專利名稱：有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明要求2002年7月8日申請(qǐng)的第P2002-039259號(hào)韓國專利申請(qǐng)的權(quán)益，該申請(qǐng)?jiān)诒旧暾?qǐng)中以引用的形式加以結(jié)合。
由于有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)裝置能夠自發(fā)光，所以具有寬視角和極佳的對(duì)比度。此外，由于OELD裝置不需要背光光源等外加光源，因此，與LCD裝置相比，OELD裝置具有較小的尺寸、較輕的重量和低能耗。此外，OELD裝置可以用低電壓直流電(DC)驅(qū)動(dòng)并且具有短到微秒的響應(yīng)時(shí)間。由于OELD裝置是固相裝置，所以O(shè)ELD裝置足以抵抗外部沖擊并且具有較大的工作溫度范圍。此外，由于僅需要用沉積和封裝設(shè)備來制造OELD裝置，由此簡(jiǎn)化了制造工藝，所以可用低成本來制造OELD裝置。
根據(jù)裝置的驅(qū)動(dòng)方法，可以將OELD裝置分成無源矩陣型OELD裝置和有源矩陣型OELD裝置。無源矩陣型OELD裝置因其簡(jiǎn)單和易于制造而獲得廣泛使用。然而，無源矩陣型OELD裝置的掃描線和信號(hào)線在矩陣結(jié)構(gòu)中彼此垂直交叉。由于為了控制每個(gè)像素需將掃描電壓連續(xù)施加到掃描線上，所以在選擇的周期內(nèi)每個(gè)像素的瞬間亮度應(yīng)達(dá)到由平均亮度乘以掃描線的數(shù)量所得出的值，從而獲得所需的平均亮度。所以，隨著掃描線數(shù)量的增加，施加的電壓和電流也增加。而且，由于裝置在使用期間容易老化，所以無源矩陣型OELD裝置不能夠進(jìn)行高分辨率顯示和做成大面積尺寸，并且能耗高。
由于無源矩陣型OELD裝置在圖像分辨率、能耗和工作壽命方面有很多缺點(diǎn)，所以，開發(fā)了在大顯示面積的顯示器中產(chǎn)生高分辨率圖像的有源矩陣型OELD裝置。在有源矩陣型OELD裝置中，將薄膜晶體管(TFT)設(shè)置在每個(gè)分像素上，以便作為開關(guān)元件接通(ON)和斷開(OFF)每個(gè)分像素。通過分像素接通/斷開與TFT相連的第一電極，面對(duì)第一電極的第二電極起公用電極的作用。此外，施加到像素上的電壓存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器中，因此，不管掃描線的數(shù)量是多少，均可以在施加下一幀的電壓之前保持原電壓并驅(qū)動(dòng)所述裝置。因此，由于可以用低供電電流獲得同樣的亮度，所以有源矩陣型OELD裝置具有低能耗和大面積高圖像分辨率。


圖1是按照現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣型OELD裝置中像素結(jié)構(gòu)的示意性電路圖。在圖1中，掃描線1沿第一方向布置，而彼此相隔一定距離的信號(hào)線2和電源線3沿垂直于第一方向的第二方向布置。信號(hào)線2和電源線3與掃描線1交叉，從而構(gòu)成像素區(qū)。開關(guān)薄膜晶體管(TFT)Ts(即，尋址元件)與掃描線1和信號(hào)線2相連，而存儲(chǔ)電容器CST與開關(guān)TFT Ts和電源線3相連。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)TD(即，電流源元件)與存儲(chǔ)電容器CST和電源線3相連，而有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管DEL與驅(qū)動(dòng)TFT TD相連。當(dāng)向有機(jī)EL二極管DEL施加正向電流時(shí)，電子和空穴通過提供空穴的陽極和提供電子的陰極之間的P(正)-N(負(fù))結(jié)再度結(jié)合產(chǎn)生電子空穴對(duì)。由于電子-空穴對(duì)的能量低于獨(dú)立的電子和空穴，所以在重新結(jié)合的和獨(dú)立的電子-空穴對(duì)之間存在能差，該能差的存在可導(dǎo)致發(fā)光。
在圖1中，當(dāng)掃描信號(hào)發(fā)送到相應(yīng)的掃描線1上時(shí)，開關(guān)TFT Ts將接通(ON)，并把來自信號(hào)線2的數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)TFT TD上。然后驅(qū)動(dòng)TFT TD接通(ON)，使得來自電源線3的電流穿過驅(qū)動(dòng)TFT TD后，流向有機(jī)EL二極管DEL。由此，使有機(jī)EL二極管DEL發(fā)光。
