專利名稱：用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列板的制造方法。
背景技術(shù)：
目前，液晶顯示器(“LCD”)是應(yīng)用最廣泛的平板顯示器之一。LCD包括兩塊具有電極的面板和插入其中的液晶層，其通過向電極施加電壓在液晶層中重新排列液晶分子控制透過液晶層的光的透射率。在這些LCDs中，應(yīng)用最普遍的一種是在每個(gè)面板上設(shè)置至少一個(gè)電極，并且包括切換向電極施加的電壓的薄膜晶體管(“TFTs”)。
通常，除了TFTs以外，具有TFTs的面板(“TFT陣列板)包括信號(hào)線，該信號(hào)線包括傳遞掃描信號(hào)的柵極布線(gate line)、傳遞圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)布線(data line)、從外部設(shè)備向柵極布線傳遞掃描信號(hào)的柵極焊盤、以及從外部設(shè)備向數(shù)據(jù)布線傳遞圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)焊盤。TFT陣列板還包括電連接到TFTs并定位在由柵極布線和數(shù)據(jù)布線交叉所限定的相應(yīng)像素區(qū)域中的像素電極。
在反射型LCD或半透射半反射型(transflective)LCD中，像素電極由如銦錫氧化物(“ITO”)之類的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成并且與信號(hào)線重疊，從而確保像素的孔徑比。另外，由具有低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣材料構(gòu)成的絕緣層形成在信號(hào)線和像素電極之間，從而將通過它們傳遞的信號(hào)干擾減至最小。
此外，半透射半反射型LCD的像素電極是用如Al或Ag、以及ITO的反射型導(dǎo)電材料構(gòu)成的，并且形成用來增加像素電極反射比率的凸起。反射薄膜的凸起是通過在像素電極下設(shè)置具有不平的有機(jī)絕緣層而形成的。
但是，當(dāng)在由有機(jī)絕緣材料所構(gòu)成的絕緣層上形成ITO薄膜時(shí)，有機(jī)絕緣層和ITO薄膜之間的粘附性變差。為了解決此問題，通過在沉積ITO薄膜之前進(jìn)行等離子體處理來增加有機(jī)絕緣層表面的粗糙度。
但是，由于在等離子體處理過程中有機(jī)材料在接觸處被重新沉積在所述導(dǎo)線(wire)上，所以增加了被連接在像素電極上的暴露的導(dǎo)線在接觸處的接觸電阻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT陣列板及其制造方法，該陣列板在ITO薄膜和有機(jī)絕緣薄膜之間具有良好的粘附性，并可減少ITO薄膜通過接觸與導(dǎo)線電連接時(shí)在接觸處的接觸電阻。
為了解決上述問題，本發(fā)明在有機(jī)絕緣層下面形成保護(hù)層且保護(hù)層被保留在導(dǎo)線上的情況下，在沉積ITO薄膜之前通過等離子體工藝對(duì)有機(jī)絕緣層表面進(jìn)行處理。
詳細(xì)地講，在本發(fā)明的制造薄膜晶體管陣列板的方法中，形成包括柵極布線和連接到柵極布線的柵電極的柵極線(gate wire)；沉積柵極絕緣層；形成半導(dǎo)體層；并形成包括和柵極布線相交的數(shù)據(jù)布線以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)布線、連接到數(shù)據(jù)布線并設(shè)置在靠近柵電極的源電極、以及相對(duì)于柵電極與源電極相對(duì)設(shè)置的漏極的數(shù)據(jù)線(data wire)。接著，沉積保護(hù)層，然后通過將有機(jī)絕緣材料旋轉(zhuǎn)涂覆在該保護(hù)層上形成有機(jī)絕緣層；對(duì)有機(jī)絕緣層構(gòu)圖，從而形成暴露保護(hù)層并與漏極相對(duì)的第一接觸孔；用惰性氣體通過等離子體工藝對(duì)有機(jī)絕緣層表面進(jìn)行處理。同樣，對(duì)保護(hù)層構(gòu)圖，從而形成暴露漏極并定位在第一接觸孔內(nèi)的第二接觸孔；并形成通過第一和第二接觸孔電連接到漏極的像素電極。
像素電極可包括透明導(dǎo)電電極或反射導(dǎo)電薄膜。當(dāng)像素電極具有反射薄膜時(shí)，有機(jī)絕緣層的表面優(yōu)選具有不平的圖形。該反射薄膜在像素區(qū)域中具有小孔。
所述半導(dǎo)體層可包括非晶硅或多晶硅。保護(hù)層可包括SiNx或SiOx。優(yōu)選，在形成第一接觸孔之后，利用光致抗蝕劑圖形通過光蝕刻形成第二接觸孔。
優(yōu)選柵極線還包括連接到柵極布線的一端的柵極焊盤，數(shù)據(jù)線還包括連接到數(shù)據(jù)布線的一端的數(shù)據(jù)焊盤，保護(hù)層或柵極絕緣層具有暴露所述柵極焊盤或數(shù)據(jù)焊盤的第三接觸孔。優(yōu)選薄膜晶體管陣列板還包括通過第三接觸孔與柵極焊盤或數(shù)據(jù)焊盤電連接并基本上處于和像素電極相同層的輔助焊盤。
數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體層兩者都可由利用具有與位置有關(guān)的厚度的光致抗蝕劑圖形通過光蝕刻步驟而形成。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半透射半反射型LCD的TFT陣列板的布局圖；圖2是沿圖1中線II-II’剖切的剖視圖；圖3A、4A、5A、6A、8A和9A是本發(fā)明一實(shí)施方式的制造方法的中間步驟中半透射半反射型LCD的TFT陣列板的布局圖；圖3B是沿圖3A中線IIIB-IIIB’剖切的TFT陣列板的剖視圖；圖4B是沿圖4A中線IV-IV’剖切的TFT陣列板的剖視圖，該圖示出的步驟緊接著圖3B中所示的步驟；圖5B是沿圖5A中線VB-VB’剖切的TFT陣列板的剖視圖，該圖示出的步驟緊接著圖4B中所示的步驟；圖6B是沿圖6A中線VIB-VIB’剖切的TFT陣列板的剖視圖，該圖示出的步驟緊接著圖5B中所示的步驟；圖7是沿圖6A中線VIB-VIB’剖切的TFT陣列板的剖視圖，該圖示出的步驟緊接著圖6B中所示的步驟；圖8B是沿圖8A中線VIIIB-VIIIB’剖切的TFT陣列板的剖視圖，該圖示出的步驟緊接著圖7中所示的步驟；圖9B是沿圖9A中線IXB-IXB’剖切的TFT陣列板的剖視圖，該圖示出的步驟緊接著圖8B中所示的步驟；圖10是本發(fā)明第二實(shí)施方式的反射型LCD的TFT陣列板布局圖；圖11是沿圖10中線XI-XI'剖