專利名稱：石墨板及使用該石墨板的傳熱結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于發(fā)熱體與散熱體之間的熱連接的散熱板，尤其涉及石墨板及使用該石墨板的傳熱結構。
背景技術：
近年來，對于電子設備而言，伴隨著以攜帶式電話機、PDP、個人計算機為代表那樣要求高性能化、小型化的需求，半導體元件等電子部件的高性能化、高密度化正在推進。由于這一原因，抑制電子部件的發(fā)熱量顯著增大、電子設備的溫度上升成為重要的課題。作為抑制電子設備的溫度上升的機構，使用了圖8所示的熱連接結構。熱連接結構包括內(nèi)置有作為發(fā)熱體的半導體元件的半導體封裝體41、作為散熱體的散熱器42、將發(fā)熱體與散熱體熱連接的熱連接部43 (例如，參照專利文獻1)。半導體封裝體41經(jīng)由端子與印刷電路布線板46的導體電路電連接。散熱器42 由鋁合金等金屬構成，包括平板狀的芯部和豎立在該芯部上的多個平板散熱片。熱連接部43用于提高從半導體封裝體41向散熱器42的散熱性能而設置在半導體封裝體41與散熱器42之間。通過螺釘?shù)劝惭b部件45緊固加壓，從而熱連接部43與半導體封裝體41和散熱器42抵接。熱連接部43為了提高冷卻效果而由導熱性良好的散熱板形成。作為該散熱板公知有將聚酰亞胺等高分子膜以高溫燒成而形成的具有高導熱率的熱分解石墨板44。熱分解石墨板44具有撓性，因此通過在熱連接結構中加壓從而能夠使熱分解石墨板44的表面與半導體封裝體41和散熱器42的表面密接。進而，在熱分解石墨板44的表面涂敷硅滑酯或硅油等流動性樹脂的散熱材料。由此，散熱材料進入半導體封裝體41 ·散熱器42 ·熱分解石墨板44的表面的凹凸而減小間隙的空氣層，從而提高密接性，減小熱連接部43的接觸熱阻。尤其是，為了提高流動性的散熱材料的導熱性，使用含有導熱率高的氮化鋁等導熱性填充物的流動性散熱材料。然而，在這樣的情況下，熱分解石墨板44的表面的凹凸是在高分子膜燒成時形成的凹凸，沒有能夠充分收納導熱性填充物這種程度的空隙，因此在熱連接部43被加壓時，導熱性填充物幾乎都在熱分解石墨板44的表面上移動而向外周被壓出，存在無法減小熱連接部43的熱阻的問題。先行技術文獻專利文獻專利文獻1日本特開2004-363432號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠提高熱連接部的散熱性能的石墨板及使用該石墨板的傳熱結構。本發(fā)明的石墨板設置有第一主面和作為第一主面的相反側的面的第二主面，且在主面方向上具有大的各向異性導熱率，其具備第一凹部，其設置于第一主面且具備第一底面；第二凹部，其設置于第二主面且具備第二底面；薄膜部，其形成在第一底面與第二底面重合的區(qū)域；連結孔，其貫通薄膜部而使第一凹部與第二凹部連通。此外，本發(fā)明的傳熱結構具備熱連接部，該熱連接部具備石墨板和流動性的散熱材料，所述石墨板具備第一主面；第二主面，其為第一主面的相反側的面；第一凹部，其設置于第一主面且具有第一底面；第二凹部，其設置于第二主面且具有第二底面；薄膜部，其形成在第一底面與第二底面重合的區(qū)域；連結孔，其貫通薄膜部而使第一凹部與第二凹部連通，并且，石墨板在主面方向上具有大的各向異性導熱性，所述流動性的散熱材料填充于第一凹部、第二凹部及連結孔中，所述熱連接部配置成發(fā)熱體與石墨板的第一主面?zhèn)认嘟?。根?jù)本發(fā)明的石墨板，能夠防止散熱材料的漏出，從而提高散熱性能。


