一種采用c波段大功率環(huán)形器的限幅電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路。
【背景技術(shù)】
[0002]限幅電路是用在微波設(shè)備中比較重要的控制元件，理想的限幅器=電路是當?shù)凸β始釉谏厦鏁r沒有衰減，但隨著功率增加(超過門限電平)衰減就隨功率而增加，直到保持輸出功率不變。微波限幅電路最常用的應(yīng)用是防止雷達發(fā)射機功率直接進入接收機，燒壞靈敏的輸入級(低噪聲放大器)，限幅電路也用作對其他附近的雷達發(fā)射機工作保護接收機。
[0003]環(huán)形器是將進入其任一端口的入射波，按照由靜偏磁場確定的方向順序傳入下一個端口的多端口器件，環(huán)形器的類型有多種，按工作原理分為結(jié)型環(huán)形器、法拉第旋轉(zhuǎn)式環(huán)形器、差相移式環(huán)形器等。相對其它環(huán)形器，結(jié)型環(huán)形器可兼顧小體積與大功率的要求，還具有損耗小，頻帶寬，技術(shù)比較成熟等優(yōu)點。結(jié)型環(huán)形器按參數(shù)又分為集中參數(shù)式和分布參數(shù)式。集中參數(shù)僅適用于微波低頻段(P波段)。分布參數(shù)帶線型環(huán)形器能滿足C波段需求，這類環(huán)形器按工作類別又可分為高場和低場，高場意味著使用的直流偏置場高于共振吸收所需的磁場;低場意味著使用的直流偏置場低于共振吸收所需的磁場。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路。
[0005]本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路，環(huán)形器、限幅器、低噪聲放大器、后續(xù)接收器和天線，環(huán)形器與天線通信連接，環(huán)形器、限幅器、低噪聲放大器、后續(xù)接收器依次通信連接，其中環(huán)形器的第一端口為信號發(fā)射端，環(huán)形器的第二端口連接天線，環(huán)形器的第三端口連接限幅器;所述的環(huán)形器由腔體、磁路板、永磁體、中心導體、鐵氧體旋磁片和蓋板組成，腔體四周分別設(shè)置一塊磁路板，形成一個閉合磁路，蓋板緊固安裝于腔體上，腔體由結(jié)構(gòu)對稱的上、下兩個腔體組成，上、下腔體相連處設(shè)有中心導體，上、下腔體內(nèi)從外到內(nèi)均依次設(shè)有永磁體、接地片和鐵氧體旋磁片，上、下腔體內(nèi)的兩片鐵氧體旋磁片分別外夾于中心導體兩側(cè)，腔體內(nèi)鐵氧體旋磁片頂部與腔體頂部邊緣之間設(shè)有中心導體過渡段，中心導體過渡段包覆于中心導體外，中心導體過渡段內(nèi)填充有一層或多層介質(zhì)。
[0006]所述的磁路板為L型磁路板。
[0007]所述的介質(zhì)為聚四氟乙烯介質(zhì)。
[0008]本實用新型的有益效果是:本實用新型提供了一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路，電路中的環(huán)形器，具有功率容量高，工作溫度范圍寬(-40?+70°C )，溫度性能好，采用低場設(shè)計，生產(chǎn)工藝簡單，有利于批量生產(chǎn)，降低了成本等優(yōu)點。同時填充介質(zhì)采用開模沖壓，以固定鐵氧體旋磁片在腔體孔的中心，以保證較好的同軸度，同時也保證了鐵氧體旋磁片與填充介質(zhì)之間無縫隙，防止中心導體和鐵氧體旋磁片的接觸面處與內(nèi)腔體壁產(chǎn)生壓降，對其打火。
【附圖說明】
[0009]圖1為電路模塊框圖；
[0010]圖2為環(huán)形器俯視剖視圖；
[0011]圖3為側(cè)視剖視圖；
[0012]圖中，1-腔體，2-磁路板，3-永磁體，4-中心導體，5-鐵氧體旋磁片，6_蓋板，7_接地片，8-中心導體過渡段，9-介質(zhì)。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖進一步詳細描述本實用新型的技術(shù)方案，但本實用新型的保護范圍不局限于以下所述。
[0014]如圖1、圖2和圖3所示，一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路，環(huán)形器、限幅器、低噪聲放大器、后續(xù)接收器和天線，環(huán)形器與天線通信連接，環(huán)形器、限幅器、低噪聲放大器、后續(xù)接收器依次通信連接，其中環(huán)形器的第一端口為信號發(fā)射端，環(huán)形器的第二端口連接天線，環(huán)形器的第三端口連接限幅器;所述的環(huán)形器由腔體1、磁路板2、永磁體3、中心導體4、鐵氧體旋磁片5和蓋板6組成，腔體I四周分別設(shè)置一塊磁路板2，形成一個閉合磁路，蓋板6緊固安裝于腔體I上，腔體I由結(jié)構(gòu)對稱的上、下兩個腔體組成，上、下腔體相連處設(shè)有中心導體4，上、下腔體內(nèi)從外到內(nèi)均依次設(shè)有永磁體3、接地片7和鐵氧體旋磁片5，上、下腔體內(nèi)的兩片鐵氧體旋磁片5分別外夾于中心導體4兩側(cè)，腔體I內(nèi)鐵氧體旋磁片5頂部與腔體I頂部邊緣之間設(shè)有中心導體過渡段8，中心導體過渡段8包覆于中心導體4外，中心導體過渡段8內(nèi)填充有一層或多層介質(zhì)9。
