專利名稱：制備金屬－陶瓷復合材料 ,特別是金屬－陶瓷襯底的方法以及根據(jù)這個方法制備的陶瓷 ...的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)獨立權利要求1的前序部分的方法，以及一種根據(jù)權利要求26的前序部分的金屬-陶瓷復合材料。
術語“直接結合”指用于金屬與陶瓷復合的方法，即用來制備金屬-陶瓷復合材料的方法，更確切地說，使用起共晶體作用的并用反應氣體生成的金屬表面層，例如金屬氧化物層，在將所要連接的組件金屬和陶瓷(以后稱為復合組件)加熱到加工溫度或結合溫度(共晶溫度)時，該氧化物層熔化，在隨后的冷卻時通過將陶瓷作為一種焊料交聯(lián)制得復合組件之間的復合物。在此，結合溫度低于金屬的熔化溫度。還特別地取決于所用的金屬，該結合溫度在約714℃(銅-磷)和1820℃(鉻-氧)之間。
在一個已知的直接結合工藝中(DE 23 19 854/US3,766,634)，金屬首先在含氧的保護氣體氣氛中在低于結合溫度的溫度下氧化。隨后將金屬和陶瓷加熱到結合溫度。之后冷卻到室溫。對于銅-氧體系，在該方法中反應氣氛的氧含量為0.01-0.5體積％(100-5000ppm)。
還已知另一個更先進的直接結合工藝(DE 26 338 69/US3,994,430)，在該法中，金屬在結合之前的一個獨立的步驟中用反應氣體處理或氧化。在將要復合的金屬和陶瓷組件放在一起之后，將其在具有氧含量為0.01-0.5體積％(100-5000ppm)數(shù)量級的保護氣體氣氛的爐中加熱到結合溫度。
另外還已知一個直接結合工藝(DE 30 36 128)，其中，銅和陶瓷的復合在一個具有0.001-0.1mbar(約1-100ppm)的氧含量的真空爐中進行。
還已經(jīng)提出(DE 32 04 167/US 4,483,810)，直接結合工藝在連續(xù)爐或隧道爐中在保護氣體氣氛中實施，其中，在960℃-1072℃之間的溫度下，通過向保護氣體中定量添加氧而將氧含量設定在20-50ppm。
在所有上述已知的方法中，保護氣體氣氛的氧含量已經(jīng)遠遠高于銅-氧體系的平衡氧含量或份額。從文獻獲知，這種體系的氧含量在直接結合或DCB法實施的溫度范圍內(nèi)約為2.6-5ppm。
例如，在“銅的冶金學”Incra系列，第二卷，第56，60頁(“The Metallurgy”Incra Series，Band II，Seiten 56，60)中，對于反應在1085℃下的logK值為2.704。這相當于3.9×10-6Atm的氧分量，這大約是3.9ppm。
從J.Osterwald的博士后論文“1065-1300℃之間的銅-氧-體系的電化學平衡研究”，柏林，1965中獲知下列的氧分量與溫度的關系的公式log(Po2)＝-(20970/T)+10.166這里，Po2是以ppm計的氧分量和T以℃計的溫度。
從該公式中，可確定下列的氧分量與溫度的關系
在另一篇文獻(Neumann et al金屬工藝，1985，第85頁(Neumann et al Metal Process，1985，Seite 85))中，銅-氧體系在1065℃的共晶溫度下氧含量為2.69×10-6，這大約為2.69ppm。
這也可以確定地假設，在銅和陶瓷的直接結合(DCB法)時，平衡氧含量在2-6ppm之間。
所以，上述已知的方法的缺點之一是，由于在實施DCB過程時的保護氣體氣氛中的遠過量的氧含量而發(fā)生銅的后氧化。
本發(fā)明基于這樣的認識，即特別在金屬-陶瓷復合材料或襯底的工廠化生產(chǎn)時，以必需的精度調節(jié)控制在保護氣體氣氛中的氧含量處在小于10ppm的范圍是不可能的，或最多只能以特別高的費用才是可能的，這是由于涉及到的復雜的技術。另外本發(fā)明還基于這個認識，即在DCB過程的保護氣體氣氛中的氧分壓或氧分量小于金屬(銅)-氧體系的平衡壓力時，將導致金屬(銅)對陶瓷的粘結強度的減小，而在保護氣體氣氛中太高的氧分壓或氧分量又要導致嚴重的后氧化，這在極端的情況下會導致整個金屬，例如整個金屬或銅薄片的熔化。
