專利名稱：改變透明導電層透射率的方法、平板顯示器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種顯示器中使用的透明導電膜，更具體地，涉及一種改變透明導電膜透射率的方法。本發(fā)明還涉及一種平板顯示器及其制造方法。
背景技術：
透明導電膜具有超過80％的優(yōu)良透射率和高電導率，并且例如用作太陽能電池或顯示器的像素電極或公共電極，該顯示器例如為等離子體顯示板(PDP)、液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管(OLED)。透明導電膜在傳輸光以再現(xiàn)色彩方面具有非常重要的作用。
圖1示出了一橫截面視圖，示出了具有作為像素電極的透明導電膜的傳統(tǒng)有機電致發(fā)光(EL)顯示器。
提供一個具有第一和第二區(qū)501和502的絕緣襯底500。在第一區(qū)501上將形成像素，并將在第二區(qū)502上形成薄膜晶體管(TFT)和存儲電容器。
在絕緣襯底500上形成緩沖層520。在緩沖層520覆蓋第二區(qū)502的部分上形成半導體層530。柵極絕緣層540形成在襯底500的整個表面上。柵電極551形成在柵極絕緣層540覆蓋半導體層530的部分上。下部電容器電極552同時形成為柵電極551。
離子注入n型雜質或p型雜質以形成源極區(qū)和漏極區(qū)531和532。半導體層530在源極區(qū)和漏極區(qū)531和532之間的部分533用作溝道區(qū)。
層間絕緣層560形成在襯底500的整個表面上。柵極絕緣層540和層間絕緣層560同時得以蝕刻以暴露部分源極區(qū)和漏極區(qū)531和532，從而形成接觸孔561和562。
接著，在層間絕緣層560上形成源電極和漏電極571和572以分別接觸源極區(qū)和漏極區(qū)531和532。同時，上部電容器電極573形成來連接源電極和漏電極571和572中的任何一個。圖1中，上部電容器電極573連接源電極571。層間絕緣層560形成在下部電容器電極522上的一部分用作電容器的介電層。
隨后，在層間絕緣層560上形成鈍化膜580。蝕刻鈍化膜580以暴露源電極和漏電極571和572中的任何一個，從而形成通孔581。圖1中，通孔581暴露漏電極572的一部分。
其后，例如由氧化銦錫(ITO)制造的透明導電膜沉積在鈍化膜580上，并被構圖，從而在第一區(qū)501上形成像素電極590(即，陽極電極)。像素電極590通過通孔581電連接漏電極572。
接著，在襯底500的整個表面上形成平坦層600，并對其構圖以形成開口部分610。開口部分610顯露了部分陽極電極590。
在陽極電極590的暴露部分上形成有機EL層620。形成陰極電極630以覆蓋有機EL層620，從而完成傳統(tǒng)有機EL顯示器。
諸如上述有源矩陣有機EL顯示器的平板顯示器包括開關元件和用以向開關元件施加電源的引線(wire line)。環(huán)境光自金屬制造的引線反射，于是對比度降低。也即，環(huán)境光自下部和上部電容器電極、源電極和漏電極、以及陰極電極反射。
可以設置偏振器來防止對比度降低。然而，采納偏振器的成本高，增加了有機EL顯示器的整體制造費用。此外，偏振器遮擋了從有機EL層620發(fā)射的光，于是降低了透射率，導致低亮度。
可選地，可以在不包括第一區(qū)501的第二區(qū)502的剩余部分上形成由Cr/CrOx或有機材料制造的黑矩陣(black matrix)，以防止對比度降低。然而，這要求額外的掩模工序以形成黑矩陣。此外，隨著第一和第二區(qū)501和502之間的臺階差(step difference)增大(加深)，柵電極551與源電極和漏電極531和532之間的短路可能發(fā)生。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種具有高對比的平板顯示器，及其改進的制造方法。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點將在以下的說明中部分提及，并且因該說明而部分地清晰，或可由本發(fā)明的實施而理解。
為了實現(xiàn)本發(fā)明一實施例的以上和其它目的，提供一種改變透明導電膜的透射率的方法，該方法包括在一個襯底上形成透明導電膜，以及將高能量源注入到該透明導電膜中，以改變透明導電膜的透射率。
