專利名稱：高頻器件及通信終端設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及高頻器件及通信終端設(shè)備，特別涉及裝載于便攜式電話等通信終端設(shè)備的高頻器件、以及具有該高頻器件的通信終端設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，作為裝載于移動(dòng)通信終端的天線裝置，像專利文獻(xiàn)1、2、3所記載的那樣，提出了利用配置在終端殼體內(nèi)部的金屬體(印刷布線基板的接地板等)作為發(fā)射元件的殼體偶極天線。在這種殼體偶極天線中，通過對(duì)折疊式或滑動(dòng)式的便攜式通信終端中的兩塊殼體接地板(主體部殼體的接地板和蓋體部殼體的接地板)進(jìn)行差動(dòng)供電，能得到與偶極天線相同的性能。此外，由于利用設(shè)置于殼體的接地板作為發(fā)射元件，因此，無需另外設(shè)置專用的發(fā)射元件，能實(shí)現(xiàn)便攜式通信終端的小型化。然而，在上述殼體偶極天線中，接地板的阻抗會(huì)根據(jù)用作為發(fā)射元件的接地板的形狀、殼體的形狀、甚至靠近的金屬體(靠近配置的電子元器件、鉸鏈零部件等)的配置狀況等而變化。因此，為了要盡可能地減少高頻信號(hào)的能量損耗，需要對(duì)每一機(jī)種設(shè)計(jì)阻抗匹配電路。此外，在折疊式或滑動(dòng)式的便攜式通信終端中，接地板、阻抗匹配電路的阻抗會(huì)根據(jù)主體部殼體和蓋體部殼體的位置關(guān)系(例如，在折疊式中，關(guān)閉蓋體部的狀態(tài)和打開蓋體部的狀態(tài))而變化。因此，為了控制阻抗，有時(shí)還需要控制電路等。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2004-172919號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利特開2005-6096號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本專利特開2008-118359號(hào)公報(bào)

實(shí)用新型內(nèi)容因而，本實(shí)用新型的目的在于提供一種高頻器件及通信終端設(shè)備，該高頻器件及通信終端設(shè)備能不受發(fā)射元件或殼體的形狀、靠近元器件的配置狀況等的影響，穩(wěn)定高頻信號(hào)的頻率。本實(shí)用新型的第一方式的高頻器件的特征在于，包括層疊體，該層疊體是將多個(gè)介質(zhì)層或磁性體層層疊而成；供電端子，該供電端子設(shè)置于所述層疊體，并與供電電路相連接；天線端子，該天線端子設(shè)置于所述層疊體，并與發(fā)射元件相連接；一次側(cè)串聯(lián)電路，該一次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置于所述層疊體，包括第一線圈元件、以及與該第一線圈元件串聯(lián)連接的第二線圈元件，并與所述供電端子相連接；以及二次側(cè)串聯(lián)電路，該二次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置于所述層疊體，包括與所述該第一線圈元件耦合的第三線圈元件、以及與所述第三線圈元件串聯(lián)連接且與所述第二線圈元件耦合的第四線圈元件，并與所述天線端子相連接，所述第一及第二線圈元件以這些線圈元件所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞，[0015]所述第三及第四線圈元件以這些線圈元件所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞。本實(shí)用新型的第一方式的高頻器件優(yōu)選為，所述層疊體還包括接地的接地端子。本實(shí)用新型的第一方式的高頻器件優(yōu)選為，還包括電容元件，該電容元件裝載于所述層疊體的一個(gè)主面。