專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，對(duì)于輕且精巧的監(jiān)視器、電視機(jī)或者相似的裝置的需求不斷地在
增加。滿足這樣的需求的一種顯示裝置是有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED顯 示器)。
有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其包括兩個(gè)電極和位于兩個(gè)電極之間的發(fā)射層 (emission layer)，在發(fā)射層處，從一個(gè)電極發(fā)射的電子與從另 一個(gè)電極發(fā) 射的空穴復(fù)合而形成激子(exciton),當(dāng)激子發(fā)射能量時(shí)有機(jī)發(fā)光二極管顯 示器發(fā)光。
因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器是自發(fā)射型的，所以其不需要分離的光源。 從而，OLED顯示器的優(yōu)勢(shì)在于功耗和優(yōu)秀的響應(yīng)速度、視角、對(duì)比度。
然而，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器的發(fā)射層向所有方向發(fā)光，所以已經(jīng) 進(jìn)行了用于改善特定方向的發(fā)光效率的研究。這些研究中的一些涉及在兩個(gè) 電極的 一個(gè)中形成反射電^f及。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，其提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該有機(jī) 發(fā)光二極管顯示器包括基板；第一信號(hào)線，其設(shè)置在基板上，包括第一襯 墊單元；第二信號(hào)線，其與第一信號(hào)線交叉，包括第二襯墊單元；第一薄膜 晶體管，其電連接到第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；第二薄膜晶體管，其電連接 到第一薄膜晶體管；像素電極，其電連接到第二薄膜晶體管；公共電極，其 面對(duì)像素電極；發(fā)光件，其設(shè)置在像素電極和公共電極之間；接觸輔助物， 其設(shè)置在第一襯墊單元和第二襯墊單元上；以及保護(hù)性分隔物，其圍繞接觸 壽翁助物。
在其他實(shí)施例中，襯墊單元輔助件還可以設(shè)置在第一襯墊單元和接觸輔助物之間。襯墊單元輔助件可以包括與第二信號(hào)線相同的材料。分隔物還可 以設(shè)置在像素電極上。分隔物和保護(hù)性分隔物可以包括相同的材料。分隔物 的厚度可以大于保護(hù)性分隔物的厚度。保護(hù)性分隔物可以包括有機(jī)絕緣材
料，諸如丙烯酸樹脂(acryl resin))或者聚酰亞胺樹脂(polyimide resin)。 保護(hù)性分隔物可以包括諸如硅的氧化物或氧化鈦的無機(jī)材料。像素電極和接 觸輔助物可以包括相同的材料。接觸輔助物可以包括下透明電極；反射電極， 其設(shè)置在下透明電極上；以及上透明電極，其設(shè)置在反射電極上。反射電極 可以包括銀、釔以及鉑中的至少一種。
在本發(fā)明的另 一個(gè)實(shí)施例中，提供了 一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的 方法，該方法包括形成設(shè)置在基板上并包括第一襯墊單元的第一信號(hào)線； 形成第二信號(hào)線，其與第一信號(hào)線交叉并包括第二襯墊單元；形成薄膜晶體 管，其電連接到第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；在第一襯墊單元和第二襯墊單元 上形成接觸輔助物；在薄膜晶體管上形成像素電極；在像素電極上形成發(fā)光 件；形成保護(hù)性分隔物以圍繞接觸輔助物；以及形成公共電極在發(fā)光件上。
在本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)性分隔物的形成可以包括分隔物形成 在像素電極上。通過利用狹縫掩模(slitmask),保護(hù)性分隔物可以形成為比 分隔物更薄。接觸輔助物可以通過順次堆疊下透明電極層、反射電極層以及 上透明電極層，然后同時(shí)對(duì)三者實(shí)施光刻而形成。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，保護(hù)性分隔物形成在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器 的襯墊單元中，使其可以防止諸如由于襯墊單元的反射電極引起的腐蝕的問 題。
應(yīng)該理解的是，前述一般描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的 并且旨在提供如所要求的本發(fā)明的進(jìn)一 步的解釋。


圖1是4艮據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的等效電路
