi)。該多條柵極 線、該多條存儲電極線和該多條數(shù)據(jù)線中的至少一條包括一下部膜和一上 部膜，其中該上部膜包括鋁和鋁合金中的一種，且該下部膜包括鉻、鉬和 鉬合金中的一種。該液晶顯示器還可以包括形成在該第 一基板上的多個存儲電極、以及 形成在該第 一基板上的多個漏極電極，其中該多個漏極電極中的至少 一對 漏極電極與該多個存儲電極中的至少 一對存儲電極交疊。該第 一部分和該 第二部分可以分別連接至該多個漏極電極中的第 一 漏極電極和第二漏極電極，且該第一部分和該第二部分可以分別接收來自該第一漏極電極和該第 二漏極電極的數(shù)據(jù)電壓。該液晶顯示器還可以包括形成在該第一基板和該 第二基板中的一個上的多個濾色片，其中該多個濾色片中的兩個相鄰濾色 片彼此交疊該液晶顯示器還可以包括形成在該第 一基板上的柵極絕緣層、形成在 該柵極絕緣層上的多個半導(dǎo)體島、形成在所述半導(dǎo)體島上的多個歐姆接觸、 形成在所述歐姆接觸和柵極絕緣層中的至少 一個上用于傳輸數(shù)據(jù)電壓的多 條數(shù)據(jù)線、以及形成在所述歐姆接觸上的多個漏極電極，其中所述歐姆接 觸具有與所述數(shù)據(jù)線和所述漏極電極大致相同的平面形狀。所述數(shù)據(jù)線、 所述漏極電極、所述半導(dǎo)體島和所述歐姆接觸可以利用一道光刻工藝同時 形成。根據(jù)本發(fā)明 一 實施例的另 一種液晶顯示器包括包括形成在其上的第一電極和第二電極的第一基板，其中一間隔位于該第一和第二電極之間；包括形成在其上的第三電極的第二基板，其中該第二基板與該第 一基板何隔一間隙；以及形成在該第三電極中的至少一切口 ，其中該至少一切口包 括平行于該第一電極的面對該第二電極的一邊緣定位的第一邊和平行于該 第二電極的面對該第一電極的一邊緣定位的一第二邊；形成在該第一基板 上的多個存儲電極；以及形成在該第一基板上的多個漏極電極，其中該多 個漏極電極中的至少一對漏極電極交疊該多個存儲電極中的至少一對存儲 電極。


由以下結(jié)合附圖的說明本可以更詳細(xì)地理解發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的LCD的布局圖；圖2是圖1所示LCD沿線n-ir截取的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另 一實施例的LCD的布局圖；以及圖4是圖3所示LCD沿線IV-IV'截取的剖視圖。
具體實施方式
以下將參照附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，本發(fā)明可 以以不同的形式實施，且不應(yīng)當(dāng)限于此處提及的實施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明 一 實施例的LCD的布局圖，以及圖2是圖1所示LCD沿線n-ir截取的剖視圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明一實施例的LCD包括TFT陣列板100、公共 電極板200、以及置于板100與200之間且包含相對于板100和200的表面在垂直方向上排成行的多個LC分子310的LC層300。參見圖1和2，多條柵極線121和多條存儲電極線131形成在絕緣基板 110上。柵極線121彼此隔開，且大致在橫向上延伸。柵極線121傳輸柵極 信號，且每條柵極線121的多個突出部分形成多個柵極電極123。每條存儲電極線131大致在橫向上延伸，并包括形成多對存儲電極 133a和133b的多個突出部分。存儲電極133a和133b具有矩形(或菱形) 形狀，且位于柵極電極123附近。存儲電極線131被供以預(yù)定電壓，諸如 施加在LCD公共電極板200的公共電極270上的公共電壓。柵極線121和存儲電極線131可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括下 部膜(未示出)和上部膜(未示出)兩層具有不同物理性質(zhì)的膜。上部膜 優(yōu)選由具有低電阻率的金屬制成，例如諸如Al或Al合金的含鋁(A1)金屬， 用于減小柵極線121和存儲電極線131中的信號延遲或電壓降。下部膜優(yōu) 選由諸如鉻(Cr)、鉬(Mo)或Mo合金的材料制成，該材料對于諸如氧化銦錫 (ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其它材料具有良好的接觸性能。