由于驅(qū)動(dòng)TFT TDON的比率取決于數(shù)據(jù)信號(hào)的值，所以通過控制流過驅(qū)動(dòng)TFT TD的電流可以顯示灰度級(jí)。此外，盡管未發(fā)送數(shù)據(jù)信號(hào)，但是由于在發(fā)送下一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)之前存儲(chǔ)電容器CST中存有數(shù)據(jù)，所以有機(jī)EL二極管DEL仍會(huì)發(fā)光。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣型OELD裝置的剖面圖。在圖2中，在基板10上形成緩沖層12，所述基板包含形成圖像的光發(fā)射區(qū)E。在緩沖層12上形成薄膜晶體管T(可以是驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管)。在光發(fā)射區(qū)E內(nèi)形成有機(jī)EL二極管DEL，該二極管與薄膜晶體管T相連，并且形成與薄膜晶體管T相連的存儲(chǔ)電容器CST。
按照?qǐng)D2，在緩沖層12上形成彼此相隔一定距離的半導(dǎo)體層14和第一電容器電極16。而在半導(dǎo)體層14的中部依次形成柵極絕緣層18和柵極20。然后，在基板10的整個(gè)表面上形成第一隔層22和第一電容器電極16。接著，在第一隔層22上形成相應(yīng)于第一電容器電極16的第二電容器電極24，其中第二電容器電極24是從電源線(未示出)上分出的分支。然后，在包含第二電容器電極24的基板10的整個(gè)表面上形成第二隔層26。
半導(dǎo)體層14由有源區(qū)A、源區(qū)S和漏區(qū)D構(gòu)成，有源區(qū)A對(duì)應(yīng)于柵極絕緣層18和柵極20，源區(qū)S和漏區(qū)D分別設(shè)置在有源區(qū)A的兩側(cè)。形成貫穿第一隔層22和第二隔層26的第一接觸孔28和第二接觸孔30以分別暴露半導(dǎo)體層14的源區(qū)S和漏區(qū)D。此外，形成僅貫穿第二隔層26的第三接觸孔32以暴露第二電容器電極24。
在第二隔層26上形成彼此相隔一定距離的源極34和漏極36。由此，源極34通過第一接觸孔28與半導(dǎo)體層14上的源區(qū)S相連接，并通過第三接觸孔32與第二電容器電極24相連接，而漏極36通過第二接觸孔30與半導(dǎo)體層14的漏區(qū)D相連。
在包含源極34和漏極36的基板10的整個(gè)表面上形成第一鈍化層40，其中第一鈍化層40具有用于暴露漏極36的第四接觸孔38。在光發(fā)射區(qū)E內(nèi)的第一鈍化層40上形成第一電極42，該第一電極通過第四接觸孔38與漏極36相連。盡管圖中未示出，但是在形成圖像最小單元的每個(gè)分像素區(qū)內(nèi)都有第一電極42的圖形。
在第一電極42上形成第二鈍化層46，第二鈍化層46上帶有用于暴露第一電極42的開口44。所以，由于第一電極42下面各層的階梯狀覆蓋特性，很難形成具有均勻厚度的第一電極42。因此，電場(chǎng)集中在第一電極42的邊緣上，并在此產(chǎn)生漏電流。為了防止漏電流，要用第二鈍化層46蓋住第一電極42的邊緣。然后，在光發(fā)射區(qū)E內(nèi)的第二鈍化層46上形成有機(jī)電致發(fā)光層48，并在包含有機(jī)電致發(fā)光層48的基板10的整個(gè)表面上形成第二電極50。
由于第一鈍化層40是用氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等無機(jī)材料或是丙烯酸樹脂等有機(jī)材料制成的，所以第一鈍化層40能使第一電極42與第一電極42下面的各層絕緣，并防止下面各層受損害。此外，第二鈍化層46可以是堤形以便防止因第一電極42周邊的梯形覆蓋而導(dǎo)致的漏電流和電短路，和降低第二電極50與柵極線(未示出)，即圖1中的掃描線之間，以及第二電極50與數(shù)據(jù)線(未示出)，即圖1中的信號(hào)線之間的寄生電容。
此外，如果用氧化硅和氮化硅等無機(jī)材料制作第一鈍化層40，則應(yīng)沿著第二隔層26的形狀沉積第一鈍化層40，這樣將增加第一鈍化層40的表面粗糙度。因此，將使第一鈍化層40上第一電極42的性能降低。此外，在此是用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)蒸鍍沉積法(PECVD)或?yàn)R射法來形成第一電極42，所述化學(xué)蒸鍍沉積法是通過與等離子體中具有高能的電子碰撞時(shí)分解反應(yīng)的氣體分子和使分解的氣體原子粘附到基板的表面上來沉積薄膜，所述濺射法是通過高能離子與固相靶的碰撞和從靶上分離解原子和分子來沉積薄膜。因此，第一電極42的表面平整度很差。所以，在表面上很容易形成隆起或尖峰，有機(jī)電致發(fā)光裝置會(huì)因隆起或尖峰產(chǎn)生的漏電流而不能正常工作。因此，不發(fā)光的像素?cái)?shù)量將隨著使用時(shí)間的流逝而增加，而且使裝置的壽命縮短。