該高能量源例如為被加速的離子。被加速的離子可以包括H、P、B、As和Ar中的一種。高能量源以例如40KeV至100KeV的能量注入。該高能量源以不同的能量級別至少注入一次。高能量源的注入劑量例如為3×1015ions/cm2至2×1016ions/cm2。透明導電膜可以包括ITO、氧化銦(IO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化鋅(ZnO)，且具有400埃至4000埃的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，改變透明導電膜的透射率的方法包括在襯底上形成透明導電膜；在透明導電膜上形成掩模以暴露部分透明導電膜；以及將高能量源注入到透明導電膜的暴露部分中，以改變透明導電膜的透射率。
高能量源以例如40KeV至100KeV的能量注入。掩模包括光致抗蝕劑膜、絕緣膜和導電膜中的一種。
根據(jù)本發(fā)明的再一實施例，提供一種制造平板顯示器的方法，該方法包括提供具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底(“襯底”)；利用網(wǎng)膜版掩模(half-tone mask)分別在第一和第二區(qū)上形成像素電極和黑矩陣；在襯底的整個表面上形成絕緣層；在相應于黑矩陣的區(qū)域上形成電連接像素電極的薄膜晶體管；在襯底的整個表面上形成平坦層；以及形成開口部分以暴露部分像素電極。
形成像素電極和黑矩陣包括在襯底的整個表面上形成透明導電膜；在透明導電膜上涂覆光敏膜；構圖光敏膜以分別在第一和第二區(qū)域上形成第一和第二光敏圖案，其中第一光敏圖案具有比第二光敏圖案厚的厚度；利用第一和第二光敏圖案蝕刻透明導電膜，以形成第一和第二透明導電圖案；將雜質離子摻雜到第二透明導電圖案中，從而形成黑矩陣，其中第一光敏圖案用作掩模來防止雜質離子摻雜到第二透明導電圖案中；以及去除第一光敏圖案的其余部分，從而形成像素電極。
該雜質以例如40KeV至100KeV的能量離子摻雜至少一次。
根據(jù)本發(fā)明的再一實施例，制造平板顯示器的方法包括提供具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底；在襯底的整個表面上形成透明導電膜；形成光敏膜以暴露透明導電膜與襯底第二區(qū)相應的部分；利用光敏膜作為掩模將雜質離子摻雜到透明導電膜的暴露部分中，從而形成黑矩陣；在襯底的整個表面上形成第一絕緣層；在第一絕緣層相應于黑矩陣的部分上形成薄膜晶體管；在襯底的整個表面上形成第二絕緣層；在第二絕緣層的相應于襯底第一區(qū)的部分上形成與薄膜晶體管電連接的像素電極；在襯底的整個表面上形成第三絕緣層；以及，形成開口部分以暴露部分像素電極。
該雜質以例如40KeV至100KeV的能量離子摻雜至少一次。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種平板顯示器，其包括具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底、以及具有第一和第二圖案的透明導電膜，其中，形成在第一區(qū)上的第一圖案用作像素電極，形成在第二區(qū)上的第二圖案用作黑矩陣。
該透明導電膜的第二圖案的透射率通過離子摻雜操作改變。透明導電膜的第一和第二圖案可以彼此分隔，或可彼此整體連接。


通過以下結合附圖對實施例進行的說明，本發(fā)明的這些和其它目的和優(yōu)點將變得更清楚和更易于理解，圖中圖1是橫截面視圖，示出了具有作為像素電極的透明導電膜的傳統(tǒng)有機EL顯示器；圖2A和2B是橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例改變透明導電膜的透射率的方法；圖3是一曲線圖，示出了透明導電膜相應于離子摻雜雜質的劑量的透射率；圖4是一曲線圖，示出了透明導電膜相應于離子摻雜方法的透射率；圖5是一曲線圖，示出了透明導電膜相應于透明導電膜厚度的透射率；圖6是一曲線圖，示出了透明導電膜相應于離子摻雜能量的透射率；圖7是一曲線圖，示出了透明導電膜相應于雜質劑量的功函數(shù)；圖8A和8B是橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例改變透明導電膜的透射率的方法；圖9A至9D是橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明再一實施例制造有機EL顯示器的方法；以及圖10A至10C是橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明再一實施例制造有機EL顯示器的方法。