專利名稱：基板的處理裝置和處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在利用處理液處理基板的情況下適用的基板的處理裝置和處理方法。
背景技術(shù)：
在使用于液晶顯示裝置中的玻璃制的基板上形成電路圖形。要在基板上形成電路圖形，就采用平版印刷工藝。平版印刷(lithography)工藝如周知的，在上述基板上涂覆抗蝕劑，在該抗蝕劑上通過形成了電路圖形的掩膜而照射光。
接著，去掉抗蝕劑的沒照射光的部分或照射了光的部分，蝕刻基板的已去掉了抗蝕劑的部分，蝕刻之后，通過反復(fù)多次進(jìn)行去掉抗蝕劑等的一系列的工序，就在上述基板上形成電路圖形。
在這樣的平版印刷工藝中，需要在上述基板上利用顯影液、蝕刻液或者蝕刻后去掉抗蝕劑的剝離液等處理液處理基板的工序，另外還有利用作為處理液的清洗液進(jìn)行清洗的工序等，還需要在清洗后去掉附著殘留在基板上的清洗液的干燥工序。
現(xiàn)有技術(shù)中，在對基板進(jìn)行上述一系列處理的情況下，上述基板在水平狀態(tài)下，利用水平配置軸線的搬運(yùn)輥，依次被搬運(yùn)到各自的處理容器中，然后，利用處理液進(jìn)行處理，或者噴射壓縮氣體進(jìn)行干燥處理。
但是，近來使用于液晶顯示裝置的玻璃制的基板趨于大型化和薄型化。因此，若水平搬運(yùn)基板，搬運(yùn)輥間的基板的撓曲就變大，故產(chǎn)生了不能在基板的整個板面上均勻地進(jìn)行各處理容器中的處理的情況。
基板若大型化，設(shè)置了搬運(yùn)該基板的搬運(yùn)輥的搬運(yùn)軸就變長。并且，基板大型化，供給到基板上的處理液的量就增大，根據(jù)基板上的處理液的量而施加到上述搬運(yùn)軸上的載荷就變大，所以，搬運(yùn)軸的撓曲就增大。因此，由于搬運(yùn)軸撓曲而基板發(fā)生撓曲，有時就不能進(jìn)行均勻的處理。
因此，在利用處理液處理基板時，為了防止上述基板因處理液的重量而撓曲，就考慮使基板立起規(guī)定的角度，例如70度的角度來進(jìn)行搬運(yùn)。若在使基板立起的豎立狀態(tài)下進(jìn)行搬運(yùn)，處理液就不滯留在基板的板面上，就能夠從上方順利地流向下方，故能夠防止因處理液的重量而基板撓曲。
在向豎立狀態(tài)的基板供給處理液的情況下，例如，考慮利用噴嘴，分別從基板的上下方向的多個地方供給處理液。但是，在利用多個噴嘴僅向基板的板面供給處理液中，供給到基板上部的處理液處理了基板的上部后，與供給到基板下部的處理液混合，反應(yīng)性變差，因此，有時基板下部的處理比上部差。并且，流經(jīng)基板上部與下部的處理液的速度因高度差異而不同，因此，就產(chǎn)生了因其速度差而不能均勻地處理基板的上部和下部的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種處理裝置，在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)基板后用處理液進(jìn)行處理的情況下，能夠整體都大致均勻地處理該基板。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一種基板的處理裝置，利用處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)裝置，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；處理部，向利用該搬運(yùn)裝置在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板噴射處理液，上述處理部具有向上述基板的板面噴射處理液的多個噴嘴，這些多個噴嘴按規(guī)定間隔配置在基板的高度方向上，并且，位于高度方向上方的噴嘴比位于下方的噴嘴處在上述基板的搬運(yùn)方向的后方。
本發(fā)明的一種基板的處理裝置，利用處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)裝置，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；多個噴嘴，向利用該搬運(yùn)裝置在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板的板面噴射處理液，將上述多個噴嘴配置成，沿著上述基板的高度方向，而且間距隨著從高度方向上方向下方依次變大。
