專利名稱：在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種形成用以量測(cè)基板尺寸的 別是有關(guān)于一種可以整合在基板工藝中形成用以』 點(diǎn)的方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在電子產(chǎn)品朝向輕、薄、短、小以及多功能的設(shè)計(jì)趨勢(shì)下， 其內(nèi)部的基板亦朝向相同的方向設(shè)計(jì)，尤其是在提高線路密度的方面?，F(xiàn) 今，制作高線路密度基板的方法多是以一種硬式基層為核心，然后以增層(BuildUp)的方式向外建立線路層，此種方式即為在硬式基層的頂面以 及底面上依序交錯(cuò)地形成介電層以及線路層，并由在介電層形成通孔(via)且在通孔內(nèi)鍍銅來(lái)電性導(dǎo)通各線路層。由于此種基板內(nèi)的線路密 度高，因此所制作的線路層及通孔的位置的精準(zhǔn)度要求較高。但是，在基 板的工藝中，基層、介電層或是焊罩層容易因遇熱或其它因素而改變尺寸， 使得所制作的線路層及通孔的對(duì)位精準(zhǔn)度降低，進(jìn)而影響工藝的良率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明關(guān)于一種可在基板工藝中對(duì)基板尺寸進(jìn)行實(shí)時(shí)量測(cè)的方法，其 有助于增加工藝對(duì)位的準(zhǔn)確度，進(jìn)而提高工藝良率。為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種在基板工藝中同時(shí)形成用以 量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)的方法，以由量測(cè)靶點(diǎn)量測(cè)基板的尺寸。該量測(cè) 靶點(diǎn)的制作方法包括(a)提供一板材，板材具有一基層與一第一導(dǎo)電層， 而且第一導(dǎo)電層配置于基層的一表面上；(b)形成至少一貫孔于板材上，量測(cè)耙點(diǎn)的方法，且特 量測(cè)基板尺寸的量測(cè)耙以作為一量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)；(C)形成一鍍通孔于貫孔內(nèi)，以作為另一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)；(d)全面形成一介電層于板材上；以及 (e)移除鍍通孔上方的介電層，使其暴露出鍍通孔，以作為下一次量測(cè) 基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，形成鍍通孔的方法可以是先形成一第二 導(dǎo)電層于第一導(dǎo)電層表面以及貫孔內(nèi)壁，然后圖案化基層的表面上的第一 導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層以在貫孔周圍形成一保護(hù)墊，而且保護(hù)墊連接貫孔內(nèi) 壁的第二導(dǎo)電層。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，形成貫孔于板材中的方法可以是對(duì)板材 進(jìn)行機(jī)械鉆孔或激光鉆孔。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，本發(fā)明在進(jìn)行步驟(d)時(shí)，介電層可 以填入貫孔內(nèi)。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，形成介電層于板材上的方法包括壓合一 增層膜于板材上。依照本發(fā)明一實(shí)施例所述，增層膜為一ABF膜(Ajinomoto build-up film)。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，移除部份介電層的方法包括對(duì)介電層進(jìn) 行機(jī)械鉆孔或激光鉆孔。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，本發(fā)明在步驟(e)之后，還包括(f) 全面形成一焊罩層(solder resist layer, SR layer)于板材上，其中 形成焊罩層的方法可以是印刷一焊罩材料于板材上；以及(g)移除鍍通 孔上方的焊罩層使焊罩層暴露出鍍通孔以作為再一次量測(cè)基板尺寸的量 測(cè)靶點(diǎn)，其中移除部份焊罩層的方法可以是對(duì)焊罩層進(jìn)行一光刻工藝。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，本發(fā)明可以在步驟(f)之前重復(fù)步驟 (d)與步驟(e)至少一次。在此還提出另一種在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè)耙點(diǎn) 的方法。首先，提供一板材，其具有一基層與一第一導(dǎo)電層，而且第一導(dǎo) 電層配置于基層的一表面上。接著，形成至少一貫孔于板材上以作為第一 次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。然后，形成一第二導(dǎo)電層在第一導(dǎo)電層表面 以及貫孔內(nèi)壁。