專利名稱：用于切換顯示模式的移位寄存電路及控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種移位寄存電路，尤其涉及一種在液晶顯示器中用于切換顯示模式的移位寄存電路及控制方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，在主動(dòng)式矩陣液晶顯示器(ActiveMatrix Liquid Crystal Display, AMIXD)中，每個(gè)像素具有一個(gè)薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)，該薄膜晶體管的柵極電性連接至水平方向的掃描線(Scan Line),漏極電性連接至垂直方向的數(shù)據(jù)線(Data Line)，源極則電性連接至像素電極(諸如氧化銦錫或氧化銦鋅)。具體地，在該像素結(jié)構(gòu)中，由于同一掃描線往往對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素，于水平方向的某一掃描線上施加足夠的掃描電壓，就會(huì)使該條掃描線上的所有TFT打開，此時(shí)，對(duì)應(yīng)的像素電極經(jīng)由薄膜晶體管的源極和漏極從而與垂直方向的數(shù)據(jù)線相耦接，進(jìn)而將數(shù)據(jù)線的像素電壓信號(hào)寫入像素中，以便控制不同液晶的透光度，達(dá)到控制色彩的效果。
在一些AMIXD中，無論是用于打開薄膜晶體管的柵驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)，還是用于驅(qū)動(dòng)像素電壓信號(hào)的源驅(qū)動(dòng)器(Source Driver)，它們主要是由液晶面板外黏接IC來完成，使用的是CMOS制程，不但浪費(fèi)成本，而且還增加了制程工藝的復(fù)雜度。為了整合產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)部分，降低成本，已開始嘗試直接將柵驅(qū)動(dòng)器的移位寄存器制作于玻璃基板上，即GOA 技術(shù)(Gate driver On Array,陣列基板行驅(qū)動(dòng)技術(shù))，以代替由外接娃芯片制作的驅(qū)動(dòng)芯片。該GOA技術(shù)的應(yīng)用由于能夠直接做在面板周圍，可減少制程工藝，提高TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)的面板集成度,使液晶面板更加薄型化。
此外，液晶顯示器的要求規(guī)格越來越趨向于多元化，其不僅追求較高的掃描頻率， 而且還期望面板可以在2D顯示模式(也稱為平面顯示模式)和3D顯示模式(也稱為立體顯示模式)間進(jìn)行切換。然而，移位寄存電路的傳遞架構(gòu)也必須進(jìn)行對(duì)應(yīng)的調(diào)整，例如，在 2D顯示模式中，GOA的電路傳遞架構(gòu)由當(dāng)前級(jí)G (η)直接傳遞至其后的下一級(jí)G (η+1)，而在 3D顯示模式中，由于掃描頻率的升高，GOA的電路傳遞架構(gòu)由當(dāng)前級(jí)G(η)傳遞至其后的下二級(jí)G(n+2)，而G(n+1)級(jí)保持與G(η)級(jí)相同的相位。如此一來，在G(η+2)級(jí)與G(η)級(jí)之間會(huì)多出一個(gè)高頻信號(hào)寬度的懸浮期間(floating period),造成漏電問題。
有鑒于此，如何設(shè)計(jì)一種移位寄存電路的改進(jìn)方案，使其在實(shí)現(xiàn)2D模式與3D模式間切換的同時(shí)，還可解決上述漏電困擾，提升產(chǎn)品運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項(xiàng)課題。發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的GOA電路傳遞架構(gòu)所存在的漏電問題，本發(fā)明提供了一種用于在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路及其控制方法。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方 面，提供了一種用于在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路，包括
—第一移位寄存器,包括一輸入端和一輸出端，其輸入端用于接收一第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其輸出端用于輸出一第一掃描信號(hào)；
—第二移位寄存器,包括一第一輸入端、一第二輸入端和一輸出端,其第一輸入端用以接收一第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其第二輸入端電性連接至第一移位寄存器的輸出端，第二移位寄存器的輸出端用于輸出一第二掃描信號(hào)；以及
—第三移位寄存器，包括一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端和一輸出端，其第一輸入端用以接收一第三時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其第二輸入端電性連接至第一移位寄存器的輸出端，其第三輸入端電性連接至第二移位寄存器的輸出端，其輸出端用于輸出一第三掃描信號(hào)，
