專利名稱：蛋白激酶和/或磷酸酶活性的基于sers的單步實時檢測的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及診斷和篩選器件領(lǐng)域。具體地說，在一些實施方式中，本發(fā)明提供激酶 和/或磷酸酶檢測系統(tǒng)，其包括與包含增強拉曼光譜信號的納米級特征的表面連接的一種 或多種激酶和/或磷酸酶底物。
背景技術(shù)：
將磷酸根基團(磷酸基團，phosphate group)添加到蛋白或從蛋白除去對于真核 細(xì)胞內(nèi)信號的傳輸來說是重要的，因此，蛋白磷酸化和脫磷酸化(去磷酸化)調(diào)節(jié)許多不同 的細(xì)胞過程。正常細(xì)胞生長以由協(xié)調(diào)的細(xì)胞內(nèi)信號的復(fù)合組構(gòu)成的緊密調(diào)節(jié)的信號轉(zhuǎn)導(dǎo)通 路為特征，所述信號調(diào)整或改變細(xì)胞活性(例如生長、增殖、凋亡等)。相反，瘤(neoplasms) 以去調(diào)節(jié)的(deregulated)細(xì)胞生長為特征。此外，惡性瘤具有侵入正常的組織以及轉(zhuǎn)移 到遠(yuǎn)離原始瘤的身體部位并且在所述身體部位處生長的能力。認(rèn)為在許多癌細(xì)胞中觀察到 的去調(diào)節(jié)的細(xì)胞生長的病因?qū)W涉及在控制細(xì)胞生長、分裂、分化和凋亡的信號通路中的異 常變化。在瘤形成的許多方面蛋白激酶和/或磷酸酶已經(jīng)作為重要的細(xì)胞調(diào)節(jié)蛋白出現(xiàn)。 在導(dǎo)致正常細(xì)胞信號通路中斷的初始事件中經(jīng)常發(fā)生在蛋白激酶和/或磷酸酶介導(dǎo)的信 號過程中的遺傳突變。蛋白激酶是將磷酸根基團共價地連接到在蛋白中發(fā)現(xiàn)的典型地酪氨 酸、絲氨酸或蘇氨酸殘基的側(cè)鏈的酶，而磷酸酶是除去這種磷酸根基團的酶。磷酸化改變重 要的信號蛋白的活性。通過控制這些蛋白的活性，激酶和/或磷酸酶控制大部分細(xì)胞過程， 包括但不限于代謝、轉(zhuǎn)錄、細(xì)胞周期進展、細(xì)胞骨架重組、細(xì)胞運動、凋亡和分化。隨著人類基因組序列的完成，估計有在基因組中編碼的大約500種蛋白激酶 (Manning φ (2002)Science 298:19 12-1934 ；Daucey and Sausville(2003)Nature Rev. Drug Discov. 2 :296_313)。這占所有人類基因的約 1. 7% (Manning等(2002) Science 298 19 12-1934)。30種已知腫瘤抑制基因中的大部分和超過100種顯性癌基因是蛋白激酶 (Futreal等(2001)Nature 409 :850_852)。這種類型基因中的體細(xì)胞突變在大量的人類癌 癥中起作用。因此，蛋白激酶提供了干預(yù)癌癥的潛在藥物目標(biāo)的豐富來源。雖然激酶/磷酸酶蛋白家族代表新型藥物目標(biāo)的豐富來源，但是用于確定化合物 親和性的發(fā)展中的分析是非常有問題的。目前用于蛋白激酶和/或磷酸酶調(diào)節(jié)劑(例如， 抑制劑或激動劑)的高通量篩選分析測量蛋白或肽底物的磷酸酯(磷酸根)的引入或者損失。大部分建立的用于分析蛋白激酶/磷酸酶調(diào)節(jié)劑的方法是放射分析，其中用32P或33P 標(biāo)記ATP的Y磷酸酯(磷酸根)。當(dāng)在磷轉(zhuǎn)移酶反應(yīng)期間激酶將Y磷酸酯(磷酸根)轉(zhuǎn) 移到蛋白底物的羥基時，該蛋白變成用同位素共價地標(biāo)記。相反地，當(dāng)磷酸酶除去標(biāo)記的磷 酸酯(磷酸根)時，該蛋白失去同位素標(biāo)記。從標(biāo)記的ATP除去該蛋白并且確定放射性蛋 白的量。由于勞動密集的分離步驟和使用的大量放射性，這種分析在高通量形式中的適應(yīng) 是有問題的。能夠較高通量的供選擇的放射分析是SPA或閃爍迫近分析。在這種分析中，當(dāng)標(biāo) 記的底物與浸漬有閃爍劑的珠子結(jié)合時該珠子發(fā)光。這種分析受到放射性水平和肽底物效 率的限制。大部分非放射性分析使用識別激酶反應(yīng)產(chǎn)物即磷酸肽的抗體。結(jié)合分析使用用酶 催化發(fā)光讀出器檢測的抗體。這些方法受到試劑可用性、孔涂布以及多個清洗和培育步驟 的限制。

發(fā)明內(nèi)容
在一些實施方式中，本發(fā)明涉及用于檢測和/或定量樣品中一種或多種激酶和/ 或磷酸酶的存在和/或活性的篩選系統(tǒng)。在一些實施方式中，所述系統(tǒng)包括對連接到增強 拉曼光譜學(xué)中的信號的底物的目標(biāo)激酶和/或磷酸酶具有高特異性的激酶和/或磷酸酶底 物。在一些實施方式中，所述底物是包括增強SERS測量中的信號的納米級特征的底物。因此，在一些實施方式中，提供用于檢測激酶和/或磷酸酶活性的器件。該器件典 型地包括拉曼活性表面，該拉曼活性表面包括增強拉曼散射的特征，其中所述表面連接有 至少一種激酶和/或磷酸酶底物分子。在一些實施方式中，所述表面連接有多種激酶底物 (例如，小分子、脂質(zhì)、肽等)和/或磷酸酶底物分子(例如，磷酸化的小分子、磷酸化的脂 質(zhì)、磷酸化的肽等)。在一些實施方式中，所述激酶底物分子包括，但不限于，核苷酸、糖、多 糖、聚合物和脂質(zhì)，而所述磷酸酶底物分子包括，但不限于，磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、 磷酸化的多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂質(zhì)。在一些實施方式中，所述激酶底物包括用 于絲氨酸激酶、蘇氨酸激酶、組氨酸激酶、和/或酪氨酸激酶的肽底物。在一些實施方式中， 所述底物是用于Src酪氨酸激酶的肽底物。在各種實施方式中，所述多種肽包括至少3種， 優(yōu)選至少約5種，更優(yōu)選至少約10、100、500、1000、2000或5000種不同的肽。