[0015]所述的磁路板2為L型磁路板。
[0016]所述的介質(zhì)9為聚四氟乙烯介質(zhì)。
[0017]本實施例中，環(huán)形器的端口A為發(fā)射端，主要用于發(fā)射微波，微波按照如圖1所示的環(huán)形箭頭方向進行傳輸。環(huán)形器的端口 B連接天線，天線向外發(fā)射C波段微波;環(huán)形器的端口A發(fā)射的微波環(huán)形傳輸至端口 C，端口 C連接有限幅器，限幅器再將微波依次傳輸給低噪聲放大器、后續(xù)接收器。本實施例的環(huán)形器、限幅器、低噪聲放大器、后續(xù)接收器、天線共同組成接收通道。
[0018]環(huán)形器在微波集成電路中會對周圍磁敏感元器件產(chǎn)生影響；同時外部磁場也會對環(huán)形器產(chǎn)生影響。另外為達到環(huán)形器所需的偏置磁場，必須提高環(huán)形器磁路效率，減少磁泄漏。環(huán)形器磁屏蔽設(shè)計是在環(huán)形器腔體的上下及四周都加上導磁率很高的純鐵片Q235材料，來形成一個閉合磁路，盡可能使永磁體能量集中在環(huán)形器內(nèi)部。另外環(huán)形器各零件間一定要有良好、緊密的接觸，接地要良好。
[0019]環(huán)形器所采用的材料應(yīng)符合GJB1065A-2004的規(guī)定。主要有以下材料:
[0020](I)鐵氧體旋磁片選用大功率牌號。并且單面鍍銀，以保證大功率下的插入損耗小，環(huán)形器發(fā)熱最小化；
[0021](2)環(huán)形器鋁結(jié)構(gòu)腔體導電氧化，其余殼體鍍鎳鉻處理；
[0022] (3)永磁體選用內(nèi)稟矯頑力較好的Y系列材料。
【主權(quán)項】
1.一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路，其特征在于:環(huán)形器、限幅器、低噪聲放大器、后續(xù)接收器和天線，環(huán)形器與天線通信連接，環(huán)形器、限幅器、低噪聲放大器、后續(xù)接收器依次通信連接，其中環(huán)形器的第一端口為信號發(fā)射端，環(huán)形器的第二端口連接天線，環(huán)形器的第三端口連接限幅器;所述的環(huán)形器由腔體(I)、磁路板(2)、永磁體(3)、中心導體(4)、鐵氧體旋磁片(5)和蓋板(6)組成，腔體(I)四周分別設(shè)置一塊磁路板(2)，形成一個閉合磁路，蓋板(6)緊固安裝于腔體(I)上，腔體(I)由結(jié)構(gòu)對稱的上、下兩個腔體組成，上、下腔體相連處設(shè)有中心導體(4)，上、下腔體內(nèi)從外到內(nèi)均依次設(shè)有永磁體(3)、接地片(7)和鐵氧體旋磁片(5)，上、下腔體內(nèi)的兩片鐵氧體旋磁片(5)分別外夾于中心導體(4)兩側(cè)，腔體(I)內(nèi)鐵氧體旋磁片(5 )頂部與腔體(I)頂部邊緣之間設(shè)有中心導體過渡段(8 )，中心導體過渡段(8)包覆于中心導體(4)外，中心導體過渡段(8)內(nèi)填充有一層或多層介質(zhì)(9)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路，其特征在于:所述的磁路板(2)為L型磁路板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路，其特征在于:所述的介質(zhì)(9)為聚四氟乙烯介質(zhì)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種采用C波段大功率環(huán)形器的限幅電路，其中環(huán)形器腔體（1）四周分別設(shè)置一塊磁路板（2），蓋板（6）緊固安裝于腔體（1）上，腔體（1）由結(jié)構(gòu)對稱的上、下兩個腔體組成，上、下腔體相連處設(shè)有中心導體（4），上、下腔體內(nèi)從外到內(nèi)均依次設(shè)有永磁體（3）、接地片（7）和鐵氧體旋磁片（5），上、下腔體內(nèi)的兩片鐵氧體旋磁片（5）分別外夾于中心導體（4）兩側(cè)，中心導體過渡段（8）包覆于中心導體（4）外，中心導體過渡段（8）內(nèi)填充有一層或多層介質(zhì)（9）。本實用新型通過環(huán)形器的設(shè)計解決了非線性效應(yīng)和大功率下打火、擊穿等問題，具有外形輕小，方便安裝，易于加工，功率容量高，溫度范圍寬，溫度性能好，降低成本等優(yōu)點。
【IPC分類】H01P1/39, H01P1/38
【公開號】CN205376713
【申請?zhí)枴緾N201620003130
【發(fā)明人】王玉軍
【申請人】成都泰格微波技術(shù)股份有限公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2016年1月5日