之后，圖案化基層的表面上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層以在開孔周圍形成一保護(hù)墊，此時(shí)貫孔作為第二次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶 點(diǎn)。接著，形成一第一介電層于基層的表面上，而且第一介電層填入貫孔 內(nèi)。然后，移除保護(hù)墊上方與開孔上方的第一介電層以形成一第一幵孔。 第一開孔暴露出保護(hù)墊與貫孔以作為第三次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。之 后，形成一第二介電層于第一介電層上，而且第二介電層填入第一開孔內(nèi)。 接著，移除保護(hù)墊與開孔上方的第二介電層以形成一第二開孔。第二開孔 暴露出保護(hù)墊與貫孔以作為第四次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。然后，形成 一焊罩層于第二介電層上，而且焊罩層填入第二開孔內(nèi)。之后，移除保護(hù) 墊與開孔上方的焊罩層以形成一第三開孔。第三開孔暴露出保護(hù)墊與貫孔 以作為第五次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，形成貫孔于板材中的方法可以是對(duì)板材 進(jìn)行機(jī)械鉆孔或激光鉆孔。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，形成第一介電層或第二介電層于板材上 的方法可以是壓合一增層膜于板材上。增層膜可為ABF膜。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，移除部份第一介電層或部分第二介電層 的方法包括對(duì)第一介電層或第二介電層進(jìn)行機(jī)械鉆孔或激光鉆孔。依照本發(fā)明的一實(shí)施例所述，形成焊罩層的方法可以是印刷一焊罩材 料于板材上，而移除部份焊罩層的方法可以是對(duì)焊罩層進(jìn)行一光刻工藝。綜上所述，由于本發(fā)明可在基板工藝中同時(shí)形成用以量測(cè)基板尺寸的 量測(cè)耙點(diǎn)，因此可在基板的制作過(guò)程中對(duì)基板尺寸進(jìn)行實(shí)時(shí)量測(cè)，而有助 于增加工藝對(duì)位的準(zhǔn)確度。另外，本發(fā)明的形成量測(cè)耙點(diǎn)的方法不需在原 有的基板工藝中增加額外的步驟，因此不會(huì)增加制作成本。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 一實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下，其中圖1繪示本發(fā)明的一實(shí)施例中由基板上的量測(cè)靶點(diǎn)來(lái)量測(cè)基板尺寸 的方法。圖2A 圖2J、圖3A以及圖3B繪示本發(fā)明的形成用以量測(cè)基板尺主要元件符號(hào)說(shuō)明 10 0:基板110:量測(cè)靶點(diǎn) 112:中心點(diǎn) 2 0 0a:板材 2 0 2:貫孔 2 0 4:鍍通孔 2 1 0 :基層 2 12:表面2 2 0 、 2 3 0:圖案化導(dǎo)電層 2 2 0 a、 2 3 0 a:導(dǎo)電層 2 4 0 、 2 5 0:介電層 2 6 Q :焊罩層 D:內(nèi)徑Hl、 H2、 H3、 H4:間距 P:保護(hù)墊具體實(shí)施方式
圖1繪示本發(fā)明的一實(shí)施例中由基板上的量測(cè)靶點(diǎn)來(lái)量測(cè)基板尺寸 的方法。請(qǐng)參照?qǐng)D1 ，本發(fā)明的基板1 0 0具有多個(gè)量測(cè)靶點(diǎn)110，而且量 測(cè)靶點(diǎn)l 1 O可任意配置于基板l 0 0的適當(dāng)位置上。在本實(shí)施例中，例 如是在基板1 0 0的四個(gè)角落形成量測(cè)靶點(diǎn)110，其中由量測(cè)靶點(diǎn)1 1O可在基板l 0 O的制作過(guò)程中對(duì)基板l 0 0的尺寸進(jìn)行實(shí)時(shí)量測(cè)，而有 助于增加工藝對(duì)位的準(zhǔn)確度。 一般而言，本發(fā)明的量測(cè)基板尺寸的方法例 如可藉由量測(cè)量測(cè)靶點(diǎn)l10的內(nèi)徑D以及量測(cè)靶點(diǎn)110的中心點(diǎn)112之間之間距H1 、 H2、 H3、 H4來(lái)計(jì)算得知基板l 0 O在工藝中的尺寸 變化，然其詳細(xì)的計(jì)算過(guò)程在此不加以贅述。以下將列舉本發(fā)明在基板的 工藝中形成上述的量測(cè)靶點(diǎn)的一種制作方法做進(jìn)一步的說(shuō)明。圖2A 圖2J、圖3A以及圖3B繪示本發(fā)明的形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)的制作流程。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供一板材2 0 0 a，其具有一基層2 1 O與一 導(dǎo)電層2 2 0 a?；鶎? 1 0具有上表面2 1 2以及與上表面2 1 2相對(duì) 的下表面(未繪示)，而導(dǎo)電層2 2 0 a配置于基層2 1 0的上表面2 1 2 上。于實(shí)際情形中，在基層2 1 O的上下兩側(cè)皆可進(jìn)行量測(cè)靶點(diǎn)的制作， 但為方便說(shuō)明，本實(shí)施例僅繪示在基板上半部制作量測(cè)靶點(diǎn)的流程。