其中，移位寄存電路還用以接收一第一控制信號(hào)和一第二控制信號(hào)，藉由第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換。
優(yōu)選地，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)為高電平且第二控制信號(hào)為低電平時(shí)，移位寄存電路切換為2D模式；當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)為低電平且第二控制信號(hào)為高電平時(shí)，移位寄存電路切換為 3D模式。進(jìn)一步，高電平對(duì)應(yīng)的電壓為30V，低電平對(duì)應(yīng)的電壓為-10V。
優(yōu)選地，移位寄存電路還包括一第一薄膜晶體管，其源極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓；一第二薄膜晶體管，其源極電性連接至第一控制信號(hào)，其柵極電性連接至第一薄膜晶體管的漏極；以及一第三薄膜晶體管，其源極和柵極均電性連接至第二薄膜晶體管的漏極，其漏極輸出第(η+1)級(jí)的輸出電壓；一第四薄膜晶體管，其源極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓；以及一第五薄膜晶體管，其源極電性連接至第二控制信號(hào)，其柵極經(jīng)由一電容耦接至第一薄膜晶體管的柵極，其漏極輸出第(η+2)級(jí)的輸出電壓，其中，η為自然數(shù)。
在一實(shí)施例中，第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的第η級(jí)的輸出電壓等于第(η+1)時(shí)鐘脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的第(η+1)級(jí)的輸出電壓，第(η+2)級(jí)的輸出電壓保持為零。
優(yōu)選地，移位寄存電路還包括一第一薄膜晶體管，其源極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓；一第二薄膜晶體管，其源極電性連接至第一控制信號(hào)，其柵極電性連接至第一薄膜晶體管的漏極，其漏極輸出第(η+2)級(jí)的輸出電壓； 一第三薄膜晶體管，其源極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓；一第四薄膜晶體管，其源極電性連接至第二控制信號(hào)，其柵極經(jīng)由一電容耦接至第一薄膜晶體管的柵極；以及一第五薄膜晶體管，其源極和柵極均電性連接至第四薄膜晶體管的漏極，其漏極輸出第(η+1)級(jí)的輸出電壓，其中，η為自然數(shù)。
在一實(shí)施例中，第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的第η級(jí)的輸出電壓等于第(η+2)時(shí)鐘脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的第(η+2)級(jí)的輸出電壓，第(η+1)級(jí)的輸出電壓保持為零。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種基于移位寄存電路在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的控制方法，包括以下步驟
提供一第一、第二和第三 移位寄存器，其中，第二移位寄存器級(jí)聯(lián)至第一移位寄存器的輸出端，第三移位寄存器級(jí)聯(lián)至第二移位寄存器的輸出端；
向第二和第三移位寄存器分別提供一第一控制信號(hào)和一第二控制信號(hào)；以及
將第三移位寄存器級(jí)聯(lián)至第一移位寄存器的輸出端，藉由第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)使移位寄存電路在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換。
優(yōu)選地，該控制方法還包括向第一、第二和第三移位寄存器分別提供相互緊鄰的一第一、第二和第三時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
優(yōu)選地，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)為高電平且第二控制信號(hào)為低電平時(shí)，移位寄存電路切換為2D模式；當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)為低電平且第二控制信號(hào)為高電平時(shí)，移位寄存電路切換為 3D模式。
采用本發(fā)明的用于在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路及其控制方法，將相互級(jí)聯(lián)的多個(gè)移位寄存器的第三移位寄存器的輸入端分別電性連接至第一移位寄存器的輸出端和第二移位寄存器的輸出端，并且通過移位寄存電路所接收的兩路控制信號(hào)配合選擇第一移位寄存器的輸出端與第三移位寄存器的輸入端或者第二移位寄存器的輸出端與第三移位寄存器的輸入端的傳遞方式，以便液晶面板在2D顯示模式與3D顯示模式之間進(jìn)行切換。此外，該移位寄存架構(gòu)還可避免漏電情形的產(chǎn)生，提升了運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。


讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
以后，將會(huì)更清楚地了解本發(fā)明的各個(gè)方面。其中，
圖1示出液晶顯示設(shè)備采用一 GOA電路架構(gòu)進(jìn)行信號(hào)傳遞的時(shí)序控制波形圖2示出液晶顯示設(shè)備采用另一 GOA電路架構(gòu)進(jìn)行信號(hào)傳遞的時(shí)序控制波形圖3示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，用于液晶顯示設(shè)備在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路的電路結(jié)構(gòu)不意圖4示出采用圖3的移位寄存電路進(jìn)行信號(hào)傳遞的第一具體實(shí)施例；以及
圖5示出采用圖3的移位寄存電路進(jìn)行信號(hào)傳遞的第二具體實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
為了使本申請(qǐng)所揭示的技術(shù)內(nèi)容更加詳盡與完備，可參照附圖以及本發(fā)明的下述各種具體實(shí)施例，附圖中相同的標(biāo)記代表相同或相似的組件。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下文中所提供的實(shí)施例并非用來限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅僅用于示意性地加以說明，并未依照其原尺寸進(jìn)行繪制。
下面參照附圖，對(duì)本發(fā)明各個(gè)方面的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖1示出液晶顯示設(shè)備采用一 GOA電路架構(gòu)進(jìn)行信號(hào)傳遞的時(shí)序控制波形圖，以及圖2示出液晶顯示設(shè)備采用另一 GOA電路架構(gòu)進(jìn)行信號(hào)傳遞的時(shí)序控制波形圖。
參照?qǐng)D1，陣列基板的GOA電路架構(gòu)包括6條掃描線，S卩，G1、G2、G3、G4、G5和G6， 當(dāng)液晶顯示設(shè)備工作于2D顯示模式時(shí)(例如，掃描頻率為60Hz)，掃描線Gl所對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)在傳遞時(shí)也會(huì)直接傳遞至掃描線Gl的下一級(jí)(掃描線G2)，依次類推，掃描線G2所對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)在傳遞時(shí)也會(huì)直接傳遞至掃描線G2的下一級(jí)(掃描線G3)，該信號(hào)傳遞模式也稱為“I to 2”模式。也就是說，掃描信號(hào)的傳遞發(fā)生于相鄰的兩掃描線之間。
參照?qǐng)D2，與圖1不同 的是，針對(duì)Gl G6這六條掃描線，掃描線Gl和G2各自的掃描信號(hào)的相位相同，掃描線G3和G4各自的掃描信號(hào)的相位相同，掃描線G5和G6各自的掃描信號(hào)的相位相同。例如，當(dāng)液晶顯示設(shè)備工作于3D顯示模式時(shí)(例如，掃描頻率為 60Hz)，掃描線Gl所對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)在傳遞時(shí)也會(huì)傳遞至掃描線Gl的下兩級(jí)(掃描線G3)， 依次類推，掃描線G3所對(duì)應(yīng)的掃描信號(hào)在傳遞時(shí)也會(huì)傳遞至掃描線G3的下兩級(jí)(掃描線 G5)，該信號(hào)傳遞模式為稱為“I to 3”模式。如前文所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，I to 3模式的傳 遞架構(gòu)在掃描頻率為60Hz時(shí)，多了一高頻訊號(hào)寬度的懸浮(floating)期間，因而會(huì)出現(xiàn)漏 電情形。
為了有效地解決或消除上述漏電缺陷，圖3示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，用于 液晶顯示設(shè)備在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
參照?qǐng)D3,用于在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路包括一第一移位 寄存器SRl (標(biāo)記為100)、一第二移位寄存器SR2 (標(biāo)記為200)和一第三移位寄存器SR3 (標(biāo) 記為300) ο
第一移位寄存器100至少包括一輸入端和一輸出端,該輸入端用于接收一第一時(shí) 鐘脈沖信號(hào)HCl,其輸出端OUTl用于輸出一第一掃描信號(hào)G1。此外,第一移位寄存器100 還包括其他兩個(gè)輸入端，分別用來接收時(shí)鐘信號(hào)LCl和LC2。