切的TFT陣列板的剖視圖；圖12是本發(fā)明第三實(shí)施方式的LCD的TFT陣列板的布局圖；圖13和圖14分別是沿圖12中線XIII-XIII’和線XIV-XIV’剖切的TFT陣列板的剖視圖；圖15A是本發(fā)明第三實(shí)施方式的制造方法的第一步驟中的TFT陣列板的布局圖；圖15B和圖15C分別是沿圖15A中線XVB-XVB’和線XVC-XVC’剖切的TFT陣列板的剖視圖；圖16A和圖16B分別是沿圖15A中線XVB-XVB’和線XVC-XVC’剖切的TFT陣列板的剖視圖，它們示出的步驟緊接著圖15B和圖15C所示的步驟；圖17A是緊接圖16A和圖16B所示步驟的步驟中的TFT陣列板的布局圖；圖17B和圖17C分別是圖17A中沿線XVIIB-XVIIB’和線XVIIC-XVIIC’剖切的TFT陣列板的剖視圖；圖18A、19A和20A以及圖18B、19B和20B分別是沿圖17A中線XVIIB-XVIIB’和線XVIIC-XVIIC’剖切的TFT陣列板的剖視圖，它們示出的步驟緊接圖17B和圖17C所示的步驟；圖21A是緊接圖20A和圖20B所示步驟的步驟中的TFT陣列板的布局圖；圖21B和21C分別是沿圖21A中線XXIB-XXIB’和線XXIC-XXIC’剖切的TFT陣列板的剖視圖；圖22A是緊接圖21B和圖21C所示步驟的步驟中的TFT陣列板的布局圖；圖22B和圖22C分別是沿圖22A中線XXIIB-XXIIB’和線XXIIC-XXIIC’剖切的TFT陣列板的剖視圖，它們分別示出的步驟緊接圖21B和圖21C所示的步驟。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，參照附圖對(duì)本發(fā)明的TFT陣列板及其制造方法進(jìn)行說明，通過說明本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
首先，參照附圖1和2對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施方式的半透射半反射型LCD進(jìn)行說明。
圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半透射半反射型LCD的TFT陣列板的布局圖；圖2是沿圖1中線II-II’剖切的TFT陣列板的剖視圖。
在絕緣基底10上形成柵極線。柵極線包括優(yōu)選由具有低電阻率的銀、銀合金、鋁和鋁合金構(gòu)成的單層，或包括所述單層的多層。柵極線包括多條基本上沿橫向延伸的柵極布線22、連接到柵極布線22的一端用于接收來自外部設(shè)備的柵極信號(hào)和將柵極信號(hào)傳送到柵極布線22的多個(gè)柵極焊盤24、以及多個(gè)連接到柵極布線22的TFTs的柵電極26。所述柵極線可以與之后形成的像素電極82和86重疊，從而形成儲(chǔ)存電容器，或者可以包括施加有如來自外部電源的公用電極電壓(該電壓施加到上面板的公用電極上，并在下文稱為“公用電壓”)的預(yù)設(shè)電壓的多個(gè)存儲(chǔ)電極，致使存儲(chǔ)電極重疊像素電極82和86(這一點(diǎn)將在后面說明)，以形成用來改善像素的電荷儲(chǔ)存能力的儲(chǔ)存電容器。
柵極線22、24和26由柵極絕緣層30覆蓋，該絕緣層優(yōu)選由形成在基底10上的SiNx構(gòu)成。
在與柵電極24相對(duì)的柵極絕緣層30上形成優(yōu)選由非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體圖形40，在半導(dǎo)體圖形40上形成優(yōu)選由硅化物或用n型雜質(zhì)重?fù)诫s的n+氫化非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層圖形55和56。
在歐姆接觸層圖形55和56以及柵極絕緣層30上形成數(shù)據(jù)線。所述數(shù)據(jù)線包括優(yōu)選由如Al和Ag之類的具有低電阻系數(shù)的導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電層。所述數(shù)據(jù)線包括基本上以縱向延伸并與柵極布線22相交以限定像素區(qū)域的多條數(shù)據(jù)布線62、連接到數(shù)據(jù)布線62并延伸到歐姆接觸層圖形的一部分55的多個(gè)源電極65、連接到數(shù)據(jù)布線62的一端用于接收來自于外部設(shè)備的圖像信號(hào)的多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤68、以及與源電極65分開并位于歐姆接觸層圖形的另一部分56上相對(duì)于柵電極26與源電極65相對(duì)的多個(gè)漏極66。
在數(shù)據(jù)線62、65、66和68上以及未被數(shù)據(jù)線62、65、66和68覆蓋的半導(dǎo)體圖形40的部分上形成優(yōu)選由SiNx構(gòu)成的保護(hù)層70，并在保護(hù)層70上形成有機(jī)絕緣層90。有機(jī)絕緣層90優(yōu)選由具有良好的平面性的光敏有機(jī)材料構(gòu)成。有機(jī)層90的頂表面具有平滑圖形，以使反射薄膜86的反射效率最大，這一點(diǎn)將在后面說明。在具有柵極焊盤24和數(shù)據(jù)焊盤68的焊盤區(qū)域，除去有機(jī)絕緣層90，而仍舊保留保護(hù)層70。這種結(jié)構(gòu)在焊盤區(qū)域上去除了有機(jī)絕緣材料，因而有利于應(yīng)用到玻璃(“COG”)型LCD上的芯片上，在這類LCD中分別用于向柵極焊盤24和數(shù)據(jù)焊盤68傳送掃描信號(hào)和圖像信號(hào)的多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(“ICs”)和多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)ICs被直接安裝在TFT陣列板上。
在保護(hù)層70處設(shè)置分別暴露漏極66和數(shù)據(jù)焊盤68的多個(gè)接觸孔76和78，并且在柵極絕緣層30和有機(jī)絕緣層90上設(shè)置暴露柵極焊盤24的多個(gè)接觸孔74。有機(jī)絕緣層90具有暴露漏極66的多個(gè)接觸孔96、暴露漏極66的保護(hù)層70的接觸孔76的邊界、以及保護(hù)層70的平面表面。