本發(fā)明的一種基板的處理裝置，利用處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)裝置，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；多個噴嘴，向利用該搬運(yùn)裝置在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板的板面噴射處理液，將上述多個噴嘴配置成，沿著上述基板的高度方向按規(guī)定間隔配置，而且供給到位于高度方向上方的噴嘴中的處理液的壓力，比供給到位于下方的噴嘴中的處理液的壓力設(shè)定得高。
本發(fā)明的一種基板的處理裝置，利用處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)裝置，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；多個噴嘴，向利用該搬運(yùn)裝置在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板的板面噴射處理液，將上述多個噴嘴配置成，沿著上述基板的高度方向按規(guī)定間隔配置，而且供給到位于高度方向上方的噴嘴中的處理液的流量，比供給到位于下方的噴嘴中的處理液的流量設(shè)定得大。
本發(fā)明的一種基板的處理方法，沿著基板的高度方向配置多個噴嘴，從這些噴嘴噴射處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)工序，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；
噴射工序，從多個噴嘴向豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板噴射處理液，而且使從各噴嘴噴射后沿著基板的板面流下的各自的處理液的區(qū)域不重疊。
本發(fā)明的一種基板的處理方法，沿著基板的高度方向配置多個噴嘴，從這些噴嘴噴射處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)工序，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；噴射工序，從上述多個噴嘴向豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板噴射處理液，而且使供給到位于上述基板的高度方向上部的噴嘴中的處理液，比供給到位于下部的噴嘴中的處理液的壓力和流量中的至少一方大。
發(fā)明的效果如下根據(jù)本發(fā)明，由于從各噴嘴噴射到基板上的處理液能夠不混合而從基板的上部流向下部，因此，從各自的噴嘴噴射的處理液中不混合其他噴嘴噴射的處理液，反應(yīng)性不變差。因此，就能夠利用從多個噴嘴噴射的處理液，大致均勻地處理在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板。
根據(jù)本發(fā)明，由于能夠大致均勻地向豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板的上部和下部噴射處理液，因此，就能夠大致均勻地處理基板的上部和下部。


圖1是示出本發(fā)明的第一實施方式涉及的處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的斜視圖。
圖2是示出蝕刻處理部的噴嘴的配置狀態(tài)的側(cè)面圖。
圖3是示出蝕刻處理部的噴嘴的配置狀態(tài)的正面圖。
圖4是示出了基板的搬運(yùn)速度與對應(yīng)于噴嘴的高度位置而不同的基板下端部中的蝕刻液向基板搬運(yùn)方向移動的距離的圖表。
圖5是示出了對于蝕刻液的供給高度，基板下部的蝕刻液的速度與蝕刻液到達(dá)基板下部的時間的關(guān)系的圖表。
圖6是示出了基板搬運(yùn)速度為2000m/sec時的從各噴嘴噴射出的蝕刻液流經(jīng)的區(qū)域的圖。
圖7是示出了基板搬運(yùn)速度為4000m/sec時的從各噴嘴噴射出的蝕刻液流經(jīng)的區(qū)域的圖。
圖8是示出了基板搬運(yùn)速度為6000m/sec時的從各噴嘴噴射出的蝕刻液流經(jīng)的區(qū)域的圖。
圖9是示出本發(fā)明的第二實施方式涉及的基板與噴嘴的關(guān)系的側(cè)面圖。
圖10是示出本發(fā)明的第三實施方式涉及的基板與噴嘴的關(guān)系的側(cè)面圖。
