一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的像素電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的像素電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在平面顯示技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de, 0LED)顯示器以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、快響應(yīng)速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高溫等眾多優(yōu)點(diǎn)，而被業(yè)界公認(rèn)為是繼液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示器(PDP)之后的一種極具潛力的平板顯示器。主動(dòng)式OLED (Active Matrix OLED，AM0LED)也稱為有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管，AMOLED因通過在每個(gè)像素中集成薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)和存儲(chǔ)電容，并由存儲(chǔ)電容維持電壓的方法進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因而可以實(shí)現(xiàn)大尺寸、高分辨率面板，是當(dāng)前研究的重點(diǎn)及未來顯示技術(shù)的發(fā)展方向。
[0003]在有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管像素電路中，有機(jī)發(fā)光二極管器件屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光特性，與有源矩陣液晶顯示(AMLCD)相比，除了需要薄膜晶體管作為開關(guān)管，還需要薄膜晶體管作為驅(qū)動(dòng)管，為有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光提供恒流，即工作過程中至少包含兩個(gè)薄膜晶體管。但是，在傳統(tǒng)的兩管像素電路中，由于薄膜晶體管閾值電壓的變化，嚴(yán)重影響了顯示質(zhì)量，為了解決閾值電壓的變化引起的有機(jī)發(fā)光二極管亮度不均勻的問題，出現(xiàn)了很多補(bǔ)償閾值電壓的多管像素電路。
[0004]參閱圖1，為現(xiàn)有的4T1C像素電路原理圖。包括:數(shù)據(jù)線VdatalO、第一掃描控制線VscanlO、第二掃描控制線Vscan20、電源線Vdd、地線GND、第一晶體管T10、第二晶體管T20、第三晶體管T30、第四晶體管T40、存儲(chǔ)電容C10、有機(jī)發(fā)光二極管0LED10 ;所述第一晶體管TlO包括第一柵極glO、第一源極slO、第一漏極dlO，所述第二晶體管T20包括第二柵極g20、第二源極s20、第二漏極d20，所述第三晶體管T30包括第三柵極g30、第三源極s30、第三漏極d30，所述第四晶體管T40包括第四柵極g40、第四源極s40、第四漏極d40 ;所述第一柵極g1電性連接于第一掃描控制線VscanlO,所述第一漏極dlO電性連接于電源線Vdd，所述第一源極SlO電性連接于第三柵極g30、第四柵極g40、第三漏極d30、及存儲(chǔ)電容ClO的上極板，所述第二柵極g20電性連接于第二掃描控制線Vscan20，所述第二源極s20電性連接于數(shù)據(jù)線VdatalO，所述第二漏極d20電性連接于第三源極s30，所述第四源極s40電性連接于電源線Vdd，所述第四漏極d40電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管0LED10的陽極，所述有機(jī)發(fā)光二極管0LED10的陰極接地GND，所述存儲(chǔ)電容ClO的下極板接地GND。所述第一晶體管T10、第二晶體管T20、第三晶體管T30、第四晶體管T40均為薄膜晶體管。該種四管像素電路在預(yù)充電階段和電壓調(diào)節(jié)階段，流過有機(jī)發(fā)光二極管0LED10的電流比較大，會(huì)縮短有機(jī)發(fā)光二極管的使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的像素電路，結(jié)構(gòu)簡單，可有效解決閾值電壓的變化引起的有機(jī)發(fā)光二極管亮度不均勻的問題，且有益于有機(jī)發(fā)光二極管使用壽命的延長。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的像素電路，包括:數(shù)據(jù)線Vdata、第一掃描控制線Vscanl、第二掃描控制線Vscan2、第三掃描控制線Vscan3、電源線Vdd、地線GND、第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6、存儲(chǔ)電容Cl、有機(jī)發(fā)光二極管OLED ;所述第一晶體管Tl包括第一柵極gl、第一源極S1、第一漏極dl，所述第二晶體管T2包括第二柵極g2、第二源極s2、第二漏極d2，所述第三晶體管T3包括第三柵極g3、第三源極S3、第三漏極d3，所述第四晶體管T4包括第四柵極g4、第四源極s4、第四漏極d4，所述第五晶體管T5包括第五柵極g5、第五源極s5、第五漏極d5，所述第六晶體管T6包括第六柵極g6、第六源極s6、第六漏極d6 ;所述第一柵極gl電性連接于第一掃描控制線Vscanl,所述第一漏極dl電性連接于電源線Vdd，所述第一源極Si電性連接于第五源極s5、第三柵極g3、第三漏極d3、及存儲(chǔ)電容Cl的上極板，所述第二柵極g2電性連接于第二掃描控制線Vscan2，所述第二源極s2電性連接于數(shù)據(jù)線Vdata，所述第二漏極d2電性連接于第三源極s3 ;所述第五柵極g5電性連接于存儲(chǔ)電容Cl的上極板；所述第五漏極d5電性連接于第四柵極g4 ;所述第四源極s4電性連接于電源線Vdd，所述第四漏極d4電性連接于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極、及第六源極s6,所述第六柵極g6電性連接于第三掃描控制線Vscan3,所述第六漏極d6與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極電性連接后接地GND，所述存儲(chǔ)電容Cl的下極板接地GND。
[0007]所述第四晶體管T4為驅(qū)動(dòng)管。
[0008]所述第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6均為薄膜晶體管。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的有益效果。
[0010]本發(fā)明提供的一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的像素電路，通過增加的第五晶體管和第六晶體管的協(xié)同作用，使有機(jī)發(fā)光二極管在預(yù)充電階段和電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)階段均無電流通過，該第五晶體管與第六晶體管均作為開關(guān)管，在不改變電路功能的同時(shí)，有效延長了有機(jī)發(fā)光二極管的使用壽命，提高了像素電路的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0011]圖1為現(xiàn)有的4T1C像素電路原理圖。
[0012]圖2為本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的像素電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述。
[0014]請(qǐng)參閱圖2，為本發(fā)明有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的像素電路的電路圖。包括:數(shù)據(jù)線Vdata、第一掃描控制線Vscanl、第二掃描控制線Vscan2、第三掃描控制線Vscan3、電源線Vdd、地線GND、第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5、第六晶體管T6、存儲(chǔ)電