專利名稱：高頻線路基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高頻線路基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
目前，線路板(PCB)普遍運(yùn)用于各制造領(lǐng)域，是電子產(chǎn)品必不可少的重要組件之 一，隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，電子信息產(chǎn)品不斷向高頻化、高速化的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的線 路基板逐漸被高速化、高可靠性的高頻線路基板替代，近幾年，聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔層 壓基板因其低介電、低介質(zhì)損耗、低吸水率、使用溫度廣等優(yōu)良的特性在高頻線路基板中得 到廣泛的運(yùn)用，但因聚四氟乙烯樹脂(PTFE)其分子外有一層惰性的含氟外殼，使它具有突 出的不粘性能，導(dǎo)致與銅箔粘結(jié)力差、剝離強(qiáng)度低，從而影響線路板的使用效果，在使用過 程中，線路容易脫落或斷裂，嚴(yán)重影響線路板的使用功能，這一直是困繞這種基板生產(chǎn)的一 個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)。綜上所述，現(xiàn)有的高頻線路基板存在剝離強(qiáng)度低、線路容易脫落或斷裂的技術(shù)缺 陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種剝離強(qiáng)度高、線路 不易脫落或斷裂的高頻線路基板，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種所述高頻線路基板的制 作方法。本發(fā)明所述高頻線路基板所采用的技術(shù)方案是所述高頻線路基板包括銅箔、絕 緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層設(shè)置在所述銅箔的下方，所述絕緣介質(zhì)層包括若干浸膠布及若 干層純PTFE薄膜，所述浸膠布與所述純PTFE薄膜相間隔并粘接，所述絕緣介質(zhì)層的最上層 為浸膠布，所述銅箔與所述絕緣介質(zhì)層最上層的所述浸膠布相粘接。進(jìn)一步，所述銅箔包括光亮面I和粗糙面I，所述銅箔的光亮面I朝下，所述絕緣介 質(zhì)層最上層的所述浸膠布與所述銅箔的光亮面I相粘接，在滿足剝離強(qiáng)度要求的前提下， 將所述銅箔的光亮面I與絕緣介質(zhì)層接觸，可使信號(hào)在線路傳送過程中，不會(huì)因銅箔的粗 糙面的粗糙不平造成信號(hào)傳遞不均勻，從而改善無源互調(diào)等性能指標(biāo)。所述高頻線路板還包括下層銅箔，所述絕緣介質(zhì)層的最底層為浸膠布，所述下層 銅箔與所述絕緣介質(zhì)層最底層的所述浸膠布相粘接，從而作為雙面銅箔的高頻線路基板， 滿足不同使用要求。所述下層銅箔包括光亮面II和粗糙面II，所述下層銅箔的光亮面II朝上，所述絕 緣介質(zhì)層最底層的所述浸膠布與所述下層銅箔的光亮面II相粘接。本發(fā)明所述高頻線路基板的制作方法所采用的技術(shù)方案是本發(fā)明所述高頻線路 基板的制作方法包括以下步驟A)、制取浸膠布取玻璃纖維布放入PTFE樹脂內(nèi)進(jìn)行預(yù)浸漬，預(yù)浸漬后制得所述 浸膠布；
B)、制取絕緣介質(zhì)層取上一步驟制得的所述浸膠布與純PTFE薄膜以相間隔的順 序進(jìn)行粘接、墊層，以所述浸膠布作為絕緣介質(zhì)層的首層，粘接、墊層若干層所述浸膠布及 所述純PTFE薄膜后，使所述絕緣介質(zhì)層達(dá)到所需厚度，即制得絕緣介質(zhì)層C)、制取高頻線路基板取上一步驟制得的絕緣介質(zhì)層，在絕緣介質(zhì)層首層的浸膠 布上覆設(shè)銅箔，并進(jìn)行層壓，從而制得高頻線路基板。優(yōu)化地，所述步驟B)中，以浸膠布作為絕緣介質(zhì)層的最底層；所述步驟C)中，在絕 緣介質(zhì)層首層的浸膠布上覆設(shè)銅箔，然后在所絕緣介質(zhì)層底層的浸膠布上覆設(shè)下層銅箔， 再進(jìn)行層壓，制得雙面銅箔的高頻線路基板。