在一些實施 方式中，所述肽的長度為約5 約50個氨基酸。在一些實施方式中，所述肽可定位使得來 自每種肽的信號能夠與來自其它種類肽的信號區(qū)別。在各種實施方式中，增強拉曼散射的 特征包括選自納米級錐體、納米級點、納米級纖維、納米管、納米角、納米空穴、納米蝶形結(jié) (弓形交叉，bowtie)、納米碗、納米月牙狀物和納米夾餅(nanoburger)的多種(多重)納 米級特征。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征包括選自金屬、基于碳的材料、聚合物、 石英材料、液晶材料、金屬氧化物材料、鹽晶和半導(dǎo)體材料的材料。在一些實施方式中，增強 拉曼散射的特征包括選自貴金屬、貴金屬合金、貴金屬復(fù)合物的材料。在一些實施方式中， 增強拉曼散射的特征包括選自金、金合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、 CdS 半導(dǎo)體、覆蓋有 ZnS 的 CdSe、磁性膠體材料、ZnS、Zn0、Ti02、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、 ZnTe,CdTe> In2S3> In2Se3>Cd3P2>Cd3As2, InAs 和 GaAs 的材料。在一些實施方式中，所述特征 的中心距為約25nm、50nm或50nm到約0. 5 μ m、300nm、200nm或150nm。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征具有約10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、40nm或50nm到約200nm、150nm、 IOOnm或75nm的尺寸。在各種實施方式中，所述表面連接有多種激酶和/或磷酸酶底物分 子(例如，至少2種，優(yōu)選至少5或10種，更優(yōu)選至少20、50或100種不同的種類)。在一 些實施方式中，所述器件包括包含金納米錐體的拉曼活性表面；所述激酶底物分子包括多 種蛋白激酶和/或磷酸酶底物；和所述拉曼活性表面構(gòu)成(包括，comprises)微流體室或 者設(shè)置在微流體室中。還提供檢測和/或定量樣品中激酶或磷酸酶活性的方法。所述方法典型地包括 使所述樣品與包括激酶和/或磷酸酶底物序列的分子接觸；和通過檢測所述肽的拉曼散 射光譜的變化檢測所述分子的磷酸化。在一些實施方式中，所述表面連接有多種激酶底物 (例如，小分子、脂質(zhì)、肽等)和/或磷酸酶底物分子(例如，磷酸化的小分子、磷酸化的脂 質(zhì)、磷酸化的肽等)。在一些實施方式中，所述激酶底物分子包括，但不限于，核苷酸、糖、多 糖、聚合物和脂質(zhì)，而磷酸酶底物分子包括，但不限于，磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、磷酸 化的多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂質(zhì)。在一些實施方式中，所述激酶底物包括用于絲 氨酸激酶、蘇氨酸激酶、組氨酸激酶和/或酪氨酸激酶的肽底物。在一些實施方式中，所述 底物是用于Src酪氨酸激酶的肽底物。在各種實施方式中，所述多種肽包括至少3種，優(yōu)選 至少約5種，更優(yōu)選至少約10、100、500、1000、2000或5000種不同的肽。在一些實施方式 中，所述肽的長度為約5 約50個氨基酸。在一些實施方式中，所述肽可定位使得來自每 種肽的信號能夠與來自其它種類肽的信號區(qū)別。在各種實施方式中，增強拉曼散射的特征 包括選自納米級錐體、納米級點、納米級纖維、納米管、納米角、納米空穴、納米蝶形結(jié)、納米 碗、納米月牙狀物和納米夾餅的多種納米級特征。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征 包括選自金屬、基于碳的材料、聚合物、石英材料、液晶材料、金屬氧化物材料、鹽晶和半導(dǎo) 體材料的材料。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征包括選自貴金屬、貴金屬合金、貴 金屬復(fù)合物的材料。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征包括選自金、金合金、銀、銀合 金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半導(dǎo)體、覆蓋有ZnS的CdSe、磁性膠體材料、 ZnS> ZnO> Ti02> AgI> AgBr> Hgl2、PbS、PbSe、ZnTe> CdTe> In2S3、In2Se3、Cd3P2> Cd3As2、InAs 禾口 GaAs的材料。在一些實施方式中，所述特征的中心距為約25nm、50nm或50nm到約0. 5 μ m、 300nm、200nm或150nm。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征具有約10nm、15nm、20nm、 25nm、30nm、40nm或50nm到約200nm、150nm、IOOnm或75nm的尺寸。在各種實施方式中，所 述表面連接有多種激酶和/或磷酸酶底物分子(例如，至少2種，優(yōu)選至少5或10種，更優(yōu) 選至少20、50或100種不同的種類)。在一些實施方式中，所述器件包括包含金納米錐體的 拉曼活性表面；所述激酶底物分子包括多種蛋白激酶和/或磷酸酶底物；和所述拉曼活性 表面構(gòu)成微流體室或者設(shè)置在微流體室中。還提供用于檢測在一個或多個樣品中激酶和/或磷酸酶活性的系統(tǒng)。在各種實施 方式中，所述系統(tǒng)包括如本文所述的用于檢測激酶和/或磷酸酶活性的器件(例如，包括 增強拉曼散射的特征的拉曼活性表面，其中所述表面連接有至少一種激酶和/或磷酸酶底 物分子)；和設(shè)置以測量該器件的一個或多個區(qū)域的表面增強拉曼光譜的拉曼檢測探針。 