專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其具有選擇形成在每個(gè)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)子像素的像素電極下的絕緣層。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括多個(gè)以矩陣或陣列形式設(shè)置在基板上的像素，其中每個(gè)像素包括R、G和B子像素。每個(gè)R、G和B子像素包括電致發(fā)光(EL)單元，每個(gè)電致發(fā)光(EL)單元包含陽(yáng)極、陰極、設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層以及驅(qū)動(dòng)EL單元的薄膜晶體管(TFT)。當(dāng)對(duì)陽(yáng)極電極和陰極電極施加電壓時(shí)，從發(fā)射層向基板或遠(yuǎn)離基板發(fā)光，由此顯示圖象。
在從有機(jī)發(fā)光層朝基板發(fā)光的常規(guī)后發(fā)射型有機(jī)EL顯示器，從有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光經(jīng)由絕緣層通過(guò)基板，所述絕緣層諸如位于有機(jī)發(fā)光層下方的保護(hù)層、層間絕緣層、柵極電介質(zhì)層以及緩沖層。因此，從有機(jī)發(fā)光層發(fā)出通過(guò)基板的不同彩色的光束具有不一致的色度坐標(biāo)。
在將TFT用作開關(guān)裝置的有源矩陣的有機(jī)EL顯示器中，多個(gè)像素以矩陣形式設(shè)置在基板上，其中每個(gè)像素包括R、G和B子像素。每個(gè)R、G和B子像素包括一個(gè)電容器、EL單元以及至少兩個(gè)TFT，如開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT。
附圖1為包含薄膜晶體管的常規(guī)有機(jī)EL顯示器的截面圖。在附圖1中，為方便起見，僅示出了包含有機(jī)EL顯示器的每個(gè)像素的R、G和B子像素中的有機(jī)EL單元和驅(qū)動(dòng)TFT。
參照附圖1，基板100包括R像素區(qū)域100R、G像素區(qū)域100G和B像素區(qū)域100B。R子像素10R形成在基板100的R像素區(qū)域100R內(nèi)，G子像素10G形成在基板100的G像素區(qū)域100G內(nèi)，以及B子像素10B形成在基板100的B像素區(qū)域100B內(nèi)。
R子像素10R包括R EL單元以及驅(qū)動(dòng)R EL單元的TFT。TFT包括形成在緩沖層105上并具有源極/漏極區(qū)域112和113的半導(dǎo)體層111，形成在柵極電介質(zhì)層120上的柵極121，以及形成在層間絕緣層130上并通過(guò)接觸孔132和133分別與源極/漏極區(qū)域112和113相連的源極/漏極142和143。
R EL單元包括作為形成在保護(hù)層150上的像素電極并通過(guò)孔151與漏極143相連的陽(yáng)極161，在通過(guò)像素隔離層170中形成的開口171所暴露的陽(yáng)極161上形成的有機(jī)層181，以及形成在基板頂表面上的陰極190。
類似地，G子像素10G包括G EL單元以及驅(qū)動(dòng)G EL單元的TFT。TFT包括形成在緩沖層105上并具有源極/漏極區(qū)域115和116的半導(dǎo)體層114，形成在柵極電介質(zhì)層120上的柵極124，以及形成在層間絕緣層130上并通過(guò)接觸孔135和136分別與源極/漏極區(qū)域115和116相連的源極/漏極145和146。
G EL單元包括作為形成在保護(hù)層150上的像素電極并通過(guò)通孔154與漏極146相連的陽(yáng)極164，在通過(guò)像素隔離層170中形成的開口174所暴露的陽(yáng)極164上形成的有機(jī)層184，以及形成在基板頂表面上的陰極190。
類似地，B子像素10B包括B EL單元以及驅(qū)動(dòng)B EL單元的TFT。TFT包括形成在緩沖層105上并具有源極/漏極區(qū)域118和119的半導(dǎo)體層117，形成在柵極電介質(zhì)層120上的柵極127，以及形成在層間絕緣層130上并通過(guò)接觸孔138和139分別與源極/漏極區(qū)域118和119相連的源極/漏極148和149。
B EL單元包括作為形成在保護(hù)層150上的像素電極并通過(guò)通孔157與漏極149相連的陽(yáng)極167，在通過(guò)像素隔離層170中形成的開口177所暴露的陽(yáng)極167上形成的有機(jī)層187，以及形成在基板頂表面之上的陰極190。
在具有上述結(jié)構(gòu)或類似結(jié)構(gòu)的常規(guī)有機(jī)EL顯示器中，在基板上具有均勻厚度的保護(hù)層150，位于R、G和B子像素10R、10G和10B的各自像素電極161、164和167下方，例如置于其下面。
可是，在上述有機(jī)EL顯示器中，當(dāng)具有均勻厚度的保護(hù)層150形成在基板上時(shí)，B光的色度坐標(biāo)移動(dòng)，進(jìn)而導(dǎo)致更窄的B色度區(qū)域，這的不適合的。相反，當(dāng)不形成保護(hù)層150時(shí)，B光的色度坐標(biāo)合適，可是G光的色度坐標(biāo)移動(dòng)，進(jìn)而使G色度坐標(biāo)區(qū)域不適合地變窄，這是不合適的。
美國(guó)專利No.6674106披露了一種有機(jī)EL顯示器，其提高了有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光的光學(xué)特性。有機(jī)EL顯示器包括以矩陣形式形成在基板上的多個(gè)像素?；灏ㄆ渲性O(shè)有用作顯示單元的EL單元的開口區(qū)域，以及其中設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)EL單元的薄膜晶體管的非開口區(qū)域。通過(guò)選擇性地去除像素電極下面的絕緣層，即對(duì)應(yīng)作為發(fā)光區(qū)域的開口區(qū)域的柵極電介質(zhì)層和層間絕緣層的區(qū)域，開口區(qū)域中的折射率被調(diào)整與基板的折射率近似相同，進(jìn)而提高了開口區(qū)域的光學(xué)特性。
在上述常規(guī)有機(jī)EL顯示器中，可通過(guò)去除與開口區(qū)域?qū)R的柵極電介質(zhì)層和層間絕緣層的區(qū)域來(lái)提高開口區(qū)域中的光學(xué)特性?？墒?，由于與開口區(qū)域?qū)R并位于每個(gè)R、G和B子像素的像素電極下方的柵極電介質(zhì)層和層間絕緣層的區(qū)域被去除而使得有機(jī)層發(fā)出的光通過(guò)基板，故對(duì)于單獨(dú)的R、G和B子像素不能控制光路。
韓國(guó)未決的專利No.2003-70726披露了一種后發(fā)射型有機(jī)EL顯示器，其中控制陽(yáng)極(像素)電極下方的絕緣層，如緩沖層、柵極電介質(zhì)層、層間絕緣層、保護(hù)層等的總厚度，以便提高色度坐標(biāo)或有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光，例如色度坐標(biāo)是可選擇的。
在有機(jī)EL顯示器中，例如，當(dāng)陽(yáng)極下面的絕緣層的總厚度大約為2500-3500時(shí)，有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光的色度坐標(biāo)是最佳的?？墒?，由于設(shè)置在陽(yáng)極下方的絕緣層的厚度在基板上是均勻的，故所有R、G和B子像素的有機(jī)層所發(fā)出的光經(jīng)由普通光路傳播通過(guò)基板。因此，對(duì)單獨(dú)的R、G和B子像素不能控制光路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機(jī)EL顯示器，其中在每個(gè)子像素中選擇地形成位于R、G和B子像素的像素電極下方的絕緣層，進(jìn)而防止色度坐標(biāo)移動(dòng)。本發(fā)明提供一種有機(jī)EL顯示器，其中控制R、G和B子像素的像素電極下方的絕緣層的厚度，以便增加色度區(qū)域并減少功耗。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中在每個(gè)R、G和B子像素中選擇地形成位于底部電極的下方的絕緣層，以防止色度坐標(biāo)的移動(dòng)以及減少功耗，并提供制造該顯示器的方法。有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括含有多個(gè)子像素區(qū)域的基板，每個(gè)子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域并發(fā)射預(yù)定顏色的光，設(shè)置在每個(gè)子像素區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，設(shè)置在每個(gè)子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)并與相應(yīng)驅(qū)動(dòng)單元之一相連的多個(gè)像素電極，以及設(shè)置在像素電極下方的絕緣層，其中絕緣層設(shè)置在基板上除子像素區(qū)域中的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域以外的整個(gè)表面上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種包含具有R、G和B子像素區(qū)域的基板的平板顯示器，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的相應(yīng)發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B像素電極，設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的相應(yīng)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)并且驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的R、G和B像素電極的R、G和B驅(qū)動(dòng)單元，以及設(shè)置在R、G和B驅(qū)動(dòng)單元和R、G和B像素電極之間的絕緣層，其中絕緣層設(shè)置在基板的除R、G和B子像素區(qū)域中至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域以外的整個(gè)表面上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種包含具有R、G和B子像素區(qū)域的基板的平板顯示器，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的相應(yīng)發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B像素電極，設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的相應(yīng)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B驅(qū)動(dòng)單元，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包括用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)R、G和B像素電極的驅(qū)動(dòng)電極，以及設(shè)置在基板上并具有形成在其上的驅(qū)動(dòng)電極的絕緣層，其中R、G和B像素電極設(shè)置在絕緣層上并與每個(gè)驅(qū)動(dòng)電極相連，其中絕緣層設(shè)置在基板的除R、G和B子像素區(qū)域中至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域以外的整個(gè)表面上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種包含具有R、G和B子像素區(qū)域的基板的平板顯示器，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的相應(yīng)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B薄膜晶體管，每個(gè)R、G和B薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極以及源極/漏極，包含暴露每個(gè)R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