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明中，所述絕緣介質(zhì)層包括若干浸膠布及若干層純 PTFE薄膜，所述浸膠布與所述純PTFE薄膜相間隔并粘接，所述絕緣介質(zhì)層的最上層為浸膠 布，所述銅箔與所述絕緣介質(zhì)層最上層的所述浸膠布相粘接，通過預(yù)浸漬PTFE樹脂的玻璃 纖維布即所述浸膠布與純PTFE薄膜墊層，再覆設(shè)銅箔進(jìn)行層壓而制成的高頻線路基板，可 增強(qiáng)銅箔與介質(zhì)間的剝離強(qiáng)度，線路不易脫落或斷裂，提高了作為線路的銅箔與絕緣介質(zhì) 層的粘結(jié)強(qiáng)度，防止銅箔與絕緣介質(zhì)層產(chǎn)生脫離，確保高頻信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，大大延長線 路板的使用壽命。在同等參數(shù)和同等條件下，進(jìn)行剝離強(qiáng)度的檢測，本發(fā)明所述高頻線路基板的剝 離強(qiáng)度可達(dá)25N/Cm2以上，比普通基板的剝離強(qiáng)度(要求15N/Cm2以上)提高了 60%;常規(guī) 的高頻線路基板均采用銅箔的粗糙面與絕緣介質(zhì)層接觸，從而提高線路基板的剝離強(qiáng)度， 但其弊端是容易導(dǎo)致信號(hào)傳遞不均勻，傳輸效果較差，而本發(fā)明所述高頻線路基板的剝離 強(qiáng)度與普通線路基板相比提高了 60%以上，因此，可實(shí)現(xiàn)反向設(shè)置銅箔，使銅箔的光亮面與 絕緣介質(zhì)層接觸、粘接，其粘結(jié)強(qiáng)度仍能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求(剝離強(qiáng)度15N/Cm2以上)， 從而可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)在線路傳送過程中，不會(huì)因銅箔的粗糙面的粗糙不平造成信號(hào)傳遞不均 勻，有效改善無源互調(diào)等性能指標(biāo)。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)剖示圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)剖示圖；圖3是本發(fā)明的高頻線路基板剝離強(qiáng)度測試圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一如圖1所示，本實(shí)施例為單面銅箔的高頻線路基板，本實(shí)施例的高頻線路基極包 括銅箔1、絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層設(shè)置在所述銅箔1的下方，所述絕緣介質(zhì)層包括若 干層浸膠布21和若干層純PTFE薄膜22，所述浸膠布21與所述純PTFE薄膜22相間隔并粘 接，所述絕緣介質(zhì)層的最上層為浸膠布21，所述銅箔1與所述絕緣介質(zhì)層最上層的所述浸 膠布21相粘接，所述銅箔1包括光亮面I和粗糙面I，所述銅箔1的光亮面I朝下，所述絕 緣介質(zhì)層最上層的所述浸膠布21與所述銅箔1的光亮面I相粘接。本實(shí)施例所述高頻線路基板的制作方法包括以下步驟A)、制取浸膠布取玻璃纖維布放入PTFE樹脂內(nèi)進(jìn)行預(yù)浸漬，預(yù)浸漬后制得所述浸膠布；B)、制取絕緣介質(zhì)層取上一步驟制得的所述浸膠布與純PTFE薄膜以相間隔的順 序進(jìn)行粘接、墊層，以所述浸膠布作為絕緣介質(zhì)層的首層，粘接、墊層若干層所述浸膠布及 所述純PTFE薄膜后，達(dá)到所需厚度，從而制得絕緣介質(zhì)層C)、制取高頻線路基板取上一步驟制得的絕緣介質(zhì)層，在絕緣介質(zhì)層首層的浸膠 布上覆設(shè)銅箔，并進(jìn)行層壓，從而制得單面銅箔的高頻線路基板。