本實(shí)用新型的第二方式的通信終端設(shè)備的特征在于，包括高頻器件、供電電路、以及發(fā)射元件，所述高頻器件包括層疊體，該層疊體是將多個(gè)介質(zhì)層或磁性體層層疊而成；供電端子，該供電端子設(shè)置于所述層疊體；天線端子，該天線端子設(shè)置于所述層疊體；一次側(cè)串聯(lián)電路，該一次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置于所述層疊體，包括第一線圈元件、以及與該第一線圈元件串聯(lián)連接的第二線圈元件，并與所述供電端子相連接；以及二次側(cè)串聯(lián)電路，該二次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置于所述層疊體，包括與所述該第一線圈元件耦合的第三線圈元件、以及與所述第三線圈元件串聯(lián)連接且與所述第二線圈元件耦合的第四線圈元件，并與所述天線端子相連接，所述第一及第二線圈元件以這些線圈元件所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞，所述第三及第四線圈元件以這些線圈元件所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞，所述供電電路與所述供電端子相連接，所述發(fā)射元件與所述天線端子相連接。在所述高頻器件及通信終端設(shè)備中，一次側(cè)串聯(lián)電路和二次側(cè)串聯(lián)電路進(jìn)行電磁場耦合、磁場耦合等，主要利用磁通以高耦合度進(jìn)行耦合，通過一次側(cè)串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)與供電電路側(cè)的阻抗匹配，并通過二次側(cè)串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)與發(fā)射元件側(cè)的阻抗匹配，從而發(fā)送/接收信號(hào)的頻率穩(wěn)定。而且，高頻信號(hào)的能量傳輸效率高，不受發(fā)射元件或殼體的形狀、靠近元器件的配置狀況等的影響，穩(wěn)定高頻信號(hào)的頻率。根據(jù)本實(shí)用新型，能不受發(fā)射元件或殼體的形狀、靠近元器件的配置狀況等的影響，穩(wěn)定高頻信號(hào)的頻率。

圖1是示意性表示具有天線裝置的便攜式通信終端的說明圖，圖1 (A)表示第一示例，圖I(B)表示第二示例。圖2表示實(shí)施例1的天線裝置，圖2(A)是等效電路圖，圖2(B)是動(dòng)作原理圖，圖2(C)是從作為濾波器的角度畫出的電路圖。圖3(A) 圖3(D)分別是表示實(shí)施例1的天線裝置的通過特性的曲線圖。圖4表示構(gòu)成作為層疊體的穩(wěn)頻電路，圖4(A)是表面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖，圖4(B)是背面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。圖5是將構(gòu)成作為層疊體的穩(wěn)頻電路的第一示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。[0037]圖6是表示圖5所示的穩(wěn)頻電路的動(dòng)作原理的說明圖。圖7是將構(gòu)成作為層疊體的穩(wěn)頻電路的第二示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖8是表示實(shí)施例2的天線裝置的等效電路圖。圖9是將構(gòu)成作為層疊體的穩(wěn)頻電路的第三示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖10是將構(gòu)成作為層疊體的穩(wěn)頻電路的第四示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖11是表示實(shí)施例3的天線裝置的等效電路圖。圖12是表示實(shí)施例4的天線裝置的等效電路圖。圖13是表示實(shí)施例5的天線裝置的等效電路圖。圖14是表示實(shí)施例6的天線裝置的等效電路圖。