在有機(jī)絕緣層90上形成多個(gè)透明電極82。透明電極82被基本定位在像素區(qū)域中，并且通過接觸孔76和96電連接到漏極66。具有小孔85的反射薄膜86形成在每個(gè)透明電極82上。在像素區(qū)域P中，由小孔85所限定的區(qū)域T被稱為傳送區(qū)域，而其余區(qū)域R被稱為反射區(qū)域。透明電極82優(yōu)選由如銦鋅氧化物(“IZO”)和銦錫氧化物(“ITO”)之類的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，而反射薄膜86優(yōu)選由具有反射能力的鋁、鋁合金、銀和銀合金所構(gòu)成。每個(gè)反射薄膜86優(yōu)選包括設(shè)置在具有透明電極82的接觸表面上的接觸輔助層，以確保反射薄膜86和透明電極82之間良好的接觸性能，優(yōu)選接觸輔助層由鉬、鉬合金、鉻、鈦或鉭構(gòu)成。
另外，在保護(hù)層70上形成多個(gè)輔助柵極焊盤84和多個(gè)輔助數(shù)據(jù)焊盤88。輔助柵極焊盤84和輔助數(shù)據(jù)焊盤88分別通過接觸孔74和78被連接到柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤24和68。盡管輔助柵極焊盤84和輔助數(shù)據(jù)焊盤88不是必需的，但它們有利于對(duì)柵極焊盤24和數(shù)據(jù)焊盤68的保護(hù)。輔助柵極焊盤84和輔助數(shù)據(jù)焊盤88優(yōu)選或由與透明電極82相同的層或由與反射薄膜86相同的層構(gòu)成。
下文結(jié)合附圖3A至8B以及圖1和圖2對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施方式的半透射半反射型LCD的TFT陣列板的制造方法進(jìn)行說明。
如圖3A和3B所示，在玻璃基底10上沉積具有低電阻率的導(dǎo)電材料，并且利用掩模通過光蝕刻構(gòu)圖，從而形成基本上以橫向延伸并包括多條柵極布線22、多個(gè)柵電極26以及多個(gè)柵極焊盤24的柵極線。
接下來，如圖4A和圖4B所示，在順序沉積包括由SiNx構(gòu)成的柵極絕緣層30、由非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層40、摻雜非晶硅層50這三層之后，利用掩模通過光蝕刻對(duì)摻雜非晶硅層50以及半導(dǎo)體層40構(gòu)圖，從而在與柵電極24相對(duì)的柵極絕緣層30上形成半導(dǎo)體圖形40和摻雜非晶硅層圖形50。此時(shí)，可沿下文將描述的數(shù)據(jù)布線62形成半導(dǎo)體圖形40。
隨后，如圖5A和圖5B所示，沉積用于數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電層，并利用掩模通過光刻對(duì)其構(gòu)圖，從而形成包括與柵極布線22相交的多條數(shù)據(jù)布線65、連接到數(shù)據(jù)布線65并在柵電極26上延伸的多個(gè)源電極65、連接到數(shù)據(jù)布線62一端的多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤68、以及與源電極65分開并相應(yīng)于柵電極26與源電極65相對(duì)的多個(gè)漏極66的數(shù)據(jù)線。
其后，對(duì)沒有被數(shù)據(jù)線62、65、66和68覆蓋的摻雜非晶硅圖形50部分進(jìn)行蝕刻，從而使摻雜非晶硅層圖形50分成兩個(gè)相對(duì)于柵電極26彼此相對(duì)的部分55和56，以暴露處于摻雜非晶硅層圖形兩部分55和56之間的半導(dǎo)體圖形40的部分。為使半導(dǎo)體圖形40的暴露表面穩(wěn)定，優(yōu)選進(jìn)行氧等離子體處理。
如圖6A和6B所示，通過CVD沉積SiNx形成保護(hù)層70，在保護(hù)層70上覆蓋具有良好平面性能的光敏有機(jī)材料，從而在形成保護(hù)層70的圖形之前形成有機(jī)絕緣層90。因此，在形成保護(hù)層70的圖形之前，有機(jī)絕緣層90的旋轉(zhuǎn)涂覆可防止有機(jī)材料在特定區(qū)域上的局部分布，這是由于在旋轉(zhuǎn)涂覆過程中因?yàn)楸Ｗo(hù)層70而沒有高度差所致。此后，利用掩模通過光刻對(duì)有機(jī)絕緣層90構(gòu)圖，從而形成多個(gè)暴露與漏極66相對(duì)的保護(hù)層70的部分的接觸孔96，并且同時(shí)在有機(jī)絕緣層90的表面上形成不平的圖形。另外，去除處于設(shè)置有柵極焊盤24和數(shù)據(jù)焊盤68的焊盤區(qū)域上的有機(jī)絕緣層90的部分，以暴露保護(hù)層70。
隨后，如圖7所示，用氬氣進(jìn)行等離子體處理，從而在對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖之前增加有機(jī)絕緣層90的表面粗糙度。這里，氬氣可以用如氮、氦、氖、氪和氙等惰性氣體代替。通過等離子體處理增加了有機(jī)絕緣層90的表面粗糙度，因而可改善ITO薄膜82的粘附性，這將在下文進(jìn)行說明。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，由于在對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖之前進(jìn)行等離子體處理，之后在接觸處暴露的柵極布線或數(shù)據(jù)布線不會(huì)受到損傷。
之后，如圖8A和8B所示，利用光致抗蝕劑圖形1000通過光蝕刻對(duì)保護(hù)層70和柵極絕緣層30構(gòu)圖，從而分別形成多個(gè)暴露柵極焊盤24、漏極66、以及數(shù)據(jù)焊盤68的接觸孔74、76和78。暴露漏極66的保護(hù)層70的接觸孔76被設(shè)置在有機(jī)絕緣層90的接觸孔96內(nèi)，從而使保護(hù)層70的邊界及平表面暴露出來，因此，該接觸結(jié)構(gòu)具有無基蝕的階梯形狀。優(yōu)選接觸結(jié)構(gòu)處的保護(hù)層70的暴露表面寬度是0.1微米或更寬。
當(dāng)數(shù)據(jù)線62、65、66和68或柵極線22、24和26具有多層并且數(shù)據(jù)線62、65、66和68或柵極線22、24和26的頂層由鋁或鋁合金形成時(shí)，除去該頂層，從而可防止鋁或鋁合金的頂層與隨后在接觸處將形成的ITO薄膜接觸。