一的R、G和B通孔的絕緣層，以及形成在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)并包含通過(guò)每個(gè)R、G和B通孔與每個(gè)R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一分別相連的R、G和B像素電極的R、G和B電致發(fā)光單元，其中絕緣層設(shè)置在基板上除R、G和B子像素區(qū)域中至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域以外的整個(gè)表面上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種包含具有R、G和B子像素區(qū)域的基板的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的相應(yīng)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B薄膜晶體管，每個(gè)R、G和B薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極以及源極/漏極，形成在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)并包含與每個(gè)R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一分別相連的R、G和B像素電極的R、G和B電致發(fā)光單元，以及選擇形成在R、G和B像素電極的至少一個(gè)下方的絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種包含具有R、G和B子像素區(qū)域的基板的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的相應(yīng)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B薄膜晶體管，每個(gè)R、G和B薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極以及源極/漏極，形成在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)并包含與每個(gè)R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一分別相連的R、G和B像素電極的R、G和B電致發(fā)光單元，以及形成在源極/漏極下方的絕緣層，其中R、G和B像素電極設(shè)置在絕緣層上并與每個(gè)R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一相連，并且其中絕緣層設(shè)置在基板上除R、G和B子像素區(qū)域中至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域以外的整個(gè)表面上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種包含具有R、G和B子像素區(qū)域的基板的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的相應(yīng)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B薄膜晶體管，每個(gè)R、G和B薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極以及源極/漏極，形成在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)并分別包含R、G和B像素電極的R、G和B電致發(fā)光單元，以及設(shè)置在R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極下方的絕緣層，其中R、G和B像素電極從相應(yīng)R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一延伸，并且其中絕緣層設(shè)置在基板上除R、G和B子像素區(qū)域中至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域以外的整個(gè)表面上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種形成平板顯示器的方法，其包括在基板上形成多個(gè)子像素區(qū)域，每個(gè)子像素區(qū)域包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域并發(fā)射預(yù)定顏色的光，在每個(gè)子像素區(qū)域內(nèi)的非發(fā)光區(qū)域形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，在每個(gè)子像素區(qū)域的發(fā)射區(qū)域中形成多個(gè)像素電極并使得多個(gè)像素電極中的每個(gè)電極與一個(gè)相應(yīng)的單元相連，以及在像素電極下方的基板上除子像素區(qū)域中至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域外的全部表面上形成絕緣層。
應(yīng)當(dāng)理解，上述常規(guī)描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的，而傾向于提供所要求的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。


以下的附圖包含在本說(shuō)明書中且構(gòu)成其一部分，提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步的理解，示出了本發(fā)明的實(shí)施例并與描述一起用作解釋本發(fā)明的原理。
附圖1為常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器的截面圖。
附圖2A為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。
附圖2B為附圖2A中有機(jī)EL顯示器的另一截面圖。
附圖3A為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。
附圖3B為附圖3A中有機(jī)EL顯示器的另一截面圖。
附圖4A為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。
附圖4B為附圖4A中有機(jī)EL顯示器的另一截面圖。
附圖5A為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。
附圖5B為附圖5A中有機(jī)EL顯示器的另一截面圖。
附圖6為具有保護(hù)層的有機(jī)EL顯示器以及沒(méi)有保護(hù)層的有機(jī)EL顯示器的色度坐標(biāo)的圖表。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例?？墒?，本發(fā)明可以以一些不同的形式實(shí)施而不應(yīng)認(rèn)為限制于在此闡述的實(shí)施例。而且，提供這些實(shí)施例是為了使得披露更完全，向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，層和區(qū)域的大小和相對(duì)大小為清楚起見都被放大。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)元件或?qū)颖环Q作置于另一元件或?qū)印爸稀被颉斑B接到”其上或與其“相連”時(shí)，其可直接置于另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到其上或與其相連，或者可存在中間元件或?qū)印?br> 附圖2A為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器的截面圖。在附圖2A中，為簡(jiǎn)便起見，僅在形成一個(gè)像素的每個(gè)R、G和B子像素中示出了一個(gè)EL單元和驅(qū)動(dòng)EL單元的TFT。
參照附圖2A，有機(jī)EL顯示器包括以矩陣或陣列形式設(shè)置在基板200上的多個(gè)像素。像素分別包括紅色(R)子像素20R、綠色(G)子像素20G和藍(lán)色(B)子像素20B?；?00包括其中形成有R子像素20R的R子像素區(qū)域200R、其中形成有G子像素20G的G子像素區(qū)域200G和其中形成有B子像素20B的B子像素區(qū)域200B。
R、G和B子像素區(qū)域200R、200G和200B分別包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域。R子像素區(qū)域200R的發(fā)光區(qū)域?yàn)槠渲行纬捎蠷 EL單元并發(fā)射R EL單元所產(chǎn)生的光的區(qū)域。R子像素區(qū)域200R的非發(fā)光區(qū)域?yàn)槠渲行纬捎序?qū)動(dòng)R EL單元的TFT的區(qū)域。類似地，G子像素區(qū)域200G的發(fā)光區(qū)域?yàn)槠渲行纬捎蠫 EL單元并發(fā)射G EL單元所產(chǎn)生的光的區(qū)域。G子像素區(qū)域200G的非發(fā)光區(qū)域?yàn)槠渲行纬捎序?qū)動(dòng)G EL單元的TFT的區(qū)域。類似地，B子像素區(qū)域200B的發(fā)光區(qū)域?yàn)槠渲行纬捎蠦 EL單元并發(fā)射B EL單元所產(chǎn)生的光的區(qū)域。B子像素區(qū)域200B的非發(fā)光區(qū)域?yàn)槠渲行纬捎序?qū)動(dòng)B EL單元的TFT的區(qū)域。
緩沖層205形成在或直接形成在基板200上，并且半導(dǎo)體層211、214和217分別形成在R、G和B子像素區(qū)域200R、200G和200B的非發(fā)光區(qū)域上。R子像素20R的TFT的半導(dǎo)體層211具有預(yù)定的導(dǎo)電類型，包括例如P型源極/漏極區(qū)域212和213。G子像素20G的TFT的半導(dǎo)體層214包括例如p型源極/漏極區(qū)域215和216。B子像素20B的TFT的半導(dǎo)體層217包括例如p型源極/漏極區(qū)域218和219。
柵極電介質(zhì)層220形成在半導(dǎo)體層211、214和217以及基板200上和/或其附近。R、G和B子像素20R、20G和20B的每個(gè)薄膜晶體管的柵極221、224和227形成在每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域200R、200G和200B處的柵極電介質(zhì)層220上或直接置于其上。
層間絕緣層230形成在柵極221、224和227以及柵極電介質(zhì)層220上和/或附近。層間絕緣層230包括暴露R子像素20R的部分源極/漏極區(qū)域212和213的接觸孔232和233，暴露G子像素20G的部分源極/漏極區(qū)域215和216的接觸孔235和236，以及暴露B子像素20B的部分源極/漏極區(qū)域218和219的接觸孔238和239。
R子像素20R的TFT的源極/漏極242和243，G子像素20G的TFT的源極/漏極245和246，以及B子像素20B的TFT的源極/漏極248和249，都形成在層間絕緣層230上或直接置于其上。R子像素20R的源極/漏極242和243通過(guò)接觸孔232和233與源極/漏極區(qū)域212和213相連。類似地，G子像素20G的源極/漏極245和246通過(guò)接觸孔235和236與源極/漏極區(qū)域215和216相連。類似地，B子像素20B的源極/漏極248和249通過(guò)接觸孔238和239與源極/漏極區(qū)域218和219相連。
由諸如氮化硅制成的保護(hù)層250順序或直接形成在基板200上。如附圖2A所示，保護(hù)層250包括暴露R子像素20R的部分漏極243的通孔251，暴露G子像素20G的部分漏極246的通孔254，以及暴露B子像素20B的部分漏極249的通孔257。保護(hù)層250進(jìn)一步包括對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域200B的發(fā)光區(qū)域的區(qū)域內(nèi)的開口259。