此外，如果用無機(jī)材料制作形成開口44的第二鈍化層46，則需要用SF6和O2或CF4和O2的氣體混合物通過干法蝕刻工藝對(duì)第二鈍化層46進(jìn)行蝕刻。這時(shí)，如果用透明導(dǎo)電材料氧化銦錫(ITO)來制作第一電極42的話，由于氣體混合物的緣故，很難把第一電極42的費(fèi)米級(jí)(Ferm level)控制到期望值。
本發(fā)明的目的是，提供一種提高了耐久性和可靠性的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是，提供一種制造具有高耐久性和可靠性的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的說明中給出，其中一部分特征和優(yōu)點(diǎn)可以從說明中明顯得出或是通過對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐而得到。通過在文字說明部分、權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了得到這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，作為概括和廣義的描述，本發(fā)明的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括含有光發(fā)射區(qū)的基板，光發(fā)射區(qū)中帶有分像素區(qū)；設(shè)在基板上分像素區(qū)內(nèi)的多個(gè)開關(guān)元件；覆蓋多個(gè)開關(guān)元件并且?guī)в卸鄠€(gè)第一接觸孔以暴露多個(gè)開關(guān)元件的第一鈍化層；設(shè)在第一鈍化層上的多個(gè)第一電極，每個(gè)第一電極通過每個(gè)第一接觸孔與每個(gè)開關(guān)元件連接；設(shè)在多個(gè)第一電極上的第二鈍化層，第二鈍化層上具有多個(gè)用于暴露多個(gè)第一電極的開口，而且第二鈍化層覆蓋多個(gè)第一電極的邊緣部分；設(shè)在第二鈍化層上的多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層，每個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層通過每個(gè)開口與每個(gè)第一電極接觸；和設(shè)在多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極，其中用具有平整上表面的第一有機(jī)材料制作第一鈍化層，用第二有機(jī)材料制作第二鈍化層，所述第二有機(jī)材料的形成溫度低于無機(jī)材料的形成溫度。
按照本發(fā)明的另一方面，所述制造有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法包括的步驟有在具有分像素區(qū)的基板上形成開關(guān)元件；在開關(guān)元件上形成第一有機(jī)材料的第一鈍化層；在第一鈍化層上的分像素區(qū)內(nèi)形成第一電極，所述第一電極通過第一接觸孔與開關(guān)元件接觸；在第一電極上形成第二有機(jī)材料的第二鈍化層，第二鈍化層具有用于暴露第一電極的開口，且第二鈍化層覆蓋第一電極的邊緣部分；在第二鈍化層上的分像素區(qū)內(nèi)形成有機(jī)電致發(fā)光層，有機(jī)電致發(fā)光層通過開口與第一電極接觸；和在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極，其中第一鈍化層包括具有平整上表面的第一有機(jī)材料，而第二鈍化層包括第二有機(jī)材料，所述第二有機(jī)材料的形成溫度低于無機(jī)材料的形成溫度。
很顯然，上面的一般性描述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，其意在對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。
圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣型OELD裝置像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中有源矩陣型OELD裝置的剖面圖；圖3是本發(fā)明所述示例性有源矩陣型OELD裝置的剖面圖；圖4是本發(fā)明所述另一種有源矩陣型OELD裝置的剖面圖；圖5是制造本發(fā)明所述有源矩陣型OELD裝置示例性方法的流程圖。
圖3是本發(fā)明所述示例性有源矩陣型OELD裝置的剖面圖。在圖3中，在包含形成圖像的光發(fā)射區(qū)E的基板110上形成緩沖層112，和在緩沖層112上形成薄膜晶體管T。此外，在光發(fā)射區(qū)E上形成有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管DEL，所述二極管與薄膜晶體管T的第一部分相連，和形成與薄膜晶體管T第二部分相連的存儲(chǔ)電容器CST。