在一些實施方式中，所述器件和/或拉曼檢測探針設(shè)置在定位器(位置控制器)中。在一 些實施方式中，所述器件設(shè)置在χ-y掃描樣品臺上。在一些實施方式中，所述拉曼檢測探針 包括激光傳送纖維、物鏡、長通濾光器和拉曼散射光收集纖維。在各種實施方式中，所述系統(tǒng)可進一步包括控制數(shù)據(jù)采集位置的控制計算機。在一些實施方式中，提供篩選用于激酶和/或磷酸酶活性的調(diào)節(jié)劑的樣品的方 法。所述方法典型地包括接觸本文所述的用于檢測激酶和/或磷酸酶活性的器件(例如， 包括增強拉曼散射的特征的拉曼活性表面，其中所述表面連接有至少一種激酶和/或磷酸 酶底物分子)；當(dāng)所述激酶和/或磷酸酶底物進行磷酸化或脫磷酸化時進行SERS測量以檢 測拉曼散射光譜的變化，其中拉曼光譜變化的抑制表明測試試劑是激酶和/或磷酸酶活性 的抑制劑。在一些實施方式中，所述測試樣品包括測試試劑庫。在一些實施方式中，所述測 試樣品包括包含至少10種或至少20種，優(yōu)選至少50種或至少100種，更優(yōu)選至少200種、 300種、400種或500種，且最優(yōu)選至少1000種或至少5000種不同的測試試劑的測試試劑 庫。在各種實施方式中，提供制備用于檢測激酶和/或磷酸酶活性的表面的方法，所 述方法包括將激酶和/或磷酸酶底物分子陣列沉積在第一表面上；使所述激酶和/或磷 酸酶底物分子陣列與包括多個增強拉曼散射的特征的SERS表面接觸，其中所述接觸是在 將所述激酶和/或磷酸酶底物分子從所述第一表面轉(zhuǎn)移到所述SERS表面以形成用于檢測 激酶和/或磷酸酶活性的表面的條件下。在一些實施方式中，所述激酶和/或磷酸酶底物 分子帶有官能團或者具有官能團的連接物，其與SERS表面反應(yīng)以形成共價連接。在一些實 施方式中，在軟平版印刷基底(例如，PDMS芯片)上形成SERS表面。在一些實施方式中， 所述方法還包括將所述SERS表面設(shè)置在微流體結(jié)構(gòu)中或者將所述SERS表面附著到微流 體結(jié)構(gòu)上以形成鄰近該SERS表面的孔。在一些實施方式中，所述孔具有1 μ L或更低，或者 0. 5 μ L或更低，或者0. 25 μ L或更低的容積。在一些實施方式中，所述激酶和/或磷酸酶底 物分子陣列包括約20 約500nm的點之間的間隔。在一些實施方式中，形成所述激酶和/ 或磷酸酶底物分子陣列的點具有約20 約500nm的特征尺寸。在一些實施方式中，所述陣 列包括至少3種，優(yōu)選至少約5種，更優(yōu)選至少約10、20、30、40或50種，和最優(yōu)選至少100、 500、1，000、2，000或5，000種不同的底物。在一些實施方式中，所述激酶底物分子選自小分 子、脂質(zhì)和肽。在一些實施方式中，所述磷酸酶底物分子選自磷酸化的小分子、磷酸化的脂 質(zhì)和磷酸化的肽。在一些實施方式中，所述激酶底物分子選自核苷酸、糖、多糖、聚合物和脂 質(zhì)。在一些實施方式中，所述磷酸酶底物分子選自磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、磷酸化的 多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂質(zhì)。在一些實施方式中，所述激酶和/或磷酸酶底物分 子為肽。在一些實施方式中，所述激酶底物包括用于絲氨酸激酶、蘇氨酸激酶、組氨酸激酶 和/或酪氨酸激酶的肽底物。在一些實施方式中，所述底物是用于Src酪氨酸激酶的肽底 物。在一些實施方式中，所述肽的長度為約5 約50個氨基酸。在一些實施方式中，所述 肽可定位使得來自每種肽的信號能夠與來自其它種類肽的信號區(qū)別。在各種實施方式中， 增強拉曼散射的特征包括選自納米級錐體、納米級點、納米級纖維、納米管、納米角、納米空 穴、納米蝶形結(jié)、納米碗、納米月牙狀物和納米夾餅的多種納米級特征。在一些實施方式中， 增強拉曼散射的特征包括選自金屬、基于碳的材料、聚合物、石英材料、液晶材料、金屬氧化 物材料、鹽晶和半導(dǎo)體材料的材料。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征包括選自貴金 屬、貴金屬合金和貴金屬復(fù)合物的材料。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征包括選 自金、金合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半導(dǎo)體、覆蓋有ZnS的 CdSe、磁性膠體材料、ZnS、ZnO、TiO2, Agl、AgBr、HgI2, PbS、PbSe、ZnTe, CdTe, In2S3, In2Se3,Cd3P2、Cd3As2、InAs和GaAs的材料。在一些實施方式中，所述特征的中心距為約25nm、50nm 或50nm到約0. 5ym、300nm、200nm或150nm。在一些實施方式中，增強拉曼散射的特征具有 約 10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、40nm 或 50nm 到約 200nm、150nm、IOOnm 或 75nm 的尺寸。還提供用于制造納米錐體表面的方法。所述方法典型地包括提供能照相平版印 刷(能光刻)的表面；使所述表面與第一等離子體接觸以產(chǎn)生納米級氧化物島陣列；蝕刻 所述表面以形成納米柱陣列；除去在構(gòu)成所述納米柱陣列的納米柱上的氧化物層；和蝕刻 所述納米柱陣列以形成納米錐體陣列。在一些實施方式中，所述方法還包括使所述納米錐 體陣列金屬化。在一些實施方式中，所述能照相平版印刷的表面包括硅或鍺表面。在一些實 施方式中，所述能照相平版印刷的表面包括選自ZnS、Zn0、Ti02、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、 ZnTe,CdTe> In2S3> In2Se3>Cd3P2>Cd3As2, InAs 和 GaAs 的材料。在一些實施方式中，所述第一 等離子體包括HBr和O2的混合物。