作為相應(yīng)R、G和B像素20R、20G和20B的像素電極的陽(yáng)極261、264和267，形成在保護(hù)層250上或直接置于其上。R子像素20R的陽(yáng)極261形成在R子像素區(qū)域200R的發(fā)光區(qū)域上并通過(guò)通孔251連至漏極243。類似地，G子像素20G的陽(yáng)極264形成在G子像素區(qū)域200G的發(fā)光區(qū)域上并通過(guò)通孔254連至漏極246。B子像素20B的陽(yáng)極267形成在其中形成有開口259的保護(hù)層250的區(qū)域中并與漏極249相連，該區(qū)域?qū)?yīng)B子像素區(qū)域200B的發(fā)光區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，有機(jī)EL顯示器可在沒(méi)有附加掩模工藝的情況下進(jìn)行制造。例如，當(dāng)蝕刻保護(hù)層250以形成通孔251、254和257時(shí)，可同時(shí)形成開口259。因此，僅在每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域200R、200G和200B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)選擇地形成保護(hù)層250。
像素隔離層270順序地形成在基板200上。像素隔離層270包括暴露R子像素20R的部分陽(yáng)極261的開口271，暴露G子像素20G的部分陽(yáng)極264的開口274，以及暴露B子像素20B的部分陽(yáng)極267的開口277。
有機(jī)層281、284和287順序形成在通過(guò)開口271暴露的R子像素20R的陽(yáng)極261的區(qū)域上、通過(guò)開口274暴露的G子像素20G的陽(yáng)極264的區(qū)域上、以及通過(guò)開口277暴露的B子像素20B的陽(yáng)極267的區(qū)域上。
陰極290作為頂部電極形成在基板200上。
每個(gè)R子像素20R、G子像素20G和B子像素20B的有機(jī)層281、284和287，分別包括以下有機(jī)層中的至少一個(gè)空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、和/或R發(fā)光層、G發(fā)光層或B發(fā)光層。
根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，R子像素20R包括R EL單元和TFT。R子像素20R的R EL單元包括形成在R子像素區(qū)域200R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)保護(hù)層250上或直接置于其上的陽(yáng)極261、有機(jī)層281和陰極290。R子像素20R的TFT包括半導(dǎo)體層211、柵極221和源極/漏極242和243，其形成在基板200上的R子像素區(qū)域200R的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)。漏極243與REL單元的陽(yáng)極261相連。
類似地，G子像素20G包括G EL單元和TFT。G子像素20G的G EL單元包括形成在G子像素區(qū)域200G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層250上或直接置于其上的陽(yáng)極264、有機(jī)層284和陰極290。G子像素20G的TFT包括半導(dǎo)體層214、柵極224和源極/漏極245和246，其形成在基板200上的G子像素區(qū)域200G的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)。漏極246與GEL單元的陽(yáng)極264相連。
類似地，B子像素20B包括B EL單元和TFT。B子像素20B的B EL單元包括形成在B子像素區(qū)域200B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層250的開口259上或直接置于其上的陽(yáng)極267、有機(jī)層287和陰極290。B子像素20B的TFT包括半導(dǎo)體層217、柵極227和源極/漏極248和249，其形成在基板200上的B子像素區(qū)域200B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)。漏極249與B EL單元的陽(yáng)極267相連。
因此，例如，一起形成一個(gè)像素的各個(gè)R子像素20R、G子像素20G和B子像素20B的陽(yáng)極261、264和267分別形成在保護(hù)層250上或直接置于其上。特別地，例如，R子像素20R的陽(yáng)極261形成在R子像素區(qū)域200R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層250上。G子像素20G的陽(yáng)極264形成在G子像素區(qū)域200G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層250上。B子像素20B的陽(yáng)極267形成在B子像素區(qū)域200B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)，可是，不同于R和G子像素20R和20G，B子像素20B形成在保護(hù)層250的開口259內(nèi)。特別地，對(duì)應(yīng)有機(jī)層287的B子像素20B的部分陽(yáng)極267形成在通過(guò)開口259暴露的部分層間絕緣層230上。
根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，在R和G子像素20R和20G中，R和G子像素20R和20G的有機(jī)層281和284中產(chǎn)生的光通過(guò)保護(hù)層250朝向基板200發(fā)出。B子像素20B的有機(jī)層287中產(chǎn)生的光通過(guò)保護(hù)層250的開口259朝向基板200發(fā)出，例如未通過(guò)保護(hù)層250。
以下示出的表格1為其中每個(gè)R、G和B子像素包括保護(hù)層的有機(jī)EL顯示器的R、G和B子像素20R、20G和20B的X與Y色度坐標(biāo)表格，以及其中每個(gè)R、G和B子像素都不包括保護(hù)層的有機(jī)EL顯示器的R、G和B子像素20R、20G和20B的X與Y色度坐標(biāo)表格。
類似地，附圖6為示出了在每個(gè)R、G和B子像素20R、20G和20B中形成具有保護(hù)層的有機(jī)EL顯示器的X與Y色度坐標(biāo)，以及在R、G和B子像素20R、20G和20B的任一個(gè)中未形成有保護(hù)層的有機(jī)EL顯示器的X與Y色度坐標(biāo)的圖表。
在表格1和附圖6中，將包含對(duì)于每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域200R、200G和200B為大約6000厚度的保護(hù)層150的有機(jī)EL顯示器，與在R、G和B子像素區(qū)域200R、200G和200B的任一個(gè)中不包含保護(hù)層的有機(jī)EL相比較，無(wú)論保護(hù)層250存在與否，R的色度坐標(biāo)基本恒定。
在沒(méi)有保護(hù)層的情況下，形成保護(hù)層250時(shí)的G的色度坐標(biāo)能夠提高?？墒牵谛纬杀Ｗo(hù)層250的情況下，沒(méi)有保護(hù)層時(shí)的B的色度坐標(biāo)能夠提高。
因此，例如，可通過(guò)在G子像素區(qū)域200G內(nèi)形成保護(hù)層250而在B子像素區(qū)域200B內(nèi)不形成保護(hù)層250，獲得優(yōu)良的色度坐標(biāo)。因此，也能增加色度面積。
表格1

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，保護(hù)層250設(shè)置在R和G子像素20R和20G的陽(yáng)極的下方，其為獲得優(yōu)良的色度坐標(biāo)需要保護(hù)層250，并不形成在B子像素20B的陽(yáng)極下方，其如上所述為獲得優(yōu)良的色度坐標(biāo)不需要保護(hù)層250。因此，通過(guò)在R、G和B子像素20R、20G和20B的陽(yáng)極261、264和267下方選擇地形成保護(hù)層，可增加色度面積。
應(yīng)當(dāng)理解，通過(guò)在每個(gè)R和G子像素區(qū)域200R和200G內(nèi)形成具有變化厚度的保護(hù)層250，能夠增加色度面積。
附圖2B為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。在附圖2B中，為方便起見，僅在構(gòu)成一個(gè)像素的每個(gè)R、G和B子像素中示出了一個(gè)EL單元和TFT。除了保護(hù)層為雙層結(jié)構(gòu)以外，附圖2B中的有機(jī)EL顯示器的橫截面基本與附圖2A中所示的有機(jī)EL顯示器的橫截面相同。
參照附圖2B，構(gòu)成一個(gè)像素的R、G和B子像素20R、20G和20B，分別形成在基板200的R、G和B子像素區(qū)域200R、200G和200B內(nèi)。
R子像素區(qū)域200R中的R子像素20R包括TFT和R EL單元，該TFT包括半導(dǎo)體層211、柵極221和形成在非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的源極/漏極242和243，該R EL單元包括陽(yáng)極261、有機(jī)層281和形成在或直接置于發(fā)光區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層250上的陰極290。
類似地，G子像素區(qū)域200G中的G子像素20G包括TFT和G EL單元，該TFT包括半導(dǎo)體層214、柵極224和形成在非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的源極/漏極245和246，該G EL單元包括陽(yáng)極264、有機(jī)層284和形成在或直接置于發(fā)光區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層250上的陰極290。
B子像素區(qū)域200B內(nèi)的B子像素20B包括TFT和B EL單元，該TFT包括半導(dǎo)體層217、柵極227和形成在非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的源極/漏極248和249，該B EL單元包括陽(yáng)極267、有機(jī)層287和形成在或直接置于發(fā)光區(qū)域內(nèi)的保護(hù)層250上的陰極290。
形成在EL單元和TFT之間的保護(hù)層250包括形成在或直接置于層間絕緣層230上的第一保護(hù)層252，以及形成在或直接置于第一保護(hù)層230上并在對(duì)應(yīng)B子像素20B的陽(yáng)極267的區(qū)域內(nèi)具有開口258的第二保護(hù)層253。第一保護(hù)層252可以是絕緣層，如氧化層，而第二保護(hù)層253可以是絕緣層，如氮化層，反之亦然。
包括第一保護(hù)層252和第二保護(hù)層253的保護(hù)層250形成在R子像素20R的陽(yáng)極261的下方以及G子像素20G的陽(yáng)極264的下方。在B子像素區(qū)域200B內(nèi)，形成包含第一保護(hù)層252、第二保護(hù)層253以及對(duì)應(yīng)B子像素20B的陽(yáng)極267的區(qū)域內(nèi)的開口258的保護(hù)層250。保護(hù)層250的第二保護(hù)層253有選擇地形成在每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域200R、200G和200B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)。
盡管B子像素20B的陽(yáng)極267形成在保護(hù)層50的開口258內(nèi)，例如使得B子像素20B的陽(yáng)極267對(duì)應(yīng)有機(jī)層287的那部分形成在第一保護(hù)層252上。
因此，每個(gè)R和G子像素20R和20G的有機(jī)層281和284內(nèi)發(fā)出的光通過(guò)第一保護(hù)層252和第二保護(hù)層253朝向基板200發(fā)射，并且B子像素20B的有機(jī)層287內(nèi)產(chǎn)生的光通過(guò)第一保護(hù)層252而不經(jīng)過(guò)第二保護(hù)層253朝向基板200發(fā)射。
應(yīng)當(dāng)理解，可選擇地通過(guò)B子像素20B中的第一保護(hù)層252和第二保護(hù)層253中形成開口258，使得光不通過(guò)第一保護(hù)層252或者不通過(guò)第二保護(hù)層253發(fā)射。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可在沒(méi)有任何附加掩模工藝的情況下制造附圖2B中示出的有機(jī)EL顯示器。例如，當(dāng)蝕刻第一保護(hù)層252和第二保護(hù)層253以形成通孔251、254和257時(shí)，開口258可同時(shí)形成在保護(hù)層250內(nèi)?？蛇x地，例如使用半色調(diào)掩模同時(shí)形成B子像素區(qū)域200B內(nèi)的第二保護(hù)層253的通孔251、254和257以及開口258。