按照?qǐng)D3，在緩沖層112上形成半導(dǎo)體層114和第一電容器電極116，和在半導(dǎo)體層114的中間部分依次形成柵極絕緣層118和柵極120。此外，在基板110的整個(gè)表面上形成覆蓋柵極120和第一電容器電極116的第一隔層122。而且，在第一隔層122上形成與第一電容器電極116相對(duì)應(yīng)的第二電容器電極124，其中第二電容器電極124可以是從電源線(未示出)上分出的分支，和在包含第二電容器電極124的基板110的整個(gè)表面上形成第二隔層126。
盡管圖中未示出，但是沿著第一方向形成與柵極相連且被稱之為掃描線的柵極線，和沿著與柵極線交叉的第二方向形成與第二電容器電極124相連的電源線。而且，柵極120與有源矩陣型OELD裝置的開關(guān)薄膜晶體管(未示出)上的漏極相連。
按照?qǐng)D3，半導(dǎo)體層114包括有源區(qū)A、源區(qū)S和漏區(qū)D，所述有源區(qū)A對(duì)應(yīng)于柵極絕緣層118和柵極120，源區(qū)S和漏區(qū)D分別設(shè)置在有源區(qū)A的兩側(cè)。半導(dǎo)體層114的第一電容器電極116由晶體硅，例如多晶硅構(gòu)成。半導(dǎo)體層114的有源區(qū)A對(duì)應(yīng)于無雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)，而半導(dǎo)體層114的源區(qū)S和漏區(qū)D以及第一電容器電極116對(duì)應(yīng)于離子摻雜的半導(dǎo)體區(qū)。
柵極絕緣層118、第一隔層122、和第二隔層126由絕緣材料制成。例如，柵極絕緣層118可以用氮化硅(SiNx)制成，第一和第二隔層122和126可以用氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等無機(jī)材料制成。此外，第一隔層122和第二隔層126可以包括用于暴露半導(dǎo)體層114中源區(qū)S的第一接觸孔128，和用于暴露半導(dǎo)體層114中漏區(qū)D的第二接觸孔130。第二隔層126也可以包括用于暴露第二電容器電極124的第三接觸孔132，其中可以將第一和第二電容器電極115和124以及第一隔層122設(shè)置成存儲(chǔ)電容器CST。
按照?qǐng)D3，可以在第二隔層126上形成源極134和漏極136，其中源極134可以通過第一接觸孔128與半導(dǎo)體層114上的源區(qū)S相連并可以通過第三接觸孔132與第二電容器電極124相連，而漏極136可以通過第二接觸孔130與半導(dǎo)體層114上的漏區(qū)D相連。源極134和漏極136可以包括具有抗強(qiáng)化學(xué)腐蝕性的金屬材料，例如鉬(Mo)、鎳(Ni)、鎢(W)和鉻(Cr)。
在包含源極134和漏極136的基板110的整個(gè)表面上形成第一鈍化層140，其中第一鈍化層140上具有用于暴露漏極136的第四接觸孔138。此外，在光發(fā)射區(qū)E內(nèi)的第一鈍化層140上形成第一電極142，該第一電極通過第四接觸孔138與漏極136相連。盡管圖中未示出，但是在每個(gè)分像素區(qū)內(nèi)都有第一電極142的圖形。
因此，可以用具有平整表面的有機(jī)材料制作第一鈍化層140以改善第一電極142的表面特性。例如，可以用苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚丙烯酸酯和聚酰亞胺之一制作第一鈍化層140。由于可以通過旋涂法形成這些有機(jī)層，所以有機(jī)層不會(huì)受到下面各層布圖的明顯影響。所以容易使有機(jī)材料的上表面平整。例如，第一鈍化層140的厚度可以大于1μm，并且可以在約1μm到約10μm的范圍內(nèi)。
按照?qǐng)D3，可以在第一電極142上形成第二鈍化層146，其中第二鈍化層146上帶有用于暴露第一電極142的開口144。為了防止在第一電極142的邊緣部分產(chǎn)生漏電流，要使形成的第二鈍化層146蓋住第一電極142的邊緣?？梢杂媚茉谳^低溫度下形成的有機(jī)材料制作第二鈍化層，這些材料例如可以是光致抗蝕材料、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺和苯并環(huán)丁烯(BCB)等。
按照?qǐng)D3，可以在光發(fā)射區(qū)E內(nèi)的第二鈍化層146上形成有機(jī)電致發(fā)光層148，該發(fā)光層通過開口44與第一電極142接觸。接著，在包含有機(jī)電致發(fā)光層148的基板110的整個(gè)表面上形成第二電極150。而且，第一電極142和第二電極150以及設(shè)置在第一電極142和第二電極150之間的有機(jī)電致發(fā)光層148形成有機(jī)EL二極管DEL。