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，形成至少一貫孔2 0 2于板材2 0 Oa上以作為一量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。此步驟例如是與基板其它用以傳輸信號(hào)的鍍 通孔的工藝同時(shí)進(jìn)行。換言之，在形成貫孔2 0 2的同時(shí)，也可在板材2 0 Oa的其它位置形成用以制作傳輸信號(hào)的鍍通孔的貫孔(未繪示)，以連 通導(dǎo)電層2 2 0 a與基層2 1 0另一側(cè)的導(dǎo)電層(未繪示)。在本實(shí)施例中， 形成貫孔2 0 2的方法例如是對(duì)板材2 0 Oa進(jìn)行機(jī)械鉆孔或激光鉆孔。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2C與圖2D，形成一圖案化導(dǎo)電層2 2 0 、 一圖案化 導(dǎo)電層2 3 0 、 一鍍通孔2 0 4于貫孔2 0 2內(nèi)。此時(shí)，在板材2 0 Oa的其它貫孔中也可同時(shí)形成用以傳輸信號(hào)的鍍通孔(未繪示)以連接基層 2 1 O上下兩側(cè)的線路層，例如位于基層2 1 0的上表面2 1 2的圖案化 導(dǎo)電層2 2 0 、 2 3 0以及其它位于基層2 1 0的下表面的導(dǎo)電層。相較 于其它的鍍通孔，鍍通孔2 0 4主要是作為另一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶 點(diǎn)，以監(jiān)測(cè)在圖2C與2D的步驟中板材2 0 Oa可能發(fā)生的變形。詳細(xì)而言，請(qǐng)先參照?qǐng)D2C，形成一導(dǎo)電層2 3 0 a于導(dǎo)電層2 2 0 a 表面、貫孔2 0 2內(nèi)壁以及其它的貫孔內(nèi)壁。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，圖案 化基層2 1 0的表面2 1 2上的導(dǎo)電層2 2 0 a與導(dǎo)電層2 3 0 a而使其 形成圖案化導(dǎo)電層2 2 0與圖案化導(dǎo)電層2 3 0，同時(shí)也在貫孔2 0 2周 圍形成一保護(hù)墊P。保護(hù)墊P是由部分的圖案化導(dǎo)電層2 2 O與圖案化導(dǎo) 電層2 3 0所構(gòu)成，并且連接貫孔2 0 2內(nèi)壁的圖案化導(dǎo)電層2 3 0 。圖 案化基層2 1 0的表面2 1 2上的導(dǎo)電層2 2 0 a與導(dǎo)電層2 3 0 a的方 法例如是光刻蝕刻。在上述步驟之后，已在基層2 1 O的上下兩側(cè)分別制作了一層線路層 (即圖案化導(dǎo)電層)，此時(shí)可選擇進(jìn)行填孔，并在板材2 0 Oa的上下兩側(cè)形成焊罩層，以形成雙層的線路基板結(jié)構(gòu)?；蚴牵稍诎宀? 0 Oa的上下兩側(cè)繼續(xù)以增層的方式形成多個(gè)介電層與線路層，以得到具有更多層的 線路結(jié)構(gòu)的線路基板。以下將就上述兩種情形說(shuō)明本發(fā)明的量測(cè)靶點(diǎn)的制 作方式。如圖3 A與圖3 B所示，即為在圖2 D的步驟之后進(jìn)行填孔與焊罩層的 制作，以形成雙層線路基板的例子。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3A，先在貫孔2 0 2以及其它的貫孔內(nèi)填入一絕緣材料以防止水氣進(jìn)入貫孔2 0 2以及其 它的貫孔而造成爆米花效應(yīng)(Popcorn Effect),而填入絕緣材料的方式 例如以印刷的方式將絕緣材料填入貫孔2 0 2以及其它的貫孔中，且絕緣 材料例如是塞孔用油墨。之后，全面形成一焊罩層3 1 0于板材2 0 0 a 上，而形成焊罩層3 1 0的方法例如是印刷一焊罩材料于板材2 0 Oa上， 其中焊罩材料可以具有感光性質(zhì)。接著，如圖3B所示，移除鍍通孔2 0 4上方的焊罩層3 1 0使其暴露出鍍通孔2 0 4以作為再一次量測(cè)基板 尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)，同時(shí)也在焊罩層3 1 O上形成至少一開口 (未繪示)以 暴露出部分的圖案化導(dǎo)電層2 3 0以作為基板與外部電路板(未繪示)電 性連接的接點(diǎn)。若上述的焊罩材料具有感旋光性，則移除部份焊罩層3 1 0的方法例如是對(duì)焊罩層310進(jìn)行光刻工藝。除了上述圖3A與3B的步驟之外，以下步驟繪示在具有更多層線路 的線路基板的工藝中形成量測(cè)靶點(diǎn)的方法。接續(xù)前述圖2D的步驟，請(qǐng)參 照?qǐng)D2 E，全面地形成一介電層2 4 0于板材2 0 0 a上，而且介電層2 4 0可以是填入貫孔2 0 2內(nèi)。形成介電層2 4 0于板材2 0 0 a上的方法 可以是壓合一增層膜于板材2 0 Oa上。另外，增層膜例如為ABF膜。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，移除鍍通孔2 0 4上方的介電層2 4 0，使其 暴露出鍍通孔2 0 4，以作為又一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)，同時(shí)也在 介電層2 4 O中形成至少一開口 (未繪示)以暴露出部分的圖案化導(dǎo)電層 2 3 0。