下部膜材料和上部 膜材料的優(yōu)選組合分別為Cr和鋁-釹(A1-Nd)合金。柵極線121和存儲電極線131的側(cè)面傾斜，且該側(cè)面相對于基板110 表面的傾角在約30度至約80度的范圍內(nèi)。優(yōu)選由氮化硅(SiNJ形成的柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲電 極線131上。優(yōu)選由氬化非晶硅(a-Si)或多晶硅(p-Si)形成的多個半導(dǎo)體島150形成 在柵極絕緣層140上。每個半導(dǎo)體島150位于柵極電極123的對面。優(yōu)選由硅化物或n型雜質(zhì)重度摻雜的n+氫化a-Si制成的多個歐姆接觸 島163、 165a和165b形成在半導(dǎo)體島150上。半導(dǎo)體島150和歐姆接觸163、 165a和165b的側(cè)面傾斜，且其相對于 基板110的傾角優(yōu)選在約30度至約80度之間的范圍內(nèi)。如圖1所示，用于傳輸數(shù)據(jù)電壓的多條數(shù)據(jù)線171大致在縱向方向上 延伸并與柵極線121和存儲電極線131交叉。每條數(shù)據(jù)線171反復(fù)彎曲， 并包括多對傾斜部分和多個縱向部分。 一對傾斜部分彼此連接形成V字形， 且該對傾斜部分的相對端連接至各縱向部分。數(shù)據(jù)線171的傾斜部分與柵 極線121形成約45度角，且縱向部分跨越柵極電極123。 一對傾斜部分的 長度為一縱向部分的長度的約1至約9倍，即占該對傾^F部分加該縱向部9分總長度的約50%至約90%。如圖2所示，該多條數(shù)據(jù)線171以及多對漏極電極175a和175b彼此 分開，且形成在歐姆接觸163、 165a和165b、以及柵極絕緣層140上。該對漏極電極175a和175b關(guān)于數(shù)據(jù)線171的縱向部分彼此對立。數(shù) 據(jù)線171的每個縱向部分包括多個突出部分，使得包括突出部分的縱向部 分形成部分圍繞漏極電極175a和175b的源極電極173。源極電極173形成 在歐姆接觸163上。漏極電極175a和175b分別形成在歐姆接觸165a和165b 上。歐姆接觸163、 165a和165b僅置于下面的半導(dǎo)體導(dǎo)150與上面的數(shù)據(jù) 線171和上面的源4及和漏才及電極173、 175a和175b之間，并減小下面和上 面組元間的接觸電阻。每個漏極電極175a或175b包括與存儲電極133a或 133b交疊的擴大部分。每組柵極電極123、源極電極173、 一對漏極電極175a和175b、以及 半導(dǎo)體島150形成了一對TFT。該對TFT包括形成在半導(dǎo)體島150內(nèi)分別 位于源極電極173與漏極電極175a和175b之間的溝道。與4冊極線121和存儲電極線131相似，&據(jù)線171和漏極電極175a和 175b也可以包括優(yōu)選由Mo、 Mo合金或Cr制成的下部膜(未示出)和位 于其上的優(yōu)選由含Al金屬制成的上部膜(未示出)。此外，數(shù)據(jù)線171和 漏極電極175a和175b還具有傾斜側(cè)面，其具有從約30度至約80度的傾角 范圍。鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175a和175b、以及半導(dǎo)體島 150未被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175a和175b覆蓋的暴露部分上。鈍化層180 優(yōu)選由平坦的光敏有機材料和通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)形 成的諸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電絕緣材料制成，或者由諸如氮化硅 和氧化硅的無機材料制成。鈍化層180可以具有包括下部無機膜和上部有 機膜的雙層結(jié)構(gòu)。鈍化層180具有分別露出漏極電極175a和175b和數(shù)據(jù)線171的端部 179的多個接觸孔185a、 185b和189。鈍化層180和柵極絕緣層140具有露 出柵極線121的端部125的多個接觸孔182。接觸孔182、 185a、 185b和189 可以具有各種形狀，例如多邊形或圓形。每個"f妻觸孔182或189的面積優(yōu) 選大于或等于0.5mm x 15pm,且不大于2mm x 60|im。