第二移位寄存器200至少包括一第一輸入端、一第二輸入端IN2和一輸出端0UT2, 其第一輸入端用以接收一第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)HC2，其第二輸入端IN2電性連接至第一移位 寄存器100的輸出端0UT1，該第二移位寄存器200的輸出端0UT2用于輸出一第二掃描信 號(hào)G2。同樣地，第二移位寄存器200也包括其他兩個(gè)輸入端，分別用來接收時(shí)鐘信號(hào)LCl和 LC2。
—第三移位寄存器300至少包括一第一輸入端、一第二輸入端IN31、一第三輸入 端IN32和一輸出端0UT3,其第一輸入端用以接收一第三時(shí)鐘脈沖信號(hào)HC3,其第二輸入端 IN31電性連接至第一移位寄存器100的輸出端OUTl，其第三輸入端IN32電性連接至第二 移位寄存器200的輸出端0UT2,其輸出端0UT3用于輸出一第三掃描信號(hào)G3。同樣,第三移 位寄存器300也包括其他兩個(gè)輸入端，分別用來接收時(shí)鐘信號(hào)LCl和LC2。
由圖3所示的電路結(jié)構(gòu)可知，第三移位寄存器SR3不僅電性連接至第一移位寄存 器SRl的輸出端，而且電性連接至第二移位寄存器SR2的輸出端。另外，需要特別指出的是， 本發(fā)明的移位寄存電路還接收一第一控制信號(hào)和一第二控制信號(hào)(圖中未示出)，藉由該 第一控制信號(hào)和該第二控制信號(hào)，使液晶顯示設(shè)備在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換。更 具體地，當(dāng)圖3的電路結(jié)構(gòu)運(yùn)行于I to 3模式時(shí)，液晶顯示設(shè)備處于3D顯示模式；當(dāng)圖3 的電路結(jié)構(gòu)運(yùn)行于I to 2模式時(shí)，液晶顯示設(shè)備處于2D顯示模式。
從上述GOA的電路傳遞架構(gòu)還可知曉，本發(fā)明也揭示了一種基于移位寄存電路在 2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的控制方法。該控制方法首先提供一第一、第二和第三移 位寄存器100、200和300，其中，第二移位寄存器200級(jí)聯(lián)至第一移位寄存器100的輸出端 0UT1，第三移位寄存器300級(jí)聯(lián)至第二移位寄存器200的輸出端0UT2。然后，該控制方法向 第二和第三移位寄存器200和300分別提供一第一控制信號(hào)和一第二控制信號(hào)。最后,將 第三移位寄存器300級(jí)聯(lián)至第一移位寄存器100的輸出端0UT1,藉由第一控制信號(hào)和第二 控制信號(hào)使移位寄存電路在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換。
在一具體實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)為高電平且第二控制信號(hào)為低電平時(shí)，移位 寄存電路切換為2D模式；當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)為低電平且第二控制信號(hào)為高電平時(shí)，移位寄存電路切換為3D模式。
圖4示出采用圖3的移位寄存電路進(jìn)行信號(hào)傳遞的第一具體實(shí)施例。參照?qǐng)D4，在該實(shí)施例中，移位寄存電路還包括一第一薄膜晶體管T22、一第二薄膜晶體管T12、一第三薄膜晶體管T13、一第四薄膜晶體管T21和一薄膜晶體管T11。
具體地，第一薄膜晶體管T22的漏極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)HC(n)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓Q (η)。第二薄膜晶體管Τ12的漏極電性連接至第一控制信號(hào) VA，其柵極電性連接至第一薄膜晶體管Τ22的源極。第三薄膜晶體管Τ13的漏極和柵極均電性連接至第二薄膜晶體管Τ12的源極，第三薄膜晶體管Τ13的源極輸出第(η+1)級(jí)的輸出電壓Q(n+1)。第四薄膜晶體管T21的漏極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)HC (η)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓Q(n)。第五薄膜晶體管Tll的漏極電性連接至第二控制信號(hào) VB，其柵極經(jīng)由一電容耦接至第一薄膜晶體管T22的柵極，其源極輸出第(η+2)級(jí)的輸出電壓Q(n+2)，其中，η為自然數(shù)。
在圖4中，在60Hz的頻率下，當(dāng)欲使用I to 2模式時(shí)，第一控制信號(hào)VA為高電平 (如，30V)，第二控制信號(hào)VB為低電平(如，-10V)，且G(n)打開時(shí)，透過薄膜晶體管T12對(duì)下一級(jí)的Q(n+1)進(jìn)行充電。與此同時(shí)，由于薄膜晶體管Tll的漏極電性連接至第二控制信號(hào)VB，而VB為低電平，則第(η+2)級(jí)的輸出電壓Q(n+2)保持為低電平。同樣地，當(dāng)欲使用 I to 3模式時(shí),第一控制信號(hào)VA為低電平,第二控制信號(hào)VB為高電平,且G(η)打開時(shí),透過薄膜晶體管Tll對(duì)下兩級(jí)的Q(n+2)進(jìn)行充電。但是，此時(shí)薄膜晶體管T12的源極會(huì)被拉至低電平，正是由于薄膜晶體管T13的存在，因而可避免出現(xiàn)漏電情形。