圖1是本發(fā)明的實施方式中的石墨板的俯視圖。圖2是本發(fā)明的實施方式中的石墨板的剖視圖。圖3是表示本發(fā)明的實施方式中的石墨的結構的示意圖。圖4是本發(fā)明的實施方式中的其他的石墨板的主要部分剖視圖。圖5是表示使用了本發(fā)明的實施方式中的石墨板的傳熱結構的側剖視圖。圖6是使用了本發(fā)明的實施方式中的石墨板的傳熱結構的主要部分剖視圖。圖7是表示本發(fā)明的實施方式中的石墨板的波狀部(waviness)的剖視圖。圖8是表示使用了以往的石墨板的傳熱結構的側剖視圖。
具體實施例方式(實施方式)對本發(fā)明的實施方式的石墨板進行說明。圖1是本發(fā)明的實施方式中的石墨板的俯視圖。圖2是圖1中的A-A面的剖視圖。如圖1 ·圖2所示，石墨板11平行地設有平坦的第一主面12、作為第一主面12的相反面的第二主面13。在第一主面12上設有第一凹部 14。在第二主面13上設有第二凹部15。第一凹部14具有第一底面19。第二凹部具有第二底面20。此外，薄膜部21是第一凹部14和第二凹部15的至少一部分在從垂直于第一主面 12的方向觀察的俯視下重合的區(qū)域，薄膜部21的厚度比未設有凹部的部分薄。換言之，薄膜部21設置在第一底面19與第二底面20重合的部分。連結孔18是貫通薄膜部21設置的孔。通過連結孔18使第一凹部14和第二凹部15連通。連結孔18在薄膜部21上至少設置一個。優(yōu)選連結孔18的主面方向的開口直徑比第一凹部14的開口部16和第二凹部 15的開口部17的開口直徑短。并且，由第一凹部14、第二凹部15和連結孔18形成貫通孔，在貫通孔中填充流動性的散熱材料。石墨板11通過層疊石墨而形成，如圖3所示，石墨具有碳原子排列成六邊形的結構形成為網(wǎng)眼狀的a-b軸方向的平面。此外，a_b軸方向的平面在與該平面垂直的c軸方向上以大致等間隔d平行地排列。即，石墨取向成與第一主面12 ·第二主面13實質(zhì)上平行。通過層疊石墨，從而石墨板11具有各向異性導熱率，主面方向的導熱率比厚度方向的導熱率高。在此，主面方向是與第一主面12 ·第二主面13平行的方向。作為石墨板11使用熱分解石墨板或黑鉛板等。此外，石墨板11也可以是層疊熱分解石墨板或黑鉛板的至少一種而得到的部件。熱分解石墨板是將高分子膜以高溫燒成而形成的部件。作為高分子膜可以使用例如聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺等耐熱性的芳香族高分子。圖3所示的熱分解石墨板的石墨的間隔d為3. 3 X IO-8Cm 3. 356X 10_8Cm。此外，熱分解石墨板可以形成以下的各向異性導熱率，即，主面方向的導熱率為500W/mK 1800W/mK，厚度方向的導熱率為10W/mK 15W/mK。作為黑鉛板是以黑鉛為主要成分進行加壓成形而層疊得到的部件，黑鉛可以使用將膨脹黑鉛、粉末焦炭以3000°C左右的溫度進行熱處理而得到的熱分解黑鉛等鱗片狀或球狀的黑鉛粉。黑鉛板也可以添加樹脂等微量的結合劑，來提高板強度。其中，在使用膨脹黑鉛的情況下，膨脹黑鉛具有可塑性，因此能夠不使用結合劑進行加壓成形而得到導熱率高的黑鉛板。另外，為了形成高導熱率的黑鉛板，優(yōu)選含有98重量％以上的碳。熱分解石墨板和黑鉛板具有撓性，容易得到散熱器和半導體封裝體的密接性。尤其是熱分解石墨板與黑鉛板相比其耐加壓強度高，因此能夠增大密接性，能夠提高防止流動性的散熱材料的漏出的效果。石墨板11的第一凹部14及第二凹部15分別設置一個以上。優(yōu)選第一凹部14在第一主面12上設置為均勻地分散，且第二凹部15在第二主面 13上也設置為均勻地分散。由此，能夠可靠地使流動性的散熱材料分散在第一主面12 第二主面13上，因此能夠提高散熱性能。優(yōu)選第一凹部14設置成第一凹部14的開口面16與第一主面12的面積比為 30% 70%。由此，能夠?qū)⒘鲃有缘纳岵牧戏馊胴炌锥乐孤┏銮夷軌蛟龃箝_口面16 的開口面積，因此能夠減小基于流動性的散熱材料的接觸熱阻。