下面，如圖9A和圖9B所示，沉積ITO并利用掩模對(duì)其構(gòu)圖，從而形成多個(gè)通過接觸孔76和96連接到漏極66的透明電極82、多個(gè)通過接觸孔74連接到柵極焊盤24的輔助柵極焊盤84、以及多個(gè)通過接觸孔78連接到數(shù)據(jù)焊盤68的輔助數(shù)據(jù)焊盤88。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的TFT陣列板的制造方法，通過在接觸處的保護(hù)層70被去除之前進(jìn)行等離子體處理可防止所述導(dǎo)線在接觸處被損壞。另外，通過執(zhí)行在用光蝕刻對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖之前對(duì)有機(jī)絕緣層90進(jìn)行表面處理的等離子體工藝，可使保留在接觸孔76、96、74和78內(nèi)的有機(jī)絕緣材料完全去除，從而在保護(hù)層70處形成接觸孔74、76和78。因此，使接觸處的接觸電阻最小，并且在等離子體處理過程中可能殘留下來的惰性氣體也被完全去除。
最后，如圖1和圖2所示，沉積包括具有反射能力的Ag或Al的反射性導(dǎo)電材料，并利用掩模通過光蝕刻對(duì)其構(gòu)圖，從而在相應(yīng)的透明電極82上形成多個(gè)反射薄膜86。此時(shí)，每個(gè)反射薄膜優(yōu)選包括由具有和其它材料有良好接觸性能的材料構(gòu)成的接觸輔助層，以改善與透明電極82的接觸性能。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，在對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖之前旋轉(zhuǎn)涂覆有機(jī)絕緣層90，可防止有機(jī)材料在特定區(qū)域上的局部分布，這是因?yàn)樵谛D(zhuǎn)涂覆過程中因保護(hù)層70而沒有高度差所致，因此可以在有機(jī)絕緣層90上獲得一致的不平的圖形。結(jié)果，在有機(jī)絕緣層90的不平的圖形之后形成一致的反射薄膜86的凸起，這可防止顯示圖形屏幕出現(xiàn)瑕疵。
因?yàn)樵谟袡C(jī)絕緣層90的形成過程中將有機(jī)絕緣材料從焊盤區(qū)域除去之后對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖，本發(fā)明此實(shí)施方式的TFT陣列板制造方法完全可防止有機(jī)絕緣材料余留在焊盤區(qū)域上。因此，用這種方法制造的TFT陣列板特別有利地適用于COG型LCD，在這種LCD中，用于分別向柵極焊盤24和數(shù)據(jù)焊盤68傳送掃描信號(hào)和圖像信號(hào)的多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)ICs和多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)ICs被直接安裝在TFT陣列板上。
同時(shí)，本發(fā)明第一實(shí)施方式的制造方法可適用于制造用于反射型LCD的TFT陣列板的方法。
下面將結(jié)合附圖10和11對(duì)本發(fā)明第二實(shí)施方式的用于反射型LCD的TFT陣列板進(jìn)行說明。
如圖10和11所示，該結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)幾乎相同。
但是，與第一實(shí)施方式不同的是，多個(gè)反射薄膜86被直接設(shè)置在有機(jī)絕緣層90上，并且通過多個(gè)接觸孔76和96與多個(gè)漏極66直接電連接。另外，反射薄膜86占據(jù)整個(gè)像素區(qū)域。
而且，多條柵極線22、24和26以及多條數(shù)據(jù)線62、65和66經(jīng)由具有低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣層90重疊相應(yīng)的像素電極82，以便具有最大孔徑比。
另外，數(shù)據(jù)線62、65、66和68包括用于重疊柵極布線22的儲(chǔ)存電容器的導(dǎo)體圖形64，而由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的像素電極82被直接設(shè)置在有機(jī)絕緣層90上。像素電極被基本定位在像素區(qū)域中，并且通過接觸孔76和96電連接到多個(gè)漏極66上。像素電極82通過設(shè)置在保護(hù)層70和有機(jī)絕緣層90上的接觸孔72和92被電連接到導(dǎo)體圖形64，并且設(shè)置在保護(hù)層70和暴露柵極焊盤24的柵極絕緣層30上的各接觸孔74比柵極焊盤24寬。
直到在保護(hù)層70上形成接觸孔72、74、76和78的步驟為止本發(fā)明第二實(shí)施方式的用于透射型LCD的TFT陣列板的制造方法幾乎和第一實(shí)施方式的方法相同。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的TFT陣列板的制造方法，設(shè)置了沿?cái)?shù)據(jù)線62、65、66和68以縱向延伸的半導(dǎo)體層40，而在有機(jī)絕緣層90的表面上不形成不平的圖形。
本發(fā)明此實(shí)施方式的所述制造方法可以應(yīng)用于制造用在透射型LCD的TFT陣列板上，利用一個(gè)光致抗蝕劑圖形通過光蝕刻形成半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線兩者，因此簡化了制造過程。這種方法將通過結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。
首先，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，通過結(jié)合附圖12至14對(duì)使用四個(gè)掩模制造的LCD的TFT陣列板的單元像素結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
圖12是本發(fā)明第三實(shí)施方式的LCD的TFT陣列板的布局圖，圖13和圖14分別是圖12中沿線XIII-XIII’和線XIV-XIV’剖切的TFT陣列板的剖視圖。
如在第二實(shí)施方式中那樣，在絕緣基底10上形成柵極線。柵極線優(yōu)選由具有低電阻率的材料構(gòu)成，如由銀、銀合金、鋁和鋁合金構(gòu)成。柵極線包括多條柵極布線22、多個(gè)柵極焊盤24、以及多個(gè)柵電極26。柵極線還包括多個(gè)形成在基底上的存儲(chǔ)電極28，其基本上平行于柵極布線22并且被施加有如來自于外部電源的公用電壓的預(yù)設(shè)電壓，該公用電壓也施加在上面板的公用電極上。存儲(chǔ)電極28與連接到像素電極82的儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形重疊，這一點(diǎn)將在下文說明，從而形成用于改善像素的電荷存儲(chǔ)能力的儲(chǔ)存電容器。如果后面所述的存儲(chǔ)電容因柵極布線22和像素電極82的重疊是充足的，則可以省略存儲(chǔ)電極28。