圖15是表示實(shí)施例6的天線裝置的應(yīng)用示例的等效電路圖。圖16表示高頻器件的第一示例，圖16(A)是表面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖，圖16(B)是背面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。圖17是將高頻器件的第一示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖18是表示高頻器件的第一示例的動(dòng)作原理的說明圖。圖19是將高頻器件的第二示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖20是將高頻器件的第三示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖21 (A)是表示實(shí)施例7的天線裝置的等效電路圖，圖21⑶是表示其變形例的等效電路圖。圖22是將高頻器件的第四示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖23是表示實(shí)施例8的天線裝置的等效電路圖。圖M是將高頻器件的第五示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖25是表示實(shí)施例9的天線裝置的等效電路圖。圖沈是將高頻器件的第六示例進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖27是表示高頻器件的第六示例的動(dòng)作原理的說明圖。圖觀表示實(shí)施例10的阻抗變換元件，圖觀(A)是等效電路圖，圖觀⑶是動(dòng)作原理圖。圖四是實(shí)施例10的阻抗變換元件的層疊結(jié)構(gòu)的簡要立體圖。圖30是圖四所示的層疊結(jié)構(gòu)中的動(dòng)作原理圖。圖31表示構(gòu)成作為層疊體的實(shí)施例10的阻抗變換元件，圖31 (A)是表面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖，圖31(B)是背面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。圖32是將實(shí)施例10的阻抗變換元件的層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖33是表示實(shí)施例11的阻抗變換元件的等效電路圖。圖34是將實(shí)施例11的阻抗變換元件的層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖35是將實(shí)施例12的阻抗變換元件的層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行分解而示出的立體圖。圖36是實(shí)施例12的阻抗變換元件的動(dòng)作原理圖。圖37是將實(shí)施例13的阻抗變換元件的層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行分解而示出的立體圖。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖，說明本實(shí)用新型所涉及的高頻器件及通信終端設(shè)備的實(shí)施例。另外，在各圖中，對(duì)于相同構(gòu)件、部分標(biāo)注共用的標(biāo)號(hào)，省略重復(fù)的說明。(便攜式通信終端、參照?qǐng)D1)在圖KA)中示出第一示例的便攜式通信終端1，在圖I(B)中示出第二示例的便攜式通信終端2。它們是接收面向便攜式電話/移動(dòng)終端的一段部分接收服務(wù)(通稱移動(dòng)數(shù)字電視)的高頻信號(hào)用G70 770MHz)的終端。如圖1 (A)所示，便攜式通信終端1包括作為蓋體部的第一殼體10和作為主體部的第二殼體20，第一殼體10與第二殼體20通過折疊式或滑動(dòng)式連接。