本發(fā)明的目的是，提出一種工藝，這種工藝避免了已知工藝的缺點，這種工藝還能夠實現(xiàn)制備金屬-陶瓷復合材料，特別是金屬-陶瓷襯底，由其是用于具有很高質量的電氣的或電子電路襯底的簡化的方法。
為了實現(xiàn)這一目的，實現(xiàn)了相應于權利要求1的方法以及相應于權利要求26的金屬-陶瓷復合材料。該方法的進一步形成是從屬要求的內(nèi)容主題。
對于“內(nèi)保護氣體氣氛”，在本發(fā)明的意義理解為在封殼中的包封的內(nèi)腔或反應空間的內(nèi)部的保護氣體氣氛。對于“外保護氣體氣氛”理解為這種保護氣體氣氛，其在直接結合過程中包圍著各個封殼，即，在爐中的保護氣體氣氛。
根據(jù)本發(fā)明的方法特別適合用來制備金屬-陶瓷襯底，特別是制備用于電氣控制和電路的印刷電路板的銅-陶瓷襯底，在所述方法中，至少一塊陶瓷襯底和一片金屬薄片位于封殼中形成的包封的空間或反應空間中，使得金屬薄片的經(jīng)氧化的表面靠著板狀的陶瓷襯底的表面。為了通過直接結合制備復合材料，將陶瓷襯底和金屬薄片在封殼的內(nèi)腔所構成的反應空間中的保護氣體氣氛中(“內(nèi)保護氣體氣氛”)加熱到一個溫度，該溫度低于金屬的熔化溫度，但至少等于共晶金屬氧化物(例如Cu2O)的熔化溫度。在隨后的工藝步驟中，對封殼和位于反應空間中的組件進行冷卻，同樣，冷卻也是在保護氣體中進行的。
所使用的封殼例如是不完全地對外封閉的，而是具有至少一個開口，通過該開口，內(nèi)和外保護氣體氣氛之間可進行氣體交換。這種氣體交換用于，例如，在方法開始時用保護氣體取代在包封的反應空間中存在的空氣。然而，封殼所達到的對反應空間的封閉率為至少60％。在此對于“封閉率”，在本發(fā)明的意義上理解為包圍著所包封的內(nèi)腔的總面積中已封閉的面積(扣除開口面積的總面積)相對于這個總面積的百分數(shù)。95％的封閉率也就意味著，包圍內(nèi)腔的面積的95％是封閉的，只有總面積的5％由一個或多個開口構成。
根據(jù)本發(fā)明的方法的特征在于，將爐室中的保護氣體氣氛(“外保護氣體氣氛”)與封殼的內(nèi)腔或反應空間中的保護氣體氣氛(“內(nèi)保護氣體氣氛”)至少非常明顯的分隔；該外保護氣體氣氛包圍至少一個封殼；在所述反應空間中進行直接結合，并且在反應空間中至少在進行結合的區(qū)域放置金屬和陶瓷的復合組件。
優(yōu)選地，至少一個開口的橫截面或甚至多個開口的橫截面是這樣的，使得這個橫截面或總橫截面小于包圍反應空間的封殼的總內(nèi)表面的40％，即封殼的總封閉率大于60％。
令人驚奇的是，在本發(fā)明中，通過保護氣體氣氛取代在封殼內(nèi)腔中存在的空氣，進而使得，即使是當外保護氣體氣氛具有的氧含量遠低于或遠高于平衡氧含量時，在外保護氣體氣氛中的氧含量對所制得的金屬-陶瓷復合材料或所制得的金屬-陶瓷襯底的質量沒有或基本上沒有影響。根據(jù)本發(fā)明基于的認識，這種根據(jù)本發(fā)明的方法所得到的結果與外保護氣體氣氛的氧含量基本上完全的不相關性歸因于，在相對高的進行直接結合的加工溫度(960-1072℃)下，從包圍著各個封殼的外保護氣體氣氛到封殼內(nèi)部的或反應空間中的內(nèi)保護氣體氣氛中的氧擴散是非常小的。通過外保護氣體氣氛的受控流動可以增強這種效應，可通過在開始時將氣流對準各個封殼的開口進行沖洗。然后在加工溫度下的實際結合時，氣流對準封殼的封閉了的表面。
但是，在根據(jù)本發(fā)明方法的一個優(yōu)選的實施方案中，包圍封殼的保護氣體氣氛中的氧含量是受調控的，或者至少是通過調節(jié)器而限定的，此處調控或設定的精度是不需要太高。這樣就補償了大的氧含量的波動，波動的產(chǎn)生是由于從爐開口進入的氧或者由于對金屬爐組件的氧化而消耗的氧。