圖11是示出本發(fā)明的第四實施方式涉及的基板與噴嘴的關(guān)系的側(cè)面圖。
圖12是示出本發(fā)明的第五實施方式涉及的基板與噴嘴的關(guān)系的側(cè)面圖。
圖13是示出圖12中示出的基板與噴嘴的關(guān)系的正面圖。
圖14是示出本發(fā)明的第六實施方式涉及的基板與噴嘴的關(guān)系的側(cè)面圖。
圖15是示出本發(fā)明的第七實施方式涉及的基板與噴嘴的關(guān)系的側(cè)面圖。
圖16是示出從噴嘴畫拋物線噴射的處理液與基板的關(guān)系的說明圖。
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的一個實施方式。
圖1至圖8示出本發(fā)明的第一實施方式。圖1中示出的處理裝置具有基臺1。在該基臺1的上面的縱向一端，橫向分離設(shè)置著裝載部2和卸載部3。所述裝載部2和卸載部3具有矩形板狀的支承部件4，該支承部件4將下端部作為支點(diǎn)，可沿著箭頭示出的基臺1的橫向搖動驅(qū)動。
在裝載部2與卸載部3的一個側(cè)面(圖中僅示出裝載部2)的下端部，按規(guī)定間隔設(shè)置著多個下部支承輥5，在上端部按規(guī)定間隔設(shè)置著多個上部支承輥6。由未圖示的驅(qū)動源旋轉(zhuǎn)驅(qū)動下部支承輥5。
在豎立狀態(tài)中，從未圖示的供給部向上述裝載部2供給未處理的基板W。已供給到裝著部2的基板W下端與下部支承輥5結(jié)合支持，上端與上部支承輥6結(jié)合支持。然后，通過向規(guī)定方向旋轉(zhuǎn)驅(qū)動下部支承輥5，將未處理的基板W供給到后述的處理站中。
在上述處理站中處理后的基板W，被搬出到上述卸載部3中。搬出到卸載部3中的基板W下端與下部支承輥5結(jié)合支持，上端與上部支承輥6結(jié)合支持。
由用點(diǎn)劃線示出的蓋7覆蓋著上述基臺1的除了裝載部2和卸載部3的部分。在該蓋7內(nèi)，沿著基臺1的縱向，依次單行設(shè)置著作為處理站的固定站8和同樣作為處理站的旋轉(zhuǎn)站9。
在上述固定站8和旋轉(zhuǎn)站9的一個側(cè)面和其他側(cè)面上，分別設(shè)置著搬運(yùn)裝置10。該搬運(yùn)裝置10在各站8、9的下端部具有沿著橫向按規(guī)定間隔設(shè)置的驅(qū)動輥13。由驅(qū)動源12旋轉(zhuǎn)驅(qū)動該驅(qū)動輥13。在各驅(qū)動輥13的上方，設(shè)置著分別沿著上下方向按規(guī)定間隔設(shè)置的多個支承輥14，在本實施方式中是3個。
上述驅(qū)動輥13無詳細(xì)的圖示，但在外周面上形成了V溝的同時，水平地設(shè)置著旋轉(zhuǎn)軸線，上述支承輥14垂直設(shè)置著旋轉(zhuǎn)軸線。
位于上下方向的3個支承輥14，分別設(shè)置在突出設(shè)置在各站8、9的側(cè)面上的安裝部件15的尖端部上。將沿著上下方向設(shè)置的3個支承輥14設(shè)定成，距站8、9的側(cè)面的突出距離隨著向上方而變小。
這樣，從上述裝載部2供給到上述固定站8的一個側(cè)面上的基板W，下端與驅(qū)動輥13的V溝結(jié)合，通過將一個側(cè)面支持在上述支承輥14上，成為上端比下端向各站8、9的側(cè)面?zhèn)葍A斜規(guī)定角度的狀態(tài)，由上述驅(qū)動輥13進(jìn)行搬運(yùn)。
設(shè)定位于上下方向的3個支承輥14的距各站8、9的側(cè)面的突出距離，使得使下端支持在驅(qū)動輥13上的基板W按例如70～85度的角度傾斜地保持。若使基板W按70～85度的角度傾斜，就可以不倒向與傾斜方向相反的方向，而在穩(wěn)定的狀態(tài)下進(jìn)行搬運(yùn)。而且，防止基板W在水平搬運(yùn)的情況下因自重而彎曲。在本實施方式中，上述基板W按75度的角度傾斜搬運(yùn)。
在從上述裝載部2向固定站8的一個側(cè)面的搬運(yùn)裝置10供給基板W的情況下，通過使裝載部2的支承部件4按照與保持在固定站8上的基板W的傾斜角度相同的角度傾斜，就能夠從裝載部2向固定站8的一個側(cè)面順利地交接基板W。
同樣地，在從固定站8的其他側(cè)面搬出基板W到卸載部3的情況下，若使該卸載部3的支承部件4按照與基板W相同的角度傾斜，就能夠從上述固定站8的其他側(cè)面向上述卸載部3順利地交接基板W。
在上述固定站8的一個側(cè)面上，作為處理裝置，分別依次設(shè)置著電刷清洗部17、作為處理部的蝕刻處理部18和純水清洗部19，在上述旋轉(zhuǎn)站9的一個側(cè)面和其他側(cè)面上，分別設(shè)置著作為處理裝置的干燥處理部20(圖中僅示出一方)。