圖2是^f艮據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖3是沿圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的線in-ni剖取的截面圖4到圖IO是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例用于制造圖2和圖3中的有 機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法的中間步驟的截面圖。具,實(shí)施方式
下面將參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行充分地描述，在附圖中示出了本發(fā)明的示 范性實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到的是，在不脫離本發(fā)明的精神或 者范圍的前提下，可以以各種不同的方式修改所描述的實(shí)施例。
在附圖中，為了清晰起見可能夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。通 篇說明書中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)一個(gè)元件， 諸如層、膜、區(qū)域或者基板被稱為在另一個(gè)元件"上"時(shí)，其可以直接在其 他元件上或者可以存在中間元件。相反地，當(dāng)一個(gè)元件被稱為"直接在，，另 一個(gè)元件上時(shí)，則不存在中間元件。
首先，將參考圖1對(duì)根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示 器進(jìn)4亍詳細(xì)4苗述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的等效電路圖。
參考圖1,根據(jù)本示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多根信號(hào)
線121、 171和172，以及多個(gè)像素PX，該多個(gè)像素PX連接到多根信號(hào)線 121、 171和172并且被設(shè)置成近似矩陣形式。
信號(hào)線包括傳輸柵極信號(hào)(或者掃描信號(hào))的多根柵極線121、傳輸數(shù) 據(jù)信號(hào)的多根數(shù)據(jù)線171和傳輸驅(qū)動(dòng)電壓的多根驅(qū)動(dòng)電壓線172。柵極線121 在近似行方向延伸并且近似彼此平行，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172在近似 列方向延伸并JU皮此平行。
每個(gè)像素PX包括開關(guān)晶體管Qs、驅(qū)動(dòng)晶體管Qd、存儲(chǔ)電容器Cst和 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) LD。
開關(guān)晶體管Qs包括控制端、輸入端和輸出端，其中控制端連接到柵極 線121,輸入端連接到數(shù)據(jù)線171,輸出端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd。
開關(guān)晶體管Qs響應(yīng)施加到柵極線121的掃描信號(hào)以將施加到數(shù)據(jù)線171 的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)津?qū)動(dòng)晶體管Qd。驅(qū)動(dòng)晶體管Qd也包括控制端、輸入端和 輸出端，其中控制端連接到開關(guān)晶體管Qs,輸入端連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172， 輸出端連接到有機(jī)發(fā)光二極管LD。
驅(qū)動(dòng)晶體管Qd傳輸輸出電流Iu3，輸出電流Iu3的大小根據(jù)施加到控制
端和專命出端之間的電壓而改變。
電容器Cst連接在驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端和輸入端之間。電容器Cst由施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端的數(shù)據(jù)信號(hào)充電并且保持它甚至在開關(guān)晶
體管Qs關(guān)斷之后。
有機(jī)發(fā)光二極管LD包括連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸出端的陽極和連接 到公共電壓Vss的陰極。有機(jī)發(fā)光二極管LD根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸出電 流Im發(fā)射不同強(qiáng)度的光，從而顯示圖像。