在一些實施方式中，蝕刻所述表面以形成納米柱陣列包 括通過HBr等離子體進行蝕刻。在一些實施方式中，所述氧化物島層通過SF6等離子體蝕刻 除去。在一些實施方式中，蝕刻所述納米柱陣列以形成納米錐體陣列包括通過HBr等離子 體進行蝕刻。在一些實施方式中，所述金屬化包括將金屬層沉積在所述納米錐體陣列上，其 中所述金屬包括選自貴金屬、貴金屬合金和貴金屬復(fù)合物的金屬。在一些實施方式中，所述 金屬化包括將金屬層沉積在所述納米錐體陣列上，其中所述金屬包括選自金、金合金、銀、 銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半導(dǎo)體、覆蓋有ZnS的CdSe、磁性膠體材 料、ZnS> ZnO> Ti02、Agl、AgBr、Hgl2、PbS、PbSe、ZnTe> CdTe> In2S3、In2Se3、Cd3P2> Cd3As2、InAs 和GaAs的材料。還提供納米錐體陣列。所述納米錐體陣列可用于產(chǎn)生拉曼活性表面。在各種實施 方式中，所述陣列包括其上具有多個納米錐體的表面，其中所述納米錐體具有平均小于約 IOOnm的特征尺寸和小于約500nm的平均特征間間隔。在各種實施方式中，所述納米錐體具 有平均小于約50nm的特征尺寸和小于約IOOnm的平均特征間間隔。在一些實施方式中，所 述表面包括選自貴金屬、貴金屬合金和貴金屬復(fù)合物的金屬。在一些實施方式中，所述表面 包括選自金、金合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半導(dǎo)體、覆蓋有 ZnS 的 0(^6、磁性膠體材料、2115、2110、1102、六81、六881~、取12、卩卜5、？卜56、21^6、0( ^、In2S3、 In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs 和 GaAs 的材料。^X“激酶”是催化磷酸根基團(例如，從ATP或其它分子)轉(zhuǎn)移到目標(biāo)分子如肽或其 它激酶底物的分子?！凹っ傅孜铩笔侵缚赏ㄟ^激酶進行磷酸化或者在一些情況下進行脫磷酸化的分子?！傲姿崦浮笔谴呋姿岣鶊F從目標(biāo)分子如肽或其它磷酸酶底物轉(zhuǎn)移從而導(dǎo)致該 底物的部分或完全脫磷酸化的分子。“磷酸酶底物”是指可以通過磷酸酶進行部分或完全脫磷酸化的分子。“陣列”是指在固體載體(例如，表面)上不同種類分子的集合。在一些實施方式 中，不同種類的分子位于載體的不同區(qū)域，即它們是空間定址的。術(shù)語“陣列特征”是指主要包括單種分子的陣列的基本上鄰接的域(例如，陣列上 的點)?！袄钚缘孜铩笔侵高m合用于表面增強拉曼光譜學(xué)(SERs)的底物。在一些實施方式中，所述拉曼活性底物包括增強拉曼散射信號的納米級特征。關(guān)于激酶底物陣列使用的術(shù)語“多種激酶底物”表示所述陣列含有在不同位置的 至少兩種不同的激酶底物(例如，不同的肽)。類似的“多種磷酸酶底物”表示所述陣列含 有在不同位置的至少兩種不同的磷酸酶底物(例如，不同的肽)。在一些實施方式中，底物 可為激酶和磷酸酶底物兩者。


圖1A-1D說明通過激酶(例如SRC)的蛋白磷酸化(例如，酪氨酸磷酸化)的檢測 圖解。圖IA 說明用于Src激酶(SEQ ID NO=D的底物肽。其具有10個氨基酸，包括在N 末端的半胱氨酸殘基和鄰近C末端的酪氨酸殘基。圖IB 底物肽的磷酸化。在肽通過Src 激酶磷酸化之后在酪氨酸殘基上的羥基被帶負(fù)電的磷酸根基團取代。圖IC 在增強散射Au 表面上的磷-肽(phosphor-p印tide)折疊。磷-酪氨酸殘基的負(fù)電荷被吸引更接近親電 子的Au表面，其中拉曼散射增強是更強的。圖ID 計算的相對SERS增強因子相對于酪氨 酸殘基到Au表面的距離。酪氨酸殘基越接近Au表面，則可獲得越強的SERS信號，反之亦 然。圖2A-2D顯示通過Src激酶的酪氨酸的酪氨酸磷酸化的SERs光譜。圖2A顯示磷 酸化和未磷酸化的底物的SERs光譜。圖2B顯示通過純化Src激酶的實時酪氨酸磷酸化。 1004cm—1歸因于酪氨酸殘基的苯環(huán)呼吸模式。隨著越來越多的肽磷酸化，酪氨酸拉曼峰變得 越來越強，表明由于磷酸根基團的負(fù)電荷引起的肽折疊。圖2C顯示時間分辨的磷酸化水平 或者1004cm—1峰增強。檢測極限為10 μ L容積中IOpM Src激酶，這給出亞-飛(毫微微) 摩爾激酶檢測靈敏度。圖2C顯示實時抑制實驗。該圖顯示對于單位點阻斷(single site blocking)和雙位點阻斷抑制劑酶的磷酸化水平相對于抑制劑濃度。這兩種抑制劑的IC50 濃度分別為44nM和20nM。圖3A-3D顯示抑制藥物篩選數(shù)據(jù)。圖3A顯示在與IOnM Src激酶和不同濃度的 Src抑制劑I反應(yīng)20分鐘之后的最終光譜。圖3B顯示在與IOnM Src激酶和Src抑制劑I 反應(yīng)中的隨時間推移的磷酸化水平。圖3C顯示在對于各種抑制劑濃度反應(yīng)20分鐘之后的 最終磷酸化水平。在數(shù)據(jù)的S形擬合之后，Src抑制劑I的IC50濃度為約50nM。圖3D顯 示在與IOnM Src激酶和AMP-PNP但沒有ATP的反應(yīng)中隨時間推移的磷酸化水平。圖4A-4D顯示在粗細(xì)胞溶解產(chǎn)物(裂解物)中實時的酪氨酸磷酸化檢測。圖4A 顯示在引入野生型3T9小鼠成纖維細(xì)胞的粗溶解產(chǎn)物之后肽的實時SERS光譜。圖4B顯示 在引入轉(zhuǎn)染有病毒Src蛋白的3T9小鼠成纖維細(xì)胞的粗溶解產(chǎn)物之后肽的實時SERS光譜。 圖4C顯示時間分辨的磷酸化水平。酪氨酸磷酸化水平在Src+細(xì)胞中驚人地提高。圖4D 顯示不同類型的3T9細(xì)胞的磷酸化水平。圖5，板塊A-E顯示抑制藥物篩選數(shù)據(jù)。圖6說明納米錐體陣列。圖7說明制造納米錐體陣列的方案。圖8示意性地說明制造包括多個納米級特征的表面的方案。圖9示意性地說明制造SERs激酶檢測基底的方法。圖10示意性地說明用于在納米錐體基底上檢測激酶活性的SERS檢測系統(tǒng)。