附圖3A為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。在附圖3A中，為方便起見，僅在合成一個(gè)像素的每個(gè)R、G和B子像素20R、20G和20B內(nèi)示出了EL單元和TFT。
在本發(fā)明上述實(shí)施例所述的有機(jī)EL顯示器中，通過(guò)選擇地去除每個(gè)R、G和B子像素30R、30G和30B的保護(hù)層來(lái)獲得優(yōu)良色度坐標(biāo)的結(jié)構(gòu)?？墒?，根據(jù)本發(fā)明以下討論的實(shí)施例，有機(jī)EL包括具有優(yōu)良色度坐標(biāo)的結(jié)構(gòu)，通過(guò)選擇地形成每個(gè)R、G和B子像素30R、30G和30B的保護(hù)層來(lái)獲得所述優(yōu)良的色度坐標(biāo)。
參照附圖3A，所示的有機(jī)EL顯示器包括以矩陣形式設(shè)置在基板300上的多個(gè)像素。每個(gè)像素包括R子像素30R、G子像素30G和B子像素30B?；?00包括具有R子像素30R的R子像素區(qū)域300R、具有G子像素30G的G子像素區(qū)域300G以及具有B子像素30B的B子像素區(qū)域300B。每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域300R、300G和300B包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域。
緩沖層305形成在基板300上，而半導(dǎo)體層311、314和317分別形成在或直接置于R、G和B子像素區(qū)域300R、300G和300B的非發(fā)光區(qū)域中的緩沖層305上。R子像素30R的TFT的半導(dǎo)體層311包括P型源極/漏極區(qū)域312和313。類似地，G子像素30G的TFT的半導(dǎo)體層314包括p型源極/漏極區(qū)域315和316。類似地，B子像素30B的TFT的半導(dǎo)體層317包括p型源極/漏極區(qū)域318和319。
柵極電介質(zhì)層320形成在基板300上。每個(gè)R、G和B子像素30R、30G和30B的柵極321、324和327形成在或直接置于每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域300R、300G和300B內(nèi)的柵極電介質(zhì)層320上。
層間絕緣層330形成在基板300上的柵極電介質(zhì)層320上。層間絕緣層330包括暴露形成在R子像素30R的半導(dǎo)體層311上的部分源極/漏極區(qū)域312和313的接觸孔332和333，暴露形成在G子像素30G的半導(dǎo)體層314上的部分源極/漏極區(qū)域315和316的接觸孔335和336，以及暴露形成在B子像素30B的半導(dǎo)體層317上的部分源極/漏極區(qū)域318和319的接觸孔338和339。
R子像素30R的源極/漏極342和343，G子像素30G的源極/漏極345和346，以及B子像素30B的源極/漏極348和349，都形成在層間絕緣層330上。R子像素30R的源極/漏極342和343通過(guò)接觸孔332和333與源極/漏極區(qū)域312和313相連。G子像素30G的源極/漏極345和346通過(guò)接觸孔335和336與源極/漏極區(qū)域315和316相連。B子像素30B的源極/漏極348和349通過(guò)接觸孔338和339與源極/漏極區(qū)域318和319相連。
絕緣層圖案351和354分別形成在R和G子像素區(qū)域300R和300G內(nèi)的層間絕緣層330上。絕緣層圖案351形成在層間絕緣層330與R子像素區(qū)域300R的發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，以調(diào)整或改變R子像素30R內(nèi)產(chǎn)生的R光的色度坐標(biāo)。絕緣層圖案354形成在層間絕緣層330與G子像素區(qū)域300G的發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，以調(diào)整或改變G子像素30G內(nèi)產(chǎn)生的G光的色度坐標(biāo)。
R子像素30R的陽(yáng)極361形成在或直接置于R子像素區(qū)域300R內(nèi)的絕緣層圖案351上，并與R子像素30R的漏極343相連。類似地，G子像素30G的陽(yáng)極364形成在或直接置于G子像素區(qū)域300G內(nèi)的絕緣層圖案354上，并與G子像素30G的漏極346相連。
B子像素30B的陽(yáng)極367形成在或直接置于B子像素區(qū)域300B內(nèi)的層間絕緣層330上，并與B子像素30B的漏極349相連。絕緣層圖案351和354可由與用于形成上述實(shí)施例中的保護(hù)層250的材料，諸如氮化硅相同或不同的材料制成。
像素隔離層370形成在基板300上的層間絕緣層330上。像素隔離層370包括暴露R子像素30R的部分陽(yáng)極361并形成在R子像素區(qū)域300R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的開口371，暴露G子像素30G的部分陽(yáng)極364并形成在G子像素區(qū)域300G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的開口374，以及暴露B子像素30B的部分陽(yáng)極367并形成在B子像素區(qū)域300B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的開口377。
有機(jī)層381形成在由R子像素區(qū)域300R內(nèi)的開口371所暴露的R子像素30R的部分陽(yáng)極361上。類似地，有機(jī)層384形成在由G子像素區(qū)域300G內(nèi)的開口374所暴露的G子像素30G的部分陽(yáng)極364上。類似地，有機(jī)層387形成在由B子像素區(qū)域300B內(nèi)的開口377所暴露的B子像素30B的部分陽(yáng)極367上。在基板300上的像素隔離層370上順序形成用作頂部電極的陰極390。
每個(gè)R、G和B子像素30R、30G和30B的相應(yīng)有機(jī)層381、384和387包括，例如至少一個(gè)如下的有機(jī)層空穴注入層，空穴傳輸層，R、G或B發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層以及空穴阻擋層。
如上所述，參照附圖3A所示的實(shí)施例，具有R EL單元和TFT的R子像素30R設(shè)置在R子像素區(qū)域300R內(nèi)。R子像素30R的R EL單元包括形成在R子像素區(qū)域300R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的絕緣層圖案351上的陽(yáng)極361，有機(jī)層381和陰極390。R子像素30R的TFT包括形成在R子像素區(qū)域300R的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層311、柵極321以及源極/漏極342和343。漏極343與R EL單元的陽(yáng)極361相連。
類似地，具有GEL單元和TFT的G子像素30G設(shè)置在G子像素區(qū)域300G內(nèi)。G子像素30G的G EL單元包括形成在G子像素區(qū)域300G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的絕緣層圖案354上的陽(yáng)極364，有機(jī)層384和陰極390。G子像素30G的TFT包括形成在基板300上的G子像素區(qū)域300G的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層314、柵極324以及源極/漏極345和346。漏極346與G EL單元的陽(yáng)極364相連。
具有B EL單元和TFT的B子像素30B設(shè)置在B子像素區(qū)域300B內(nèi)。B子像素30B的B EL單元包括形成在B子像素區(qū)域300B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層330上的陽(yáng)極367，有機(jī)層387和陰極390。B子像素30B的TFT包括形成在基板300上的B子像素區(qū)域300B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層317、柵極327以及源極/漏極348和349。漏極349與GEL單元的陽(yáng)極367相連。
因此，R子像素30R和G子像素30G的陽(yáng)極361和364分別形成在絕緣層圖案351和354上。B子像素30B的陽(yáng)極367形成在層間絕緣層330的位于B子像素區(qū)域300B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的區(qū)域上。
R和G子像素30R和30G的有機(jī)層381和384中產(chǎn)生的光分別通過(guò)絕緣層圖案351和354朝向基板300發(fā)射?？墒牵贐子像素30B中，有機(jī)層387內(nèi)產(chǎn)生的光直接朝向基板300發(fā)射，例如，所述光沒(méi)有通過(guò)絕緣圖案發(fā)射。因此，通過(guò)僅在每個(gè)R和G子像素351和354的陽(yáng)極361和364下方選擇性地形成絕緣層圖案351和354，可以增加色度區(qū)域。
此外，應(yīng)當(dāng)理解，通過(guò)在每個(gè)R和G子像素區(qū)域300R和300G內(nèi)形成具有變化厚度的絕緣層圖案351和354來(lái)增加色度區(qū)域。
附圖3B為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。在附圖3B內(nèi)，為方便起見，在合并以形成一個(gè)像素的每個(gè)R、G和B中僅示出EL單元和TFT。除絕緣層圖案為雙層結(jié)構(gòu)外，附圖3B中所示的有機(jī)EL顯示器的橫截面與附圖3A中所示的有機(jī)EL顯示器的橫截面基本相同。
參照附圖3B，R、G和B子像素30R、30G和30B分別形成在基板300的R、G和B子像素區(qū)域300R、300G和300B內(nèi)。
R子像素區(qū)域300R內(nèi)的R子像素30R包括TFT和R EL單元，該TFT包括形成在R子像素區(qū)域300R的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層311、柵極321、和源極/漏極342和343，該R EL單元包括形成在R子像素300R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的絕緣層圖案351上的陽(yáng)極361、有機(jī)層381和陰極390。
G子像素區(qū)域300G內(nèi)的G子像素30G包括TFT和G EL單元，該TFT包括形成在G子像素區(qū)域300G的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層314、柵極324和源極/漏極345和346，該G EL單元包括形成在G子像素300G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的絕緣層圖案354上的陽(yáng)極364、有機(jī)層384和陰極390。
B子像素區(qū)域300B內(nèi)的B子像素30B包括TFT和B EL單元，該TFT包括形成在B子像素區(qū)域300B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層317、柵極327和源極/漏極348和349，該B EL單元包括形成在B子像素300B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的絕緣層圖案357上的陽(yáng)極367、有機(jī)層387和陰極390。
在R子像素30R的陽(yáng)極361下方或位于其下面的絕緣層圖案351包括形成在層間絕緣層330上的第一絕緣層352，以及形成在第一絕緣層352之上的第二絕緣層353。類似地，在G子像素30G的陽(yáng)極364下方或位于其下面的絕緣層圖案354包括形成在層間絕緣層330上的第一絕緣層355，以及形成在第一絕緣層355之上的第二絕緣層356。B子像素30B的絕緣層圖案357僅包括一個(gè)第一絕緣層。第一絕緣層352、355和357可以是諸如氧化層的絕緣層，并且第二保護(hù)層353和356可以是諸如氮化層的絕緣層，反之亦然。
因此，例如在R和G子像素30R和30G的各自陽(yáng)極361和364下方或位于其下面的絕緣層圖案351和354，例如可作為第一和第二絕緣層的疊層形成在彼此的頂部。在B子像素30B的陽(yáng)極367下方或位于其下面的絕緣層圖案357可形成作為單一的第一絕緣層。