開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd是n溝道電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。然 而，開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的至少一個(gè)可以是p溝道電場(chǎng)效應(yīng)晶 體管。而且，晶體管(Qs和Qd)、電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管LD的連接 關(guān)系可以改變。
下面，將參考圖2和圖3對(duì)圖1中示出的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的詳細(xì) 結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖，
圖3是沿圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的線in-in剖取的截面圖。
每根包括第一控制電極124a的多根柵極線121形成在絕緣基板110上， 絕緣基板110包括諸如透明玻璃或者塑料的材料。
柵極線121傳輸柵極信號(hào)并且通常在水平方向延伸。每根柵極線121包 括具有連接到其他層或者外部驅(qū)動(dòng)電路的寬區(qū)域的第一襯墊單元129，以及 從柵極線121向上延伸的第一控制電極124a。
柵極線121可以包括諸如鋁或者鋁合金的鋁系列金屬、諸如銀或者銀合 金的銀系列金屬、諸如銅或者銅合金的銅系列金屬、諸如鉬或者鉬合金的鉬 系列金屬、鉻、鉭、鈦等。然而，其可以具有包括具有不同物理特性的兩層 導(dǎo)電層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。
柵極線121的側(cè)部關(guān)于基板110的表面是傾斜的，傾斜角優(yōu)選為約30° 到約80°。
下柵極絕緣層140包括諸如硅的氮化物(SiNx)或者硅的氧化物(SiOx) 的材料且形成在柵極線121上。第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b形成在 下柵極絕緣層140上。第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b可以包括微晶硅 或者多晶硅(多晶體硅)。
一對(duì)第一歐姆接觸164a和一對(duì)第二歐姆接觸164b分別形成在第一半導(dǎo) 體154a和第二半導(dǎo)體154b的每個(gè)上。歐姆接觸164a和164b具有島形，并 且可以包括諸如摻雜有高濃度的諸如磷(P)的n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅或者微晶硅的材料。
包括多根數(shù)據(jù)線171、多根驅(qū)動(dòng)電壓線172、多個(gè)第一輸出電極175a和 多個(gè)第二輸出電極175b的多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸164a和164b以及 柵極絕緣層140上。
數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并且主要在豎直方向延伸而與柵極線121交 叉。每根數(shù)據(jù)線171包括具有寬區(qū)域的第二襯墊單元179以將延伸到第一控 制電極124a的多個(gè)第一輸入電極173a與其他層或者外部驅(qū)動(dòng)電路連接。
驅(qū)動(dòng)電壓線172傳輸驅(qū)動(dòng)電壓并且主要沿豎直方向延伸而與柵極線121 交叉。每根驅(qū)動(dòng)電壓線172包括多個(gè)第二輸入電極173b。
第一輸出電極175a和第二輸出電極175b彼此分開并且也與數(shù)據(jù)線171 和驅(qū)動(dòng)電壓線172分開。
第一輸入電極173a和第一輸出電極175a基于第一半導(dǎo)體154a彼此面 對(duì)，第二輸入電極173b和第二輸出電極175b基于第二半導(dǎo)體154b彼此面 對(duì)。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、 172、 175a和175b可以包括諸如鋁、銅、銀或者其的合 金的低電阻金屬或者諸如鉬、鉻、鉭、鈦或者其合金的耐熱金屬(refractory metal),并且可以具有包括耐熱金屬層(未示出)和低電阻導(dǎo)電層(未示出) 的多層結(jié)構(gòu)。
與柵極線121相同，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、 172、 175a和175b的側(cè)部?jī)?yōu)選關(guān)于 基板110傾斜約30°到約80。的傾斜角。
上柵極絕緣層180可以包括諸如硅的氮化物或者硅的氧化物的材料且形 成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、 172、 175a和175b、暴露的半導(dǎo)體部分154a和1Mb以 及下柵極絕纟彖層140上。
上柵極絕緣層180形成有多個(gè)接觸孔185a和185b以暴露第一輸出電極 175a和第二輸出電極175b。