12
圖11示意性地說明自動SERs檢測系統(tǒng)的一種設(shè)置。
具體實施例方式本發(fā)明提供用于研究/表征蛋白/肽底物與激酶(使蛋白磷酸化的酶)和/或磷 酸酶(使蛋白部分或完全脫磷酸化的酶)的相互作用的新型組合物和方法。令人驚訝的發(fā) 現(xiàn)是，在合適的條件下，拉曼光譜學(xué)可用于有效地檢測和/或定量目標(biāo)分子例如激酶和/或 磷酸酶底物的磷酸化(或脫磷酸化)(參見，例如圖IA和1B)。磷酸化反應(yīng)之前和之后肽的 說明性拉曼光譜如圖2A所示。如該圖所示，激酶底物(在這種情況下為肽)的磷酸化導(dǎo)致 若干拉曼峰的強度改變，一些峰移位并且新的峰出現(xiàn)。明顯地，可使用拉曼光譜學(xué)檢測激酶 底物的磷酸化。類似地，也可使用拉曼光譜學(xué)檢測磷酸化的底物的脫磷酸化。因此，在一些 實施方式中，本發(fā)明提供包括一種或多種激酶和/或磷酸酶底物分子的檢測組合物和/或 檢測系統(tǒng)，所述底物分子例如為可通過激酶磷酸化和/或通過磷酸酶脫磷酸化的分子，所 述激酶和/或磷酸酶底物分子連接(例如化學(xué)結(jié)合)到在表面上的一種或多種納米顆粒， 或者更優(yōu)選到一種或多種納米級特征，其中所述納米顆?；蛘咭环N或多種納米級特征起到 增強拉曼光譜學(xué)中產(chǎn)生的信號的作用。 在各種實施方式中，特別在所述激酶和/或磷酸酶底物連接到表面(例如，拉曼活 性表面)上的一種或多種納米級特征時，不同的激酶和/或磷酸酶底物分子可定位在所述 底物上的不同位置，從而形成用于檢測一種或多種激酶和/或磷酸酶和/或定量一種或多 種激酶和/或磷酸酶的活性的陣列。圖IC說明激酶底物(例如，肽)在拉曼活性表面例如增強散射金表面上的磷酸 化。磷酸化殘基(這種情況下為酪氨酸)的負(fù)電荷被吸引更接近親電子的金表面，其中拉 曼散射增強更強，從而改善拉曼信號。如圖ID所示，磷酸化殘基離金表面越近，則可獲得越 強的SERS信號，反之亦然(例如對于脫磷酸化的檢測)。因此，包括連接的激酶和/或磷酸酶底物陣列的表面特別是拉曼活性表面提供用 于實時篩選一種或多種激酶和/或磷酸酶的存在和/或活性、和/或一種或多種激酶和/ 或磷酸酶的動力學(xué)的定量的有效工具。所述激酶和/或磷酸酶底物陣列也可容易地用于篩 選一種或多種測試試劑(例如，化學(xué)藥品庫)的激酶和/或磷酸酶抑制劑(或激動劑)活 性。因此，在各種實施方式中，本文所述的激酶/磷酸酶篩選系統(tǒng)可用于快速和有效 地篩選上調(diào)(upregulate)激酶和/或磷酸酶活性的激酶和/或磷酸酶抑制劑藥物(超過 50%的癌癥藥物是激酶抑制劑藥物)或試劑。在一些實施方式中，所述激酶/磷酸酶分析 也可用于例如醫(yī)生和醫(yī)院職員的對于癌癥的個人化的分子診斷。拉曼活性表面，例如包括增強拉曼光譜學(xué)信號的納米級特征的表面，特別適合用 作本文所述SERs激酶底物陣列的陣列表面。雖然許多納米級特征(例如，納米棒、納米柱、 納米線、納米管、納米盤、納米月牙狀物、納米級點、納米級纖維、納米管、納米角、納米空穴、 納米蝶形結(jié)、納米碗、納米月牙狀物和納米夾餅以及其它納米等離子體激元增強的納米結(jié) 構(gòu))非常適合用于增強拉曼信號，但是在一些實施方式中，納米錐體的陣列用作陣列表面。 在一些實施方式中，本發(fā)明還提供制備納米級錐體陣列的成批制造方法(參見，例如圖7)。 所述方法過程與常規(guī)的集成電路制造方法相容，所以可以立刻以非常高的產(chǎn)率并且大量地制造納米錐體陣列。此外，可使用光刻法將陣列圖案化。所述納米級金錐體陣列含有大量 的相鄰的錐體之間的IOnm以下(低于lOnm)的間隙，和跨越所述小間隙的電磁相互耦合產(chǎn) 生非常高的局部場增強，并且拉曼散射信號可增強幾十個數(shù)量級。其它設(shè)計的SERS納米結(jié) 構(gòu)例如納米點也可圖案化為SERS微陣列。還認(rèn)識到，雖然對于檢測底物的磷酸化描述了各種方法和組合物，但是它們也可 用于檢測底物的脫磷酸化和/或底物的磷酸化程度。I.用于SERS激酶/磷酸酶分析的激酶/磷酸酶底物基本上任何可通過激酶磷酸化和/或通過磷酸酶脫磷酸化的分子可用作本文所 述方法和組合物中的激酶/磷酸酶底物。雖然蛋白/肽構(gòu)成了用于激酶和磷酸酶的最大底 物類型，但是許多其它激酶和/或磷酸酶底物也是已知的。這種底物包括，但不限于，各種 糖(例如，己糖、葡萄糖、果糖、甘露糖等)、核苷酸/核酸、乙酸酯、丁酸酯、脂肪酸、二氫鞘氨 醇、二酰基甘油、神經(jīng)酰胺等。作為說明，許多激酶和它們的酶委員會編號(EC編號)，和作 為暗示，激酶底物，顯示在表1中。認(rèn)識到，對于即使不是全部激酶底物也是大部分激酶底 物來說，存在相應(yīng)的磷酸酶。表1.說明性的激酶和相應(yīng)的酶委員會編號(EC編號)
權(quán)利要求
檢測激酶和/或磷酸酶活性的器件，所述器件包括拉曼活性表面，其包括增強拉曼散射的特征；所述表面連接有至少一種激酶和/或磷酸酶底物分子。
2.權(quán)利要求1的器件，其中所述表面連接有多種激酶和/或磷酸酶底物分子。
3.權(quán)利要求2的器件，其中所述激酶底物分子選自小分子、脂質(zhì)和肽。
4.權(quán)利要求2的器件，其中所述磷酸酶底物分子選自磷酸化的小分子、磷酸化的脂質(zhì) 和磷酸化的肽。
5.權(quán)利要求3的器件，其中所述激酶底物分子選自核苷酸、糖、多糖、聚合物和脂質(zhì)。
6.權(quán)利要求3的器件，其中所述磷酸酶底物分子選自磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、磷 酸化的多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂質(zhì)。
7.權(quán)利要求2的器件，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子為肽。
8.權(quán)利要求7的器件，其中所述肽為用于選自如下的激酶的底物絲氨酸激酶、蘇氨酸 激酶、組氨酸激酶和酪氨酸激酶。