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細參照本發(fā)明的實施例，實施例的示例在附圖中示出，其中相同的附圖標記表示相同的元件。以下說明實施例，以參照附圖闡述本發(fā)明。
圖2A和2B示出了橫截面視圖，說明了根據(jù)本發(fā)明一實施例改變透明導電膜12的透射率的方法。
如圖2A所示，在襯底10上形成透明導電膜12。高能加速的雜質14被離子摻雜到透明導電膜12中，以改變透射率，如圖2B所示。即，獲得了具有例如低透射率的透明導電膜15。
此處，諸如H、P、B、As或Ar的雜質14由40KeV至100KeV的高能量加速，并利用例如離子注入機或離子簇射機來離子摻雜。雜質14的劑量在3×1015ions/cm2至2×1016ions/em2之間。透明導電膜12具有400埃至4000埃的厚度，并由氧化銦錫(ITO)、氧化銦(IO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋅(ZnO)中的一種制造。
圖3示出了一曲線圖，示出了透明導電膜相應于離子摻雜的雜質的劑量的透射率。透明導電膜的透射率在離子摻雜雜質時改變。如圖3所示，偏振片(例如，λ/4波片)具有40％的透射率，而由雜質離子摻雜的、具有1.5×1016ions/cm2劑量的透明導電膜具有30％的透射率。
透明導電膜的透射率通過雜質的離子摻雜改變，因為氧在離子摻雜操作過程中因加速的雜質的轟擊而離開。也即，因為氧脫離透明導電膜，透明導電膜的金屬成分相對增加，從而降低了透明導電膜的透射率。
圖4示出了一曲線圖，示出了透明導電膜相應于離子摻雜方法的透射率。如圖4所示，在重復地離子摻雜由不同能量加速的加速離子的曲線上，透明導電膜的透射率可以降得更低。
例如，按以下方式處理的透明導電膜(即，厚2000埃的ITO)比以70KeV能量、以1.5×1016ions/cm2劑量的B2H6離子摻雜一次的同樣透明導電膜具有更低的透射率，該方式為1)以70KeV能量、以1.0×1016ions/cm2劑量的B2H6離子摻雜；2)以40KeV能量、以0.5×1016ions/cm2劑量的B2H6再次離子摻雜。
此處，以上1)和2)條件下的離子摻雜方法的總劑量(1.0×1016ions/cm2+0.5×1016ions/cm2)被設置成等于一次離子摻雜方法的劑量(1.5×1016ions/cm2)。
圖5顯示了一曲線圖，示出了透明導電膜相應于透明導電膜厚度的透射率。如圖5所示，隨著透明導電膜厚度的增加，透明導電膜的透射率下降。
圖6示出了一曲線圖，示出了透明導電膜相應于所用離子摻雜能量的透射率。如圖6所示，在離子摻雜能量超過40keV的曲線中，透明導電膜的透射率低于偏振片。
圖7顯示了一曲線，示出透明導電膜相應于雜質劑量的功函數(shù)。如圖7所示，隨著雜質劑量減小，透明導電膜的功函數(shù)減小。這是因為透明導電膜的氧與加速的離子反應，于是透明導電膜的氧含量降低。
圖8A和8B顯示了橫截面視圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例改變透明導電膜22的透射率的方法。
參照圖8A，透明導電膜22形成在襯底20上。掩模23形成在透明導電膜22上，以暴露部分透明導電膜22，其中透射率將被改變。
參照圖8B，由高能量加速的雜質24被離子摻雜到透明導電膜22的暴露部分中。結果，透明導電膜22具有摻雜部分22a和非摻雜區(qū)22b。透明導電膜22的摻雜部分22a具有低于非摻雜區(qū)22b的透射率。
此處，諸如H、P、B、As或Ar的雜質40由40keV至100keV的高能量加速，并通過利用離子注入機或離子簇射機而被離子摻雜。雜質40的劑量在3×1015ions/cm2和2×1016ions/cm2之間。
掩模23由光敏膜、絕緣膜、導電膜或任意種類可阻擋雜質被離子摻雜到透明導電膜22的非摻雜區(qū)22b中的材料中的一種制成。