由此，每個(gè)R和G子像素30R和30G的有機(jī)層381和384中產(chǎn)生的光通過(guò)絕緣層圖案351和354朝向基板300發(fā)射或入射在基板上，而B子像素30B的有機(jī)層387內(nèi)產(chǎn)生的光通過(guò)僅僅為第一絕緣層的絕緣層圖案357朝向基板300發(fā)射。
應(yīng)當(dāng)理解，B子像素30B中的陽(yáng)極367可選地形成在或直接置于層間絕緣層330上而不包含絕緣層圖案357。
根據(jù)以上討論并在附圖3B中示出的本發(fā)明的實(shí)施例，可在不需要附加掩模工藝的情況下制造有機(jī)EL顯示器。例如，用于形成通孔的掩模工藝可被用于形成絕緣層圖案的掩模工藝替換?？蛇x地，通過(guò)利用半色調(diào)掩模形成絕緣層圖案，附圖3B中所示的具有雙層結(jié)構(gòu)的絕緣層圖案351和354，和單一絕緣層圖案357在單一掩模工藝中形成。
附圖4A為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。在附圖4A中，在每個(gè)R、G和B子像素40R、40G和40B內(nèi)僅示出了EL單元和TFT。
在參照附圖2A和2B所討論的上述實(shí)施例中描述的有機(jī)EL顯示器中，通過(guò)在每個(gè)R、G和B子像素20R、20G和20B內(nèi)有選擇地形成保護(hù)層，可獲得優(yōu)良色度坐標(biāo)的結(jié)構(gòu)。可是，以下描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器，使得通過(guò)在每個(gè)R、G和B子像素內(nèi)有選擇地形成層間絕緣層立獲得優(yōu)良色度坐標(biāo)的結(jié)構(gòu)。
參照附圖4A，例如，根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器包括以矩陣形式設(shè)置在基板400上的多個(gè)像素。每個(gè)像素包括R子像素40R、G子像素40G和B子像素40B。R、G和B子像素40R、40G和40B分別形成在基板400上的R子像素區(qū)域400R、G子像素區(qū)域400G以及B子像素區(qū)域400B內(nèi)。每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域400R、400G和4003包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域。
緩沖層405形成在基板400上，而半導(dǎo)體層411、414和417分別形成在或直接置于R、G和B子像素區(qū)域400R、400G和400B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的緩沖層405上。半導(dǎo)體層411包括P型源極/漏極區(qū)域412和413，半導(dǎo)體層414包括p型源極/漏極區(qū)域415和416，半導(dǎo)體層417包括p型源極/漏極區(qū)域418和419。
柵極電介質(zhì)層420形成在基板400上。每個(gè)R、G和B子像素40R、40G和40B的柵極421、424和427形成在每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域400R、400G和400B內(nèi)的柵極電介質(zhì)層420上。層間絕緣層430形成在基板400上。層間絕緣層430可包括諸如氧化層或氮化層的絕緣層。
層間絕緣層430包括暴露R子像素40R的部分源極/漏極區(qū)域412和413的接觸孔432和433，暴露G子像素40G的部分源極/漏極區(qū)域415和416的接觸孔435和436，以及暴露B子像素40B的部分源極/漏極區(qū)域418和419的接觸孔438和439。層間絕緣層430進(jìn)一步包括暴露柵極電介質(zhì)層420對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域400B的發(fā)光區(qū)域的那部分的開口430a。
R子像素40R的源極/漏極442和443，G子像素40G的源極/漏極445和446，以及B子像素40B的源極/漏極448和449，都形成在或直接置于層間絕緣層430上。R子像素40R的源極/漏極442和443通過(guò)接觸孔432和433與源極/漏極區(qū)域412和413相連。類似地，G子像素40G的源極/漏極445和446通過(guò)接觸孔435和436與源極/漏極區(qū)域415和416相連。類似地，B子像素40B的源極/漏極448和449通過(guò)接觸孔438和439與源極/漏極區(qū)域418和419相連。
各個(gè)子象素R、G和B子象素40R、40G和40B的陽(yáng)極電極461、464和467，即象素電極形成在或直接處于層間絕緣層430上。具體地說(shuō)，R子象素40R的陽(yáng)極電極461形成在或直接處于層間絕緣層430上，并與漏極443相連。G子象素40G的陽(yáng)極464形成在或直接處于層間絕緣層430上并與漏極446相連。B子象素40B的陽(yáng)極467形成在層間絕緣層430的開口439中并與漏電極449相連。
像素隔離層470形成在基板400上的部分層間絕緣層430上。像素隔離層470包括暴露形成在R子像素區(qū)域400R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R子像素40R的部分陽(yáng)極461的開口471，暴露形成在G子像素區(qū)域400G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的G子像素40G的部分陽(yáng)極464的開口474，以及暴露形成在B子像素區(qū)域400B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的B子像素40B的部分陽(yáng)極467的開口477。
有機(jī)層481形成在由R子像素區(qū)域400R中的開口471所暴露的R子像素40R的部分陽(yáng)極461上。類似地，有機(jī)層484形成在由G子像素區(qū)域400G中的開口474所暴露的G子像素40G的部分陽(yáng)極464上。類似地，有機(jī)層487形成在由B子像素區(qū)域400B中的開口477所暴露的B子像素40B的部分陽(yáng)極467上。陰極490作為頂部電極形成在基板400上的像素隔離層470上。
每個(gè)R、G和B子像素40R、40G和40B的相應(yīng)有機(jī)層481、484和487包括如下的有機(jī)層中的至少一個(gè)空穴注入層，空穴傳輸層，R、G或B發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層以及空穴阻擋層。
根據(jù)本發(fā)明上述的實(shí)施例，參照附圖4A，R子像素40R的R EL單元包括形成在R子像素區(qū)域400R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層430上的陽(yáng)極461、有機(jī)層481以及陰極490。R子像素40R的TFT包括形成在基板400上的R子像素區(qū)域400R的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層411、柵極421以及源極/漏極442和443。漏極443與REL單元的陽(yáng)極461相連。
類似地，G子像素40G的G EL單元包括形成在G子像素區(qū)域400G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層圖案430上的陽(yáng)極464、有機(jī)層484和陰極490。G子像素40G的TFT包括形成在基板400上的G子像素區(qū)域400G的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層414、柵極424以及源極/漏極445和446。漏極446與G EL單元的陽(yáng)極464相連。
B子像素40B的B EL單元包括形成在由B子像素區(qū)域400B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層430的開口430a所暴露的柵極電介質(zhì)層420上的陽(yáng)極467、有機(jī)層487和陰極490。B子像素40B的TFT包括形成在基板400上的B子像素區(qū)域400B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層417、柵極427以及源極/漏極448和449。漏極449與B EL單元的陽(yáng)極467相連。
因此，R子像素40R的陽(yáng)極461和G子像素40G的陽(yáng)極464分別形成在R和G子像素區(qū)400R和400G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層430上。B子像素40B的陽(yáng)極467形成在由B子像素區(qū)域400B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層430的開口430a所暴露的柵極電介質(zhì)420上。
由此，在R和G子像素40R和40G中，有機(jī)層481和484內(nèi)產(chǎn)生的產(chǎn)生的光通過(guò)層間絕緣層430朝向基板400發(fā)射或入射在基板上?？墒?，在B子像素40B中，有機(jī)層487內(nèi)產(chǎn)生的光通過(guò)層間絕緣層430的開口430a直接朝向基板300發(fā)射或入射在基板上，即所述光未通過(guò)層間絕緣層430。
附圖4B為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。在附圖4B中，為方便起見，在結(jié)合形成一個(gè)像素的每個(gè)R、G和B子像素40R、40G和40B內(nèi)僅示出了EL單元和TFT。除層間絕緣層為雙層結(jié)構(gòu)外，附圖4B中的有機(jī)EL顯示器的橫截面與附圖4A中有機(jī)EL顯示器的橫截面基本相同。
在之前參照附圖4A所述的實(shí)施例中，在R和G子像素區(qū)域400R和40G內(nèi)形成具有恒定厚度的層間絕緣層430，而在B子像素區(qū)域400B內(nèi)未形成層間絕緣層?？墒牵瑧?yīng)當(dāng)理解，通過(guò)在每個(gè)R和G子像素區(qū)域400R和400G內(nèi)形成具有變化厚度的層間絕緣層430，可增加色度面積。
參照附圖4B，R、G和B子像素40R和40G和40B分別形成在基板400的R、G和B子像素區(qū)域400R、400G和400B內(nèi)。
R子像素區(qū)域400R內(nèi)的R子像素40R包括TFT和R EL單元，，該TFT包括形成在基板400的R子像素區(qū)域400R的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層411、柵極421和源極/漏極442和443，該R EL單元包括形成在R子像素400R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層430上的與漏極443相連的陽(yáng)極461、有機(jī)層481和陰極490。
同樣，G子像素區(qū)域400G內(nèi)的G子像素40G包括TFT和G EL單元，該TFT包括形成在基板400的G子像素區(qū)域400G的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層414、柵極424和源極/漏極445和446，該G EL單元包括形成在G子像素400G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層430上的與漏極446相連的陽(yáng)極464、有機(jī)層484和陰極490。
B子像素區(qū)域400B內(nèi)的B子像素40B包括TFT和B EL單元，該TFT包括形成在基板400的B子像素區(qū)域400B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層417、柵極427和源極/漏極448和449，該B EL單元包括形成在由B子像素區(qū)域400B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層430的開口430b所暴露的柵極電介質(zhì)層420上的與漏極446相連的陽(yáng)極467、有機(jī)層487和陰極490。