在柵極線22、24、26和28上形成覆蓋柵極線22、24、26和28的優(yōu)選由氮硅化物構(gòu)成的柵極絕緣層30。
在柵極絕緣層30上形成優(yōu)選由加氫非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體圖形42和48，并且在半導(dǎo)體層42和48上形成優(yōu)選由用如磷之類的n型雜質(zhì)重?fù)诫s的非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層圖形或中間層圖形55、56和58。
在歐姆接觸層圖形55、56和58上形成由具有低電阻率的鋁基導(dǎo)電材料構(gòu)成的數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)線包括多個(gè)數(shù)據(jù)部分62、65和68；TFTs的多個(gè)漏極66；以及儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64。每個(gè)數(shù)據(jù)部分包括基本上以縱向延伸的數(shù)據(jù)布線62、連接到數(shù)據(jù)布線62的一端用于從外部設(shè)備接收?qǐng)D像信號(hào)的數(shù)據(jù)焊盤68、以及多個(gè)從數(shù)據(jù)布線62分支出來的源電極65。每個(gè)漏極66與數(shù)據(jù)部分62、65和68分開，并且與對(duì)應(yīng)于相應(yīng)的柵電極26或相關(guān)TFT的通道部分相應(yīng)的源電極53相對(duì)設(shè)置。儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64被設(shè)置在存儲(chǔ)電極28上。在沒有存儲(chǔ)電極28的情況下，不設(shè)置儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64。
歐姆接觸層圖形55、56和58起減小其下的半導(dǎo)體圖形42和48以及其上的數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68之間的接觸電阻的作用。歐姆接觸層圖形55、56和58具有與數(shù)據(jù)線62、64、65和66基本相同的形狀。詳細(xì)地講，數(shù)據(jù)中間層圖形55具有與數(shù)據(jù)部分62、65和68基本相同的形狀，漏極中間層圖形56與漏極66形狀相同，而儲(chǔ)存電容器中間層圖形58與儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形68形狀相同。
半導(dǎo)體圖形42和48具有與除TFTs的通道區(qū)域C以外的數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68以及歐姆接觸層圖形55、56和58相同的形狀。具體而言，儲(chǔ)存電容器半導(dǎo)體圖形48具有與儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64和儲(chǔ)存電容器歐姆接觸層圖形58相同的形狀，而TFT半導(dǎo)體圖形層42與數(shù)據(jù)線和歐姆接觸層圖形的其它部分略有不同。在每個(gè)TFT的通道區(qū)域C上，盡管數(shù)據(jù)部分62、65和68特別是源電極65與漏極66分開，并且數(shù)據(jù)中間層圖形55也與漏極歐姆接觸層圖形56分開，但TFT半導(dǎo)體圖形42沒有斷開，而形成TFTs的通道。
包括保護(hù)層70的夾層絕緣體優(yōu)選由氮硅化物構(gòu)成，而優(yōu)選由具有低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣材料所構(gòu)成的有機(jī)絕緣層90如第一實(shí)施方式中那樣被設(shè)置在數(shù)據(jù)線62、65、66和68上。保護(hù)層70具有分別暴露漏極66、數(shù)據(jù)焊盤68以及儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64的多個(gè)接觸孔76、78和72和一同暴露柵極絕緣層30及柵極焊盤24的多個(gè)接觸孔74。與第一實(shí)施方式相同，從所述焊盤區(qū)除去有機(jī)絕緣層90，從而暴露保護(hù)層70，且接觸孔92和96暴露為下絕緣層的保護(hù)層70的邊界，從而使接觸孔72、92以及76、96的側(cè)壁具有階梯形狀。
在有機(jī)絕緣層90上形成接收來自TFF圖像信號(hào)并且與上面板上的電極一起產(chǎn)生電場的多個(gè)像素電極82。像素電極82由如IZO或ITO之類的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，并且通過接觸孔76和96電連接到漏極66，以接收?qǐng)D像信號(hào)。另外，像素電極82重疊相鄰的柵極布線22和相鄰的數(shù)據(jù)布線62，以提高孔徑比。當(dāng)然，可以省去所述重疊。像素電極82通過接觸孔72和92被連接到儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64，以傳送圖像信號(hào)。
在保護(hù)層70上形成多個(gè)輔助柵極焊盤84和多個(gè)輔助數(shù)據(jù)焊盤88。輔助柵極焊盤84和輔助數(shù)據(jù)焊盤88分別位于柵極焊盤24和數(shù)據(jù)焊盤24和68上，因此分別通過接觸孔74和78與之連接。盡管輔助柵極焊盤84和輔助數(shù)據(jù)焊盤88不是必需的，但常用它們來保護(hù)焊盤24和68，并用來補(bǔ)充焊盤24和68以及外部電路設(shè)備之間的粘附性。這種接觸結(jié)構(gòu)沒有基蝕，因此可防止像素電極82、輔助柵極焊盤84、以及輔助數(shù)據(jù)焊盤88斷開。輔助柵極焊盤84和輔助數(shù)據(jù)焊盤88至少部分定位在保護(hù)層70上。
現(xiàn)在，通過結(jié)合附圖12至14以及圖15A-22C對(duì)使用四個(gè)掩模制造具有如圖12至14所示結(jié)構(gòu)的LCD的TFT陣列板的制造方法進(jìn)行說明。