上述電刷清洗部17無詳細(xì)的圖示，但構(gòu)成無端狀，使電刷面對置，配置了沿著基板W的上下方向無端移動的一對皮帶。然后，通過向這些一對皮帶的電刷面間搬運(yùn)上述基板W，就電刷清洗了基板W的一對板面即表面和背面。
由上述電刷清洗部17清洗后的基板W的表面和背面中，表面由上述蝕刻處理部18進(jìn)行蝕刻處理。如圖2和圖3所示，該蝕刻處理部18具有多個噴嘴，在本實施方式中具有第一至第四噴嘴21a～21d。
第一至第四噴嘴21a～21d按規(guī)定間隔配置在高度方向上，同時，對于基板W的搬運(yùn)方向，配置成位于上方的噴嘴比位于下方的噴嘴處在圖3中箭頭示出的基板W的搬運(yùn)方向后方的位置上。這樣，連接多個噴嘴21a～21d的直線L對于基板W的搬運(yùn)方向傾斜θ角度。
按照基板W的高度尺寸設(shè)定第一至第四噴嘴21a～21d的高度方向的間隔，根據(jù)基板W的搬運(yùn)速度，設(shè)定沿著基板W的搬運(yùn)方向的配置、即在基板W的搬運(yùn)方向中相鄰的噴嘴的間隔。
例如，在基板W的高度尺寸為1800mm的情況下，如圖3所示，將第一噴嘴21a的高度h1配置在1800mm的高度位置上，將第二噴嘴21b的高度h2配置在1350mm的高度位置上，將第三噴嘴21c的高度h3配置在900mm的高度位置上，將第四噴嘴21d的高度h4配置在450mm的高度位置上。
如圖2所示，第一至第四噴嘴21a～21d分別與從主供給管22分支的4個分支管23連接。在各分支管23上設(shè)置著流量控制閥24。這樣，就能夠從第一至第四噴嘴21a～21d向著基板W的表面，按照基于各自的流量控制閥24設(shè)定的流量，噴射作為處理液的蝕刻液。再有，在上述主供給管22上設(shè)置開關(guān)控制閥25，通過開放該開關(guān)控制閥25，向各分支管23供給蝕刻液。
將沿著基板W的搬運(yùn)方向的噴嘴間隔設(shè)定成，從各噴嘴21a～21d噴射到基板W的板面上的蝕刻液，根據(jù)基板W的搬運(yùn)速度沿著基板W的板面流動的區(qū)域各自不重疊。
圖4是在基板W的搬運(yùn)速度為2000mm/min、4000mm/min和6000mm/min時，利用實驗，求出從配置在上述各高度位置上的第一至第四噴嘴21a～21d噴射的蝕刻液流經(jīng)基板W的板面的區(qū)域的圖表。在該圖中，曲線X1～X4是基板W的搬運(yùn)速度為2000mm/min的情況，曲線Y1～Y4是基板W的搬運(yùn)速度為4000mm/min的情況，曲線Z1～Z4是基板W的搬運(yùn)速度為6000mm/min的情況。
例如，從配置在高度1800mm的位置上的第一噴嘴21a噴射的蝕刻液，在基板W的搬運(yùn)速度為2000mm/min時，如曲線X1所示，從第一噴嘴21a噴射的蝕刻液，流經(jīng)從垂直方向下方向基板W的搬運(yùn)方向偏移約20mm區(qū)域的范圍。在搬運(yùn)速度為4000mm/min時，如曲線Y1所示，流經(jīng)從垂直方向下方向基板W的搬運(yùn)方向偏移約40mm區(qū)域的范圍。在搬運(yùn)速度為6000mm/min時，如曲線Z1所示，流經(jīng)從垂直方向下方向基板W的搬運(yùn)方向偏移約60mm區(qū)域的范圍。
圖6至圖8示出了基于圖4中示出的實驗，在基板W的搬運(yùn)速度為2000mm/min、4000mm/min和6000mm/min時，使得從第一～第四噴嘴21a～21d噴射后流經(jīng)基板W的板面的蝕刻液的區(qū)域各自不重疊的上述第一～第四噴嘴21a～21d的配置狀態(tài)和從各噴嘴噴射后沿著基板W的板面流動的蝕刻液的區(qū)域。
在圖5中，曲線A示出了從第一～第四噴嘴21a～21d噴射到基板W的板面上后流向下方的蝕刻液的在基板W的下端部中的速度，曲線B示出了從各噴嘴21a～21d噴射到基板W的板面上的蝕刻液到達(dá)基板W的下端部的時間。
從該圖表可知，從基板W的高位置噴射的蝕刻液比從低位置噴射的蝕刻液到達(dá)下端部的時間長，但基板W的下端部中的速度比從低位置噴射的蝕刻液快。
例如，從高度900mm位置的第三噴嘴21c噴射的蝕刻液到達(dá)下端部的時間是0.44sec，故從高度位于2倍的1800mm位置上的第一噴嘴21a噴射的蝕刻液到達(dá)下端部的計算上的時間是其2倍的0.88sec，但實測值是0.62sec。即，在基板W的下端部中，由于從高位置落下的蝕刻液比從低位置落下的蝕刻液加速度大，故得到如圖5所示的測定結(jié)果。