層間絕緣層430為多層結(jié)構(gòu)。例如，層間絕緣層430包括形成在或直接置于柵極電介質(zhì)層420的第一層間絕緣層431a，以及形成在或直接置于第一層間絕緣層431a上的第二層間絕緣層431b。第一層間絕緣層431a可以是諸如氧化層的絕緣層，而第二層間絕緣層431b可以是諸如氮化層的絕緣層，或反之亦然。第二層間絕緣層431b包括開口430b，其暴露出形成有B子像素40B的陽(yáng)極467的柵極電介質(zhì)層420的那部分。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可在沒(méi)有附加掩模工藝的情況下制造附圖4B所示的有機(jī)EL顯示器。例如，可在層間絕緣層430中同時(shí)形成開口430b和接觸孔?？蛇x地，可以利用例如半色調(diào)掩模形成層間絕緣層430中的接觸孔和第二層間絕緣層431b中的開口430b。
具有第一層間絕緣層431a和第二層間絕緣層431b的層間絕緣層430形成在每個(gè)R和G子像素40R和40G的陽(yáng)極461和464的下方。在B子像素區(qū)域400B中，形成具有第一層間絕緣層431a和第二層間絕緣層431b的層間絕緣層430，所述第二層間絕緣層431b包括其中形成有B子像素40B的陽(yáng)極467的開口430b。
例如，B子像素40B的陽(yáng)極467形成在B子像素區(qū)域400B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)，例如層間絕緣層430的開口430b內(nèi)。B子像素40B的陽(yáng)極467對(duì)應(yīng)于有機(jī)層487的那部分形成在第一層間絕緣層431a上。
每個(gè)R和G子像素40R和40G的有機(jī)層481和484中產(chǎn)生的光通過(guò)第一層間絕緣層431a和第二層間絕緣層431b朝向基板400發(fā)射或入射在基板上。B子像素40B的有機(jī)層487中產(chǎn)生的光僅通過(guò)第一層間絕緣層431a，例如不通過(guò)第二層間絕緣層431b朝向基板400發(fā)射或入射在基板上。
應(yīng)當(dāng)理解，開口430b可通過(guò)第一層間絕緣層431a和第二層間絕緣層431b或者層間絕緣層430形成。
附圖5A為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。在附圖5A中，為方便起見，在每個(gè)R、G和B子像素50R、50G和50B中僅示出了EL單元和TFT。
根據(jù)以下描述的本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種通過(guò)在每個(gè)R、G和B子像素50R、50G和50B中有選擇地形成層間絕緣層獲得優(yōu)良色度坐標(biāo)的結(jié)構(gòu)。
參照附圖5A，有機(jī)EL顯示器包括以矩陣或陣列形式設(shè)置在基板500上的多個(gè)像素。R、G和B子像素50R、50G和50B分別形成在基板500上的R子像素區(qū)域500R、G子像素區(qū)域500G以及B子像素區(qū)域500B內(nèi)。每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域500R、500G和500B包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域。
緩沖層505形成在基板500上，而半導(dǎo)體層511、514和517分別形成在R、G和B子像素區(qū)域500R、500G和500B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的緩沖層505的區(qū)域上。R子像素50R的TFT的半導(dǎo)體層511包括例如P型源極/漏極區(qū)域512和513，G子像素50G的TFT的半導(dǎo)體層514包括例如p型源極/漏極區(qū)域515和516，B子像素50B的TFT的半導(dǎo)體層517包括例如p型源極/漏極區(qū)域518和519。
柵極電介質(zhì)層520形成在基板500上的緩沖層的上方。每個(gè)R、G和B子像素50R、50G和50B的柵極521、525和527形成在或直接置于每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域500R、500G和500B內(nèi)的柵極電介質(zhì)層520上。層間絕緣層530形成在基板500上的柵極電介質(zhì)層520的上方。層間絕緣層530可包括諸如氧化層或氮化層的絕緣層，或反之亦然。
層間絕緣層530包括暴露形成在R子像素50R的半導(dǎo)體層511上的部分源極/漏極區(qū)域512和513的接觸孔532和533，暴露形成在G子像素50G的半導(dǎo)體層514上的部分源極/漏極區(qū)域515和516的接觸孔535和536，以及暴露形成在B子像素50B的半導(dǎo)體層517的部分源極/漏極區(qū)域518和519的接觸孔538和539。
R子像素50R的源極/漏極542和543，G子像素50G的源極/漏極545和546，以及B子像素50B的源極/漏極548和549，都形成在層間絕緣層530上。特別地，R子像素50R的源極/漏極542和543通過(guò)接觸孔532和533與源極/漏極區(qū)域512和513相連。類似地，G子像素50G的源極/漏極545和546通過(guò)接觸孔535和536與源極/漏極區(qū)域515和516相連。類似地，B子像素50B的源極/漏極548和549通過(guò)接觸孔538和539與源極/漏極區(qū)域518和519相連。
用作像素電極的每個(gè)R、G和B子像素50R、50G和50B的陽(yáng)極561、564和567形成在層間絕緣層530上。陽(yáng)極561、564和567可由與形成漏極543、546和549的材料相同的材料制成。
在后發(fā)射型有機(jī)EL顯示器中，漏極可以是例如由透明導(dǎo)體材料制成的透明電極。另外，漏電極543、546和549可以由與制作源極542、545和548相同的或不同的材料制成。
例如，如附圖5A所示，R子像素50R的陽(yáng)極561從漏極543延伸，G子像素50G的陽(yáng)極564從漏極546延伸，而B子像素50B的陽(yáng)極567從漏極549延伸。
像素隔離層570形成在基板500上的層間絕緣層530上。像素隔離層570包括暴露形成在R子像素區(qū)域500R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R子像素50R的部分陽(yáng)極561的開口571，暴露形成在G子像素區(qū)域500G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的G子像素50G的部分陽(yáng)極564的開口574，以及暴露形成在B子像素區(qū)域500B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的B子像素50B的部分陽(yáng)極567的開口577。
有機(jī)層581形成在由R子像素區(qū)域500R中的開口571所暴露的R子像素50R的部分陽(yáng)極561上。類似地，有機(jī)層584形成在由G子像素區(qū)域500G中的開口574所暴露的G子像素50G的部分陽(yáng)極564上。類似地，有機(jī)層587形成在由B子像素區(qū)域500B中的開口577所暴露的B子像素50B的部分陽(yáng)極567上。陽(yáng)極590作為頂部電極形成在基板500上。
每個(gè)R、G和B子像素50R、50G和50B的每個(gè)有機(jī)層581、584和587包括，例如如下的有機(jī)層中的至少一個(gè)空穴注入層，空穴傳輸層，R、G和B發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層以及空穴阻擋層。
如上所述，參照根據(jù)附圖5A示出并描述的本發(fā)明的實(shí)施例，R子像素50R的R EL單元包括形成在或直接置于R子像素區(qū)域400R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層530上的從漏極543延伸的陽(yáng)極561、有機(jī)層581和陰極590。R子像素50R的TFT包括形成在R子像素區(qū)域500R的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的基板500上的半導(dǎo)體層511、柵極521以及源極/漏極542和543。
類似地，G子像素50G的G EL單元包括形成在或直接置于G子像素區(qū)域500G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層530上的從漏極546延伸的陽(yáng)極564、有機(jī)層584和陰極590。G子像素50G的TFT包括形成在G子像素區(qū)域500G的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的基板500上的半導(dǎo)體層514、柵極524以及源極/漏極545和546。
B子像素50B的B EL單元包括形成在或直接置于由B子像素區(qū)域500B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層530的開口530a所暴露的柵極電介質(zhì)層520上的陽(yáng)極567、有機(jī)層587和陰極590。B子像素50B的TFT包括形成在B子像素區(qū)域500B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的基板500上的半導(dǎo)體層517、柵極527以及源極/漏極548和549。
因此，R子像素50R的陽(yáng)極561和G子像素50G的陽(yáng)極564分別形成在或直接置于R和G子像素區(qū)500R和500G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層530上。B子像素50B的陽(yáng)極567形成在由B子像素區(qū)域50B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層530的開口530a所暴露的部分柵極電介質(zhì)520上。
由此，在R和G子像素50R和50G中，有機(jī)層581和584內(nèi)產(chǎn)生的光分別通過(guò)層間絕緣層530朝向基板500發(fā)射或入射在基板上。在B子像素50B中，有機(jī)層587內(nèi)產(chǎn)生的光通過(guò)層間絕緣層530的開口530a直接朝向基板500發(fā)射或入射在基板上。
應(yīng)當(dāng)理解，通過(guò)在每個(gè)R和G子像素區(qū)域500R和500B內(nèi)形成具有變化厚度的層間絕緣層530，可增加色度面積。
附圖5B為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器。在附圖5B中，為簡(jiǎn)便起見，在合并構(gòu)成一個(gè)像素的每個(gè)R、G和B子像素內(nèi)僅示出了EL單元和TFT。除了層間絕緣層為雙層結(jié)構(gòu)外，附圖5B中所示的有機(jī)EL顯示器的橫截面與附圖5A中所示的有機(jī)EL顯示器的橫截面基本相同。
參見圖5B，R、G和B子象素50R、50G和50B分別形成在基板500的R、G和B子象素區(qū)域500R、500G和500B中。
R子像素區(qū)域500R內(nèi)的R子像素50R包括TFT和R EL單元，該TFT包括形成在基板500上的R子像素區(qū)域500R的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層511、柵極521和源極/漏極542和543，該R EL單元包括形成在R子像素區(qū)域500R的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層530上或上方的從漏極543延伸的陽(yáng)極561、有機(jī)層581和陰極590。
類似地，G子像素區(qū)域500G內(nèi)的G子像素50G包括TFT和G EL單元，該RFT包括形成在基板500上的G子像素區(qū)域500G的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層514、柵極524和源極/漏極545和546，該G EL單元包括形成在G子像素區(qū)域500G的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層530上或上方的從漏極546延伸的陽(yáng)極564、有機(jī)層584和陰極590。
B子像素區(qū)域500B內(nèi)的B子像素50B包括TFT和B EL單元，該TFT包括形成在基板500上的B子像素區(qū)域500B的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層517、柵極527和源極/漏極548和549，該B EL單元包括形成在由B子像素區(qū)域500B的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層530的開口550b所暴露的部分柵極電介質(zhì)層520上或上方的從漏極549延伸的陽(yáng)極567、有機(jī)層587和陰極590。