按照本發(fā)明，用有機(jī)材料制作處于有機(jī)EL二極管DEL下層并與有機(jī)EL二極管DEL接觸的第一鈍化層140和覆蓋第一電極142的邊緣部分并設(shè)置在第一電極142和第二電極150之間的第二鈍化層146。如果用相同的有機(jī)材料制作第一和第二鈍化層140和146，則在形成第二鈍化層146時(shí)，第二鈍化層146的蝕刻劑會(huì)腐蝕第一鈍化層，并損害第一和第二鈍化層140和146之間的第一電極142。因此，要用不同的有機(jī)材料制作第一和第二鈍化層140和146。
由于與其他有機(jī)材料相比，聚酰亞胺材料對(duì)例如氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料的粘合性很好，所以有利的是使聚酰亞胺材料的酰亞胺比率，即聚酰亞胺中具有亞氨基(NH)的化合物比率大于約95％。由于聚酰亞胺的酰亞胺比例具有高粘附性，所以聚酰亞胺最大限度地減小了形成其他有機(jī)材料時(shí)的工藝影響。因此，由于當(dāng)用相同的材料制作第一和第二鈍化層140和146時(shí)會(huì)損害第一電極142，所以有利的是僅用聚酰亞胺材料作為第一鈍化層104或是第二鈍化層146。此外，可以用聚酰亞胺材料作為第一鈍化層140，這樣在形成第二鈍化層146的過程中，可以最大限度地減小第二鈍化層146的溶劑對(duì)第一鈍化層140的影響。
盡管可以用無機(jī)材料制作包含開口144的第二鈍化層146，但是這將減緩第一電極142表面特性的變化，所述第一電極由氧化銦錫制成并且由開口暴露。如果第一電極142和第二電極146分別起正電極和負(fù)電極的作用，而且來自有機(jī)電致發(fā)光層148的光射過第二電極150，則可以認(rèn)為OELD裝置是上部發(fā)射型OELD裝置，而且可以用透明導(dǎo)電材料制作第二電極150。
圖4是本發(fā)明所述另一種有源矩陣型OELD裝置的剖面圖。在圖4中，通過在基板210上形成的分像素區(qū)Psub和包含半導(dǎo)體層212、柵極214、源極216及漏極218的薄膜晶體管T可以確定基板210上的光發(fā)射區(qū)E。此外，在包含薄膜晶體管T的基板210的整個(gè)表面上形成用第一有機(jī)材料制成的第一鈍化層222，其中第一鈍化層可以包括用于暴露漏極218的漏極接觸孔220。而且，可以在第一鈍化層222上形成第一電極224，該電極通過漏極接觸孔220與漏極218接觸。
在第一電極224上形成覆蓋第一電極224邊緣部分的第二鈍化層228，第二鈍化層可以由第二有機(jī)材料制成，而且第二鈍化層上設(shè)有用于暴露第一電極224的開口226。此外，在第二鈍化層228上形成有機(jī)電致發(fā)光層230，該發(fā)光層通過開口226與第一電極224接觸。而且，可以在包含有機(jī)電致發(fā)光層230的基板210的整個(gè)表面上形成第二電極232。
第一有機(jī)材料可以選自具有良好平整性的有機(jī)材料，例如，苯并環(huán)丁烯、聚丙烯酸酯和聚酰亞胺等，而第二有機(jī)材料可以是光致抗蝕材料、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺和苯并環(huán)丁烯(BCB)之一。由于有機(jī)材料可以在比無機(jī)材料硬化溫度低的溫度下硬化，所以第二有機(jī)材料可以選自形成溫度低于第一有機(jī)材料形成溫度的有機(jī)材料，其中形成溫度可以包括涂敷有機(jī)材料后的烘烤和固化溫度。如果第二有機(jī)材料的形成溫度比較高，那么第一有機(jī)材料可能會(huì)硬化的太快并且由于有機(jī)材料層變性而容易形成瑕疵。因此，可以用不同的材料制成第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料，其中第一有機(jī)材料可以包括聚酰亞胺材料，從而使聚酰亞胺的酰亞胺比率超過95％。
圖5是制造本發(fā)明所述有源矩陣型OELD裝置示例性方法的流程圖。在圖5中，步驟ST1可以包括在包含分像素區(qū)的基板上形成薄膜晶體管。薄膜晶體管可以包括與有機(jī)電致發(fā)光二極管相連的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和與柵極線及數(shù)據(jù)線相連的開關(guān)薄膜晶體管。
步驟ST2可以包括在包含薄膜晶體管的基板的整個(gè)表面上形成第一鈍化層。第一鈍化層可以用第一有機(jī)材料制成，并且可以包括用于暴露薄膜晶體管一部分的第一接觸孔。
步驟ST3可以包括在第一鈍化層上形成第一電極，其中第一電極可以通過第一接觸孔與薄膜晶體管相連。
步驟ST4可以包括在第一電極上形成第二鈍化層，其中第二鈍化層可以用第二有機(jī)材料制成。此外，第二鈍化層可以包括用于暴露第一電極的開口，而且第二鈍化層覆蓋第一電極的邊緣部分。
步驟ST5可以包括在第二鈍化層上形成有機(jī)電致發(fā)光層，并在包含有機(jī)電致發(fā)光層的基板整個(gè)表面上形成第二電極。而且，有機(jī)電致發(fā)光層通過開口與第一電極相連。
例如，第一有機(jī)材料和第二有機(jī)材料可以選自不同的有機(jī)材料。如果第一有機(jī)材料或第二有機(jī)材料選自聚酰亞胺材料，則聚酰亞胺材料的酰亞胺比率便會(huì)大于95％。例如，可以用聚酰亞胺材料作為第一有機(jī)材料。