上述純水清洗部19利用純水清洗在上述蝕刻清洗部18中蝕刻后的基板W的板面。純水清洗部19的詳細(xì)結(jié)構(gòu)未圖示，但例如從對于基板W的搬運(yùn)方向傾斜規(guī)定角度形成的多個縫隙狀的噴嘴，能夠大致均勻地將純水噴射到基板W的整個的正反兩面上。這樣，通過經(jīng)過上述純水清洗部19，在上述蝕刻處理部18中蝕刻處理而殘留的蝕刻液就被洗掉。
上述干燥處理部20去掉附著殘留在上述純水處理部19中清洗處理后的基板W上的純水。干燥處理部20由用比較高的壓力噴射惰性氣體等清潔的壓縮氣體的氣刀構(gòu)成，通過向搬運(yùn)的基板W的正反兩面噴射壓縮氣體，就去掉了在上述純水處理部19中清洗處理而附著殘留在該板面上的純水。
基板W在干燥處理部20中一進(jìn)行干燥處理，設(shè)置了該干燥處理部20的旋轉(zhuǎn)站9就180度旋轉(zhuǎn)，將干燥處理后的基板W向著卸載部3側(cè)。在該狀態(tài)下，向著卸載部3搬運(yùn)基板W，從搬運(yùn)裝置10交接給上述卸載部3。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的處理裝置，由搬運(yùn)裝置10將基板W向規(guī)定方向搬運(yùn)，在電刷清洗部17中清洗后，到達(dá)蝕刻處理部18，在此，蝕刻處理基板W的表面。在蝕刻處理基板W的情況下，如圖6至圖8所示，按照基板W的高度尺寸和搬運(yùn)速度，配置著蝕刻處理部18的第一至第四噴嘴21a～21d。
即，按照基板W的搬運(yùn)速度，設(shè)定著上述第一至第四噴嘴21a～21d的間隔，使得從第一至第四噴嘴21a～21d分別噴射到基板W板面上后流向下方的蝕刻液的各區(qū)域不重疊。
例如，在按6000mm/sec搬運(yùn)速度搬運(yùn)基板W的情況下，如圖8所示，若將從第一至第四噴嘴21a～21d噴射的蝕刻液向著下方流動的區(qū)域設(shè)為第一至第四區(qū)域R1～R4，則在基板W的上下方向全長上，這些各區(qū)域R1～R4與相鄰的其他區(qū)域不重疊。
因此，蝕刻了基板W的第一區(qū)域R1后的蝕刻液不與蝕刻了第二區(qū)域R2的蝕刻液混合，同樣地，蝕刻處理了第三、第四區(qū)域R3、R4后的蝕刻液中不混合蝕刻處理了其他區(qū)域后的蝕刻液。
例如，若蝕刻了第一區(qū)域R1后的蝕刻液與蝕刻了第二區(qū)域R2后的蝕刻液混合，則蝕刻液的反應(yīng)性就變差。但是，如上所述，從第一至第四噴嘴21a～21d噴射的蝕刻液不混合，而流經(jīng)各自的區(qū)域R1～R4。
因此，利用反應(yīng)性沒變差的蝕刻液，蝕刻處理基板W的從各噴嘴21a～21d噴射的蝕刻液所涉及的區(qū)域R1～R4，就能夠在基板W的整個表面上均勻地進(jìn)行該蝕刻處理。
如圖8所示，若按照第一至第四噴嘴21a～21d的配置高度，將基板W的高度方向分為第一至第四高度部分H1～H4，則第一高度部分H1就僅被流經(jīng)第一區(qū)域R1的蝕刻液蝕刻，但第二高度部分H2被流經(jīng)第一、第二區(qū)域R1、R2的蝕刻液蝕刻。同樣地，第三高度部分H3被流經(jīng)第一至第三區(qū)域R1～R3的蝕刻液蝕刻，第四高度部分H4被流經(jīng)第一至第四區(qū)域R1～R4的蝕刻液蝕刻。
圖8中用斜線示出由蝕刻液蝕刻各高度部分H1～H4的面積。第四高度部分H4由于被從第一至第四噴嘴21a～21d噴射的蝕刻液蝕刻，故成為最大，若將該部分的面積設(shè)為“1”，則僅由來自第一噴嘴的蝕刻液蝕刻的第一高度部分H1的面積就等于0.016。同樣地，第二高度部分等于0.125，第三高度部分等于0.422。
若將流向第四高度部分H4的蝕刻液的流量設(shè)為“1”，則對第一至第三高度部分H1～H3設(shè)定從第一至第四噴嘴21a～21d噴射的蝕刻液的流量，使之成與上述面積比的倒數(shù)相應(yīng)的流量。
例如，根據(jù)第一高度部分H4與第一高度部分H1的面積比是1∶0.016，就設(shè)定流量比是其倒數(shù)的1∶62.5的來自第一噴嘴21a的蝕刻液的供給量。同樣地，將第一高度部分H4與第二高度部分H2的流量比設(shè)定為1∶8.0，將第四高度部分H4與第三高度部分H3的流量比設(shè)定為1∶2.4。
這樣地，若按照面積比的倒數(shù)設(shè)定來自各噴嘴的蝕刻液的供給量，基板W的各高度部分從蝕刻液接受的每單位時間的蝕刻處理量(處理面積×蝕刻液量)就大致相同，因此，就能夠大致均勻地蝕刻處理基板W的整個表面。