9.權(quán)利要求7的器件，其中所述肽為用于Src酪氨酸激酶的底物。
10.權(quán)利要求2的器件，其中所述多種肽包括至少5種不同的肽。
11.權(quán)利要求2的器件，其中所述多種肽包括至少10種不同的肽。
12.權(quán)利要求2的器件，其中所述多種肽包括至少100種不同的肽。
13.權(quán)利要求2的器件，其中所述肽的長度為約5 約50個氨基酸。
14.權(quán)利要求10的器件，其中所述肽定位使得來自每種肽的信號能夠與來自其它種類 肽的信號區(qū)別。
15.權(quán)利要求2的器件，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自納米級錐體、納米級 點、納米級纖維、納米管、納米角、納米空穴、納米蝶形結(jié)、納米碗、納米月牙狀物和納米夾餅 的多重納米級特征。
16.權(quán)利要求2的器件，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自金屬、基于碳的材料、 聚合物、石英材料、液晶材料、金屬氧化物材料、鹽晶和半導(dǎo)體材料的材料。
17.權(quán)利要求2的器件，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自貴金屬、貴金屬合金、 貴金屬復(fù)合物的材料。
18.權(quán)利要求2的器件，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自金、金合金、銀、銀合 金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半導(dǎo)體、覆蓋有ZnS的CdSe、磁性膠體材料、 ZnS> ZnO> Ti02> AgI> AgBr> Hgl2、PbS、PbSe、ZnTe> CdTe> In2S3、In2Se3、Cd3P2> Cd3As2、InAs 禾口 GaAs的材料。
19.權(quán)利要求2的器件，其中所述增強拉曼散射的特征包括金和/或銀。
20.權(quán)利要求2的器件，其中所述特征的中心距為約25nm 約0.5μ m。
21.權(quán)利要求2的器件，其中所述特征的中心距為約75 約150nm。
22.權(quán)利要求2的器件，其中所述增強拉曼散射的特征具有約IOnm 約200nm的尺寸。
23.權(quán)利要求2的器件，其中所述增強拉曼散射的特征具有約25nm 約150nm的尺寸。
24.權(quán)利要求1的器件，其中所述拉曼活性表面構(gòu)成微流體室或者設(shè)置在微流體室中。
25.權(quán)利要求1的器件，其中所述表面連接有多種激酶和/或磷酸酶底物分子。
26.權(quán)利要求25的器件，其中所述多種激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少5個種類。
27.權(quán)利要求25的器件，其中所述多種激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少10個種類。
28.權(quán)利要求24的器件，其中所述室的容積小于約1μ L0
29.權(quán)利要求1的器件，其中 所述拉曼活性表面包括金納米錐體；所述激酶底物分子包括多種蛋白激酶和/或磷酸酶底物；和 所述拉曼活性表面構(gòu)成微流體室或者設(shè)置在微流體室中。
30.檢測和/或定量樣品中激酶和/或磷酸酶活性的方法，所述方法包括 使所述樣品與包括激酶和/或磷酸酶底物序列的分子接觸；和通過檢測所述肽的拉曼散射光譜的變化檢測所述分子的磷酸化或脫磷酸化。
31.權(quán)利要求30的方法，其中所述激酶底物分子選自小分子、脂質(zhì)和肽。
32.權(quán)利要求30的方法，其中所述磷酸酶底物分子選自磷酸化的小分子、磷酸化的脂 質(zhì)和磷酸化的肽。
33.權(quán)利要求30的方法，其中所述激酶底物分子選自核苷酸、糖、多糖、聚合物和脂質(zhì)。
34.權(quán)利要求30的方法，其中所述磷酸酶底物分子選自磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、 磷酸化的多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂質(zhì)。
35.權(quán)利要求30的方法，其中所述激酶底物分子為肽。
36.權(quán)利要求30的方法，其中所述激酶底物分子為用于選自如下的激酶的底物絲氨 酸激酶、蘇氨酸激酶、組氨酸激酶和酪氨酸激酶。
37.權(quán)利要求35的方法，其中所述激酶底物為用于SRC酪氨酸激酶的肽底物。
38.權(quán)利要求30的方法，其中所述激酶底物分子連接到包括增強拉曼散射的特征的拉 曼活性表面。
39.權(quán)利要求38的方法，其中所述表面連接有多種激酶和/或磷酸酶底物分子。
40.權(quán)利要求39的方法，其中所述多種激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少5個種類。
41.權(quán)利要求39的方法，其中所述多種激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少10個種類。
42.權(quán)利要求39的方法，其中所述多種激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少100個種類。
43.權(quán)利要求39的方法，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子定位使得來自每種激酶 和/或磷酸酶底物的信號能夠與來自其它激酶底物的信號區(qū)別。
44.權(quán)利要求2的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自納米級錐體、納米級 點、納米級纖維、納米管、納米角、納米空穴、納米蝶形結(jié)、納米碗、納米月牙狀物和納米夾餅 的多重納米級特征。