根據(jù)本發(fā)明的方法利用了這個事實，即氣體的擴散速度隨著溫度的升高而下降。這意味著，在過程開始時，在還是較低的溫度下，通過仍然高的外保護氣體氣氛的保護氣體的擴散速度，用這種保護氣體沖洗封殼的內(nèi)腔，這就是說，在封殼中得到的內(nèi)保護氣體氣氛對應于外保護氣體氣氛。內(nèi)保護氣體氣氛與外保護氣體氣氛的均衡還可通過對封殼內(nèi)腔的受控沖洗而強化或加速進行。
隨著對封殼、對安放在封殼內(nèi)腔(反應空間)中的復合組件，以及對內(nèi)外保護氣體氣氛不斷的加熱到加工溫度，擴散速度下降，結果盡管有封殼上的開口，事實上內(nèi)保護氣體氣氛與外保護氣體氣氛是分隔開的或幾乎是分隔開的。這樣在封殼中或在封殼的反應空間中，由于金屬薄片的氧化層的分解或由于保護氣體的氧與金屬薄片反應而引起了反應空間中的氧含量的平衡，保證了復合組件的最佳結合，這就是說，其保證了至少一片金屬薄片與至少一陶瓷層的最佳結合。在此封閉率優(yōu)選為60-95％。
對外保護氣體氣氛中的氧含量的調控優(yōu)選地依據(jù)封閉率進行。依據(jù)封閉率如下調控外保護氣體氣氛中的氧含量，例如-當外保護氣體氣氛中的氧含量為2-20ppm之間時，封閉率為60-80％，-當外保護氣體氣氛中的氧含量為50-200ppm之間或1-20ppm時，封閉率為80-95％，-當外保護氣體氣氛中的氧含量為大于200ppm或小于20ppm時，封閉率為大于95％。
下表列出了試驗結果，該試驗使用根據(jù)本發(fā)明的方法，在不同的外保護氣體氣氛的氧含量下和在不同的封閉程度下，各自都在1068℃的加工溫度下，將板狀的陶瓷(鋁氧化物陶瓷)與由銅薄片構成的銅層結合。試驗檢測了復合物在陶瓷和銅層或銅薄片之間的結合(抗剝離強度，N/cm)以及還檢測了裸露著的銅表面的表面質量(銅表面外觀)。
在上表中給出了外氣氛中的氧含量和封閉率對抗剝離強度和銅表面質量的影響。
上文假定反應空間的封閉率不是百分之百的，而是反應空間通過開口與外保護氣體氣氛相連，以使得在標準氣氛中能夠將復合組件放入包封的反應空間中并能夠在實際過程開始時通過保護氣體取代標準氣氛，特別是取代反應空間中的空氣。
為了在封殼的反應空間中形成必需的保護氣體氣氛，用外保護氣體氣氛的保護氣體通過現(xiàn)有的開口沖洗各個封殼，也就是說，在封殼中存在的空氣被保護氣體代替。假如封閉率為100％，那么必需在直接結合前另外用保護氣體沖洗反應空間，也就是說，用保護氣體代替存在在反應空間中的空氣。
至少一塊陶瓷襯底以及至少一片金屬薄片可單獨先后放入各個封殼中，或者可作為在封殼外制備好的疊層放入封殼中。
金屬薄片例如在放入封殼前的預處理步驟中氧化，例如通過用合適的反應氣體處理薄片，如氧。然而，在根據(jù)本發(fā)明的方法中，也可用已經(jīng)預氧化的金屬薄片。氧作為反應氣體特別適合于由銅構成的金屬薄片。
在爐中將各個封殼和置于該封殼中的元件加熱到直接結合溫度，優(yōu)選在連續(xù)爐或隧道爐中進行，在此，爐室含有具有經(jīng)設定的或經(jīng)調控的氧含量的外保護氣體氣氛。在外保護氣體氣氛中的氧含量的調控通過將氧定量供給到保護氣體中而進行。
然而，反應空間的百分之百的封閉率是可能的，在此必須將具有一定氧含量的保護氣體氣氛引入到反應空間中。
但是，當在封殼內(nèi)腔的金屬薄片上有相應于封殼內(nèi)腔自由體積的高氧化物含量時，用無氧的保護氣體工作也是可能的。這樣通過氧化物的分解而得到所需的平衡氧含量。
至少在100％的封閉率的情況下，包封的空間優(yōu)選地含有緩沖材料，用這種緩沖材料，在反應或結合溫度下將在內(nèi)保護氣體氣氛中，也即在包封的反應空間中的氧分量設定到和/或保持在一個值，該值保證在金屬(銅)和陶瓷之間的最佳DCB結合，同時阻止至少是干擾的后氧化。這樣通過經(jīng)緩沖材料獲得的氧分量優(yōu)選為3-10ppm。緩沖材料例如含有粉末狀的CuO，這也可能是與銅粉末的混合。