實(shí)施例二 如圖2所示，本實(shí)施例為雙面銅箔的高頻線路基板，與實(shí)施例一相比，本實(shí)施例還 包括下層銅箔3，所述絕緣介質(zhì)層的最底層為浸膠布21，所述下層銅箔3與所述絕緣介質(zhì)層 最底層的所述浸膠布21相粘接；所述下層銅箔3包括光亮面II和粗糙面II，所述下層銅 箔3的光亮面II朝上，所述絕緣介質(zhì)層最底層的所述浸膠布21與所述下層銅箔3的光亮 面II相粘接。本實(shí)施例所述高頻線路基板的制作方法包括以下步驟A)、制取浸膠布取玻璃纖維布放入PTFE樹脂內(nèi)進(jìn)行預(yù)浸漬，預(yù)浸漬后制得所述 浸膠布；B)、制取絕緣介質(zhì)層取上一步驟制得的所述浸膠布與純PTFE薄膜以相間隔的 順序進(jìn)行粘接、墊層，以所述浸膠布作為絕緣介質(zhì)層的首層，并以所述浸膠布作為絕緣介質(zhì) 層，若干層所述浸膠布與所述純PTFE粘接、墊層達(dá)到所需厚度，即制得絕緣介質(zhì)層C)、制取高頻線路基板取上一步驟制得的絕緣介質(zhì)層，在絕緣介質(zhì)層首層的浸膠 布上覆設(shè)銅箔，然后在所絕緣介質(zhì)層底層的浸膠布上覆設(shè)下層銅箔，再進(jìn)行層壓，制得雙面 銅箔的高頻線路基板。本實(shí)施例的其他特征與實(shí)施例一一致?，F(xiàn)有技術(shù)中，采用純聚四氟乙烯薄膜與銅箔粘接形成線路基板，其剝離強(qiáng)度低，而 本發(fā)明用玻璃纖維布浸漬PTFE樹脂制得的浸膠布21與純PTFE薄膜22相間隔粘接形成絕 緣介質(zhì)層，再與銅箔1粘接、層壓，從而使剝離強(qiáng)度顯著增大，現(xiàn)有純聚四氟乙烯薄膜與銅 箔進(jìn)行剝離破壞試驗(yàn)時(shí)，剝離的方向沿縱向線性方向，且應(yīng)力比較集中，因此其粘結(jié)強(qiáng)度較 低導(dǎo)致剝離強(qiáng)度不高，而本發(fā)明的高頻線路基板加入玻璃纖維布浸漬PTFE樹脂形成的浸 膠布21后，絕緣介質(zhì)層的材料界面層增多，界面層起著傳遞應(yīng)力、減緩應(yīng)力集中、阻止銅箔 1與絕緣介質(zhì)層剝離的作用，縱向與橫向都有纖維傳遞應(yīng)力，剝離的方向是形成網(wǎng)絡(luò)狀發(fā)展 而不是只沿縱向線性方向，有利于能量的消耗和阻止剝離的繼續(xù)發(fā)展，宏觀上體現(xiàn)所述絕 緣材料與所述銅箔1的剝離強(qiáng)度增大。在高頻線路基板層壓前，為了確保所述銅箔與浸膠布接觸以增強(qiáng)基板的剝離強(qiáng) 度，墊層時(shí)需按如下順序進(jìn)行(以本實(shí)施例的雙面銅箔為例)第一層銅箔1
第二層浸膠布21
第二層純PTFE薄膜22
第四層浸膠布21
第五層純PTFE薄膜22
..倒數(shù)第二層浸膠布21最底層下層銅箔3所述銅箔1及下層銅箔3都與所述浸膠布21直接接觸，從而增強(qiáng)了銅箔與絕緣介 質(zhì)層的剝離強(qiáng)度。效果驗(yàn)證在同等參數(shù)和同等條件下，進(jìn)行剝離強(qiáng)度的檢測，本發(fā)明所述高頻線路基板的剝 離強(qiáng)度可達(dá)25N/Cm2以上，比普通基板的剝離強(qiáng)度(要求15N/Cm2以上)提高了 60%;因此， 本發(fā)明所述高頻線路基板可實(shí)現(xiàn)反向設(shè)置銅箔，使銅箔的光亮面與絕緣介質(zhì)層接觸、粘接， 其粘結(jié)強(qiáng)度仍能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求(剝離強(qiáng)度15N/Cm2以上)，從而在滿足剝離強(qiáng)度要求 的前提下，可實(shí)現(xiàn)信號(hào)在線路傳送過程中，不會(huì)因銅箔的粗糙面的粗糙不平造成信號(hào)傳遞 不均勻，有效改善無源互調(diào)等性能指標(biāo)。剝離強(qiáng)度測試報(bào)告(表1) 從圖3所示高頻線路基板剝離強(qiáng)度測試圖及表1顯示的測試數(shù)據(jù)中可以看出，在 25mm長度剝離過程中，最小剝離拉力為23. 03N，最大剝離拉力達(dá)到34. 22N，平均值在30N， 遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于標(biāo)準(zhǔn)中要求的15N以上。本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于高頻線路基板及其制作領(lǐng)域。