首先，如圖15A至15C所示，通過沉積導(dǎo)電材料或沉積用于柵極線的材料在基底10上形成包括多個(gè)柵極布線22、多個(gè)柵極焊盤24、多個(gè)柵電極26以及多個(gè)存儲(chǔ)電極28的柵極線，并利用第一掩模通過光蝕刻對(duì)其構(gòu)圖。該柵極線具有單層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括由如鋁、鋁合金、銀或銀合金之類的低電阻率材料構(gòu)成的單層。也可選擇所述導(dǎo)電層具有多層結(jié)構(gòu)，此多層結(jié)構(gòu)包括由與如Cr、Ti和Ta之類的其他材料具有良好接觸性能的導(dǎo)電材料構(gòu)成的單層和一層。
接下來，如圖16A和16B所示，采用CVD順序沉積柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40、以及中間層50，使層30、40和50分別具有1,500-5,000、500-2,000以及300-600的厚度。通過濺射沉積用于數(shù)據(jù)線的具有低電阻率的導(dǎo)電層60，使層60具有1,500-3,000的厚度，隨后在導(dǎo)電層60上覆蓋1-2微米厚的光致抗蝕劑薄膜110。
隨后，通過第二掩模使光致抗蝕劑薄膜110曝光并顯影，以形成如圖17A至17C所示的光致抗蝕劑圖形114和112。處于源電極65和漏極66之間的TFTs的通道區(qū)域C上的光致抗蝕劑圖形114和112的第一部分114被形成為其厚度小于形成數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68的數(shù)據(jù)區(qū)域A上的第二部分112的厚度。除去剩余區(qū)域B上的光致抗蝕劑薄膜部分。通道區(qū)域C上的第一部分114與數(shù)據(jù)區(qū)域A上的第二部分112的厚度比可根據(jù)蝕刻步驟中的蝕刻條件進(jìn)行調(diào)整，這將在下文進(jìn)行說明。優(yōu)選第一部分114的厚度等于或小于第二部分112厚度的一半，具體地說，等于或小于4,000。
通過幾種工藝可獲得光致抗蝕劑薄膜的與位置有關(guān)的厚度。為了調(diào)節(jié)區(qū)域C中的曝光量，在掩模上設(shè)置具有狹縫圖形、格子圖形的半透明區(qū)域或半透明薄膜。
當(dāng)使用狹縫圖形時(shí)，優(yōu)選狹縫之間各部分的寬度或各部分之間的距離、即狹縫的寬度小于用于光刻的曝光分辯率。在使用半透明薄膜的情況下，具有不同透射系數(shù)或具有不同厚度的薄膜可以被用來調(diào)節(jié)掩模的透射系數(shù)。
當(dāng)光通過掩模照射光致抗蝕劑薄膜時(shí)，直接曝光的那些部分的聚合物幾乎完全被分解，而面向狹縫圖形或半透明薄膜的那些部分的聚合物因曝光量小沒有被完全分解。由阻光薄膜阻斷的那部分的聚合物很難被分解。光致抗蝕劑薄膜的顯影使得具有沒被分解的聚合物的部分留下來，并且使得較小量的光照射的曝光部分薄于未受曝光的部分。這里，不需要使曝光時(shí)間長到足以分解所有分子。
光致抗蝕劑圖形的薄的部分114可以通過使用具有完全透射光的透射區(qū)域以及完全阻斷光的阻斷區(qū)域的普通掩模進(jìn)行回流處理使可回流的光致抗蝕劑薄膜在曝光并對(duì)光致抗蝕劑薄膜顯影之后流入沒有光致抗蝕劑薄膜的區(qū)域而獲得。
隨后，對(duì)光致抗蝕劑圖形114和下層即導(dǎo)電層60、中間層50以及半導(dǎo)體層40進(jìn)行蝕刻，使數(shù)據(jù)線和下層被留在數(shù)據(jù)區(qū)域A上，只有半導(dǎo)體層被留在通道區(qū)域C上，而從剩余區(qū)域B去除所有三個(gè)層60、50和40，以暴露柵極絕緣層30。
如圖18A和18B所示，除去區(qū)域B上的導(dǎo)電層60的暴露部分，以露出中間層50的下面部分。在這個(gè)步驟中，雖然光致抗蝕劑圖形112和114難于被蝕刻，在有選擇地蝕刻導(dǎo)電層60的條件下，可選擇使用并優(yōu)先進(jìn)行干蝕刻和濕蝕刻兩者。然而，由于難于找到僅用于對(duì)導(dǎo)電層60有選擇地進(jìn)行蝕刻而不對(duì)光致抗蝕劑圖形112和114進(jìn)行蝕刻的條件，能蝕刻光致抗蝕劑圖形112和114以及導(dǎo)電層60的蝕刻條件總適用于干蝕刻。在這種情況下，為了防止由于蝕刻而暴露下面的導(dǎo)電層60，第一部分114應(yīng)具有比濕蝕刻時(shí)厚的厚度。
干蝕刻和濕蝕刻兩者適用于包括鋁或鋁合金的數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電材料。優(yōu)選用蝕刻劑CeNHO3的濕蝕刻最好用于很難通過干蝕刻去除的Cr。當(dāng)然，約500的非常薄的鉻膜也可通過干蝕刻去除。
因此，如圖18A和18B所示，源極/漏極導(dǎo)體圖形67即通道區(qū)域C和數(shù)據(jù)區(qū)域A上的導(dǎo)電層的部分以及儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64被留下來，而剩余區(qū)域B上的導(dǎo)電層60的部分被除去，從而將中間層50的下面部分暴露出來。除了源極和漏極65和66依舊被連接在一起而沒有分開外，其余導(dǎo)體圖形67和64具有與數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68基本相同的形狀。當(dāng)使用干蝕刻時(shí)，光致抗蝕劑圖形112和114也被蝕刻到預(yù)定厚度。
接下來，如圖19A和19B所示，區(qū)域B上中間層50的暴露部分以及半導(dǎo)體層40的下面部分通過干蝕刻與光致抗蝕劑圖形的第一部分114一起被去除。順序?qū)χ虚g層50和半導(dǎo)體層40的干蝕刻可在對(duì)導(dǎo)體圖形64和67的干蝕刻之后進(jìn)行或者就地進(jìn)行蝕刻處理。中間層50和半導(dǎo)體層40的蝕刻優(yōu)選在柵極絕緣層30未被蝕刻時(shí)同時(shí)蝕刻光致抗蝕劑圖形112和114、中間層50和半導(dǎo)體層40的條件下進(jìn)行。(應(yīng)注意的是，該半導(dǎo)體層和中間層沒有蝕刻選擇性。)具體而言，光致抗蝕劑圖形112和114以及半導(dǎo)體層40的蝕刻比率優(yōu)選彼此相等。對(duì)于光致抗蝕劑圖形112和114以及半導(dǎo)體層40的相等蝕刻比率來說，第一部分114的厚度優(yōu)選等于或小于半導(dǎo)體層40和中間層50的厚度之和。