在第一殼體10上設(shè)置有也起到作為接地板的作用的第一發(fā)射元件11，在第二殼體20上設(shè)置有也起到作為接地板的作用的第二發(fā)射元件21。第一及第二發(fā)射元件11、21由包括金屬箔等薄膜或?qū)щ娦院系群衲さ膶?dǎo)電體膜形成。該第一及第二發(fā)射元件11、21通過由供電電路30差動(dòng)供電，得到與偶極天線大致相同的性能。供電電路30具有RF電路、基帶電路之類的信號(hào)處理電路。如圖I(B)所示，便攜式通信終端2將第一發(fā)射元件11設(shè)置作為天線單體。第一發(fā)射元件11可使用貼片天線、金屬板天線、線圈天線等各種天線元件。此外，作為該天線元件，也可利用例如沿著殼體10的內(nèi)周面或外周面而設(shè)置的線狀導(dǎo)體。第二發(fā)射元件21也起到作為第二殼體20的接地板的作用，也可使用與第一發(fā)射元件11相同的各種天線。順帶一提，便攜式通信終端2不是折疊式或滑動(dòng)式、而是直線結(jié)構(gòu)的終端。另外，第二發(fā)射元件21也可以不一定是充分起到作為發(fā)射體的作用的元件，第一發(fā)射元件11也可以是像所謂的單極天線那樣動(dòng)作的元件。供電電路30的一端與第二發(fā)射元件21相連接，另一端通過穩(wěn)頻電路35與第一發(fā)射元件11相連接。此外，第一及第二發(fā)射元件11、21通過連接線33相互連接。該連接線33起到分別裝載于第一及第二殼體10、20的電子元器件(省略圖示)的連接線的作用，雖然對(duì)于高頻信號(hào)作為電感元件進(jìn)行動(dòng)作，但對(duì)天線的性能不起直接作用。穩(wěn)頻電路35設(shè)置在供電電路30與第一發(fā)射元件11之間，使得從第一及第二發(fā)射元件11、21發(fā)送來的高頻信號(hào)、或利用第一及第二發(fā)射元件11、21接收到的高頻信號(hào)的頻率特性穩(wěn)定。因此，不受第一發(fā)射元件11或第二發(fā)射元件21的形狀、第一殼體10或第二殼體20的形狀、接近元器件的配置狀況等影響，穩(wěn)定高頻信號(hào)的頻率特性。特別是在折疊式或滑動(dòng)式的便攜式通信終端的情況下，雖然第一及第二發(fā)射元件11、21的阻抗容易根據(jù)蓋體部即第一殼體10相對(duì)于主體部即第二殼體20的開關(guān)狀態(tài)而變化，但通過設(shè)置穩(wěn)頻電路35，可使高頻信號(hào)的頻率特性穩(wěn)定。S卩，由于該穩(wěn)頻電路35可承擔(dān)與天線的設(shè)計(jì)相關(guān)的重要事項(xiàng)即中心頻率的設(shè)定、通帶寬度的設(shè)定、阻抗匹配的設(shè)定等頻率特性的調(diào)整功能，天線元件本身主要僅考慮方向性、增益即可，因此，容易進(jìn)行天線的設(shè)計(jì)。以下，作為實(shí)施例1 6，說明穩(wěn)頻電路35的詳情。(實(shí)施例1、參照?qǐng)D2 圖8)如圖2㈧所示，實(shí)施例1的天線裝置所使用的穩(wěn)頻電路(也稱為穩(wěn)定電路)35由與供電電路30相連接的一次側(cè)電抗電路、以及通過電場或磁場與該一次側(cè)電抗電路進(jìn)行耦合的二次側(cè)電抗電路構(gòu)成。一次側(cè)電抗電路由包括第一電抗元件、以及與該第一電抗元件串聯(lián)連接的第二電抗元件的一次側(cè)串聯(lián)電路36構(gòu)成。二次側(cè)電抗電路由包括與第一電抗元件耦合的第三電抗元件、以及與該第三電抗元件串聯(lián)連接且與第二電抗元件耦合的第四電抗元件的二次側(cè)串聯(lián)電路37構(gòu)成。具體而言，第一電抗元件由第一電感元件Ll構(gòu)成，第二電抗元件由第二電感元件L2構(gòu)成，第三電抗元件由第三電感元件L3構(gòu)成，第四電抗元件由第四電感元件L4構(gòu)成。一次側(cè)串聯(lián)電路36的一端(第一電感元件Ll的一端)與供電電路30相連接，二次側(cè)串聯(lián)電路37的一端(第三電感元件L3的一端)與第一發(fā)射元件11相連接。一次側(cè)串聯(lián)電路36的另一端(第二電感元件L2的另一端)以及二次側(cè)串聯(lián)電路37的另一端(第四電感元件L4的另一端)與第二發(fā)射元件21相連接。