第二控制電極124b形成在上柵極絕緣層180上。每個(gè)第二控制電極1Mb 與第二半導(dǎo)體154b交疊并且包括存儲(chǔ)電極127。存儲(chǔ)電極127與驅(qū)動(dòng)電壓線 172交疊。第二控制電極124b通過接觸孔185a連接到第一輸出電極175a。 第二控制電極124b可以包括與柵極線121相同的材料。第二控制電極124b 的側(cè)部關(guān)于基板110的表面傾斜，傾斜角優(yōu)選為約30°到約80°。
具有多個(gè)接觸孔181和182的多個(gè)保護(hù)件193形成在第二控制電極124b和上柵極絕緣層180上。保護(hù)件193可以包括諸如硅的氧化物、硅的氮化物 的材料，并且起鈍化層的作用來保護(hù)數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、 172、 175a和175b以及 第二襯墊單元179。
保護(hù)件193覆蓋第二控制電極124b。保護(hù)件193形成在第二控制電極 124b上使得包括具有弱化學(xué)抗性的導(dǎo)體的第二控制電極124b不會(huì)在后續(xù)工 藝中被諸如刻蝕劑的化學(xué)液體損壞。
具有接觸孔201a的層間絕緣層201形成在保護(hù)件193上。層間絕緣層 201形成為具有足夠的厚度從而能夠使形成有開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動(dòng)晶體管 Qd的區(qū)域被平坦化，并且可以包括諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁晞?lì)悩渲?(benzocyclobutene series resin )和丙蹄酸月旨的有才幾材泮+。
像素電極191和多個(gè)接觸輔助物81和82形成在層間絕緣層201和保護(hù) 件193上。像素電極191和多個(gè)接觸輔助物81和82可以是下像素電極191a、 反射電極191b和上像素電極191c的三層結(jié)構(gòu)。
下像素電極191a的一部分可以通過接觸孔201a連接到第二輸出電極 175b,下像素電極191a、反射電極191b和上4象素電極191c的各自的一部分 可以被包括在接觸孔201 a的內(nèi)部。下像素電極191 a利用諸如氧化銦錫(ITO)、 氧化銦鋅(IZO)的透明金屬材料形成為厚度約50-200A。下像素電極191a被 形成以改善保護(hù)件193和通過后續(xù)工藝形成的反射電極191b之間的界面特 性，也就是，附著特性。
反射電極191b可以包括具有約80%的反射率的金屬，諸如銀、鈀或者 鉑。反射電極形成為厚度約1000-3000 A。反射電極191b起反光的作用，這 樣可以增加亮度和光效率。
上像素電極191c形成在反射電極191b上。上像素電極191c可以利用 諸如ITO、 IZO的透明金屬材料形成為厚度50-200A。
接觸輔助物81和82分別通過接觸孔181和182連接到柵才及線121的第 一襯墊單元129和數(shù)據(jù)線171的第二襯墊單元179。接觸輔助物81和82增 補(bǔ)(supplement)第一襯墊單元129和第二襯墊單元179與外部驅(qū)動(dòng)電路的 附著特性，并且保護(hù)它們。
分隔物361和保護(hù)性分隔物362和363形成在^象素電極191和保護(hù)件193 上。分隔物361像岸一樣圍繞像素電極191的邊緣周圍以定義開口 365。保 護(hù)性分隔物362和363分別圍繞接觸輔助物81和82的邊緣周圍。這些保護(hù)性分隔物362和363起防止當(dāng)接觸輔助物81和82暴露到外部時(shí)引起的腐蝕 問題和變黃的現(xiàn)象的作用。
保護(hù)性分隔物362和363的厚度形成為不比分隔物361的厚度厚，這樣 使其可以改善接觸輔助物81和82與外部器件之間的附著特性。
分隔物361和保護(hù)性分隔物362和363可以包括具有熱阻和溶劑抗性的 有機(jī)絕緣體，諸如丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂，或者諸如硅的氧化物(Si02)、 氧化鈦(Ti02)的無機(jī)材料，并且可以由兩層或者多層形成。分隔物361可 以包括含黑色顏料的光敏材料。在這種情況中，分隔物361起擋光件(light blocking memeber)的作用并且其的形成工藝簡(jiǎn)單。
在像素電極191上由分隔物361定義的開口 365形成有有機(jī)發(fā)光件370。
有機(jī)發(fā)光件370可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)既包括發(fā)光的發(fā)射層(發(fā) 射層)(未示出)也包括改善發(fā)射層的發(fā)光效率的輔助層(未示出)。