透明導電膜22的非摻雜區(qū)22b用作顯示器的像素電極或公共電極，且透明導電膜22的摻雜部分22a用作黑矩陣。
以下，將集中于有機EL顯示器說明根據(jù)本發(fā)明制造平板顯示器的方法。
圖9A至9D顯示了橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例制造有機EL顯示器的方法。
參照圖9A，提供具有第一和第二區(qū)101和102的透明絕緣襯底(“襯底”)100。第一區(qū)101是其中將要形成例如薄膜晶體管(TFT)和電容器的區(qū)域。第二區(qū)102是其中將要形成有機EL元件的區(qū)域。
透明導電膜120形成在襯底100上。在透明導電膜120上涂敷光敏膜130。光敏膜130由例如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺(PI)、丙烯中的一種制造。
利用網(wǎng)膜版掩模250構圖光敏膜130以形成第一光敏構圖131和第二光敏構圖132，如圖8B所示。
網(wǎng)膜版掩模250包括半透明部分251和遮光部分252。網(wǎng)膜版掩模250除半透明部分251和遮光部分252以外的其余部分為透光部分。半透明部分251形成在相應于黑矩陣的位置上，該黑矩陣將在以下說明的操作中形成。遮光部分252形成在相應于像素電極的位置上，該像素電極將在以下說明的操作中形成。
形成在襯底100的第二區(qū)102上的第二光敏圖案132具有與光敏膜130相同的厚度，而形成在第一區(qū)101上的第一光敏圖案131具有比光敏膜130薄的厚度。
參見圖9C，利用第一和第二光敏圖案131和132作為掩模構圖透明導電膜120，從而形成第一和第二透明導電圖案120a和120b。此時，在第一透明導電膜120a上無任何殘留，但是第二光敏圖案132未去除并保留在第二透明導電膜120b上。
接著，通過40keV至100keV的高能量加速雜質，并將雜質離子摻雜到第一和第二透明導電膜120a和120b中。然而，因為第二光敏圖案132用作掩模，所以雜質僅離子摻雜到第一透明導電膜120a中。此處，離子摻雜工序可重復進行，以將第一透明導電膜120a的透射率降低到所需水平。
因此，由于第一透明導電膜120a的氧含量降低，所以第一透明導電膜120a的透射率改變，因此折射系數(shù)改變，以使第一透明導電膜120a用作黑矩陣，該黑矩陣防止了由有機EL顯示器的金屬線引起的光反射。
然而，第二透明導電膜120b的透射率未變。因此，第二透明導電膜120b用作像素電極。
參見圖9D，在襯底100的整個表面上形成緩沖層140。半導體層150形成在緩沖層140在襯底100第一區(qū)101上的部分上。柵極絕緣層160形成在襯底100的整個表面上。
柵電極171形成在柵極絕緣層160的位于半導體層150上的部分上。同時，下部電容器電極175形成在襯底100的第一區(qū)101上。利用柵電極作為掩模，將n型雜質或p型雜質離子摻雜到半導體層150中，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)151和152。此處，半導體層150在源極區(qū)和漏極區(qū)151和152之間的部分153用作溝道區(qū)。
在襯底100的整個表面上形成層間絕緣層180。形成第一至第三接觸孔181至183，以分別暴露部分源極區(qū)和漏極區(qū)151和152、以及部分像素電極120b。
金屬層沉積在層間絕緣層180上，并被構圖以形成源電極和漏電極191和192、以及上部電容器電極193。源電極191通過第一接觸孔181電連接至源極區(qū)151。漏電極192分別通過第二和第三接觸孔182和183電連接至漏極區(qū)152和像素電極120b。上部電容器電極193連接至源電極191。
形成平坦層200。形成開口部分210以顯露部分像素電極120b。以下，即使未示出，有機EL層也形成在像素電極120b的暴露部分上，且陰極電極形成得覆蓋有機EL層。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明制造有機EL顯示器的方法僅需六道掩模操作，因此制造工藝簡化。此外，自有機EL層發(fā)射的光所經(jīng)過的層減少，且黑矩陣形成在除像素區(qū)102外的其它區(qū)域上，從而提高了對比度和亮度。