如圖2(B)所示，第一電感元件Ll與第二電感元件L2相互以相同相位進(jìn)行磁場耦合及電場耦合，同樣地，第三電感元件L3和第四電感元件L4相互以相同相位進(jìn)行磁場耦合及電場耦合。即，通過第一及第二電感元件L1、L2形成閉合磁路，該電感元件L1、L2主要通過電磁場進(jìn)行耦合，并以使得因磁場耦合而流過的電流與因電場耦合而流過的電流的方向相一致的方式進(jìn)行圖案布線。此外，通過第三及第四電感元件L3、L4形成閉合磁路，該電感元件L3、L4主要通過電磁場進(jìn)行耦合，并以使得因磁場耦合而流過的電流與因電場耦合而流過的電流的方向相一致的方式進(jìn)行圖案布線。此外，第一電感元件Ll和第三電感元件L3相互以相反相位進(jìn)行耦合，并以使得因磁場耦合而流過的電流與因電場耦合而流過的電流的方向相一致的方式進(jìn)行圖案布線，同樣地，第二電感元件L2和第四電感元件L4相互以相反相位進(jìn)行耦合，并以使得因磁場耦合而流過的電流與因電場耦合而流過的電流的方向相一致的方式進(jìn)行圖案布線。即，由于第一及第三電感元件L1、L3和第二及第四電感元件L2、L4分別形成閉合磁路，這些閉合磁路彼此之間、即一次側(cè)串聯(lián)電路36與二次側(cè)串聯(lián)電路37主要通過電磁場進(jìn)行耦合，電場耦合和磁場耦合使電流沿同一方向流過，因此，與僅磁場的耦合或僅電場的耦合相比，可得到更強(qiáng)的電磁場耦合。另外，所謂“通過電磁場進(jìn)行耦合”，是指通過電場的耦合、通過磁場的耦合、或通過電場和磁場這二者的耦合。在采用以上結(jié)構(gòu)的穩(wěn)頻電路35中，從供電電路30流入到一次側(cè)串聯(lián)電路36的高頻信號(hào)電流導(dǎo)向第一電感元件Li，并且，在各電感元件由線圈圖案形成的情況下，通過感應(yīng)磁場作為二次電流導(dǎo)向第三電感元件L3。此外，導(dǎo)向第二電感元件L2的高頻信號(hào)電流通過感應(yīng)磁場作為二次電流導(dǎo)向第四電感元件L4。其結(jié)果是，高頻信號(hào)電流沿圖2(B)中箭頭所示的方向流動(dòng)。S卩，在一次側(cè)串聯(lián)電路36中，由于第一電感元件Ll和第二電感元件L2串聯(lián)且以相同相位連接，因此，若有電流流過第一電感元件Ll及第二電感元件L2，則在各電感元件L1、L2之間形成閉合磁路。同樣地，在二次側(cè)串聯(lián)電路37中，由于第三電感元件L3和第四電感元件L4串聯(lián)且以相同相位連接，因此，若因一次側(cè)串聯(lián)電路36所產(chǎn)生的閉合磁路而引起感應(yīng)電流流過第三電感元件L3及第四電感元件L4，則在各電感元件L3、L4之間形成閉合磁路。而且，由于第一電感元件Ll和第二電感元件L2如上述那樣形成閉合磁路，且以相同相位進(jìn)行耦合，因此，一次側(cè)串聯(lián)電路36的總電感值可以看成小于將第一電感元件Ll的電感值和第二電感元件L2的電感值進(jìn)行簡單相加后的電感值。另一方面，第一電感元件Ll和第三電感元件L3通過互感耦合，該互感值成為將第一電感元件Ll的電感值和第三電感元件L3的電感值進(jìn)行相加后的電感值。第二電感元件L2和第四電感元件L4的關(guān)系也同樣。[0083]S卩，由于在一次側(cè)串聯(lián)電路36與二次側(cè)串聯(lián)電路37之間形成的互感值的總和可以看成比一次側(cè)串聯(lián)電路36或二次側(cè)串聯(lián)電路37的電感值相對(duì)要大，因此，可觀察到一次側(cè)串聯(lián)電路36與二次側(cè)串聯(lián)電路37的耦合度變高。即，由于一次側(cè)串聯(lián)電路36及二次側(cè)串聯(lián)電路37中的磁場分別形成閉合磁路，因此，產(chǎn)生串聯(lián)電路36的整個(gè)電感值(=L1+L2-ML1L2)和串聯(lián)電路37的整個(gè)電感值(=L3+L4-MUl4)，在二次側(cè)串聯(lián)電路37中流過與抵消由一次側(cè)串聯(lián)電路36產(chǎn)生的磁場的方向的電流(例如與位移電流相同)相同方向的電流。