發(fā)射層可以包括固有地發(fā)射任何一種基本顏色的光，諸如紅色、綠色和 藍(lán)色的三種基本顏色的有機(jī)材料，或者有機(jī)材料和無機(jī)材料的混合物。有機(jī) 材料可以包括聚藥衍生物(polyfluorene derivative)、(聚)對(duì)亞苯基乙烯衍生 物((poly)paraphenylenevinylene derivative)、 聚亞苯基衍生物(polyphenylene derivative) 、 ？《藥書亍生物(polyfluorene derivative )、 聚乙烯基口卡p坐 (polyvinylcarbazole)或者聚p塞p分書亍生物(polythiophene derivative),或者將i者如 二萘嵌苯(perylene )系列染料、cumarine系列染料、rodermine系列染料、紅 焚烯(rubrene)、 二萘嵌苯(perylene)、 9' 10-二苯基蒽(9，10-diphenylanthracene)、 四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、尼羅紅(Nilered)、香豆素(coumarin)、 p套 吖(二) S同(quinacridone)等的化合物摻雜到這些聚合材料。有機(jī)發(fā)光二極管 顯示器通過從發(fā)射層發(fā)射的基本顏色的光的空間和顯示期望的圖像。
輔助層可以包括電子輸運(yùn)層(未示出)和空穴輸運(yùn)層(未示出)用于平 衡電子和空穴，以及電子注入層用于增強(qiáng)電子和空穴的注入等。輔助層可以 包括一層或者多層選定的層?？昭ㄝ斶\(yùn)層和空穴注入層可以包括具有近似像 素電極191和發(fā)射層的中間工作函數(shù)的材料，電子輸運(yùn)層和電子注入層可以 包括具有近似公共電極270和發(fā)射層的中間工作函數(shù)的材料。例如，空穴輸 運(yùn)層或者空穴注入層可以包括聚-3,4-乙烯基二氧噻吩(poly-(3,4-ethylenedioxythiophene )、 聚苯乙》希石黃酉臾西旨(polystyrenesulfonate ) (PEDOT和PSS)的混合物。270形成在基板上方， 并且與像素電極191形成為一對(duì)而向有機(jī)發(fā)光件370傳輸電流。
在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，連接到柵極線121的第一控制柵極124a、 連接到數(shù)據(jù)線171的第一輸入電極173a和第一輸出電極175a與半導(dǎo)體154a 一起形成開關(guān)薄膜晶體管(TFT) Qs,開關(guān)薄膜晶體管Qs的溝道形成在第 一輸入電極173a和第一輸出電極175a之間的第一半導(dǎo)體154a中。連接到 第一輸出電極175a的第二控制電極124b、連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172的第二輸 入電極173b和連接到像素電極191的第二輸出電極175b與第二半導(dǎo)體154b 一起形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)Qd，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Qd的溝道形成在第 二輸入電極173b和第二輸入電極175b之間的第二半導(dǎo)體154b中。
雖然本示范性實(shí)施例僅示出一個(gè)開關(guān)薄膜晶體管和僅一個(gè)薄膜晶體管， 但是其除了該開關(guān)薄膜晶體管和該薄膜晶體管之外還包括至少一個(gè)薄膜晶 體管和用于驅(qū)動(dòng)該至少一個(gè)薄膜晶體管的布線，使得有機(jī)發(fā)光二極管LD和 驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的退化可以被防止或者被補(bǔ)償即使在長(zhǎng)期的驅(qū)動(dòng)期間，這使 其可以防止有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的壽命的降低。
像素電極191、有機(jī)發(fā)光件370以及公共電極270形成有機(jī)發(fā)光二極管 LD,像素電極191變成陽極，公共電極270變成陰極，或者反之亦然。而 且，彼此交疊的存儲(chǔ)電極127和驅(qū)動(dòng)電壓線172形成存儲(chǔ)電容器Cst。
下面，將參考圖4到圖9對(duì)制造圖2和圖3中示出的有機(jī)發(fā)光二極管顯 示器的方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。
圖4和圖9是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例用于制造圖2和圖3的有機(jī)發(fā) 光二極管顯示器的方法的中間步驟的截面圖。
如圖4中所示，包括第一襯墊單元129和包括諸如鋁合金的金屬的第一 控制電極124a的多根柵極線121形成在基才反110上。
接著，柵極絕緣層通過化學(xué)氣相沉積(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積， PECVD)被沉積并且然后經(jīng)歷光刻，從而形成暴露多根柵極線121的第一襯 墊單元129的下柵極絕緣層140。
然后，本征非晶硅層和雜質(zhì)非晶硅層通過化學(xué)氣相沉積(PECVD)相繼 堆疊。