45.權(quán)利要求38的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括金屬或半導(dǎo)體材料。
46.權(quán)利要求38的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自貴金屬、貴金屬合金、 貴金屬復(fù)合物的材料。
47.權(quán)利要求38的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自金、金合金、銀、銀合 金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半導(dǎo)體、覆蓋有ZnS的CdSe、磁性膠體材料、 ZnS> ZnO> Ti02> AgI> AgBr> Hgl2、PbS、PbSe、ZnTe> CdTe> In2S3、In2Se3、Cd3P2> Cd3As2、InAs 禾口GaAs的材料。
48.權(quán)利要求38的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括金和/或銀。
49.權(quán)利要求38的方法，其中所述特征的中心距為約25 約500nm。
50.權(quán)利要求38的方法，其中所述特征的中心距為約25nm 約150nm。
51.權(quán)利要求38的方法，其中所述增強拉曼散射的特征具有約20nm 約200nm的尺寸。
52.權(quán)利要求38的方法，其中所述增強拉曼散射的特征具有約75nm 約150nm的尺寸。
53.權(quán)利要求38的方法，其中所述拉曼活性表面構(gòu)成微流體室或設(shè)置在微流體室中。
54.權(quán)利要求38的方法，其中所述室的容積小于約1μ L0
55.權(quán)利要求38的方法，其中 所述拉曼活性表面包括金納米錐體；所述激酶底物分子包括多種酪氨酸激酶底物；和 所述拉曼活性表面構(gòu)成微流體室或設(shè)置在微流體室中。
56.在一個或多個樣品中檢測激酶和/或磷酸酶活性的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括 權(quán)利要求1 29中任一項的器件；和設(shè)置為測量所述器件的一個或多個區(qū)域的表面增強拉曼光譜的拉曼檢測探針。
57.權(quán)利要求56的系統(tǒng)，其中器件和/或所述拉曼檢測探針設(shè)置在定位器中。
58.權(quán)利要求61的系統(tǒng)，其中所述器件設(shè)置在χ-y掃描樣品臺上。
59.權(quán)利要求61的系統(tǒng)，其中所述拉曼檢測探針包括激光傳送纖維、物鏡、長通濾光器 和拉曼散射光收集纖維。
60.權(quán)利要求56的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)還包括控制數(shù)據(jù)采集位置的控制計算機。
61.篩選用于激酶和/或磷酸酶活性調(diào)節(jié)劑的樣品的方法，所述方法包括使權(quán)利要求1 29中任一項的器件與含有一種或多種測試試劑的測試樣品接觸； 當(dāng)所述激酶和/或磷酸酶底物磷酸化或脫磷酸化時進行SERS測量以檢測拉曼散射光 譜的變化，其中拉曼光譜變化的抑制表明測試試劑是激酶或磷酸酶活性的抑制劑。
62.權(quán)利要求57的方法，其中所述測試樣品包括測試試劑庫。
63.權(quán)利要求62的方法，其中所述測試樣品包括含有至少50種不同測試試劑的測試試 劑庫。
64.制備用于檢測激酶和/或磷酸酶活性的表面的方法，所述方法包括 將激酶和/或磷酸酶底物分子的陣列沉積在第一表面上；使所述激酶和/或磷酸酶底物分子的陣列與包括多個增強拉曼散射的特征的SERS表 面接觸，其中所述接觸是在將所述激酶和/或磷酸酶底物分子從所述第一表面轉(zhuǎn)移到所述 SERS表面以形成用于檢測激酶和/或磷酸酶活性的表面的條件下。
65.權(quán)利要求64的方法，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子帶有官能團或者具有官 能團的連接物，其與SERS表面反應(yīng)以形成共價連接。
66.權(quán)利要求64的方法，其中所述SERS表面在軟平版印刷基底上形成。
67.權(quán)利要求66的方法，其中所述軟平版印刷基底包括PDMS芯片。
68.權(quán)利要求64的方法，還包括將所述SERs表面設(shè)置在微流體結(jié)構(gòu)中或者將所述SERs表面附著到微流體結(jié)構(gòu)上以形成鄰近該SERS表面的孔。
69.權(quán)利要求72的方法，其中所述孔具有1μ L或更低的容積。
70.權(quán)利要求64的方法，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子的陣列包括約20 約 500nm的在點之間的間隔。
71.權(quán)利要求64的方法，其中形成所述激酶和/或磷酸酶底物分子的陣列的點具有約 20 約500nm的特征尺寸。
72.權(quán)利要求64的方法，其中所述陣列包括至少5種不同的激酶底物分子。
73.權(quán)利要求64的方法，其中所述激酶底物分子選自小分子、脂質(zhì)和肽。
74.權(quán)利要求64的方法，其中所述磷酸酶底物分子選自磷酸化的小分子、磷酸化的脂 質(zhì)和磷酸化的肽。
75.權(quán)利要求64的方法，其中所述激酶底物分子選自核苷酸、糖、多糖、聚合物和脂質(zhì)。
76.權(quán)利要求64的方法，其中所述磷酸酶底物分子選自磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、 磷酸化的多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂質(zhì)。