此時(shí)，伴隨其它線路層的制作，在介電層2 4 0上可再形成一圖 案化導(dǎo)電層(未繪示)，并使圖案化導(dǎo)電層藉由介電層2 4 0的開口連接 到介電層2 4 0下方的圖案化導(dǎo)電層。上述移除部份介電層2 4 0的方法 例如是對(duì)介電層2 4 O進(jìn)行機(jī)械鉆孔或激光鉆孔。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2G，全面地形成一介電層2 5 0于板材2 0 Oa上。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2H，移除鍍通孔2 0 4上方的介電層2 5 0使其暴露出 鍍通孔2 0 4以作為又一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)，同時(shí)也在介電層2 5 O中形成至少一開口 (未繪示)以暴露介電層2 4 0上的部分圖案化導(dǎo) 電層。然后，在介電層2 5 O上形成一圖案化導(dǎo)電層(未繪示)并且使圖 案化導(dǎo)電層由介電層2 5 O的開口連接到下方的圖案化導(dǎo)電層。經(jīng)由上述的步驟，已經(jīng)在基層210的上下兩側(cè)分別形成了三層線 路，而大致成為六層的線路基板結(jié)構(gòu)。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2 1，全面形成一 焊罩層2 6 0于板材2 0 Oa上。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2J，移除鍍通孔2 0 4 上方的焊罩層2 6 0使其暴露出鍍通孔2 0 4以作為再一次量測(cè)基板尺 寸的量測(cè)靶點(diǎn)，同時(shí)也可對(duì)焊罩層2 6 0進(jìn)行圖案化以暴露出介電層2 5 O上部分的圖案化導(dǎo)電層，作為基板與外部電路板(未繪示)電性連接的 接點(diǎn)。如此，即可制成具有六層線路的線路基板結(jié)構(gòu)。承上所述，于本發(fā)明的實(shí)施例中以在雙層板與六層板的工藝中形成量 測(cè)耙點(diǎn)為例做說(shuō)明，當(dāng)然本發(fā)明亦可在四層板或具有更多層線路的基板工 藝中形成量測(cè)靶點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō)，若是要在四層板中形成量測(cè)靶點(diǎn)只需減少 圖2G與圖2H的步驟即可，而若是要在更多層的基板工藝中形成量測(cè)耙 點(diǎn)，則只需要在圖2 1的步驟之前，再重復(fù)至少一次的圖2G與圖2H的步 驟即可。綜上所述，本發(fā)明的量測(cè)靶點(diǎn)可整合在既有的基板工藝中形成，因此 不需增加額外的工藝，不會(huì)增加制作成本。也因此，可對(duì)基板尺寸進(jìn)行實(shí) 時(shí)量測(cè)而有助于增加工藝對(duì)位的準(zhǔn)確度。另外，由于本發(fā)明是以制作在基 材中的貫孔與貫孔內(nèi)的鍍通孔來(lái)作為量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)，因此量測(cè) 結(jié)果不易受介電層或是焊罩層變形的影響，進(jìn)而使得工藝中對(duì)位的準(zhǔn)確度 增加，而有助于提高工藝的良率。雖然本發(fā)明已以此實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟習(xí)此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn) 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視本發(fā)明的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)的方法，其特征在于，包括(a)提供一板材，該板材包括一基層與一第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層配置于該基層的一表面上；(b)形成至少一貫孔于該板材上，以作為一量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)；(c)形成一鍍通孔于該貫孔內(nèi)，以作為另一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)；(d)全面形成一介電層于該板材上；以及(e)移除該鍍通孔上方的該介電層，使其暴露出該鍍通孔，以作為下一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。
2 、如權(quán)利要求1所述的在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè) 耙點(diǎn)的方法，其特征在于，其中形成該鍍通孔的方法包括形成一第二導(dǎo)電層于該第一導(dǎo)電層表面以及該貫孔內(nèi)壁；以及 圖案化該基層的該表面上的該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層，以在該貫 孔周圍形成一保護(hù)墊，該保護(hù)墊連接該貫孔內(nèi)壁的該第二導(dǎo)電層。