之后，雜質(zhì)非晶硅層和本征非晶硅層經(jīng)歷光刻，從而形成多個(gè)第一歐姆 接觸164a和第二歐姆接觸164b以及多個(gè)第一半導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b。此時(shí)，多個(gè)第一歐姆接觸164a和第二歐姆接觸164b以及多個(gè)第一半 導(dǎo)體154a和第二半導(dǎo)體154b通過諸如受激準(zhǔn)分子激光退火(excimer laser annealing, ELA)、連續(xù)才黃向結(jié)晶(SLS, sequential lateral solidification )、固 相晶化(SPC,solid phase crystallization)等的結(jié)晶方法晶體化。
接著，包括多根數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172以及多個(gè)第一輸出電極175a 和第二輸出電極175b的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成，數(shù)據(jù)線171包括第一輸入電極173a 和包括鋁合金的第二襯墊單元179，驅(qū)動(dòng)電壓線172包括第二輸入電極173b。
此時(shí)，村墊單元輔助件178可以包括與第一襯墊單元129上的數(shù)據(jù)導(dǎo)體 相同的材料。
襯墊單元輔助件178起電連接第一襯墊單元129與隨后形成的接觸輔助 物81的作用。
接著，如圖5所示，上柵極絕緣層通過化學(xué)氣相沉積堆疊在基板上方并 且經(jīng)歷光刻從而形成具有多個(gè)接觸孔185a和185b的上柵極絕緣層180。
然后，如圖6所示，包括諸如鋁合金的材料的導(dǎo)電層^C堆疊并且經(jīng)歷光 刻從而形成包括存儲(chǔ)電極127的第二控制電極124b。
下面，如圖7所示，通過光刻，具有多個(gè)接觸孔181和182以及孔193a 的保護(hù)件193形成在上柵極絕緣層180和第二控制電極124b上。
接下來，如圖8所示，具有多個(gè)接觸孔201a的層間絕緣層201形成在 保護(hù)件193上。
接著，如圖9所示，ITO、 Ag和ITO沉積在層間絕緣層201和第二襯墊 單元179上，并且然后經(jīng)歷光刻以形成多個(gè)像素電極191和多個(gè)接觸輔助物 81和82。
然后，如圖10所示，光敏有機(jī)層形成在多個(gè)像素電極191、層間絕緣層 201和多個(gè)接觸輔助物81和82上，并且經(jīng)歷曝光和顯影從而形成多個(gè)保護(hù) 性分隔物362和363以及具有多個(gè)開口 365的分隔物361。
具有低于分隔物361的臺(tái)階的多個(gè)保護(hù)性分隔物362和363可以利用狹 縫掩模形成。
接著，如圖3所示，包括空穴輸運(yùn)層(未示出)和發(fā)射層(未示出)的 發(fā)光件370形成在開口 365中。發(fā)光件370可以利用溶解工藝或者沉積工藝 形成，諸如噴墨打印工藝，并且當(dāng)采用包括移動(dòng)噴墨頭(未示出)和將溶液 滴到開口 365的噴墨打印工藝時(shí)，每層被形成并且接著是干燥工藝。然后，公共電極270形成在分隔物361和發(fā)光件370上。
如以上所述，在本示范性實(shí)施例中，開關(guān)薄膜晶體管作為底柵結(jié)構(gòu)形成， 馬區(qū)動(dòng)薄膜晶體管作為頂柵結(jié)構(gòu)形成。
然而，本示范性實(shí)施例不限于此。因此，開關(guān)薄膜晶體管可以作為頂柵 結(jié)構(gòu)形成，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管可以作為底柵結(jié)構(gòu)形成。
在任何情況中，即使當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管作為其他結(jié)構(gòu) 形成，公共層被聯(lián)合以減小掩模的數(shù)量，使得可以簡(jiǎn)化工藝。
而且，本示范性實(shí)施例作為頂發(fā)射結(jié)構(gòu)形成，頂發(fā)射結(jié)構(gòu)在公共電極270 所形成的方向從發(fā)光件370發(fā)光，然而，本示范性實(shí)施例不局限于此。從而， 本示范性實(shí)施例可以通過改變公共電極270和像素電極191的位置作為底發(fā) 射結(jié)構(gòu)形成，使得可以沿與頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光方向相反的方向從發(fā)光件370 發(fā)光。
但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是，相反地，旨在覆蓋 被包括在所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等價(jià)布置。