此外，優(yōu)選第二凹部15也以與第一凹部14的開口面16同樣的范圍設定第二凹部15的開口面17與第二主面13的面積比。即，優(yōu)選第二凹部15設置成第二凹部15的開口面17與第二主面13的面積比為 30% 70%。此外，可以將第一凹部14與第二凹部15設置成相同或不同的形狀。薄膜部21是第一凹部14與第二凹部15在厚度方向上彼此對置而重合形成的區(qū)域。如圖2所示，薄膜部21設置成在剖面中至少沿著主面方向突出且夾在第一凹部14與第二凹部15之間。此外，薄膜部21是層疊石墨得到的部件，由于在主面方向上具有高的各向異性導熱率，因此主面方向的導熱被迅速地進行。進而，在薄膜部21中，由于厚度方向的長度即在第一凹部14與第二凹部15之間導熱的長度短，因此能夠?qū)崃扛咝У卦诘谝话疾?4與第二凹部15間傳導。此外，圖4表示本實施方式的其他的石墨板的主要部分剖視圖。如圖4所示，可以將薄膜部22設置成從前端23朝向底部M變厚。由此，能夠提高薄膜部22的機械強度，能夠在將石墨板Ila向半導體封裝體與散熱器間安裝時或在熱連接結構中對石墨板Ila加壓·密接時減少薄膜部22的破損。該薄膜部22的表面可以設置成臺階狀或傾斜狀。
接下來，對使用了本發(fā)明的實施方式的石墨板的傳熱結構、尤其是熱連接部進行說明。圖5是使用了本發(fā)明的實施方式的石墨板的傳熱結構的側剖視圖。圖6是使用了本發(fā)明的實施方式的石墨板的傳熱結構的主要部分剖視圖。如圖5 ·圖6所示，構成傳熱結構的熱連接部31包括石墨板11和散熱材料32。熱連接部31夾入于作為發(fā)熱體的半導體封裝體36的平坦狀的上表面與作為散熱體的散熱器37的下表面。熱連接部31以將石墨板 11的第一主面12設置于半導體封裝體36側的方式配置。在由第一凹部14、第二凹部15和連結孔18形成的貫通孔中填充有流動性的散熱材料32，通過散熱材料32提高減小熱連接部31的接觸熱阻的效果。作為流動性的散熱材料32使用硅油等散熱潤滑脂或相變型糊劑的導熱性的樹脂 33，并且含有導熱性填充物34而將導熱率提高至約lW/mK 約20W/mK。相變型糊劑是在常溫下柔軟的固體糊劑，在作為半導體封裝體36的工作溫度的40°C 100°C的范圍具有軟化溫度。相變型糊劑為在軟化溫度以上成為流動性的低粘性體。作為導熱性填充物34優(yōu)選由導熱率大的氮化鋁、銀、銅、鋁等構成的平均粒子徑為1 μ m 10 μ m的粉末。此外，作為流動性的散熱材料32可以使用在作為半導體封裝體的工作溫度的 40°C 100°C熔融的低熔點金屬，例如含有錫·銦·鉍等的合金。第一凹部14及第二凹部15通過激光加工 沖床加工等形成，能夠適當設置空隙的形狀。由此，能夠在第一凹部14 ·第二凹部15中收納散熱材料32的導熱性填充物34等。第一凹部14及第二凹部15的空隙優(yōu)選將開口面16、17設置得大，從而減小接觸熱阻。例如，在圖6所示的石墨板11中，在剖面中開口面16、17的主面方向的長度形成得比空隙的厚度方向的深度大。石墨板11具有撓性，因此通過石墨板11被加壓而使第一主面12 第二主面13與半導體封裝體36、散熱器37密接。由此，能夠抑制散熱材料32分別從石墨板11與半導體封裝體36 ·散熱器37的界面漏出，能夠防止發(fā)生因印刷基板、電子部件受到污損及絕緣性下降等造成電路工作不良的情況。半導體封裝體36的熱點的熱量容易向接觸熱阻小的第一凹部14的散熱材料32 傳導。從半導體封裝體36向第一凹部14的散熱材料32傳導的熱量呈大致各向同性狀放散而到達薄膜部21，進而經(jīng)由薄膜部21沿主面方向迅速放散熱量并同時沿厚度方向傳導。 如此，通過經(jīng)由薄膜部21傳導，能夠高效地向第二凹部15的散熱材料32進行熱傳遞，從而能夠提高散熱性能。此外，在存在多個第一凹部14 第二凹部15的情況下，由于石墨板11的各向異性導熱，在相鄰的第一凹部14彼此和相鄰的第二凹部15彼此間容易進行熱擴散，從而能夠進一步提高散熱性能。