專利名稱：一種溫場調(diào)節(jié)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，屬于晶體生長設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在晶體生長過程中，最重要的就是溫場的構(gòu)建，對溫場構(gòu)建起到影響作用的因素有幾個加熱器的形狀、加熱方式、保溫的配置、冷卻介質(zhì)的冷卻情況等。其中對于固定的生長設(shè)備而言，一般加熱器是固定，保溫的配置也是不容易調(diào)節(jié)的。只能通過改變冷卻介質(zhì)的流量或者熱交換系數(shù)來改變，但是冷卻介質(zhì)的變化也并不能從根本上改變溫場的配置情況，對溫場的調(diào)節(jié)作用有限。
發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型是ー種方便快捷的溫場調(diào)節(jié)裝置。本實用新型的技術(shù)方案如下ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，包括支架、卡槽和保溫桶；所述支架包括底座、頂蓋，頂蓋和底座通過支桿連接，所述的支桿上設(shè)置有卡槽，卡槽內(nèi)設(shè)置有保溫桶。所述的卡槽包括卡槽底座和在卡槽底座上設(shè)置的環(huán)形定位槽，所述保溫桶的底邊嵌入設(shè)置在所述的環(huán)形定位槽內(nèi)。所述保溫桶包括多個同軸設(shè)置的保溫套筒。所述保溫套筒的數(shù)量為4個。該4個保溫套筒依次沿保溫桶的徑向由內(nèi)而外套置。所述的在卡槽底座上設(shè)置有多個同圓心的環(huán)形定位槽。所述的在卡槽底座上設(shè)置有4個同圓心的環(huán)形定位槽。所述的支桿的數(shù)量為4個，沿頂蓋的邊緣均勻設(shè)置。所述每個支桿上沿軸向設(shè)置有4個-5個卡槽。所述的保溫桶為陶瓷材料或氈狀的軟材料。本實用新型的使用方法將本實用新型所述的支架設(shè)置在爐膛內(nèi)，根據(jù)生產(chǎn)晶體所要求的溫場不同，調(diào)節(jié)保溫桶的厚度及卡槽的位置如果需要溫場的軸向溫度梯度大，則沿軸向設(shè)置不同厚度的保溫桶；如果需要徑向溫度梯度大，則減小保溫桶的厚度，以增加保溫桶的散熱能力；根據(jù)晶體生長形態(tài)決定溫場的調(diào)節(jié)方案以后，靈活設(shè)置卡槽位置，進而對需要調(diào)節(jié)溫場的位置進行調(diào)整。對保溫桶的厚度調(diào)節(jié)直接將多個保溫套筒相互套置，實現(xiàn)增加保溫桶整體厚度；減少保溫套筒的套置的數(shù)量，以實現(xiàn)減小保溫套筒的厚度，該操作簡便、調(diào)整快捷高效。本實用新型的優(yōu)點在于本實用新型實現(xiàn)了對溫場溫度梯度，熱交換系數(shù)等參數(shù)的調(diào)節(jié)，進而根據(jù)不同生長速率要求，不同軸向，徑向溫度需求成功生長出了的晶體；同時在生長同一晶體時，通過調(diào)節(jié)本實用新型的卡槽的位置和保溫桶的厚度，進而實現(xiàn)了對生長晶體的溫度梯度的調(diào)節(jié)，優(yōu)化溫場裝配方式，從而達到晶體生長最優(yōu)的生長條件。
圖I是本實用新型所述支架和卡槽的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型所述保溫桶的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實用新型所述卡槽俯視圖；其中I、支桿；2、卡槽；2_1、環(huán)形定位槽；2_2卡槽底座；3、頂蓋；4、底座；5、保溫桶；5-1、保溫套筒。
具體實施方式
下面結(jié)合說明書附圖和實施例對本實用新型做詳細的說明，但不限于此。在直徑為500mm、高度為800mm的爐膛內(nèi)放置本實用新型，在爐膛內(nèi)還設(shè)置有外徑 為300mm的加熱器。實施例、如圖1、2和3所示，ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，包括支架、卡槽2和保溫桶5 ;所述支架包括底座4、頂蓋3，在頂蓋3和底座4通過4個支桿I連接，所述的支桿I的數(shù)量為4個，沿頂蓋3的邊緣均勻設(shè)置，所述每個支桿I上沿軸向設(shè)置有5個卡槽2 ;在卡槽2內(nèi)設(shè)置有保溫桶；所述的卡槽2包括卡槽底座2-2和在卡槽底座2-2上設(shè)置的4個同圓心的環(huán)形定位槽2-1，所述保溫桶5的底邊嵌入設(shè)置在所述的環(huán)形定位槽2-1內(nèi)，所述保溫桶5包括4個同軸設(shè)置的保溫套筒5-1。該4個保溫套筒5-1依次沿保溫桶5的徑向由內(nèi)而外套置。所述的保溫桶5為陶瓷材料。所述4個保溫套筒5-1在套置使用的時候分別沿4個環(huán)形定位槽2-1嵌入卡槽2內(nèi)，以實現(xiàn)對保溫桶厚度的調(diào)節(jié)。
權(quán)利要求1.ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，該裝置包括支架、卡槽和保溫桶；所述支架包括底座、頂蓋，頂蓋和底座通過支桿連接，所述的支桿上設(shè)置有卡槽，卡槽內(nèi)設(shè)置有保溫桶。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述的卡槽包括卡槽底座和在卡槽底座上設(shè)置的環(huán)形定位槽，所述保溫桶的底邊嵌入設(shè)置在所述的環(huán)形定位槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述保溫桶包括多個同軸設(shè)置的保溫套筒。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，其特征在干，所述保溫套筒的數(shù)量為4個。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述的在卡槽底座上設(shè)置有多個同圓心的環(huán)形定位槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述的在卡槽底座上設(shè)置有4個同圓心的環(huán)形定位槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述的支桿的數(shù)量為4個，沿頂蓋的邊緣均勻設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的ー種溫場調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述每個支桿上沿軸向設(shè)置有4個-5個卡槽。
專利摘要本實用新型涉及一種溫場調(diào)節(jié)裝置，包括支架、卡槽和保溫桶；所述支架包括底座、頂蓋，頂蓋和底座通過支桿連接，所述的支桿上設(shè)置有卡槽，卡槽內(nèi)設(shè)置有保溫桶。本實用新型能夠靈活構(gòu)建和調(diào)節(jié)溫場中的溫度分布，靈活的調(diào)節(jié)溫度梯度，高溫區(qū)位置等，可以使晶體生長爐在較大的溫度場范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，適于生長各種不同的晶體或者采用不同的溫度梯度生長晶體。
文檔編號C30B35/00GK202430347SQ20122002077
公開日2012年9月12日 申請日期2012年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月17日
發(fā)明者于國建, 張雷, 徐現(xiàn)剛, 胡小波, 郝霄鵬 申請人:山東天岳先進材料科技有限公司