本申請(qǐng)要求于2008年6月23日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng) No. 10-2008-0059042的權(quán)益和優(yōu)先權(quán)，并且以參考方式將其整體內(nèi)容合并在 此。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括基板；第一信號(hào)線，其設(shè)置在所述基板上，所述第一信號(hào)線包括第一襯墊單元；第二信號(hào)線，其與所述第一信號(hào)線交叉，所述第二信號(hào)線包括第二襯墊單元；第一薄膜晶體管，其電連接到所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線；第二薄膜晶體管，其電連接到所述第一薄膜晶體管；像素電極，其電連接到所述第二薄膜晶體管；公共電極，其面對(duì)所述像素電極；發(fā)光件，其設(shè)置在所述像素電極和所述公共電極之間；接觸輔助物，其設(shè)置在所述第一襯墊單元和所述第二襯墊單元上；以及保護(hù)性分隔物，其圍繞所述接觸輔助物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，還包括 襯墊單元輔助件，其設(shè)置在所述第一襯墊單元和所述接觸輔助物之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中 所述襯墊單元輔助件包括與所述第二信號(hào)線相同的材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，還包括 分隔物，其設(shè)置在所述像素電極上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述分隔物和所 述保護(hù)性分隔物包括相同的材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述分隔物的厚 度大于所述保護(hù)性分隔物的厚度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述保護(hù)性分隔 物包括有機(jī)絕緣材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述保護(hù)性分隔 物包括無機(jī)材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述像素電極包 括與所述接觸輔助物相同的材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述接觸輔助物包^^舌下透明電極；反射電極，其設(shè)置在所述下透明電極上；以及上透明電極，其設(shè)置在所述反射電極上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述反射電極 包括4艮、鈀以及鉑中的至少一種。
12. —種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，包括 形成第一信號(hào)線在基板上，所述第一信號(hào)線包括第一襯墊單元； 形成第二信號(hào)線與所述第一信號(hào)線交叉，所述第二信號(hào)線包括第二襯墊單元；形成薄膜晶體管，其電連接到所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線； 形成接觸輔助物，其在所述第一襯墊單元和所述第二襯墊單元上； 形成像素電極在所述薄膜晶體管上； 形成保護(hù)性分隔物以圍繞所述接觸輔助物； 形成發(fā)光件在所述像素電極上；以及 形成公共電極在所述發(fā)光件上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述保護(hù)性分隔物包括在所 述像素電極上形成所述分隔物。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中通過利用狹縫掩模，所述保護(hù)性 分隔物形成為比所述分隔物更薄。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述接觸輔助物通過順次堆疊下 透明電極層、反射電極層和上透明電極層之后，同時(shí)對(duì)所述下透明電極層、 所述反射電極層和所述上透明電極層實(shí)施光刻而形成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述接觸輔助物和所述像素電極 同時(shí)形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括基板；第一信號(hào)線，其形成在基板上并且包括第一襯墊單元；第二信號(hào)線，其與第一信號(hào)線交叉，包括第二襯墊單元；第一薄膜晶體管，其電連接到第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；第二薄膜晶體管，其電連接到第一薄膜晶體管；像素電極，其電連接到第二薄膜晶體管；公共電極，其面對(duì)像素電極；發(fā)光件，其形成在像素電極和公共電極之間；接觸輔助物，其形成在第一襯墊單元和第二襯墊單元上；以及保護(hù)性分隔物，其圍繞接觸輔助物。
文檔編號(hào)H05B33/10GK101615626SQ200910002540
公開日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2009年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月23日
發(fā)明者姜鎮(zhèn)熙, 崔珉赫, 權(quán)永東, 李東基, 柳春基 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社