圖5示出采用圖3的移位寄存電路進(jìn)行信號(hào)傳遞的第二具體實(shí)施例。
具體地，第一薄膜晶體管T22的漏極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)HC(n)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓Q (η)。第二薄膜晶體管Τ12的漏極電性連接至第一控制信號(hào) VA，其柵極電性連接至第一薄膜晶體管Τ22的源極。第三薄膜晶體管Τ21的漏極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)HC(η)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓Q(n)。第四薄膜晶體管 Tll的漏極電性連接至第二控制信號(hào)VB，其柵極經(jīng)由一電容耦接至第一薄膜晶體管T22的柵極。第五薄膜晶體管T13的漏極和柵極均電性連接至第四薄膜晶體管Tll的源極，第五薄膜晶體管T13的源極輸出第(η+1)級(jí)的輸出電壓Q(n+1)，其中，η為自然數(shù)。
類似于圖4，在圖5所示的實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)VA為低電平(如，-10V)，第二控制信號(hào)VB為高電平(如，30V)，且G(n)打開 時(shí)，透過薄膜晶體管Tll對(duì)下一級(jí)的Q(n+1) 進(jìn)行充電。當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?hào)VA為高電平(如，30V)，第二控制信號(hào)VB為低電平(如，-10V)， 且G(n)打開時(shí)，透過薄膜晶體管T12對(duì)下兩級(jí)的Q(n+2)進(jìn)行充電。與此同時(shí)，由于薄膜晶體管Tll的漏極電性連接至第二控制信號(hào)VB，而VB為低電平，則第(η+1)級(jí)的輸出電壓 Q (η+1)保持為低電平。
采用本發(fā)明的用于在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路及其控制方法，將相互級(jí)聯(lián)的多個(gè)移位寄存器的第三移位寄存器的輸入端分別電性連接至第一移位寄存器的輸出端和第二移位寄存器的輸出端，并且通過移位寄存電路所接收的兩路控制信號(hào)配合選擇第一移位寄存器的輸出端與第三移位寄存器的輸入端或者第二移位寄存器的輸出端與第三移位寄存器的輸入端的傳遞方式，以便液晶面板在2D顯示模式與3D顯示模式之間進(jìn)行切換，而且可分別因應(yīng)不同的操作頻率選擇最佳的傳遞模式(I to 2模式或I to3模式)。此外，該移位寄存架構(gòu)還可避免漏電情形的產(chǎn)生，提升了運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。
上文中，參照附圖描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。但是，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發(fā)明權(quán)利要求書所限定的范圍 內(nèi) 。
權(quán)利要求
1.一種用于在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路，其特征在于，所述移位寄存電路包括一第一移位寄存器，包括一輸入端和一輸出端，其輸入端用于接收一第一時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其輸出端用于輸出一第一掃描信號(hào)；一第二移位寄存器，包括一第一輸入端、一第二輸入端和一輸出端，其第一輸入端用以接收一第二時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其第二輸入端電性連接至所述第一移位寄存器的輸出端，所述第二移位寄存器的輸出端用于輸出一第二掃描信號(hào)；以及一第三移位寄存器，包括一第一輸入端、一第二輸入端、一第三輸入端和一輸出端，其第一輸入端用以接收一第三時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其第二輸入端電性連接至所述第一移位寄存器的輸出端，其第三輸入端電性連接至所述第二移位寄存器的輸出端，其輸出端用于輸出一第三掃描信號(hào)，其中，所述移位寄存電路還用以接收一第一控制信號(hào)和一第二控制信號(hào)，藉由所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存電路，其特征在于，當(dāng)所述第一控制信號(hào)為高電平且所述第二控制信號(hào)為低電平時(shí)，所述移位寄存電路切換為2D模式；當(dāng)所述第一控制信號(hào)為低電平且所述第二控制信號(hào)為高電平時(shí)，所述移位寄存電路切換為3D模式。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移位寄存電路，其特征在于，所述高電平對(duì)應(yīng)的電壓為30V， 所述低電平對(duì)應(yīng)的電壓為-10V。