通過這種方式，如圖19A和19B所示，通道區(qū)域C和數(shù)據(jù)區(qū)域A上的導(dǎo)電層60的部分、即源極/漏極導(dǎo)體圖形67以及儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64被留下，而在剩余區(qū)域B上的導(dǎo)電層60的部分被去除。而且，除去通道區(qū)域C上的第一部分114，從而露出源極/漏極導(dǎo)體圖形67，并且除去區(qū)域B上的中間層50和半導(dǎo)體層40的部分，以露出柵極絕緣層30的下面部分。與此同時(shí)，還對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域A上的第二部分112進(jìn)行蝕刻，以使其具有減小的厚度。在這個(gè)步驟中，完成半導(dǎo)體圖形42和48的形成。附圖標(biāo)記57和58分別表示源極/漏極導(dǎo)體圖形67下面以及儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64下面的中間層圖形。通道區(qū)域C上的源極/漏極導(dǎo)體圖形67的部分的暴露是通過單獨(dú)光致抗蝕劑(“PR”)內(nèi)腐蝕步驟(Separate photoresist etch back step)另外獲得的，在光致抗蝕劑薄膜被充分蝕刻的條件下此步驟不需要。
然后，通過拋光除去保留在通道區(qū)域C上的源極/漏極導(dǎo)體圖形67表面上的剩余光致抗蝕劑。
其后，如圖20A和20B所示，對(duì)通道區(qū)域C上的源極/漏極導(dǎo)體圖形67的暴露部分以及源極/漏極中間層圖形57的下面部分進(jìn)行蝕刻而將其去除。可對(duì)源極/漏極導(dǎo)體圖形67以及源極/漏極中間層圖形57采用干蝕刻。也可選擇對(duì)源極/漏極導(dǎo)體圖形67采用濕蝕刻，而對(duì)源極/漏極中間層圖形57采用干蝕刻。此時(shí)，如圖15B所示，可去除半導(dǎo)體圖形42的頂部以使厚度減小，并且將光致抗蝕劑圖形的第二部分112蝕刻到預(yù)定厚度。在柵極絕緣層30難于蝕刻的情況下進(jìn)行蝕刻，優(yōu)選光致抗蝕劑薄膜厚到可防止對(duì)第二部分112蝕刻而暴露下面的數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68。
通過這種方式，源電極65和漏極66彼此分開，同時(shí)完成數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68以及下面的歐姆接觸層圖形55、56和58的形成。
最后，除去保留在數(shù)據(jù)區(qū)域A上的第二部分112。當(dāng)然，第二部分112的去除可以在去除通道區(qū)域C上的源極/漏極導(dǎo)體圖形67的部分和去除中間層圖形57的下面部分之間進(jìn)行。
如上所述形成數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68之后，通過CVD沉積氮硅化物，從而形成如圖21A-21C所示的保護(hù)層70。有機(jī)絕緣層90通過在對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖之前旋轉(zhuǎn)涂覆具有良好平面特性和低介電常數(shù)的光敏有機(jī)材料而形成。根據(jù)本發(fā)明這個(gè)實(shí)施方式，在對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖之前旋轉(zhuǎn)涂覆有機(jī)絕緣層90可防止在特定區(qū)域上有機(jī)絕緣層90的局部分布，這是因?yàn)樵谛D(zhuǎn)涂覆過程中保護(hù)層70沒有高度差所致。隨后，利用掩模通過光刻對(duì)有機(jī)絕緣層90構(gòu)圖，從而在漏極66和儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64上形成多個(gè)暴露保護(hù)層70的部分的接觸孔96和92。此時(shí)，除去有機(jī)絕緣層90的處于具有柵極焊盤24或數(shù)據(jù)焊盤68的焊盤區(qū)域處的部分，從而暴露出保護(hù)層70。
隨后，如圖21B和21C所示，進(jìn)行使用如Ar之類的惰性氣體的等離子體處理來提高有機(jī)絕緣層90的表面粗糙度。結(jié)果使隨后將形成的像素電極82和有機(jī)絕緣層90之間的接觸面積增加，從而能確保它們之間的粘附性。在對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖之前進(jìn)行等離子體處理可以防止有機(jī)材料直接殘留在信號(hào)線66、64、24和68上。
參照?qǐng)D22A至22C，與在第一實(shí)施方式中一樣，利用光致抗蝕劑圖形通過光蝕刻對(duì)保護(hù)層70以及柵極絕緣層30構(gòu)圖，從而形成多個(gè)分別暴露柵極焊盤24、漏極66、儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64和數(shù)據(jù)焊盤68的接觸孔74、76、72和78。暴露漏極66和儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64的保護(hù)層70的接觸孔76和72被設(shè)置在有機(jī)絕緣層90的接觸孔96和92內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施方式的制造方法，盡管有機(jī)材料通過在前的等離子體工藝被重新沉積而保留在保護(hù)層70的暴露部分上，但在為了形成接觸孔74、76、72和78而對(duì)保護(hù)層70構(gòu)圖的步驟中，幾乎除去了包括接觸孔74、76、72和78的接觸處的有機(jī)材料剩余物。另外，由于在執(zhí)行等離子體處理之后對(duì)保護(hù)層90構(gòu)圖，用于等離子體處理中的剩余氣體幾乎被去除。
當(dāng)數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68或柵極線22、24、26和28具有多層且數(shù)據(jù)線62、65、66和68或柵極線22、24和26的頂層由鋁或鋁合金構(gòu)成時(shí)，去除頂層，以防止鋁或鋁合金的頂層與之后形成的ITO薄膜在接觸處接觸。
最后，在去除光致抗蝕劑圖形之后，與本發(fā)明第一和第二實(shí)施方式相同，如圖12至14所示，沉積具有400-500厚度的ITO或IZO，并用第四掩模進(jìn)行蝕刻，從而形成多個(gè)與漏極66和儲(chǔ)存電容器導(dǎo)體圖形64相連的像素電極82、多個(gè)連接到柵極焊盤24的輔助柵極焊盤84、及多個(gè)連接到數(shù)據(jù)焊盤68的輔助數(shù)據(jù)焊盤84和88。