按照本發(fā)明，由于可以用旋涂法來形成鈍化層，所以對(duì)有源矩陣型OELD裝置非常有利，鈍化層的厚度比用化學(xué)蒸鍍沉積法得到的無機(jī)層要厚一些。此外，由于下面各層的布圖對(duì)鈍化層的上表面影響極小，所以鈍化層可以具有很平整的表面。所以可以防止有機(jī)電致發(fā)光裝置電極之間產(chǎn)生電短路。
而且，由于可以在低于有機(jī)材料層形成溫度的溫度下形成有機(jī)層，所以可以減少下面各層的損壞。此外，由于所用的有機(jī)材料具有很平整的上表面，所以可以增加裝置的整體厚度，因此提高了裝置的耐久性和可靠性。
對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，很顯然，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明所述有機(jī)電致發(fā)光裝置和制造有機(jī)電致發(fā)光裝置的方法做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意在覆蓋那些落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，包括含有光發(fā)射區(qū)的基板，所述光發(fā)射區(qū)上帶有分像素區(qū)；設(shè)在基板上分像素區(qū)內(nèi)的多個(gè)開關(guān)元件；覆蓋多個(gè)開關(guān)元件并且?guī)в卸鄠€(gè)第一接觸孔以暴露多個(gè)開關(guān)元件的第一鈍化層；設(shè)在第一鈍化層上的多個(gè)第一電極，每個(gè)第一電極通過每個(gè)第一接觸孔與每個(gè)開關(guān)元件連接；設(shè)在多個(gè)第一電極上的第二鈍化層，第二鈍化層上具有多個(gè)用于暴露多個(gè)第一電極的開口，而且第二鈍化層覆蓋多個(gè)第一電極的邊緣部分；設(shè)在第二鈍化層上的多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層，每個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層通過每個(gè)開口與每個(gè)第一電極接觸；和設(shè)在多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極，其中用具有平整上表面的第一有機(jī)材料制作第一鈍化層，用第二有機(jī)材料制作第二鈍化層，所述第二有機(jī)材料的形成溫度低于無機(jī)材料的形成溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一有機(jī)材料包括苯并環(huán)丁烯、聚丙烯酸酯和聚酰亞胺中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中聚酰亞胺的酰亞胺比率大于約95％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第二有機(jī)材料包括光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、聚丙烯酸酯和聚酰亞胺中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中聚酰亞胺的酰亞胺比率大于約95％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中多個(gè)第一電極作為正極，而第二電極作為負(fù)極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中有機(jī)電致發(fā)光層產(chǎn)生的光透過第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中第二電極包含透明導(dǎo)電材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中每個(gè)開關(guān)元件包括帶有有源區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)的半導(dǎo)體層，設(shè)在有源區(qū)上方的柵極，與源區(qū)相連的源極，和與漏區(qū)相連的漏極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中進(jìn)一步包括與多個(gè)開關(guān)元件電性連接的多個(gè)存儲(chǔ)電容器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中每個(gè)存儲(chǔ)電容器包括用與半導(dǎo)體層相同材料制成的第一電容器電極和與源極相連的第二電容器電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一和第二鈍化層用旋涂法形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一鈍化層的厚度在約1μm至約10μm的范圍內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中第一和第二鈍化層用不同的有機(jī)材料制成。
