涉及一種激光轉(zhuǎn)印膜。

背景技術(shù)：

1、激光轉(zhuǎn)印膜包括維持膜形狀的基材膜、通過(guò)吸收激光而膨脹的熱膨脹性光吸收層、以及粘合層。

2、利用激光轉(zhuǎn)印膜對(duì)轉(zhuǎn)印體進(jìn)行轉(zhuǎn)印的方式采取的是，在保持激光轉(zhuǎn)印膜與接收體之間間隙的情況下，通過(guò)照射在位于基材膜上方的激光，選擇性地使熱膨脹性光吸收層膨脹，由此將粘合于粘合層上的轉(zhuǎn)印體轉(zhuǎn)印到接收體上。

3、熱膨脹性光吸收層通過(guò)激光照射形成鼓脹形狀的膨脹結(jié)構(gòu)。若要將轉(zhuǎn)印體有效地轉(zhuǎn)印到接收體上所需的位置，需要照射激光時(shí)的基材膜的高透光率，并且上述膨脹結(jié)構(gòu)的尺寸應(yīng)在較寬的激光功率范圍內(nèi)均勻。

4、因此，需要一種激光轉(zhuǎn)印膜，其具有高基材膜透光率以及在較寬范圍的激光功率范圍內(nèi)尺寸均勻的膨脹結(jié)構(gòu)，以將轉(zhuǎn)印體有效地轉(zhuǎn)印到接收體上的所需位置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、技術(shù)問(wèn)題

2、因此，一方面提供一種激光轉(zhuǎn)印膜，其具有高基材膜透光率以及在較寬范圍的激光功率范圍內(nèi)尺寸均勻的膨脹結(jié)構(gòu)，以將轉(zhuǎn)印體有效地轉(zhuǎn)印到接收體上的所需位置。

3、技術(shù)方案

4、根據(jù)一方面提供一種激光轉(zhuǎn)印膜，其可以依次包括：

5、基材膜；

6、熱膨脹性光吸收層；以及

7、粘合層，

8、其中，所述基材膜的至少一表面包括無(wú)機(jī)顆粒和有機(jī)顆粒中的一種或多種顆粒，

9、在所述基材膜的上方以小于或等于1秒的時(shí)間于0.5w至10w的激光功率范圍內(nèi)照射波長(zhǎng)為1064nm的激光時(shí)，所述熱膨脹性光吸收層和粘合層因膨脹而形成熱膨脹穹頂，

10、所述熱膨脹穹頂?shù)母邚奖葹?.1至1。

11、在待形成100個(gè)熱膨脹穹頂?shù)膮^(qū)域通過(guò)皮秒激光或納秒激光以0.5w至10w的激光功率范圍內(nèi)進(jìn)行照射時(shí)，所述熱膨脹性光吸收層和粘合層可以形成70個(gè)或更多個(gè)熱膨脹穹頂。

12、所述基材膜在550nm波長(zhǎng)下的透光率可以大于或等于85％。

13、所述基材膜表面的十點(diǎn)平均粗糙度(rz)可以是0.5μm至8μm。

14、所述顆粒可以包括包含選自二氧化硅、碳酸鈣、碳化鈦和氧化鋯中的一種或多種的無(wú)機(jī)顆粒；或

15、包含選自苯乙烯樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂、烯烴類樹(shù)脂、以及其共聚物樹(shù)脂中一種或多種的有機(jī)顆粒。

16、所述顆粒的熱導(dǎo)度可以大于或等于1.4w/m·k。

17、所述基材膜可以包括：

18、聚酯類樹(shù)脂芯層；以及

19、聚酯類樹(shù)脂外皮層，其在所述聚酯類樹(shù)脂芯層的至少一表面包括無(wú)機(jī)顆粒和有機(jī)顆粒中的一種或多種顆粒，

20、其中，所述顆粒的含量可以是以所述芯層和外皮層包括的聚酯類樹(shù)脂整體100重量％

21、為計(jì)的0.01重量％至1.0重量％。

22、所述熱膨脹性光吸收層可以包括粘合劑和光吸收劑，

23、所述光吸收劑可以包括最大吸收波長(zhǎng)為900nm至1200nm的近紅外吸收染料。

24、所述光吸收劑的含量可以是以100重量份所述熱膨脹性光吸收層為計(jì)的0.1重量份至30重量份。

25、干燥后所述熱膨脹性光吸收層的涂覆量可以是0.5g/m2至9g/m2。

26、所述熱膨脹性光吸收層的厚度可以是0.4μm至10μm。

27、所述熱膨脹性光吸收層和粘合層可以通過(guò)膨脹隔開(kāi)形成復(fù)數(shù)個(gè)熱膨脹穹頂，

28、所述復(fù)數(shù)個(gè)熱膨脹穹頂根據(jù)下式1的直徑偏差可以小于或等于10％：

29、[式1]

30、直徑偏差(％)＝│{(平均直徑)-(已測(cè)量直徑)}/(平均直徑)×100│

31、所述復(fù)數(shù)個(gè)熱膨脹穹頂根據(jù)下式2的高度偏差可以小于或等于10％：

32、[式2]

33、高度偏差(％)＝│{(平均高度)-(已測(cè)量高度)}/(平均高度)×100│

34、所述粘合層的厚度可以是所述熱膨脹性光吸收層厚度的0.5倍至6倍。

35、可以進(jìn)一步包括轉(zhuǎn)印體，其粘合在所述粘合層表面。

36、所述轉(zhuǎn)印體可以包括半導(dǎo)體芯片。

37、有益效果

38、根據(jù)一方面的激光轉(zhuǎn)印膜具有高基材膜透光率以及在較寬范圍的激光功率范圍內(nèi)尺寸均勻的膨脹結(jié)構(gòu)。因此，可以將轉(zhuǎn)印體有效地轉(zhuǎn)印到接收體上的所需位置。

技術(shù)特征：

1.一種激光轉(zhuǎn)印膜，其依次包括：基材膜；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其進(jìn)一步包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的激光轉(zhuǎn)印膜，其中，

技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)一種激光轉(zhuǎn)印膜。所述激光轉(zhuǎn)印膜依次包括基材層、熱膨脹性光吸收層、以及粘合層，其中，所述基材膜的至少一表面包括無(wú)機(jī)顆粒和有機(jī)顆粒中的一種或多種，在所述基材膜的上方以小于或等于1秒的時(shí)間于0.5W至10W的激光功率范圍內(nèi)照射波長(zhǎng)為1064nm的激光時(shí)，所述熱膨脹性光吸收層和粘合層因膨脹而形成熱膨脹穹頂，所述熱膨脹穹頂?shù)母邚奖葹?.1至1。

技術(shù)研發(fā)人員：李廣會(huì),白明基,宋政翰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東麗尖端素材株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6