層間絕緣層530包括形成在柵極電介質(zhì)層520上的第一層間絕緣層531a，以及形成在第一層間絕緣層531a上的第二層間絕緣層531b。第二層間絕緣層531b具有開口530b，其暴露形成有B子像素50B的陽(yáng)極567的柵極電介質(zhì)層520的那部分。第一層間絕緣層531a可以是諸如氧化層的絕緣層，而第二層間絕緣層531b可以是諸如氮化層的絕緣層，或反之亦然。
層間絕緣層530形成在每個(gè)R和G子像素50R和50G的陽(yáng)極561和564的下方并且包括第一層間絕緣層531a和第二層間絕緣層531b的疊置構(gòu)造，例如第一層間絕緣層531a和第二層間絕緣層531b形成在或置于彼此的頂部。形成在或置于B子像素50B的陽(yáng)極547下方的層間絕緣層530包含第一層間絕緣層531a和第二層間絕緣層531b，其中第二層間絕緣層在對(duì)應(yīng)有機(jī)層587的區(qū)域內(nèi)包括開口530b。
因此，每個(gè)R和G子像素50R和50G的有機(jī)層581和584中產(chǎn)生的光通過(guò)第一層間絕緣層531a和第二層間絕緣層531b朝向基板500發(fā)射或入射在基板上，而B子像素50B的有機(jī)層587中產(chǎn)生的光僅通過(guò)第一層間絕緣層531a，例如不通過(guò)第二層間絕緣層531b朝向基板500發(fā)射或入射在基板上。
應(yīng)當(dāng)理解，可通過(guò)第一層間絕緣層531a和第二層間絕緣層531b之一或全部形成開口530b。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可在沒(méi)有附加掩模工藝的情況下制造參照附圖5A和5B所述的有機(jī)EL顯示器。例如，層間絕緣層530中的接觸孔，開口530b可同時(shí)形成在B子像素區(qū)域500B內(nèi)。可選地，當(dāng)在層間絕緣層530中形成接觸孔時(shí)，利用諸如半色調(diào)掩模將開口530b可替換地僅形成在層間絕緣層530的第二層間絕緣層531b中。
應(yīng)當(dāng)理解，可將保護(hù)層形成為包含一多于兩個(gè)層的多層。在這樣的實(shí)施例中，保護(hù)層可選擇地形成在每個(gè)R、G和B子像素中以獲得優(yōu)良或改進(jìn)的色度坐標(biāo)?？蛇x地，在每個(gè)R、G和B子像素內(nèi)形成具有變化厚度的多層結(jié)構(gòu)的保護(hù)層。
盡管在本發(fā)明上述的實(shí)施例中，層間絕緣層的第一和第二保護(hù)層被描述為由氧化物或氮化物形成，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于這些材料。例如第一和第二保護(hù)層之一可以是有機(jī)絕緣層，而另一個(gè)可以是無(wú)機(jī)絕緣層。
盡管在本發(fā)明上述的實(shí)施例中，將p型TFT披露為EL單元的驅(qū)動(dòng)單元，但n型TFT或其他開關(guān)裝置可用作驅(qū)動(dòng)單元。
盡管在本發(fā)明上述的實(shí)施例中，絕緣層，諸如形成在用作像素電極的陽(yáng)極下方的層間絕緣層或保護(hù)層，有選擇地形成在每個(gè)R、G和B子像素內(nèi)以獲得優(yōu)良或改進(jìn)的色度坐標(biāo)，包含諸如位于或形成在陽(yáng)極下面的層間絕緣層、保護(hù)層、柵極電介質(zhì)層和緩沖層的絕緣層中的一些或全部，都有選擇地形成在每個(gè)R、G和B子像素中。
盡管本發(fā)明的上述實(shí)施例中主要涉及有源矩陣EL顯示器，其包括用作顯示單元的有機(jī)EL單元以及用作EL單元的驅(qū)動(dòng)單元的TFT，但也可通過(guò)有選擇地去除每個(gè)R、G和B子像素中的像素電極下面設(shè)置或形成的絕緣層，改善包含用作顯示單元的LCD單元以及用作LCD單元的驅(qū)動(dòng)單元的TFT的有源矩陣型液晶顯示器(LCD)的色度坐標(biāo)。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，通過(guò)有選擇地去除每個(gè)R、G和B子像素的像素電極下方的絕緣層，能夠獲得有源矩陣型有機(jī)EL顯示器的優(yōu)良的或改善的R、G和B色度坐標(biāo)，進(jìn)而降低了功耗。
本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可進(jìn)行各種修改和變型。因此，本發(fā)明傾向于覆蓋處于所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括包含多個(gè)子像素區(qū)域的基板，每個(gè)子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域并且發(fā)射預(yù)定顏色的光；多個(gè)設(shè)置在每個(gè)子像素區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的驅(qū)動(dòng)單元；多個(gè)設(shè)置在每個(gè)子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)并且與相應(yīng)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元相連的像素電極；以及設(shè)置在像素電極下方的絕緣層，其中絕緣層設(shè)置在基板的除子像素區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中絕緣層為包含氮化層或氧化層的單層或多層結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中多個(gè)子像素區(qū)域包含具有發(fā)射紅光的R子像素的R子像素區(qū)域，具有發(fā)射綠光的G子像素的G子像素區(qū)域以及具有發(fā)射藍(lán)光的B子像素的B子像素區(qū)域，以及其中絕緣層設(shè)置在基板的除對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域的一個(gè)區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
4.如權(quán)利要求3所述的平板顯示器，其中絕緣層為包含氮化層和/或氧化層的單層或多層結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求3所述的平板顯示器，其中絕緣層包括設(shè)置在基板的整個(gè)表面上的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層的除對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域的一個(gè)區(qū)域之外的整個(gè)表面上的第二絕緣層。
6.如權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
7.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中多個(gè)子像素區(qū)域包含具有發(fā)射紅光的R子像素的R子像素區(qū)域，具有發(fā)射綠光的G子像素的G子像素區(qū)域以及具有發(fā)射藍(lán)光的B子像素的B子像素區(qū)域，以及其中絕緣層是僅設(shè)置在R和G子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的絕緣層圖案。
8.如權(quán)利要求7所述的平板顯示器，其中絕緣層為包含氮化層和/或氧化層的單層或多層結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求7所述的平板顯示器，其中絕緣層圖案包括設(shè)置在R和G子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層上的第二絕緣層。
10.如權(quán)利要求9所述的平板顯示器，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
11.如權(quán)利要求10所述的平板顯示器，其中第一絕緣層形成在B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)。
12.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中每個(gè)驅(qū)動(dòng)單元包括用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素電極的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
13.一種平板顯示器，包括包括多個(gè)R、G和B子像素區(qū)域的基板，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B像素電極；設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)并且驅(qū)動(dòng)每個(gè)R、G和B像素電極的R、G和B驅(qū)動(dòng)單元；設(shè)置在R、G和B驅(qū)動(dòng)單元和R、G和B像素電極之間的絕緣層，其中絕緣層設(shè)置在基板的除了R、G和B子像素區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
14.如權(quán)利要求13所述的平板顯示器，其中絕緣層為包含氮化層和/或氧化層的單層或多層結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求13所述的平板顯示器，其中絕緣層設(shè)置在基板的除B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
16.如權(quán)利要求13所述的平板顯示器，其中絕緣層包括設(shè)置在基板的整個(gè)表面上的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層的除了對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域的一個(gè)區(qū)域之外的整個(gè)表面上的第二絕緣層。
17.如權(quán)利要求16所述的平板顯示器，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
18.如權(quán)利要求13所述的平板顯示器，其中絕緣層是僅設(shè)置在R和G子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的絕緣層圖案。
19.如權(quán)利要求18所述的平板顯示器，其中絕緣層圖案包括設(shè)置在R和G子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層上的第二絕緣層。
20.如權(quán)利要求19所述的平板顯示器，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
21.如權(quán)利要求13所述的平板顯示器，其中第一絕緣層形成在B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)。
22.一種平板顯示器，包括包括多個(gè)R、G和B子像素區(qū)域的基板，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B像素電極；設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B驅(qū)動(dòng)單元，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包括用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)R、G和B像素電極的驅(qū)動(dòng)電極；以及設(shè)置在基板上的絕緣層，該絕緣層具有形成在其上的驅(qū)動(dòng)電極，其中R、G和B像素電極設(shè)置在絕緣層上并且與相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電極相連，以及其中絕緣層設(shè)置在基板的除了R、G和B子像素區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
23.如權(quán)利要求22所述的平板顯示器，其中絕緣層設(shè)置在基板的除了對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域的一個(gè)區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