權(quán)利要求
一種高頻線路基板，其特征在于它包括銅箔(1)、絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層設(shè)置在所述銅箔(1)的下方，所述絕緣介質(zhì)層包括若干層浸膠布(21)及若干層純PTFE薄膜(22)，所述浸膠布(21)與所述純PTFE薄膜(22)相間隔并粘接，所述絕緣介質(zhì)層的最上層為浸膠布(21)，所述銅箔(1)與所述絕緣介質(zhì)層最上層的所述浸膠布(21)相粘接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻線路基板，其特征在于所述銅箔(1)包括光亮面I和 粗糙面I，所述銅箔(1)的光亮面I朝下，所述絕緣介質(zhì)層最上層的所述浸膠布與所述銅箔 (1)的光亮面I相粘接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高頻線路基板，其特征在于所述高頻線路板還包括下 層銅箔(3)，所述絕緣介質(zhì)層的最底層為浸膠布(21)，所述下層銅箔(3)與所述絕緣介質(zhì)層 最底層的所述浸膠布(21)相粘接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻線路基板，其特征在于所述下層銅箔(3)包括光亮面 II和粗糙面II，所述下層銅箔(3)的光亮面II朝上，所述絕緣介質(zhì)層最底層的所述浸膠布 (21)與所述下層銅箔(3)的光亮面II相粘接。
5.一種權(quán)利要求1所述高頻線路基板的制作方法，其特征在于包括以下步驟A)、制取浸膠布取玻璃纖維布放入PTFE樹脂內(nèi)進(jìn)行預(yù)浸漬，預(yù)浸漬后制得所述浸膠布；B)、制取絕緣介質(zhì)層取上一步驟制得的所述浸膠布與電PTFE薄膜以相間隔的順序進(jìn) 行粘接、墊層，以所述浸膠布作為絕緣介質(zhì)層的首層，粘接、墊層若干層所述浸膠布及所述 純PTFE薄膜后，制得絕緣介質(zhì)層C)、制取高頻線路基板取上一步驟制得的絕緣介質(zhì)層，在所述絕緣介質(zhì)層首層的浸膠 布上覆設(shè)銅箔，并進(jìn)行層壓，從而制得高頻線路基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻線路基板的制作方法，其特征在于所述步驟B)中，以 所述浸膠布作為絕緣介質(zhì)層的最底層；所述步驟C)中，在絕緣介質(zhì)層首層的浸膠布上覆設(shè) 銅箔，然后在所絕緣介質(zhì)層底層的浸膠布上覆設(shè)下層銅箔，再進(jìn)行層壓，制得雙面銅箔的高 頻線路基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高頻線路基板及其制作方法，旨在提供一種剝離強(qiáng)度高、線路不易脫落或斷裂的高頻線路基板及其制作方法。所述高頻線路基板包括銅箔(1)和設(shè)置在所述銅箔(1)下方的絕緣介質(zhì)層，絕緣介質(zhì)層包括若干層浸膠布(21)及若干層純PTFE薄膜(22)，浸膠布(21)與純PTFE薄膜(22)相間隔并粘接，絕緣介質(zhì)層的最上層為浸膠布(21)，銅箔(1)與絕緣介質(zhì)層最上層的浸膠布(21)相粘接，所述高頻線路基板的制作方法利用玻璃纖維布浸漬PTFE樹脂制得的浸膠布與純PTFE薄膜相間隔、粘接，制得絕緣介質(zhì)層，在絕緣介質(zhì)層首層的浸膠布上覆設(shè)銅箔，層壓制得高頻線路基板。本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于高頻線路基板及其制作領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H05K3/38GK101868118SQ20101019112
公開日2010年10月20日 申請日期2010年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月28日
發(fā)明者劉慶輝, 李勛山, 葛凱 申請人:珠海國能電力科技發(fā)展有限公司