3 、如權(quán)利要求2所述的在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè) 靶點(diǎn)的方法，其特征在于，其中在進(jìn)行步驟(d)時(shí)，該介電層是填入該 貫孔內(nèi)。
4 、如權(quán)利要求1所述的在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè) 耙點(diǎn)的方法，其特征在于，其中形成該介電層于該板材上的方法包括壓合 一增層膜于該板材上。
5 、如權(quán)利要求4所述的在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè) 耙點(diǎn)的方法，其特征在于，其中該增層膜為一ABF膜。
6 、如權(quán)利要求1所述的在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè) 耙點(diǎn)的方法，其特征在于，其中在步驟(e)之后，還包括(f) 全面形成一焊罩層于該板材上；以及(g) 移除該鍍通孔上方的該焊罩層，使其暴露出該鍍通孔，以作為 再一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。
7 、如權(quán)利要求6所述的在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè) 耙點(diǎn)的方法，其特征在于，其中還包括在步驟(f)之前重復(fù)步驟(d)與 步驟(e)至少一次。
8、 一種在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)的方法，其 特征在于，包括提供一板材，該板材包括一基層與一第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層配置于該基層的一表面上；形成至少一貫孔于該板材上，以作為第一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)；形成一第二導(dǎo)電層在該第一導(dǎo)電層表面以及該貫孔內(nèi)壁； 圖案化該基層的該表面上的該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層，以在該開 孔周圍形成一保護(hù)墊，此時(shí)該貫孔作為第二次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)； 形成一第一介電層于該基層的該表面上，且該第一介電層填入該貫孔內(nèi)；移除該保護(hù)墊上方與該開孔上方的該第一介電層，以形成一第一開 孔，該第一開孔暴露出該保護(hù)墊與該貫孔，以作為第三次量測(cè)基板尺寸的 量測(cè)靶點(diǎn)；形成一第二介電層于該第一介電層上，且該第二介電層填入該第一開 孔內(nèi)；移除該保護(hù)墊與該開孔上方的該第二介電層，以形成一第二開孔，該 第二開孔暴露出該保護(hù)墊與該貫孔，以作為第四次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)耙 點(diǎn)；形成一焊罩層于該第二介電層上，且該焊罩層填入該第二開孔內(nèi)；以及移除該保護(hù)墊與該開孔上方的該焊罩層，以形成一第三開孔，該第三 開孔暴露出該保護(hù)墊與該貫孔，以作為第五次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。
9 、如權(quán)利要求8所述的在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè)耙點(diǎn)的方法，其特征在于，其中形成該第一介電層或該第二介電層于該板 材上的方法包括壓合一增層膜于該板材上。
10、如權(quán)利要求9所述的在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量 測(cè)靶點(diǎn)的方法，其特征在于，其中該增層膜為一ABF膜。
全文摘要
一種在基板工藝中形成用以量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)的方法。首先，提供一板材，其包括一基層與一導(dǎo)電層，而且導(dǎo)電層配置于基層的一表面上。接著，形成至少一貫孔于板材上以作為一量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。然后，形成一鍍通孔于貫孔內(nèi)以作為另一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。之后，形成一圖案化介電層于板材上，而且使圖案化介電層暴露出鍍通孔以作為下一次量測(cè)基板尺寸的量測(cè)靶點(diǎn)。此種方法可在基板工藝中形成量測(cè)靶點(diǎn)并可對(duì)基板尺寸進(jìn)行實(shí)時(shí)量測(cè)，因此不會(huì)增加制作成本并有助于增加工藝對(duì)位的準(zhǔn)確度。
文檔編號(hào)H05K3/00GK101262741SQ20081009542
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2008年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月23日
發(fā)明者馮相銘 申請(qǐng)人:日月光電子股份有限公司