用下面的實施例的附圖更詳細地解釋本發(fā)明。


圖1-5分別為封殼結構構造的各種不同可能性的簡化示意圖；圖6是一個用于實施根據(jù)本發(fā)明的方法的連續(xù)爐俯視簡化示意圖。
在圖1中示出的和整體用1標示的封殼設計為扁平的、矩形的或正方形的盤或盒子，其具有頂面敞開的底部2和蓋3，用蓋3可將底部2的頂面封閉。在底部2中有接觸部件4，在其上放置一塊陶瓷板5以進行處理，如圖2所示，在該陶瓷板頂面上鋪上一表面氧化了的且由銅薄片構成的銅層6，使得在蓋3封閉后，由陶瓷層5和銅層6構成的多層不僅與這個蓋而且與底部下表面2’的底面都有一定距離。在蓋3中有開口7，通過該開口，包封內(nèi)腔或反應空間8與周圍的氣氛相連。銅層6與陶瓷層5的復合在連續(xù)爐中進行。具有復合組件(陶瓷層5/銅層6)的封閉的封殼1從爐的一個進口放入爐中。然后在第一爐子區(qū)域，通過開口7進行保護氣體氣氛與反應空間8中的空氣或氧的交換；保護氣體氣氛例如在95％的封閉率時具有100-200ppm的氧含量。在另一個爐子區(qū)域，加熱封殼1和在封殼中放置的復合組件到制備DCB結合所必需的加工溫度，例如1068℃。在隨后的最終爐子區(qū)域冷卻封殼1和在封殼中所含有的復合組件，該復合組件就這樣互相結合成金屬-陶瓷襯底。
作為另一個可能的實施方案，圖3示出了一個封殼1a，其與封殼1基本上只有這樣的區(qū)別，即在封殼1a的周邊面上代替蓋3的開口7設置開口7a，或在開口7的基礎上添加開口7a。這樣尤其使得多個封殼1a在爐中上下疊層是可能的。
作為另一個可能性，圖4示出了一個封殼1b，其基本上與封殼1a的區(qū)別在于，代替多個開口7a，在扁平的、矩形的或正方形的底部2b的每個周邊面只有一個開口7b。
作為另一個可能的實施方案，圖5示出了一個封殼1c，其基本上由上板9和下板10構成，它們互相平行地排列，并且通過撐桿或支柱11相互連接。后者安置在矩形或正方形的板9和10的角落處。在板9和10之間形成的空間8c，其相當于封殼1的空間8的功能，且其在所示的實施方案中封殼1c的所有的周邊是敞開的，復合組件可以單獨的依次或作為疊層從側面插入，使得由復合組件構成的疊層通過支撐元件12由陶瓷層6支撐，支撐元件在下板10上的。原則上還有這個可能性，即封殼1c這樣構成，即室8c的至少一周邊面通過一隔壁而封閉，在極端的情況下三面周邊面都封閉，結果只有一面周邊面是敞開的，通過該面復合組件的放入以及所制得的金屬(銅)-陶瓷襯底的取出是可能的。
封殼1、1a、1b、1c由耐高溫和耐氧化的材料制成，例如由合適的金屬或還可以由一種或多種陶瓷材料制成，如Al2O3、Si3N4、SiC或鎂橄欖石或莫來石制成。其他合適的用于封殼的材料也是可考慮的。
封殼1、1a、1b、1c可在例如在連續(xù)爐中，以多個并排的列使用和/或疊層使用，在此，疊層式應用特別地適合于周邊敞開的封殼1a、1b和1c，如在圖5用虛線描述的那樣。
上述的封殼1-1c各自都具有開口。如已述的那樣，基本上有這種可能性，即在封殼中構成的反應空間完全的或幾乎是完全的對外封閉的，例如對于封殼1使用沒有開口7的蓋3。在圖2中，13標示出了在空間8中的用來調控氧含量的緩沖物質，特別地當這個反應空間完全的或幾乎是完全的對外封閉的。如果反應空間是封閉的，本方法也是在外保護氣體氣氛中實施的，因為絕對的密封封閉是不可能的或者只能以相當高昂的費用才是可能的。
在圖6中，14整體上標示一個具有傳送帶15的遂道爐，通過傳送帶，封殼1、1a、1b、1c連同在封殼中所裝的復合組件(陶瓷層5和銅層6)移動通過遂道爐14或通過爐子的不同區(qū)域，例如通過預沖洗區(qū)域14.1，在此用受控的保護氣體氣流通過封殼的開口沖洗封殼的內(nèi)腔或反應空間8。沖洗區(qū)域14.1位于遂道爐14的進口16的附近，在進口處，帶有復合組件的封殼被放在傳送器15上。