圖9示出本發(fā)明的第二實施方式。該實施方式沿著在豎立狀態(tài)下進(jìn)行搬運(yùn)的基板W的高度方向，從基板W的上方沿著下方單行配置著多個噴嘴，例如5個噴嘴21。設(shè)定多個噴嘴21，使這些噴嘴21的間距P1～P4隨著從基板W的高度方向上方向到下方依次變大。
再有，在連接了噴嘴2 1的各分支管23上設(shè)置著與第一實施方式相同的流量控制閥24，在主供給管22上設(shè)置著開關(guān)控制閥25。
從噴嘴21向基板W的高度方向上部噴射供給的蝕刻液，比向下部噴射供給的蝕刻液的向下方落下的速度大。因此，在沿著基板W的高度方向等間隔配置了多個噴嘴21的結(jié)構(gòu)中，基板W的上部接受的每單位時間的蝕刻處理量就比下部小。
但是，如上所述地，使多個噴嘴21的配置間距在基板W的上部比下部密集，就能夠在基板W的高度方向全長上使基板W接受的每單位時間的蝕刻處理量大致相同。這樣，就可以在整體上均勻地進(jìn)行基板W的蝕刻處理。
圖10示出本發(fā)明的第三實施方式。該實施方式沿著在豎立狀態(tài)下進(jìn)行搬運(yùn)的基板W的高度方向，大致等間隔地配置多個噴嘴，例如4個噴嘴21。各噴嘴21與第一實施方式同樣地，通過分支管23，與主供給管22連接。
在各分支管23上分別設(shè)置壓力設(shè)定閥31，就能夠利用該壓力設(shè)定閥31，設(shè)定從各噴嘴21噴射的蝕刻液的壓力。在該實施方式中，供給到位于高度方向上方的噴嘴21中的蝕刻液的壓力，比供給到位于下方的噴嘴21中的壓力設(shè)定得高。
這樣，由于能夠向在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板W的高度方向上部，供給比下部多的蝕刻液，因此，就能夠在基板W的高度方向全長上進(jìn)行大致均勻的蝕刻。
在圖10中示出的第三實施方式中，也可以取代壓力設(shè)定閥31，在各分支管23上設(shè)置流量調(diào)整閥。這樣，能夠調(diào)整從各噴嘴21噴射的蝕刻液的流量。例如，利用各流量調(diào)整閥，將供給到位于高度方向上方的噴嘴21中的蝕刻液的量，比向位于下方的噴嘴21供給的量多。
這樣，由于能夠向在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板W的高度方向上部，供給比下部多量的蝕刻液，因此，即使供給到基板W上部的蝕刻液比供給到下部的蝕刻液流向下方的速度快，也能夠大致均勻地蝕刻基板W的高度方向的全長。
圖11示出本發(fā)明的第四實施方式。該實施方式與第一實施方式類似，但利用第一至第六的6個噴嘴21a～21f，對基板W噴射供給處理液。
第一、第二噴嘴21a、21b設(shè)置在第一集水管35a上，第三、第四噴嘴21c、21d設(shè)置在第二集水管35b上，第五、第六噴嘴21e、21f設(shè)置在第三集水管35c上。各集水管35a～35c分別通過設(shè)置了流量控制閥24的分支管23，與設(shè)置了開關(guān)控制閥25的主供給管22連接。
第一集水管35a配置在最上段，第二集水管35b配置在中段，第三集水管35c配置在下段。這樣，第一噴嘴21a處于最高位置，第二至第六噴嘴21b～21f依次降低高度配置。另外，第一至第六噴嘴21a～21f與第一實施方式同樣地，配置成位于高度方向上方的噴嘴比位于下方的噴嘴處在基板W的搬運(yùn)方向后方的位置上。
這樣地，通過在第一至第三集水管35a～35c上各設(shè)置了2個噴嘴，若設(shè)置在各集水管35a～35c上的2個噴嘴的口徑相同，就能夠按相同的流量噴射處理液。在想改變從設(shè)置在一個集水管上的2個噴嘴噴射的處理液的流量的情況下，可以改變2個噴嘴的口徑。能夠利用設(shè)置在各分支管23上的流量控制閥24，調(diào)整供給到3個集水管35a～35c中的處理液的流量。
從而，在這樣的結(jié)構(gòu)中，也可以將從6個噴嘴21a～21f噴射的處理液的量，設(shè)定成位于高度方向上方的噴嘴比位于下方的噴嘴的量大。
圖12和圖13示出本發(fā)明的第五實施方式。在上述各實施方式中，作為噴嘴，舉出了扁型和錐型等的處理液的噴射斷面為圓形的噴嘴，但在本實施方式中，使用直線狀噴射的縫隙型的噴嘴。
在該第五實施方式中，在基板W的高度方向上，按規(guī)定間隔配置著縫隙型的第一至第五噴嘴121a～121e，并且使得位于高度方向上方的噴嘴比位于下方的噴嘴處在基板W的搬運(yùn)方向后方的位置上。各噴嘴121a～121e向著鉛直方向下方配置著處理液的噴射方向。