此外，通過在薄膜部21設置連結孔18，在作為傳熱結構使用石墨板11時，能夠通過連結孔18的散熱材料32減小由第一凹部14 ·第二凹部15的散熱材料32對薄膜部21 的上下表面施加的壓力差。因此，能夠抑制因來自散熱材料32的加壓而導致薄膜部21變形或破損的情況。進而，通過在薄膜部21設置連結孔18，能夠縮短連結孔18的長度，因此能夠進一步減小薄膜部21的上下表面的壓力差，從而能夠穩(wěn)定散熱性能。進而，優(yōu)選使流動性的散熱材料的導熱率比石墨板的厚度方向的導熱率大，如此， 能夠進一步提高散熱性能。
如上所述，本發(fā)明的實施方式的石墨板能夠保持流動性的散熱材料而防止其漏出，從而能夠提高熱連接部的散熱性能。接下來，對本發(fā)明的實施方式的石墨板的制造方法進行說明。作為石墨板使用熱分解石墨板。作為成為熱分解石墨板的原材料的高分子膜，具體使用聚酰亞胺膜進行說明。作為使用的聚酰亞胺膜，優(yōu)選從聚酰胺酸溶液得到的凝膠膜延伸而形成的膜。通過對這樣的聚酰亞胺膜以M00°c以上的溫度進行燒成而提高取向性，從而能夠形成主面方向的導熱率非常高的薄膜的熱分解石墨板。通過使用這樣的熱分解石墨板能夠提高熱連接部的導熱性。優(yōu)選使用的聚酰亞胺膜的每單位厚度的端裂阻力(edge tear resistance)為 8500N/ (20mm ‘ mm) 15000ΝΛ20πιπι · mm)。由此，石墨的結晶結構的取向性高，能夠得到主面方向的導熱率高的熱分解石墨板。進而，能夠減少熱分解石墨板的波狀部而提高平坦性。 另外，優(yōu)選聚酰亞胺膜的每單位厚度的端裂阻力為9500NA20mm*mm)以上。由此，能夠顯著地減小得到的熱分解石墨板的波狀部。通過這樣減小波狀部，從而能夠在熱分解石墨板作為熱連接部夾入發(fā)熱體和散熱體時抑制在熱分解石墨板上產(chǎn)生褶皺的情況，因此能夠提高密接性，從而能夠減少在長時間使用中流動性散熱材料發(fā)生漏出的情況。在此，端裂阻力是根據(jù)JIS C2151的B法測定寬度20mmX長度約200mm的聚酰亞胺膜的試驗片而得到的，每單位厚度的端裂阻力是端裂阻力除以膜厚度得到的值。此外，熱分解石墨板的波狀部是指例如圖7所示那樣不對石墨板11施加載荷而將石墨板11的主面放置在平板52上時具有波狀部高度51而呈現(xiàn)波狀的部分。聚酰亞胺膜優(yōu)選膜厚度為30 μ m 150 μ m。通過使用這樣的聚酰亞胺膜，能夠得到導熱率高且平坦的熱分解石墨板。聚酰亞胺膜的形成方法為如下方式，S卩，首先將至少一種芳香族酸二酐和至少一種二胺以等摩爾的方式溶解于有機溶劑中而得到聚酰胺酸溶液。接下來，在支承體上以均勻的厚度涂敷聚酰胺酸溶液，然后進行加熱干燥而使一部分酰亞胺化，能夠得到含有10 50重量％的固形量而能夠自我支承的凝膠膜。此外，也可以在聚酰胺酸溶液中混合環(huán)化催化劑和脫水劑而形成凝膠膜。作為芳香族酸二酐的具體例可以舉出均苯四酸二酐、3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四酸二酐、 2，3，，3，4，-聯(lián)苯四酸二酐、3，3，，4，4，-二苯酮四酸二酐、2，3，6，7-萘二甲酸二酐、2，2-雙 (3，4_ 二羧基苯基)醚二酐、嘧啶-2，3，5，6-四甲酸二酐及它們的酰胺形成性衍生物等。作為二胺的具體例可以舉出對苯二胺、間苯二胺、對二氨基聯(lián)苯、對苯二胺、4， 4’-二氨基二苯醚、4，4’_ 二氨基二苯基甲烷、4，4’_ 二氨基二苯砜、3，3’-二甲基-4，4’_ 二氨基二苯基甲烷、1，5_ 二氨基萘、3，3’_ 二甲氧基苯二胺、1，4_雙(3甲基-5氨基苯基)苯及它們的酰胺形成性衍生物等。將該凝膠膜從支承體剝離，利用捏夾輥使其以約500N/m 約2000N/m的力拉伸并同時沿行進方向(MD方向)延伸。然后，通過伸幅裝置利用伸幅夾把持凝膠膜的寬度方向的兩端部并同時使其沿橫向(TD方向)延伸。這樣，使凝膠膜在兩軸方向上進行延伸。此外，也可以同時進行兩軸向上的延伸。通過增大該延伸的倍率，能夠提高聚酰亞胺膜的膜面方向的分子取向性，因此能夠增大每單位厚度的端裂阻力。
