專利名稱：環(huán)形器磁屏蔽組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種環(huán)形器磁屏蔽組件。
背景技術(shù)：
環(huán)形器是將進入其任一端口的入射波，按照由靜偏磁場確定的方向順序傳入下一個端口的多端口器件?，F(xiàn)有的環(huán)形器具有磁泄漏較大，磁路效率較低，外部磁場對環(huán)形器電性能的影響較大，環(huán)形器周圍的磁敏感元器件易受環(huán)形器磁場的影響，永磁體的能量只有少部分集中在環(huán)形器內(nèi)，能量利用率較低等缺點。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的即在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，提供一個低磁阻通道，提高環(huán)形器磁路效率，減小磁泄漏，減少外部磁場對環(huán)形器電性能的影響，保護環(huán)形器周圍的磁敏感元器件不受環(huán)形器磁場的影響，盡可能使永磁體的能量集中在環(huán)形器內(nèi)部，使得能量利用率達到最高。本實用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)環(huán)形器磁屏蔽組件，它包括腔體和一個或多個屏蔽板，腔體的上部、下部和四周分別安裝有至少一個屏蔽板，形成一個閉合磁路。所述的屏蔽板為鐵片。本實用新型的有益效果是(I)本實用新型提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，減少外部磁場對環(huán)形器電性能的影響；(2)本實用新型提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，保護環(huán)形器周圍的磁敏感元器件不受環(huán)形器磁場的影響；(3)本實用新型提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，提供一個低磁阻通道，提高環(huán)形器磁路效率，減小磁泄漏；(4)本實用新型提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，盡可能使永磁體的能量集中在環(huán)形器內(nèi)部，使得能量利用率達到最高。

圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)圖；圖中，I-腔體，2-屏蔽板。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型做進一步的描述，但本實用新型的保護范圍不局限于以下所述。如圖I所示，環(huán)形器磁屏蔽組件，它包括腔體I和一個或多個屏蔽板2，腔體I的上部、下部和四周分別安裝有至少一個屏蔽板2，形成一個閉合磁路， 所述的屏蔽板2為鐵片，所述的鐵片由導(dǎo)磁率很高的純鐵片Q235材料制作而成。
權(quán)利要求1.環(huán)形器磁屏蔽組件，其特征在于它包括腔體(I)和一個或多個屏蔽板(2)，腔體(I)的上部、下部和四周分別安裝有至少一個屏蔽板(2)，形成一個閉合磁路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的環(huán)形器磁屏蔽組件，其特征在于所述的屏蔽板(2)為鐵片。
專利摘要本實用新型公開了一種環(huán)形器磁屏蔽組件，它包括腔體(1)和一個或多個屏蔽板(2)，腔體(1)的上部、下部和四周分別安裝有至少一個屏蔽板(2)，形成一個閉合磁路。本實用新型提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，提供一個低磁阻通道，提高環(huán)形器磁路效率，減小磁泄漏，減少外部磁場對環(huán)形器電性能的影響，保護環(huán)形器周圍的磁敏感元器件不受環(huán)形器磁場的影響，盡可能使永磁體的能量集中在環(huán)形器內(nèi)部，使得能量利用率達到最高。
文檔編號H05K9/00GK202534761SQ20122018606
公開日2012年11月14日 申請日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者張建林 申請人:成都泰格微波技術(shù)股份有限公司