專利名稱：防止仔晶浮動的坩堝的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種坩堝，尤其是涉及一種防止仔晶浮動的坩堝。
背景技術：
隨著光伏發(fā)電技術逐漸成熟，太陽能電池的應用也在蓬勃發(fā)展。太陽能電池通常形成于硅襯底上，該硅襯底可以呈現(xiàn)為單晶硅襯底或多晶硅襯底。目前獲得硅襯底的常見方法是通過硅料的熔化，凝固以及切割來完成的。坩堝是用來裝載多晶硅原料的容器，作為生長單晶體的常規(guī)方法，在坩堝中放置仔晶晶體，其中源熔料與仔晶晶體接觸，該熔料的溫度在仔晶晶體上逐漸降低，以便生長單晶體。常用的平底坩堝在晶體生長的實際過程中會發(fā)生仔晶的浮動，進而影響單晶硅的生成。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術的缺陷，提供一種防止仔晶浮動的坩堝。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術方案防止仔晶浮動的坩堝，其包括坩堝主體(I)，所述坩堝主體(I)的底部包括多個可防止仔晶浮動的口袋(2)，所述口袋⑵為具有傾斜側壁的口袋。在本實用新型的一實施方式中，所述坩堝主體(I)與所述口袋(2)為一整體。在本實用新型的一實施方式中，所述口袋⑵的外墻(5)與底部(6)成銳角。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是采用了具有傾斜側壁的口袋的坩堝，可在晶體生長的實際過程中防止仔晶的浮動。

圖I為根據(jù)本實用新型的一實施方式所示的裝滿硅料的坩堝的剖視圖。圖2為根據(jù)本實用新型的一實施方式所示的容納仔晶晶體的口袋的局部放大圖。圖3為根據(jù)本實用新型的一實施方式所示的坩堝的俯視圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步的說明，但不作為對本實用新型的限定。如圖I所示，防止仔晶浮動的坩堝，其包括裝載了硅料(3)的坩堝主體(1)，所述坩堝主體(I)的底部包括可容納仔晶晶體(4)以防止仔晶浮動的口袋(2)。所述坩堝主體
(I)與所述口袋(2)為一整體。在所述實施方式中，坩堝主體(I)和口袋(2)是一般的六面體，如長方體或正方體等。坩堝底部有多個口袋(2)。仔晶(4)放置在口袋(2)中，硅料
(3)裝載在坩堝主體(I)中。進一步的，如圖2所示，所述口袋⑵為具有傾斜側壁的口袋。口袋⑵的外墻
(5)與底部(6)成銳角，仔晶晶體⑷放置在口袋⑵內(nèi)。由于口袋⑵的外墻(5)是一個進入角，因此這種口袋底部的直徑大于口袋上方直徑。也就是說，這種口袋的底部大于其向坩堝底部開放的開口。首先仔晶以一個角度插入，然后放置在口袋底部，這種結構極大的防止了仔晶從口袋中浮出和退出。以上所述的實施例只是本實用新型較優(yōu)選的具體實施方式
的一種，本領域的技術 人員在本實用新型技術方案的范圍內(nèi)進行的通常變換和替換都應包含在本實用新型的范圍內(nèi)。
權利要求1.防止仔晶浮動的坩堝，其包括坩堝主體(I)，其特征在于，所述坩堝主體(I)的底部包括多個可防止仔晶浮動的口袋(2)，所述口袋(2)為具有傾斜側壁的口袋。
2.根據(jù)權利要求I所述的防止仔晶浮動的坩堝，其特征在于，所述坩堝主體(I)與所述口袋⑵為一整體。
3.根據(jù)權利要求I至2中任一項權利要求所述的防止仔晶浮動的坩堝，其特征在于，所述口袋(2)的外墻(5)與底部(6)成銳角。
專利摘要本實用新型涉及一種防止仔晶浮動的坩堝，其包括裝載了硅料(3)的坩堝主體(1)，所述坩堝主體(1)的底部包括多個容納仔晶晶體(4)以防止仔晶浮動的口袋(2)。所述坩堝主體(1)與所述口袋(2)為一整體。所述口袋(2)為具有傾斜側壁的口袋。所述口袋(2)的外墻(5)與底部(6)成銳角。本實用新型的優(yōu)點在于采用了具有傾斜側壁的口袋的坩堝，可在晶體生長的實際過程中有效地防止仔晶的浮動。
文檔編號C30B11/00GK202543378SQ20122001964
公開日2012年11月21日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權日2012年1月16日
發(fā)明者吳昆旭, 阿肖克·庫馬爾·辛哈, 雷平·賴 申請人:上澎太陽能科技(嘉興)有限公司