然后，一個或多個溫度區(qū)域在區(qū)域14.1之后，在這些區(qū)域中加熱到加工溫度，在此，區(qū)域14.1也可以已經(jīng)是一個這樣的溫度區(qū)域的組成部分。隨后，在具有復合組件的封殼在遂道爐14的出口處取出之前，在至少另一個區(qū)域冷卻封殼，出口未示出。
上面描述了本發(fā)明的實施例。不言而喻，大量的改動以及變化是可能的，而不會偏離本發(fā)明所基于的潛在的發(fā)明思想。
圖例說明1、1a、1b、1c封殼2底部2’底部底3蓋4接觸部件5陶瓷板6銅層或銅薄片7、7a、7b開口8、8c反應空間或封殼內(nèi)腔9封殼1c的上板10 封殼1c的下板11 支柱12 支撐部件13 緩沖材料14 遂道爐14.1 遂道爐的沖洗區(qū)域14.2 遂道爐的溫度區(qū)域14、15 傳送帶16 進口
權利要求
1.一種用于制備金屬-陶瓷復合材料，特別是金屬-陶瓷襯底的方法，其中通過在保護氣體下加熱到加工溫度，將作為復合組件的至少一種優(yōu)選為板狀的陶瓷襯底與經(jīng)氧化的金屬薄片結合，加工溫度低于金屬薄片的金屬的熔點，但是至少等于由氧化層構成的共晶體的熔化溫度，該方法特征在于，至少一塊陶瓷襯底和與其結合的至少一片金屬薄片在本方法中被放置在具有內(nèi)保護氣體氣氛的由封殼(1、1a、1b、1c)形成的反應空間(8、8c)中，內(nèi)保護氣體氣氛通過封殼(1、1a、1b、1c)與包圍該封殼的外保護氣體氣氛分隔開。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其特征在于，反應空間對包圍在所述封殼周圍的外保護氣體氣氛是緊密封閉的。
3.根據(jù)權利要求1的方法，其特征在于，反應空間與包圍在所述封殼(1、1a、1b、1c)周圍的外保護氣體氣氛通過至少一個開口連通，并且開口使得反應空間的封閉率是大于60％，封閉率定義為包圍反應空間的總面積的已封閉的部分相對于該總面積的百分比。
4.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，封殼具有至少一個開口(7、7a、7b)。
5.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，本方法最大允許的外保護氣體氣氛中的氧含量隨著封閉程度的增加而增加。
6.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，在封閉率為60-80％時，外保護氣體氣氛具有約50-100ppm的氧含量。
7.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，在封閉率為60-80％時，外保護氣體氣氛具有約2-20ppm的氧含量。
8.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，在封閉率為80-95％時，外保護氣體氣氛具有50-200ppm的氧含量。
9.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，在封閉率為80-95％時，外保護氣體氣氛具有1-20ppm的氧含量。
10.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，在封閉率大于95％時，外保護氣體氣氛具有小于20ppm或大于200ppm的氧含量。
11.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用由耐高溫的和耐氧化的材料，例如金屬制成的封殼。