77.權(quán)利要求64的方法，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子為肽。
78.權(quán)利要求64的方法，其中激酶底物為用于選自如下的激酶的肽底物絲氨酸激酶、 蘇氨酸激酶、組氨酸激酶和酪氨酸激酶。
79.權(quán)利要求77的方法，其中所述肽為用于Src酪氨酸激酶的底物。
80.權(quán)利要求77的方法，其中所述肽的長度為約5 約50個氨基酸。
81.權(quán)利要求77的方法，其中所述肽定位使得來自每種肽的信號能夠與來自其它種類 肽的信號區(qū)別。
82.權(quán)利要求64的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自納米級錐體、納米級 點、納米級纖維、納米管、納米角、納米空穴、納米蝶形結(jié)、納米碗、納米月牙狀物和納米夾餅 的多重納米級特征。
83.權(quán)利要求64的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括金屬或半導(dǎo)體材料。
84.權(quán)利要求64的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自貴金屬、貴金屬合金、 貴金屬復(fù)合物的材料。
85.權(quán)利要求64的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括選自金、金合金、銀、銀合 金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半導(dǎo)體、覆蓋有ZnS的CdSe、磁性膠體材料、 ZnS> ZnO> Ti02> AgI> AgBr> Hgl2、PbS、PbSe、ZnTe> CdTe> In2S3、In2Se3、Cd3P2> Cd3As2、InAs 禾口 GaAs的材料。
86.權(quán)利要求64的方法，其中所述增強拉曼散射的特征包括金和/或銀。
87.權(quán)利要求642的方法，其中所述特征的中心距為約25nm 約400nm。
88.權(quán)利要求64的方法，其中所述特征的中心距為約75nm 約150nm。
89.權(quán)利要求64的方法，其中所述增強拉曼散射的特征具有約20nm 約200nm的尺寸。
90.權(quán)利要求64的方法，其中所述增強拉曼散射的特征具有約75nm 約150nm的尺寸。
91.制造納米錐體表面的方法，所述方法包括 提供能照相平版印刷的表面；使所述表面與第一等離子體接觸以產(chǎn)生納米級氧化物島陣列；蝕刻所述表面以形成納米柱陣列；除去在構(gòu)成所述納米柱陣列的所述納米柱上的氧化物層；蝕刻所述納米柱陣列以形成納米錐體陣列。
92.權(quán)利要求91的方法，其中所述方法還包括使所述納米錐體陣列金屬化。
93.權(quán)利要求91的方法，其中所述能照相平版印刷的表面包括硅或鍺表面。
94.權(quán)利要求91的方法，其中所述能照相平版印刷的表面包括選自ZnS、ZnO,TiO2, AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs 和 GaAs 的材料。
95.權(quán)利要求91的方法，其中所述第一等離子體包括HBr和O2的混合物。
96.權(quán)利要求91的方法，其中所述蝕刻所述表面以形成納米柱陣列包括通過HBr等離 子體進行蝕刻。
97.權(quán)利要求91的方法，其中所述氧化物島層通過SF6等離子體蝕刻除去。
98.權(quán)利要求91的方法，其中所述蝕刻所述納米柱陣列以形成納米錐體陣列包括通過 HBr等離子體進行蝕刻。
99.權(quán)利要求93的方法，其中所述金屬化包括將金屬層沉積在所述納米錐體陣列上， 其中所述金屬包括選自貴金屬、貴金屬合金和貴金屬復(fù)合物的金屬。
100.權(quán)利要求93的方法，其中所述金屬化包括將金屬層沉積在所述納米錐體陣列上， 其中所述金屬包括選自金、金合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半 導(dǎo)體、覆蓋有 ZnS 的 CdSe、磁性膠體材料、ZnS、Zn0、Ti02、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、 CdTe> In2S3、In2Se3、Cd3P2> Cd3As2、InAs 禾口 GaAs 的材料。
101.納米錐體陣列，所述陣列包括其上具有多個納米錐體的表面，其中所述納米錐體 具有平均小于約IOOnm的特征尺寸和小于約500nm的平均特征間間隔。
102.權(quán)利要求101的納米錐體陣列，其中所述納米錐體具有平均小于約50nm的特征尺 寸和小于約IOOnm的平均特征間間隔。
103.權(quán)利要求101的納米錐體陣列，其中所述表面包括選自貴金屬、貴金屬合金和貴 金屬復(fù)合物的金屬。
104.權(quán)利要求101的納米錐體陣列，其中所述表面包括選自金、金合金、銀、銀合金、 銅、銅合金、鉬、鉬合金、CdSe半導(dǎo)體、CdS半導(dǎo)體、覆蓋有ZnS的CdSe、磁性膠體材料、ZnS、 Zn0、Ti02、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs 禾口 GaAs 的材料。
全文摘要
本發(fā)明提供用于檢測和/或定量一種或多種激酶和/或磷酸酶的存在和/或活性的新型組合物和方法。在一些實施方式中，本發(fā)明提供用于檢測激酶和/或磷酸酶活性的器件，其中所述器件包括包含增強拉曼散射的特征的拉曼活性表面，所述表面連接有多種激酶和/或磷酸酶底物分子。
文檔編號C12Q1/42GK101970996SQ200880127723
公開日2011年2月9日 申請日期2008年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月31日
發(fā)明者喬納森·A·埃爾曼, 劉剛, 陳帆青 申請人:加利福尼亞大學(xué)董事會