本發(fā)明的第三實(shí)施方式不僅具有第一實(shí)施方式的能確保有機(jī)絕緣層90和像素電極82之間的粘附性以及使接觸處的接觸電阻最小的優(yōu)點(diǎn)，而且還簡化了工藝，即數(shù)據(jù)線62、64、65、66和68、歐姆接觸層圖形55、56和58以及它們下面的半導(dǎo)體圖形42和48用一個(gè)掩模形成，同時(shí)，源電極和漏極65和66在這個(gè)步驟中彼此分開。
對(duì)于通過這些方法制造的LCD來說，驅(qū)動(dòng)ICs和TFT陣列板的焊盤之間的連接通過使用具有安裝在相應(yīng)薄膜上的驅(qū)動(dòng)ICs的TCPs或通過COF型式實(shí)現(xiàn)。另外，它們之間的電連接是通過上面所述的直接將驅(qū)動(dòng)ICs安裝在面板上的COG型式獲得的。
盡管本發(fā)明的第一至第三實(shí)施方式示出了具有由非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)圖形的TFT陣列板的制造方法，本發(fā)明也可應(yīng)用于具有由多晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體圖形的TFT陣列板的制造方法。
借助于這種方法，在導(dǎo)線被覆蓋有保護(hù)層的情況下，通過等離子體工藝對(duì)有機(jī)絕緣層表面進(jìn)行處理，然后對(duì)保護(hù)層構(gòu)圖，從而形成暴露所述導(dǎo)線的接觸。因此，可防止用于等離子體處理中的氣體或有機(jī)材料殘留在接觸處。因此，本發(fā)明可確保有機(jī)絕緣層和像素電極之間的粘附性并使接觸處的接觸電阻最小。
權(quán)利要求
1.一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板的制造方法，該方法包括形成包括柵極布線及連接到所述柵極布線的柵電極的柵極線；沉積柵極絕緣層；形成半導(dǎo)體層；形成包括與所述柵極布線相交從而限定出像素區(qū)域的數(shù)據(jù)布線、連接到所述數(shù)據(jù)布線并靠近所述柵電極設(shè)置的源電極、以及相對(duì)于所述柵電極與所述源電極相對(duì)設(shè)置的漏極的數(shù)據(jù)線；沉積覆蓋所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線的保護(hù)層；通過將有機(jī)絕緣材料旋轉(zhuǎn)涂覆在所述保護(hù)層上形成有機(jī)絕緣層；對(duì)所述有機(jī)絕緣層構(gòu)圖，以形成暴露所述保護(hù)層并與所述漏極相對(duì)的第一接觸孔；利用惰性氣體通過等離子體工藝對(duì)所述有機(jī)絕緣層表面進(jìn)行處理；對(duì)所述保護(hù)層構(gòu)圖，以形成暴露所述漏極并被定位在所述第一接觸孔內(nèi)的第二接觸孔；以及形成通過所述第一和第二接觸孔電連接到所述漏極的像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述像素電極包括透明的導(dǎo)電電極或反射型導(dǎo)電薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，當(dāng)所述像素電極具有所述反射型薄膜時(shí)，所述有機(jī)絕緣層的表面具有不平的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，當(dāng)所述像素電極包括所述透明電極和所述反射型薄膜兩者時(shí)，所述反射型薄膜具有在所述像素區(qū)內(nèi)的小孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層包括非晶硅或多晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述柵極線還包括連接到所述柵極布線一端的柵極焊盤，所述數(shù)據(jù)線還包括連接到所述數(shù)據(jù)布線一端的數(shù)據(jù)焊盤，并且所述保護(hù)層或所述柵極絕緣層具有暴露所述柵極焊盤或所述數(shù)據(jù)焊盤的第三接觸孔；所述薄膜晶體管陣列板還包括通過所述第三接觸孔與所述柵極焊盤或所述數(shù)據(jù)焊盤電連接并基本上與所述像素電極處于相同的層的輔助焊盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用具有與位置有關(guān)的厚度的光致抗蝕劑圖形通過光蝕刻步驟形成所述數(shù)據(jù)線和所述半導(dǎo)體層兩者。
全文摘要
在基底上形成包括柵極布線、柵電極，以及柵極焊盤并橫向延伸的柵極線。隨后形成柵極絕緣層，并在其上順序形成半導(dǎo)體層和歐姆接觸層。沉積導(dǎo)電材料并對(duì)其構(gòu)圖，從而形成包括與柵極布線相交的數(shù)據(jù)布線、源電極、漏極以及數(shù)據(jù)焊盤的數(shù)據(jù)線。在基底上沉積由氮硅化合物構(gòu)成的保護(hù)層，在所述保護(hù)層上覆蓋由光敏有機(jī)絕緣材料構(gòu)成的有機(jī)絕緣層。對(duì)所述有機(jī)絕緣層構(gòu)圖，以在其表面形成不平的圖形，并形成暴露保護(hù)層并與漏極相對(duì)的第一接觸孔。隨后，用如氬之類的惰性氣體對(duì)有機(jī)絕緣層的表面進(jìn)行處理，然后利用光致抗蝕劑圖形通過光蝕刻隨所述柵極絕緣層一道對(duì)所述保護(hù)層構(gòu)圖，以形成分別暴露漏極、柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的接觸孔。接著，沉積銦錫氧化物或銦鋅氧化物并對(duì)其構(gòu)圖，以形成分別連接到漏極、柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的透明電極、輔助柵極焊盤、以及輔助數(shù)據(jù)焊盤。最后，沉積反射型導(dǎo)電材料并對(duì)其構(gòu)圖，從而在透明電極上形成在像素區(qū)域中具有相應(yīng)小孔的反射薄膜。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1623117SQ02828594
公開日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2002年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月4日
發(fā)明者尹柱善, 金奉柱, 太勝奎, 金炫營 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社