接觸孔182、 185a、185b和189的側(cè)壁以約30度至約85度的角度傾斜，或者具有階梯狀外形。多對像素電極191a和191b以及優(yōu)選由ITO、 IZO或Cr制成的多個接 觸輔助部(contact assistant)192和199形成在4屯化層180上。每個像素電極191a或191b基本上位于由數(shù)據(jù)線171、柵極線121和存 儲電極線131圍繞的區(qū)域中，并形成V字形。 一對像素電極191a和191b 通過連接部193彼此連接，并形成一對子像素區(qū)(subpixel area)Pa和Pb。像素電極191 a和19 lb通過接觸孔185a和185b與漏極電極175a和175b 物理和電學(xué)地連接，使得像素電極191a和191b接收來自漏極電極175a和 175b的數(shù)據(jù)電壓。被供以數(shù)據(jù)電壓的像素電極191a和191b與公共電極270 配合產(chǎn)生電場，該電場使其間設(shè)置的液晶分子重新取向。像素電極191a或191b與公共電極形成稱為"液晶電容器"的電容器， 該電容器在TFT截止后存儲所施加的電壓。設(shè)置與該液晶電容器并聯(lián)的所 謂"存儲電容器"的附加電容器，以提高電壓存儲容量。存儲電容器通過 將像素電極191與存儲電極線131交疊來實現(xiàn)。通過在存儲電極線131處 設(shè)置形成存儲電極133a和133b的突出部分，延長與像素電極191a和191b 連接的漏極電極175a和175b，并在漏極電極175a和175b處設(shè)置與存儲電 極線131的存儲電極133a和133b交疊的擴大部分，存儲電容器的電容(即 存儲電容)得以增大。這些設(shè)計因素減小了端子間的距離，并增加了交疊 面積，導(dǎo)致存儲電容的增大。像素電極191a和191b還可以與數(shù)據(jù)線171 交疊以增大開口率。接觸輔助部192和199通過接觸孔182和189分別與柵極線121的暴 露端部125和數(shù)據(jù)線171的暴露端部179連接。接觸輔助部192和199不 是必須的，而是優(yōu)選的，以保護(hù)暴露部分125和179并補充暴露部分125 和179與外部器件的粘附力。配向?qū)?alignment layer)ll形成在像素電極191a和191b、接觸輔助部 192和199、以及鈍化層180上。對于公共電極板200,用于防止光泄漏的黑矩陣(black matrix)220形成 在諸如透明玻璃的絕緣基板210上。黑矩陣220包括面向像素電極191a和 191b并基本上具有與像素電極191a和191b相同形狀的多個開口。多個紅、綠和蘭濾色片230以其主要部分形成在黑矩陣220的開口內(nèi)，且覆蓋層(overcoat)250形成在濾色片230上。優(yōu)選由諸如ITO和IZO的透明導(dǎo)電材料制成的公共電極270形成在覆 蓋層250上。公共電極270具有多個切口 271和272。每個切口 271與一對 像素電極191 a和191 b之間的間隙對準(zhǔn)，且具有與該對像素電極191 a和191 b 的兩對立邊平行的兩條主邊。如圖所示，切口 271可以與^f象素電極191a和 191b的邊交疊。設(shè)置切口 271來控制LC層300中LC分子的傾斜方向，并 優(yōu)選具有約9微米至約12微米范圍內(nèi)的寬度。切口 271的端部可以具有各 種形狀。切口 272與數(shù)據(jù)線171對準(zhǔn)，并設(shè)置為用于減小數(shù)據(jù)線171中流 動的數(shù)據(jù)電壓的延遲。該延遲因通過公共電極270與數(shù)據(jù)線171的交疊所 形成的寄生電容而產(chǎn)生。切口 272還用于控制LC層300的LC分子的傾斜 方向。同質(zhì)(homogeneous)或同型(homeotropic)的配向?qū)?2 4隻蓋在7>共電才及 270上。一對偏振片(未示出)設(shè)置在板100和200的外表面上，使得它們的 透光軸(transmissiveaxis)交叉，且透光軸中的一個平行于4冊極線121。該LCD還可以包括用于補償LC層300的遲滯的至少一層遲滯膜(例 如產(chǎn)生諸如偏振光的全波、半波或四分之一波相位變化的光學(xué)元件)。LC層300中的LC分子排成行，使得它們的長軸垂直于板100和200 的表面。液晶層300具有負(fù)的介電各向異性。