通過使用縫隙型的噴嘴121a～121e，能夠均勻且迅速地向基板W的整個面噴射處理液，因此，就能在板面整體上均勻地進(jìn)行利用處理液的處理。
此外，由于縫隙型的噴嘴不是霧狀噴射處理液，故很少發(fā)生重霧。因此，在藥液處理后噴射純水的情況下，能夠防止純水的重霧附著在基板W的還沒噴射純水的部分上而藥液的反應(yīng)與其他部分不同的情況。其結(jié)果，就能夠利用藥液均勻地處理基板W全體。
在本實施方式中，向各噴嘴121a～121e供給的處理液與第一實施方式相同，在主供給管22上設(shè)置開關(guān)控制閥25，從該主供給管22分支5個分支管23，分別通過流量控制閥24，與各噴嘴121a～121e連接各分支管23。從而，能夠通過調(diào)整各流量控制閥24的開度，來控制對各噴嘴121a～121e的處理液的供給量。
圖14示出本發(fā)明的第六實施方式。該實施方式與第五實施方式的相同點(diǎn)是使用縫隙型的5個噴嘴121a～121e，但對于按規(guī)定角度傾斜縫隙面進(jìn)行搬運(yùn)的基板W的板面大致平行地配置各噴嘴。即，與第五實施方式的不同點(diǎn)在于，向著對于基板W的板面正交的方向配置著處理液的噴射方向。
再有，在該第六實施方式中，第一至第六噴嘴121a～121e與上述第五實施方式同樣地，配置成位于高度方向上方的噴嘴比位于下方的噴嘴處在基板W的搬運(yùn)方向后方的位置上。
在這樣的結(jié)構(gòu)中，與第五實施方式同樣地，能夠均勻且迅速地向基板W的整個面上噴射處理液，故能夠在板面整體上均勻地進(jìn)行利用處理液的處理。
圖15和圖16是本發(fā)明的第七實施方式。該第七實施方式是圖14中示出的第六實施方式的變形例。即，在噴嘴上使用縫隙型的5個噴嘴121a～121e。各噴嘴121a～121e在基板W的高度方向上，按規(guī)定間隔配置成位于高度方向上方的噴嘴比位于下方的噴嘴處在基板W的搬運(yùn)方向后方的位置上。
各噴嘴121a～121e如圖5中箭頭所示，向著上方配置著噴射方向，使得從縫隙噴射的處理液畫拋物線P。另外，如圖16所示，各噴嘴121a～121e配置成從縫隙噴射的處理液的拋物線P的頂點(diǎn)T的部分接觸到基板W的板面。
這樣地，若對基板W的板面配置各噴嘴121a～121e，處理液就在流速接近于0的緩慢的狀態(tài)下與基板W的板面接觸，在該板面上流向下方。因此，防止處理液在基板W的板面上反沖。
例如，在用作為處理液的純水漂洗已利用藥液等作為處理液處理過的基板的情況下，若純水強(qiáng)力地接觸到基板W的板面后反沖，有時包含藥液的純水就附著在基板W的未漂洗的邸內(nèi)部分上，藥液被稀釋后該部分的反應(yīng)與其他部分不同，基板W的處理狀態(tài)就不均勻。
但是，通過從各噴嘴121a～121e噴射漂洗液成拋物線狀，使該拋物線的頂點(diǎn)T的部分與基板W的板面接觸，漂洗液就在基板W的板面上幾乎不反沖。因此，就沒有包含藥液的漂洗液附著在基板W的已經(jīng)漂洗處理后的部分上進(jìn)行反應(yīng)的情況，因此，能夠防止漂洗處理時在基板W的處理狀態(tài)中發(fā)生不均。
再有，在該第七實施方式中，作為處理液，不限于漂洗液，也可以是藥液。在使用了藥液的情況下，與使用了漂洗液的情況相同，由于藥液不在基板W的板面上反沖而附著在其他部分上，故能夠防止利用藥液的基板W的處理不均勻的情況。
此外，作為噴嘴，不限于縫隙型，也可以是扁型和錐型等其他類型的噴嘴。
本發(fā)明不限定于上述各實施方式，可以在不脫離主旨的范圍內(nèi)做各種各樣的變形。例如，作為在處理部中供給到基板上的處理液，不限定于蝕刻液，可以是處理基板的其他藥液、例如顯影液、剝離液、過氧化氫水、氨水等。此外，本發(fā)明也可以適用于純水清洗部中，在該情況下，通過從噴嘴供給純水，就能夠在整個面上均勻地進(jìn)行基板的漂洗處理。
權(quán)利要求
1.一種基板的處理裝置，利用處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)裝置，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；及處理部，向利用該搬運(yùn)裝置在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板噴射處理液；上述處理部具有向上述基板的板面噴射處理液的多個噴嘴，這些多個噴嘴按規(guī)定間隔配置在上述基板的高度方向上，并且，位于高度方向上方的噴嘴比位于下方的噴嘴處在上述基板的搬運(yùn)方向的后方。