優(yōu)選聚酰亞胺膜作為芳香族酸二酐使用均苯四酸二酐，作為二胺使用4，4’ - 二氨基二苯醚形成。由此，能夠得到高延伸倍率，從而能夠增大每單位厚度的端裂阻力。接下來，在將凝膠膜延伸后進行干燥、熱處理而使其酰亞胺化，形成聚酰亞胺膜。然后，將聚酰亞胺膜切斷成規(guī)定的尺寸，將聚酰亞胺膜放入石墨制的保持容器中而進行燒成。首先，使聚酰亞胺膜在氮或氬等惰性氣體氣氛或真空的非氧化性氣氛中從室溫以 1°C /分鐘 10°c /分鐘的固定的升溫速度升溫至設定在1200°C 1500°C范圍內(nèi)的燒成溫度。以該燒成溫度保持30分鐘 2小時，使聚酰亞胺膜碳化。在碳化的燒成工序中，由于聚酰亞胺膜的熱分解而放出碳以外的元素，從而進行碳-碳間的再結合而使聚酰亞胺膜燒成·收縮。接下來，使碳化后的板在氮或氬等惰性氣體或真空的非氧化性氣氛中以1°C /分鐘 10°C /分鐘的固定的升溫速度升溫至成為設定在M00°C 3500°C范圍內(nèi)的最高溫度的燒成溫度。以該燒成溫度保持30分鐘 2小時而進行燒成，從而石墨化。在該石墨化的燒成工序中，碳-碳的接合向石墨結晶轉化。如果石墨化的工序中的燒成溫度小于M00°C，則聚酰亞胺膜的石墨化不充分，因此無法形成高質(zhì)量的石墨結晶，導致導熱度小。接下來，優(yōu)選將燒成后的熱分解石墨板由壓延輥夾入而進行壓延處理。通過該壓延處理能夠提高撓性并增大燒成后的熱分解石墨板的密度，從而能夠提高導熱率。并且，通過壓延處理，能夠以保持燒成后的熱分解石墨板中的波狀部的高度的大小關系的方式進一步減小波狀部。接下來，對燒成后的熱分解石墨板或在燒成后進行了壓延處理的石墨板在大氣中進行激光照射而使石墨氧化消失，由此形成第一凹部14、第二凹部15和連結孔18。通過進行激光照射而形成第一凹部14及第二凹部15，與利用沖孔等機械方法壓縮熱分解石墨板而形成凹部的情況相比，能夠?qū)⒌谝话疾?4及第二凹部15的區(qū)域和該區(qū)域以外的熱分解石墨板的密度保持得均勻。即，能夠在石墨板的全部區(qū)域使密度大致均勻。 因此，在傳熱結構中石墨板被加壓時，熱分解石墨板整體均勻地被壓縮。由此，能夠減小第一凹部14及第二凹部15的空隙體積，從而能夠提高防止導熱性填充物的漏出的效果。(實施例)利用圖1 ·圖2具體說明本實施方式的石墨板。首先，將每單位厚度的端裂阻力為9500Ν/(20πιπι·πιπι)的聚酰亞胺膜在氮氣中以最高溫度設定為3000°C的方式燒成。然后，以0. 3MPa的壓力進行壓延，形成第一主面12 第二主面13的一邊為15mm 50mm且厚度為17 μ m的矩形狀的熱分解石墨板。該熱分解石墨板的主面方向和厚度方向的導熱率分別為1750W/mK、15W/mK，波狀部高度為7μπι以下。接著，使YAG激光進行掃描而照射熱分解石墨板，在第一主面12上形成第一凹部 14，該第一凹部14具有一邊為0. 8mm 1. Omm的正方形狀且深度為4 6 μ m的平板狀的空隙。第一凹部14以使開口面16的總面積相對于第一主面12的面積比成為40% 60% 的方式根據(jù)第一主面12的尺寸適當?shù)卦O置多個。在本實施例中，將第一凹部14在第二主面13的寬度方向及長度方向分別等間隔地排列形成。由此，在第一主面12上形成格子狀的提部25。接下來，將第二凹部15設置成與第一凹部14相同的形狀，以從垂直于主面的方向觀察時的俯視下與第一凹部14大致全部重合的方式形成第二凹部15。