需要理解的是，網(wǎng)膜版掩?？梢栽O計成僅包括半透明部分和遮光部分。在此情形下，黑矩陣和像素電極不分隔并彼此連接，從而防止了透明導電膜的臺階部分的出現(xiàn)。
圖10A至10C顯示了橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明再一實施例的有機EL顯示器的制造方法。
參照圖10A，提供具有第一和第二區(qū)301和302的透明絕緣襯底300。第一區(qū)301是其中將形成薄膜晶體管(TFT)和電容器的區(qū)域。第二區(qū)302是其中將形成有機EL元件的區(qū)域。透明導電膜310形成在襯底300上。
在透明導電膜310上涂敷光敏膜325，并對其構圖以暴露透明導電膜310在襯底300第一區(qū)301上的部分，如圖10B所示。
雜質(由圖10B的箭頭顯示)被高能量加速，并被離子摻雜到透明導電膜310上，從而形成黑矩陣。即，透明導電膜310的非摻雜部分310a用于例如傳輸自有機EL層發(fā)射的光，該有機EL層將在以下所述的操作中形成，且透明導電膜310的摻雜部分310b用作黑矩陣。離子摻雜工藝由與上述相同的操作進行。
參見圖10C，在襯底300的整個表面上形成緩沖層320。在緩沖層320的在襯底300的第一區(qū)301上的部分上形成半導體層330。柵極絕緣層340形成在襯底300的整個表面上。
柵電極351形成在柵極絕緣層340在半導體層330上的部分上。同時，在襯底300的第一區(qū)301上形成下部電容器電極355。將柵電極351用作掩模，將n型雜質或p型雜質離子摻雜到半導體層330中，形成源極區(qū)和漏極區(qū)331和332。然而，半導體層330在源極區(qū)和漏極區(qū)331和332之間的部分353用作溝道區(qū)。
層間絕緣層360形成在襯底300的整個表面上。形成第一和第二接觸孔361和362，以顯露部分源極區(qū)和漏極區(qū)331和332。
金屬層沉積在層間絕緣層360上，并被構圖以形成源電極和漏電極371和372、以及上部電容器電極373。源電極371通過第一接觸孔361與源極區(qū)331電連接。漏電極372通過第二接觸孔362電連接漏極區(qū)332。上部電容器電極373連接源電極371。
在襯底300的整個表面上形成鈍化膜380。形成通孔以暴露部分漏電極372。像素電極390形成在鈍化膜380在襯底300第二區(qū)302上的部分上，并通過接觸孔381電連接到漏電極372。
在襯底300的整個表面上形成平坦層400。形成開口部分401以暴露部分像素電極390。有機EL層410形成在像素電極390的暴露得部分上，且形成陰極電極420以覆蓋有機EL層390。
雖然在緩沖層320前形成了黑矩陣，但是應當理解的是，黑矩陣可在緩沖層320之后形成。
如上所述，透明導電膜的一部分的透射率可以通過離子摻雜操作來改變，以在提供公共電極或像素電極的同時提供黑矩陣。
因為可以利用一道掩模操作來同時形成像素電極和黑矩陣，所以整個制造工藝簡化，導致了高的生產(chǎn)量。此外，在不利用高成本的偏振片的情況下，防止了光反射，導致了低的制造成本和高的亮度。
雖然本發(fā)明的幾個實施例已經(jīng)得以顯示和說明，但是本領域技術人員應當理解，在不脫離本發(fā)明的宗旨和精髓的情況下，可對實施例進行改變，本發(fā)明的范圍由所附權利要求和其等價物確定。
權利要求
1.一種改變透明導電膜的透射率的方法，該方法包括在一個襯底上形成透明導電膜；以及將高能量源注入到該透明導電膜中，以改變透明導電膜的透射率。
2.如權利要求1所述的方法，其中，該高能量源為被加速的離子。
3.如權利要求2所述的方法，其中，被加速的離子包括H、P、B、As和Ar中的一種。
4.如權利要求2所述的方法，其中，高能量源以40keV至100keV的能量注入。
5.如權利要求4所述的方法，其中，該高能量源以不同的能量注入至少一次。
6.如權利要求2所述的方法，其中，高能量源的注入劑量為3×1015ions/cm2至2×1016ions/cm2。
7.如權利要求1所述的方法，其中，透明導電膜包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦(IO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化鋅(ZnO)中的一種。