15.制造有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括以下步驟在具有分像素區(qū)的基板上形成開關(guān)元件；在開關(guān)元件上形成第一有機(jī)材料的第一鈍化層，第一鈍化層包括用于暴露開關(guān)元件的第一接觸孔；在分像素區(qū)內(nèi)的第一鈍化層上形成第一電極，所述第一電極通過第一接觸孔與開關(guān)元件相連；在第一電極上形成第二有機(jī)材料的第二鈍化層，第二鈍化層具有用于暴露第一電極的開口，且第二鈍化層覆蓋第一電極的邊緣部分；在分像素區(qū)內(nèi)的第二鈍化層上形成有機(jī)電致發(fā)光層，有機(jī)電致發(fā)光層通過開口與第一電極接觸；和在有機(jī)電致發(fā)光層上形成第二電極，其中第一鈍化層包括具有平整上表面的第一有機(jī)材料，而第二鈍化層包括第二有機(jī)材料，所述第二有機(jī)材料的形成溫度低于無機(jī)材料的形成溫度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中第一和第二鈍化層是通過旋涂法形成的。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中第一和第二有機(jī)材料之一包括聚酰亞胺。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中聚酰亞胺的酰亞胺比率大于約95％。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中開關(guān)元件包括帶有有源區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)的半導(dǎo)體層，設(shè)在有源區(qū)上方的柵極，與源區(qū)相連的源極，和與漏區(qū)相連的漏極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括形成與開關(guān)元件電性連接的存儲(chǔ)電容器。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中存儲(chǔ)電容器包括用與半導(dǎo)體層相同材料制成的第一電容器電極和與源極相連的第二電容器電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中第一鈍化層的厚度在約1μm至約10μm的范圍內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中第一和第二鈍化層用不同的有機(jī)材料制成。
全文摘要
有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括含有光發(fā)射區(qū)的基板，光發(fā)射區(qū)中帶有分像素區(qū)；設(shè)在基板上分像素區(qū)內(nèi)的多個(gè)開關(guān)元件；覆蓋多個(gè)開關(guān)元件并且?guī)в卸鄠€(gè)第一接觸孔以暴露多個(gè)開關(guān)元件的第一鈍化層；設(shè)在第一鈍化層上的多個(gè)第一電極，每個(gè)第一電極通過每個(gè)第一接觸孔與每個(gè)開關(guān)元件連接；設(shè)在多個(gè)第一電極上的第二鈍化層，第二鈍化層上具有多個(gè)用于暴露多個(gè)第一電極的開口，而且第二鈍化層覆蓋多個(gè)第一電極的邊緣部分；設(shè)在第二鈍化層上的多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層，每個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層通過每個(gè)開口與每個(gè)第一電極接觸；和設(shè)在多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光層上的第二電極，其中用具有平整上表面的第一有機(jī)材料制作第一鈍化層，用第二有機(jī)材料制作第二鈍化層，所述第二有機(jī)材料的形成溫度低于無機(jī)材料的形成溫度。
文檔編號(hào)H05B33/14GK1476281SQ0314822
公開日2004年2月18日 申請(qǐng)日期2003年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月8日
發(fā)明者樸宰用, 俞沖根, 金玉姬, 安泰濬 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社