12.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用由例如Al2O3、Si3N4、SiC、鎂橄欖石和/或莫來石的至少一種陶瓷材料制成的封殼。
13.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用包圍反應空間的框架形式的封殼。
14.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用由上壁和下壁以及支撐這些壁保持相互距離的撐桿(11)構成的封殼。
15.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用至少一面外周面是敞開的用于組件的放入和取出的封殼(1c)。
16.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用具有蓋(3)的盤狀封殼(1、1a、1b)。
17.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用在一面外周面和/或在一個底部和/或在一個蓋中具有至少一個開口(7、7a、7b)的封殼。
18.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用具有至少一種用于復合組件的接觸表面(4、12)的封殼。
19.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用具有在反應空間中加入了緩沖材料的封殼，緩沖材料用來在直接結合過程中在反應空間中產(chǎn)生氧平衡勢。
20.根據(jù)權利要求17的方法，其特征在于，使用基于氧化銅，優(yōu)選為基于氧化銅/銅的緩沖材料(13)。
21.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，封閉率的范圍在99和65％之間。
22.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，使用遂道爐或連續(xù)爐，其中封殼(1、1a、1b、1c)放置在傳送器上。
23.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，在連續(xù)爐或遂道爐的傳送器上，多個封殼(1、1a、1b、1c)疊層和/或位于多個并排的列中。
24.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，在連續(xù)爐中在直接結合或加熱到加工或結合溫度前，對至少一個封殼進行預加熱，以及在結合后對封殼進行冷卻，這都是在外保護氣體氣氛下進行的。
25.根據(jù)上述權利要求之一的方法，其特征在于，在將帶有復合組件的各個封殼(1、1a、1b、1c)加熱到加工溫度或結合溫度前，用沖洗氣體氣流通過封殼(1、1a、1b、1c)的開口沖洗反應空間(8、8c)至少一次，在此，沖洗氣流的氣體優(yōu)選是外保護氣體氣氛的氣體。
26.一種根據(jù)上述權利要求之一的方法制備的金屬-陶瓷復合材料，特別是金屬-陶瓷襯底。
全文摘要
本發(fā)明涉及到一種用于制備金屬－陶瓷復合材料，特別是金屬－陶瓷襯底的方法，該法中，作為復合組件的板狀的陶瓷襯底與經(jīng)氧化的金屬薄片通過在保護氣體氣氛中加熱到加工溫度通過直接結合而互相復合。在此，復合組件被放入在封殼內(nèi)構成的反應空間中，反應空間與外保護氣體氣氛通過封殼分隔開，或只通過小的開口截面與外保護氣體氣氛保持連通。
文檔編號H05K1/03GK1692090SQ02803092
公開日2005年11月2日 申請日期2002年9月5日 優(yōu)先權日2001年10月1日
發(fā)明者于爾根·舒爾策-哈德 申請人:于爾根·舒爾策-哈德