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存電路，其特征在于，所述移位寄存電路還包括 一第一薄膜晶體管，其源極電性連接至第n時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓；一第二薄膜晶體管，其源極電性連接至所述第一控制信號(hào)，其柵極電性連接至所述第一薄膜晶體管的漏極；一第三薄膜晶體管，其源極和柵極均電性連接至所述第二薄膜晶體管的漏極，其漏極輸出第(η+1)級(jí)的輸出電壓；一第四薄膜晶體管，其源極電性連接至第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓；以及一第五薄膜晶體管，其源極電性連接至所述第二控制信號(hào)，其柵極經(jīng)由一電容耦接至所述第一薄膜晶體管的柵極，其漏極輸出第(η+2)級(jí)的輸出電壓，其中，η為自然數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移位寄存電路，其特征在于，所述第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的第 η級(jí)的輸出電壓等于第(η+1)時(shí)鐘脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的第(η+1)級(jí)的輸出電壓，所述第(η+2)級(jí)的輸出電壓保持為零。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存電路，其特征在于，所述移位寄存電路還包括一第一薄膜晶體管，其源極電性連接至所述第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其柵極電性連接至第η級(jí)的輸出電壓；一第二薄膜晶體管，其源極電性連接至所述第一控制信號(hào)，其柵極電性連接至所述第一薄膜晶體管的漏極，其漏極輸出第(η+2)級(jí)的輸出電壓；一第三薄膜晶體管，其源極電性連接至所述第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)，其柵極電性連接至第η 級(jí)的輸出電壓；一第四薄膜晶體管，其源極電性連接至所述第二控制信號(hào)，其柵極經(jīng)由一電容耦接至所述第一薄膜晶體管的柵極；以及一第五薄膜晶體管，其源極和柵極均電性連接至所述第四薄膜晶體管的漏極，其漏極輸出第(η+1)級(jí)的輸出電壓，其中，η為自然數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的移位寄存電路，其特征在于，所述第η時(shí)鐘脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的第 η級(jí)的輸出電壓等于第(η+2)時(shí)鐘脈沖信號(hào)對(duì)應(yīng)的第(η+2)級(jí)的輸出電壓，所述第(η+1)級(jí)的輸出電壓保持為零。
8.一種基于移位寄存電路在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的控制方法，其特征在于， 該控制方法包括以下步驟提供一第一、第二和第三移位寄存器，其中，所述第二移位寄存器級(jí)聯(lián)至所述第一移位寄存器的輸出端，所述第三移位寄存器級(jí)聯(lián)至所述第二移位寄存器的輸出端；向所述第二和第三移位寄存器分別提供一第一控制信號(hào)和一第二控制信號(hào)；以及將所述第三移位寄存器級(jí)聯(lián)至所述第一移位寄存器的輸出端，藉由所述第一控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)使所述移位寄存電路在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于，該控制方法還包括向所述第一、第二和第三移位寄存器分別提供相互緊鄰的一第一、第二和第三時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于，當(dāng)所述第一控制信號(hào)為高電平且所述第二控制信號(hào)為低電平時(shí)，所述移位寄存電路切換為2D模式；當(dāng)所述第一控制信號(hào)為低電平且所述第二控制信號(hào)為高電平時(shí)，所述移位寄存電路切換為3D模式。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換的移位寄存電路及其控制方法。該電路包括第一移位寄存器，其輸出端用于輸出一第一掃描信號(hào)；第二移位寄存器，其第二輸入端電性連接至第一移位寄存器的輸出端，其輸出端用于輸出一第二掃描信號(hào)；以及第三移位寄存器，其第二和第三輸入端分別電性連接至第一和第二移位寄存器各自的輸出端，其輸出端用于輸出一第三掃描信號(hào)。移位寄存電路接收第一和第二控制信號(hào)，以便在2D模式與3D模式之間進(jìn)行切換。采用本發(fā)明，通過移位寄存電路所接收的兩路控制信號(hào)配合選擇不同的信號(hào)傳遞方式，以便在不同的顯示模式間切換。此外，該移位寄存架構(gòu)還可避免漏電情形的產(chǎn)生，提升運(yùn)行穩(wěn)定性和可靠性。
文檔編號(hào)G09G3/20GK103065577SQ201210345069
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者林煒力, 劉俊欣, 董哲維, 侯淑方 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司