在施加公共電壓至公共電極270上且施加lt據(jù)電壓至像素電極191 a和 191b上時，產(chǎn)生基本上垂直于板100和200的表面的主電場。LC分子響應(yīng) 該電場而趨于改變它們的取向，使得它們的長軸垂直于該電場方向。公共電才及270的切口 271和^象素電4及191a和191b的邊^(qū)"u亂了該主電 場，使之具有確定LC分子的傾斜方向的水平分量。主電場的水平分量采用 了四個不同的取向，從而在LC層300中形成了具有不同LC分子傾斜方向 的四個疇。該水平分量垂直于切口 271的第一和第二邊，垂直于像素電極 191a的邊，且垂直于像素電極191b的邊。因此，具有不同傾斜方向的四個 疇在LC層300中形成。切口 271可以以形成在/>共電才及270上的多個凸起 代替，因為LC分子的傾斜方向也可以通過多個凸起(未示出)控制。由于像素電極191a和191b之間的電壓差導(dǎo)致的次電場的方向垂直于 切口 271的每個邊。因此，次電場的電場方向與主電場的水平分量一致。 因此，像素電極191a與191b之間的次電場提高了 LC分子的傾斜方向。由于LCD進(jìn)行反轉(zhuǎn)(即將所施加的電壓的極性顛倒)，諸如點反轉(zhuǎn)、 列反轉(zhuǎn)等等，所以提高LC分子的傾斜方向的次電場通過向鄰近的像素電極 提供具有與公共電壓相反極性的數(shù)據(jù)電壓來獲得。結(jié)果，相鄰的像素電極 之間產(chǎn)生的次電場的方向等同于公共電極和像素電極之間產(chǎn)生的主電場的 水平分量。于是，相鄰的像素電極之間的次電場可以產(chǎn)生，從而提高疇的 穩(wěn)定性。所有疇的傾斜方向相對于柵極線121形成了約45度的角度，且柵極線 121平行于或垂直于板100和200的邊。由于傾斜方向與偏振片的透光軸的 45度交叉導(dǎo)致最大的透射率，所以可以配附偏振片使得偏振片的透光軸平 行于或垂直于板100和200的邊，從而降低制造成本。參見圖1和2,該對TFT和該對l象素電才及191a和191b分別關(guān)于4冊才及 電極123和數(shù)據(jù)線171的對稱定位在數(shù)據(jù)線171與像素電極191a、 191b之 間，且在柵極電極123與漏極電極175a、 175b之間形成了恒定的寄生電容。 結(jié)果，曝光區(qū)間的亮度差降低。應(yīng)當(dāng)注意，數(shù)據(jù)線171因其彎曲結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的增大電阻可以通過擴寬數(shù) 據(jù)線171來彌補。此外，因數(shù)據(jù)線171寬度增大導(dǎo)致的電場變形和寄生電 容增大又可通過增大像素電極191a和191b的尺寸并通過適應(yīng)厚的有機鈍 化層來補償。在制造圖1和2所示的TFT陣列板的方法中，包括多個柵極電極123 的多條柵極線121和包括多個存儲電極133a和133b的多條存儲電極線131 形成在諸如透明玻璃的絕緣基板110上。如果柵極線121和存儲電極線131具有包括下部導(dǎo)電膜和上部導(dǎo)電膜 的雙層結(jié)構(gòu)，則下部導(dǎo)電膜優(yōu)選由諸如Cr或Mo合金的具有良好物理和化 學(xué)特性的材料制成，且上部導(dǎo)電膜優(yōu)選由A1或含A1金屬制造。在順序沉積厚度約1，500至約5,000A的柵極絕緣層140、厚度約500 至約2,000A的本征a-Si層、以及厚度約300至約600A的非本征a-Si層后， 進(jìn)行光刻從而在柵極絕緣層140上形成多個非本征半導(dǎo)體島和多個本征半 導(dǎo)體島150。其后，形成包括多個源極電極173的多條數(shù)據(jù)線171和多個漏極電極 175a和175b。其后，去除非本征半導(dǎo)體島未被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175a和175b覆蓋的部分，從而完成多個歐姆接觸島163和165，并暴露部分本征半導(dǎo)體 島150。其后優(yōu)選進(jìn)行氧等離子體處理，以穩(wěn)定半導(dǎo)體島150的暴露表面。鈍化層180由諸如丙烯基材料的光敏有機絕緣材料形成，并沉積在當(dāng) 前結(jié)構(gòu)上。在沉積鈍化層180后，構(gòu)圖鈍化層180和柵極絕緣層140,從而 形成分別露出柵極線121端部125、漏極電極175a和175b、以及數(shù)據(jù)線171 端部179的多個接觸孔182、 185a、 185b和189。