2.如權(quán)利要求1所述的基板的處理裝置，其特征在于，在上述基板的搬運(yùn)方向相鄰的噴嘴，從各自的噴嘴噴射后沿著基板的板面流動的處理液的區(qū)域不重疊地間隔設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的基板的處理裝置，其特征在于，位于高度方向上方的噴嘴，比位于下方的噴嘴的處理液的噴射量設(shè)定得大。
4.如權(quán)利要求1所述的基板的處理裝置，其特征在于，上述噴嘴被配置在噴射方向朝斜上方以使得被噴射的處理液畫拋物線、而且處理液的拋物線的頂點(diǎn)部分接觸到基板的板面的位置上。
5.一種基板的處理裝置，利用處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)裝置，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；及多個噴嘴，向利用該搬運(yùn)裝置在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板的板面噴射處理液；將上述多個噴嘴配置成，沿著上述基板的高度方向，而且間距隨著從高度方向上方向下方依次變大。
6.一種基板的處理裝置，利用處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)裝置，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；及多個噴嘴，向利用該搬運(yùn)裝置在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板的板面噴射處理液；將上述多個噴嘴配置成，沿著上述基板的高度方向按規(guī)定間隔配置，而且供給到位于高度方向上方的噴嘴中的處理液的壓力，比供給到位于下方的噴嘴中的處理液的壓力設(shè)定得高。
7.一種基板的處理裝置，利用處理液處理基板，其特征在于，具有搬運(yùn)裝置，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；及多個噴嘴，向利用該搬運(yùn)裝置在豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板的板面噴射處理液；將上述多個噴嘴配置成，沿著上述基板的高度方向按規(guī)定間隔配置，而且供給到位于高度方向上方的噴嘴中的處理液的流量，比供給到位于下方的噴嘴中的處理液的流量設(shè)定得大。
8.一種基板的處理方法，沿著基板的高度方向配置多個噴嘴，從這些噴嘴噴射處理液來處理基板，其特征在于，具有以下工序搬運(yùn)工序，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；及噴射工序，從多個噴嘴向豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板噴射處理液，而且使從各噴嘴噴射后沿著基板的板面流下的各自的處理液的區(qū)域不重疊。
9.一種基板的處理方法，沿著基板的高度方向配置多個噴嘴，從這些噴嘴噴射處理液來處理基板，其特征在于，具有以下工序搬運(yùn)工序，在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)上述基板；及噴射工序，從上述多個噴嘴向豎立狀態(tài)下搬運(yùn)的基板噴射處理液，而且使供給到位于上述基板的高度方向上部的噴嘴中的處理液，比供給到位于下部的噴嘴中的處理液的壓力和流量中的至少一方大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種處理裝置，能夠利用處理液，均勻地處理在豎立狀態(tài)下進(jìn)行搬運(yùn)的基板。在利用處理液處理基板的處理裝置中，具有在豎立狀態(tài)下向規(guī)定方向搬運(yùn)基板的搬運(yùn)裝置和向在豎立狀態(tài)下利用該搬運(yùn)裝置搬運(yùn)的基板噴射處理液的蝕刻處理部(18)，該蝕刻處理部具有多個向基板的板面噴射處理液的噴嘴(21a～21d)，這些多個噴嘴按規(guī)定間隔配置在基板的高度方向上，并且，位于高度方向上方的噴嘴比位于下方的噴嘴處在基板的搬運(yùn)方向后方的位置上。
文檔編號B08B3/02GK1576961SQ20041006406
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月18日
發(fā)明者磯明典, 西部幸伸, 和歌月尊彥 申請人:芝浦機(jī)械電子株式會社