然后，向第一凹部14的底面的中央照射激光而在各第一凹部14上分別形成一個與第一主面12正交地貫通的直徑為0. 3mm的環(huán)狀的連結孔18。然后，薄膜部21形成為厚度是5 μ m 9 μ m的平板且與第一主面12及第二主面13平行地設置。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的石墨板具有提高熱連接部的散熱性能的效果，適合用作用于發(fā)熱體與散熱體之間的熱連接的散熱板。符號說明
IlUla石墨板
12第一主面
13第二主面
14第一凹部
15第二凹部
16、17開口面
18連結孔
19第一底面
20第二底面
21、22薄膜部
23前端
M底部
31熱連接部
32散熱材料
33樹脂
34導熱性填充物
36半導體封裝體(發(fā)熱體)
37散熱器(散熱體)
權利要求
1.一種石墨板，其設置有第一主面和作為所述第一主面的相反側的面的第二主面，且在主面方向上具有高的各向異性導熱率，其具備第一凹部，其設置于所述第一主面且具備第一底面； 第二凹部，其設置于所述第二主面且具備第二底面； 薄膜部，其形成在所述第一底面與所述第二底面重合的區(qū)域； 連結孔，其貫通所述薄膜部而使所述第一凹部與所述第二凹部連通。
2.根據(jù)權利要求1所述的石墨板，其中，所述薄膜部設置成從所述薄膜部的前端朝向底部變厚。
3.根據(jù)權利要求1所述的石墨板，其中， 所述石墨板通過燒成高分子膜而生成。
4.根據(jù)權利要求3所述的石墨板，其中，所述高分子膜為聚酰亞胺膜，所述聚酰亞胺膜的每單位厚度的端裂阻力為 8500N/20mm · mm 15000N/20mm · mm。
5.根據(jù)權利要求1所述的石墨板，其中， 在全部的區(qū)域具有均勻的密度。
6.根據(jù)權利要求5所述的石墨板，其中，所述第一凹部及所述第二凹部通過激光照射而形成。
7.一種傳熱結構，其具備熱連接部，該熱連接部具備石墨板和流動性的散熱材料， 所述石墨板具備 第一主面；第二主面，其為所述第一主面的相反側的面； 第一凹部，其設置于所述第一主面且具有第一底面； 第二凹部，其設置于所述第二主面且具有第二底面； 薄膜部，其形成在所述第一底面與所述第二底面重合的區(qū)域； 連結孔，其貫通所述薄膜部而使所述第一凹部與所述第二凹部連通， 并且，所述石墨板在主面方向上具有高的各向異性導熱性， 所述流動性的散熱材料填充于所述第一凹部、所述第二凹部及所述連結孔中， 所述熱連接部配置成發(fā)熱體與所述石墨板的所述第一主面?zhèn)认嘟印?br> 8.根據(jù)權利要求7所述的傳熱結構，其中，所述流動性的散熱材料的導熱率設定成比所述石墨板的與主面方向垂直的方向上的導熱率大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在使用潤滑脂等流動性的散熱材料時防止散熱材料的漏出且提高了散熱性能的石墨板。石墨板設置有第一主面和為第一主面的相反側的面的第二主面，且具有在主面方向上大的各向異性導熱率，其具備第一凹部，其設置于第一主面，且具備第一底面；第二凹部，其設置于第二主面，且具備第二底面；薄膜部，其形成在第一底面與所述第二底面重合的區(qū)域；連結孔，其貫通薄膜部而使所述第一凹部與所述第二凹部連通。
文檔編號H05K7/20GK102396302SQ20108001670
公開日2012年3月28日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權日2009年7月13日
發(fā)明者久保和彥, 佐藤雄一, 河村典裕, 船場正志 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社