最后，通過濺鍍和光刻厚度約400至約500A的IZO或ITO層，在鈍 化層180上形成多個4象素電極191a和191b、以及多個沖妻觸輔助部192和 199。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另 一實施例的LCD的布局圖，圖4是圖3所示LCD 沿線IV-IV'截取的剖視圖。如圖3和4所示，根據(jù)此實施例的LCD的TFT陣列板的層結(jié)構(gòu)包括一 些與圖1和2所示的相同的元件。在圖3和4所示的構(gòu)造中，包括多個柵 極電極123的多條柵極線121和包括多個存儲電極133a和133b的多條存儲 電才及線131形成在基板IIO上。柵極絕緣層140、多個半導(dǎo)體條152、以及 多個歐姆接觸條和島163和165順序形成在包括柵才及線121、柵極電極123、 存儲電極線131和存儲電極133a、 133b的基板110上。包括多個源極電極 173的多條數(shù)據(jù)線171和多個漏極電極175a和175b形成在歐姆接觸163和 165上，且鈍化層180和配向?qū)?1順序形成在其上。多個接觸孔182、 185a、 185b和189設(shè)置在鈍化層180和/或柵極絕緣層140中，且多個像素電極191a 和191b以及多個接觸輔助部192和199形成在鈍化層180上。根據(jù)圖4所示實施例的LCD的公共電極板的層結(jié)構(gòu)包括一些與圖1和 2中所示的相同的元件。例如，在絕緣基板210上順序形成黑矩陣220、覆 蓋層250、 7>共電極270以及配向?qū)?1。與圖1和2中示出的TFT陣列板不同，根據(jù)圖3和4中示出的實施例 的TFT陣列板沿數(shù)據(jù)線171延伸半導(dǎo)體條152和歐姆接觸163。此外，半 導(dǎo)體條152具有與數(shù)據(jù)線171和漏極電極175a和175b以及下面的歐姆接觸 163和165基本相同的平面形狀，除了 TFT的溝道部分外。此外，與圖1和2的LCD不同，在鈍化層180下方相對于像素電極191a 和191b形成多個紅、綠和蘭濾色片R、 G和B，且在上^反200上沒有濾色 片。此外，接觸孔185a和185b穿過濾色片R、 G和B。濾色片R、 G和B中兩個相鄰的濾色片可以彼此交疊，以促進(jìn)防止光泄漏。根據(jù)本發(fā)明一實施例的TFT陣列板的制造方法利用一道光刻工藝同時 形成數(shù)據(jù)線171、漏極電極175a和175b、半導(dǎo)體條152和歐姆接觸163和 165。用于光刻工藝的光致抗蝕劑圖形具有取決于位置的厚度，且其尤其具 有位于TFT溝道上的較小厚度部分。因此，可以省去額外的光刻工序，從 而簡化制造工藝。雖然此處已經(jīng)參照

了示例性實施例，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本 發(fā)明并不限于這些特定實施例，且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的范圍 和精神的情況下可對其作各種變化和更改。所有這樣的變化和更改被確定 為包括在所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括第一基板，包括形成在其上的第一電極和第二電極；第二基板，包括形成在其上的第三電極，其中該第二基板與該第一基板間隔一間隙；至少一個柵極電極，形成在該第一基板上；以及至少兩個晶體管，形成在該第一基板上且關(guān)于所述至少一個柵極電極對稱設(shè)置。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該第一電極是第一像素電極， 該第二電極是第二像素電極，該第三電極是公共電極。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中一對所述對稱設(shè)置的晶體管 包才舌所述至少一個柵4及電4及、至少一個源纟及電4及、至少兩個漏極電+及和至 少一個半導(dǎo)體島。
4. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括形成在該第一基板上用于 傳輸數(shù)據(jù)電壓的多條數(shù)據(jù)線，其中該第 一和第二電極關(guān)于所述多條數(shù)據(jù)線 中的至少 一條數(shù)據(jù)線對稱設(shè)置。
5. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括形成在該第三電極中的至 少一個切口 ，其中所述至少一個切口包括與所述第一電才及的邊緣平行地排 列的第 一邊緣和與所述第二電極的邊緣平行地排列的第二邊緣。
6. 如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中所述至少一個切口與所述第 一和第二電極之間的間隔對準(zhǔn)。
7. 如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中所述第三電極與所述第一和 第二電極之間產(chǎn)生的電場的用于使液晶分子的傾斜方向變化的分量按以下 方式中的至少一種排列垂直于所述切口的所述第一邊緣，垂直于所述切 口的所述第二邊緣，垂直于所述第一電極的所述邊緣、垂直于所述第二電 才及的所述邊纟彖。
8. 如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中所述至少一個切口具有在約 9微米至約12微米范圍內(nèi)的寬度。
9. 如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中電場產(chǎn)生在所述第一和第二 電極之間，該電場的方向是以下方向中的至少一種垂直于所述至少一個切口的所述第一邊緣，垂直于所述至少一個切口的所述第二邊緣。
10. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括 多條數(shù)據(jù)線，形成在所述第一基板上用于傳輸數(shù)據(jù)電壓；以及 至少一個切口，形成在該第三電極中，其中所述至少一個切口與至少一條數(shù)據(jù)線對準(zhǔn)。
11. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中相對于施加到所述第三電極 的電壓具有相反極性的電壓施加到所述第一電極和所述第二電極之一，電 場產(chǎn)生在所述第一電極和所述第二電極之間。
12. 如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中由于該第一電極和該第二 電極之間的電壓差而產(chǎn)生該電場。
13. —種液晶顯示器，包括第一基板，包括形成在其上的第一像素電極和第二像素電極；以及 第二基板，包括形成在其上的公共電極，其中該第二基板與該第一基 板間隔一間隙，相對于施加到所述公共電極的電壓具有相反極性的電壓施 加到所述第 一像素電極和所述第二像素電極之一以在所述第 一像素電極和 所述第二像素電極之間產(chǎn)生電場，該電場具有與所述公共電極與所述第一 和第二像素電極之間產(chǎn)生的電場的分量一致的方向。
14. 一種液晶顯示器，包括第一基板，包括形成在其上的第一電極和第二電極；第二基板，包括形成在其上的第三電極，其中該第二基板與該第一基々反間隔一間隙；以及多條數(shù)據(jù)線，形成在該第一基板上用于傳輸數(shù)據(jù)電壓，其中該第一和第二電極關(guān)于所述多條數(shù)據(jù)線中的至少 一條數(shù)據(jù)線對稱設(shè)置。
15. —種液晶顯示器，包括第一基板，包括形成在其上的第一電極和第二電極，其中一間隔位于 該第一和第二電極之間；第二基板，包括形成在其上的第三電極，其中該第二基板與該第一基 才反間隔一間隙；形成在該第三電極中的至少一個切口 ，其中該至少一個切口包括平行 于該第一電極的面對該第二電極的一邊緣排列的第一邊和平行于該第二電 極的面對該第 一 電極的 一 邊緣排列的第二邊；形成在該第一基板上的多個存儲電極；以及形成在該第 一基板的多個漏極電極，其中該多個漏極電極中的至少一 對漏極電極交疊該多個存儲電極中的至少 一對存儲電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板，該液晶顯示器包括第一基板，其包括形成在其上的第一電極和第二電極；第二基板，其包括形成在其上的第三電極，其中該第二基板與該第一基板間隔一間隙；以及形成在該第三電極上的至少一個切口，其中該至少一個切口與該第一和第二電極間的間隔對準(zhǔn)。
文檔編號G02F1/136GK101329482SQ20081014487
公開日2008年12月24日 申請日期2004年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月20日
發(fā)明者金東奎, 金相洙 申請人:三星電子株式會社