24.如權(quán)利要求22所述的平板顯示器，其中絕緣層包括設(shè)置在基板的整個(gè)表面上的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層的除了對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域的一個(gè)區(qū)域之外的整個(gè)表面上的第二絕緣層。
25.如權(quán)利要求24所述的平板顯示器，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
26.如權(quán)利要求22所述的平板顯示器，其中絕緣層為包含氮化層和/或氧化層的單層或多層結(jié)構(gòu)。
27.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括包括多個(gè)R、G和B子像素區(qū)域的基板，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B薄膜晶體管，每個(gè)R、G和B薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源極/漏極；包括暴露每個(gè)R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一的R、G和B通孔的絕緣層；分別形成在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)并且包含R、G和B像素電極的R、G和B電致發(fā)光單元，所述R、G和B像素電極通過(guò)每個(gè)R、G和B通孔與相應(yīng)的R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一相連，其中絕緣層設(shè)置在基板的除了R、G和B子像素區(qū)域的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
28.如權(quán)利要求27所述的有機(jī)電致發(fā)光平板顯示器，其中絕緣層設(shè)置在基板的除了B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的B像素電極的下方區(qū)域以外的整個(gè)表面上，以及其中絕緣層是包含氮化層和/或氧化層的單層或多層結(jié)構(gòu)。
29.如權(quán)利要求27所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層包括設(shè)置在基板的整個(gè)表面上的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層的除了B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的B像素電極下方區(qū)域以外的整個(gè)表面上的第二絕緣層，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
30.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括包括多個(gè)R、G和B子像素區(qū)域的基板，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B薄膜晶體管，每個(gè)R、G和B薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源極/漏極；分別形成在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)并且包含R、G和B像素電極的R、G和B電致發(fā)光單元，所述R、G和B像素電極與相應(yīng)的R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一相連，其中絕緣層有選擇地形成在R、G和B像素電極的至少其中之一的下方。
31.如權(quán)利要求30所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層有選擇地形成在R和G像素電極下方，以及其中絕緣層是包含氮化層和/或氧化層的單層或多層結(jié)構(gòu)。
32.如權(quán)利要求30所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層包括設(shè)置在R和G像素電極下方的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層上的第二絕緣層，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
33.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括包括多個(gè)R、G和B子像素區(qū)域的基板，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B薄膜晶體管，每個(gè)R、G和B薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源極/漏極；分別形成在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)并且包含R、G和B像素電極的R、G和B電致發(fā)光單元，所述R、G和B像素電極與相應(yīng)的R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一相連；以及形成在源極/漏極下方的絕緣層，其中R、G和B像素電極設(shè)置在絕緣層上并且與相應(yīng)的R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一相連，和其中絕緣層設(shè)置在基板的除R、G和B子像素區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
34.如權(quán)利要求33所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層設(shè)置在基板的除B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的B像素電極下方的區(qū)域以外的整個(gè)表面上，以及其中絕緣層是包含氮化層和/或氧化層的單層或多層結(jié)構(gòu)。
35.如權(quán)利要求33所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層包括設(shè)置在基板的整個(gè)表面上的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層的除了B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的B像素電極下方的區(qū)域以外的整個(gè)表面上的第二絕緣層，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
36.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括包括多個(gè)R、G和B子像素區(qū)域的基板，每個(gè)R、G和B子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的R、G和B薄膜晶體管，每個(gè)R、G和B薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極和源極/漏極；分別形成在R、G和B子像素區(qū)域的每個(gè)發(fā)光區(qū)域內(nèi)并且包含R、G和B像素電極的R、G和B電致發(fā)光單元；以及設(shè)置在R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極下方的絕緣層，其中R、G和B像素電極從相應(yīng)的R、G和B薄膜晶體管的源極/漏極之一延伸，和其中絕緣層設(shè)置在基板的除了R、G和B子像素區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
37.如權(quán)利要求36所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層設(shè)置在基板的除了B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)B的像素電極下方的區(qū)域以外的整個(gè)表面上，以及其中絕緣層是包含氮化層和/或氧化層的單層和/或多層結(jié)構(gòu)。
38.如權(quán)利要求36所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層包括設(shè)置在基板的整個(gè)表面上的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層的除了B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)的B像素電極下方的區(qū)域以外的整個(gè)表面上的第二絕緣層，其中第一絕緣層包括氧化層，而第二絕緣層包括氮化層。
39.一種形成平板顯示器的方法，包括在基板上形成多個(gè)子像素區(qū)域，每個(gè)子像素區(qū)域包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域并且發(fā)射預(yù)定顏色的光；在每個(gè)子像素區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元；在每個(gè)子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)像素電極并且使多個(gè)像素電極的每一個(gè)都與相應(yīng)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元相連；以及在基板的除了子像素區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域以外的整個(gè)表面上的像素電極下方形成絕緣層。
40.如權(quán)利要求39所述的形成平板顯示器的方法，其中多個(gè)子像素區(qū)域包含具有發(fā)射紅光的R子像素的R子像素區(qū)域，具有發(fā)射綠光的G子像素的G子像素區(qū)域以及具有發(fā)射藍(lán)光的B子像素的B子像素區(qū)域，以及其中絕緣層設(shè)置在基板的除了對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域的一個(gè)區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
41.如權(quán)利要求40所述的形成平板顯示器的方法，其中絕緣層包括設(shè)置在基板的整個(gè)表面上的第一絕緣層；以及設(shè)置在第一絕緣層的除了對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域的一個(gè)區(qū)域之外的整個(gè)表面上的第二絕緣層。
全文摘要
提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中位于底部電極的下方的絕緣層有選擇性地形成在每個(gè)R、G和B子像素內(nèi)以防止色度坐標(biāo)移動(dòng)并減少功耗，及其制造這種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法。有機(jī)顯示器包括包含多個(gè)子像素區(qū)域的基板，每個(gè)子像素區(qū)域包含發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域并發(fā)射預(yù)定顏色的光，設(shè)置在每個(gè)子像素區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域內(nèi)的多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，設(shè)置在每個(gè)子像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域內(nèi)并與相應(yīng)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元相連的多個(gè)像素電極，以及設(shè)置在像素電極下方的絕緣層，其中絕緣層設(shè)置在基板的除了子像素區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)發(fā)光區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1822382SQ20051000347
公開日2006年8月23日 申請(qǐng)日期2005年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月22日
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