8.如權利要求7所述的方法，其中，透明導電膜具有400埃至4000埃的厚度。
9.如權利要求1所述的方法，還包括在透明導電膜上形成掩模，以顯露部分透明導電膜。
10.如權利要求9所述的方法，其中，掩模包括光致抗蝕劑膜、絕緣膜和導電膜中的一種。
11.一種制造平板顯示器的方法，該方法包括提供具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底；利用網(wǎng)膜版掩模分別在第一和第二區(qū)上形成像素電極和黑矩陣；在絕緣襯底的整個表面上形成絕緣層；在相應于黑矩陣的區(qū)域上形成電連接像素電極的薄膜晶體管；在絕緣襯底的整個表面上形成平坦層；以及形成開口部分以暴露部分像素電極。
12.如權利要求11所述的方法，其中，像素電極和黑矩陣的形成包括在絕緣襯底的整個表面上形成透明導電膜；在透明導電膜上涂覆光敏膜；構圖光敏膜以分別在第一和第二區(qū)域上形成第一和第二光敏圖案，其中第一光敏圖案具有比第二光敏圖案厚的厚度；利用第一和第二光敏圖案蝕刻透明導電膜，形成第一和第二透明導電圖案；將雜質離子摻雜到第二透明導電圖案中，從而形成黑矩陣，其中第一光敏圖案用作掩模來防止雜質離子摻雜到第二透明導電圖案中；以及去除第一光敏圖案的其余部分，從而形成像素電極。
13.如權利要求12所述的方法，其中，雜質以40keV至100keV的能量離子摻雜至少一次。
14.一種制造平板顯示器的方法，該方法包括提供具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底；在絕緣襯底的整個表面上形成透明導電膜；形成光敏膜以暴露透明導電膜與絕緣襯底的第二區(qū)相應的部分；利用光敏膜作為掩模離子摻雜雜質到透明導電膜的暴露部分中，從而形成黑矩陣；在絕緣襯底的整個表面上形成第一絕緣層；在第一絕緣層相應于黑矩陣的部分上形成薄膜晶體管；在絕緣襯底的整個表面上形成第二絕緣層；在第二絕緣層的相應于絕緣襯底第一區(qū)的部分上形成與薄膜晶體管電連接的像素電極；在絕緣襯底的整個表面上形成第三絕緣層；以及形成開口部分以暴露部分像素電極。
15.如權利要求14所述的方法，其中，雜質以40keV至100keV的能量離子摻雜至少一次。
16.一種平板顯示器，包括具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底；以及具有第一和第二圖案的透明導電膜，其中，第一圖案形成在第一區(qū)上并用作像素電極，第二圖案形成在第二區(qū)上并用作黑矩陣。
17.如權利要求16所述的平板顯示器，其中，透明導電膜的第二圖案具有通過離子摻雜工藝改變的透射率。
18.如權利要求16所述的平板顯示器，其中，透明導電膜的第一和第二圖案彼此分隔。
19.如權利要求16所述的平板顯示器，其中，透明導電膜的第一和第二圖案彼此整體相連。
20.如權利要求1所述的方法，其中透明導電膜包括金屬成分含量和氧含量；以及高能量源到透明導電膜內的注入減少了透明導電膜的氧含量。
21.如權利要求6所述的方法，其中高能量源的注入包括以40keV至100keV的一個能量注入一部分劑量；以及以40keV至100keV的一個不同的能量注入另一部分劑量。
22.如權利要求1所述的方法，其中，透明導電膜的透射率還通過改變襯底上透明導電膜的厚度改變。
23.如權利要求14所述的方法，其中，重復雜質到暴露部分中的離子摻雜，直到在透明導電膜的暴露部分中獲得所需的透射率。
24.如權利要求16所述的方法，其中，透明導電膜的第二圖案具有與透明導電膜的第一圖案不同的折射系數(shù)。
25.如權利要求24所述的方法，其中，透明導電膜的第一圖案具有比透明導電膜的第二圖案高的氧含量。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種改變透明導電層透射率的方法、平板顯示器及其制造方法。該方法包括在一個襯底上形成透明導電膜；以及將高能量源注入到該透明導電膜中,以改變透明導電膜的透射率。
文檔編號H05B33/28GK1423344SQ0215242
公開日2003年6月11日 申請日期2002年11月27日 優(yōu)先權日2001年11月29日
發(fā)明者樸商一, 金昌樹 申請人:三星Sdi株式會社