因而，由于一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37各自的功率基本沒有泄漏，而且，串聯(lián)電路36和串聯(lián)電路37的整個(gè)互感值(=ML1L3+ML2L4)大于串聯(lián)電路36的整個(gè)電感值(=L1+L2-ML1L2)及串聯(lián)電路37的整個(gè)電感值(=L3+L4-ML3L4)，因此，一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37的耦合度變高。由此，一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37的耦合度可得到0. 7以上、甚至1. 0以上(特別是根據(jù)頻率，可達(dá)到耦合度2. 0)的高耦合度。在上述穩(wěn)頻電路35中，由于主要利用一次側(cè)串聯(lián)電路36實(shí)現(xiàn)與供電電路30 —側(cè)的阻抗匹配，利用二次側(cè)串聯(lián)電路37實(shí)現(xiàn)與第一發(fā)射元件11 一側(cè)的阻抗匹配，即，由于可分別獨(dú)立設(shè)計(jì)一次側(cè)串聯(lián)電路36的阻抗和二次側(cè)串聯(lián)電路37的阻抗，因此，容易進(jìn)行阻抗匹配。若從作為濾波器的角度來描繪圖2 (B)所示的等效電路，則成為像圖2 (C)那樣。電容元件Cl是由第一及第二電感元件Li、L2形成的線間電容，電容元件C2是由第三及第四電感元件L3、L4形成的線間電容。此外，電容元件C3是由一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37形成的線間電容(寄生電容)。即，利用一次側(cè)串聯(lián)電路36形成LC并聯(lián)諧振電路Rl，利用二次側(cè)串聯(lián)電路37形成LC并聯(lián)諧振電路R2。而且，若設(shè)LC并聯(lián)諧振電路Rl中的諧振頻率為F1、LC并聯(lián)諧振電路R2中的諧振頻率為F2，則在Fl =F2的情況下，來自供電電路30的高頻信號(hào)呈現(xiàn)圖3(A)所示的通過特性。通過使第一及第二電感元件Li、L2、第三及第四電感元件L3、L4分別以相反相位進(jìn)行耦合，由于L1+L2以及L3+L4變小，因此，即使增大各電感元件Ll L4的電感值，諧振頻率也不會(huì)下降，從而能增大Ll L4。因此，可得到寬頻帶的通過特性。而且，如圖3(B)所示，來自第一發(fā)射元件11的高頻信號(hào)可得到曲線A所示的寬頻帶的通過特性。該機(jī)理雖然不一定清楚，但可認(rèn)為是由于LC并聯(lián)諧振電路R1、R2進(jìn)行耦合，因此退化會(huì)解除，AF取決于諧振電路R1、R2的耦合度。即，可與耦合度成正比實(shí)現(xiàn)寬頻帶化。另一方面，在Fl Φ F2的情況下，來自供電電路30的高頻信號(hào)呈現(xiàn)圖3(C)所示的通過特性。如圖3(D)所示，來自第一發(fā)射元件11的高頻信號(hào)可得到曲線B所示的寬頻帶的通過特性。可認(rèn)為這也是由于LC并聯(lián)諧振電路R1、R2進(jìn)行耦合，因此退化會(huì)解除。若諧振電路Rl、R2的耦合度較大，則展寬成為寬頻帶的通過特性。這樣，由于利用穩(wěn)頻電路35本身具有的諧振特性，決定阻抗匹配等頻率特性，因此，頻率不容易產(chǎn)生偏差。此外，通過得到寬頻帶的通過特性，即使阻抗有稍許變化，也可確保通過頻帶。即，與發(fā)射元件的尺寸、形狀、甚至發(fā)射元件的環(huán)境無關(guān)，可使收發(fā)的高頻信號(hào)的頻率特性穩(wěn)定。此外，由于穩(wěn)頻電路35由閉合磁路形成，因此，屏蔽圖案也可位于諧振電路的上下部。由此，因外部環(huán)境而產(chǎn)生的特性變化進(jìn)一步變小。上述穩(wěn)頻電路35可作為圖4所示的貼片型的層疊體40而構(gòu)成。該層疊體40是
8將由介質(zhì)或磁性體形成的多個(gè)基材層進(jìn)行層疊的部件，在其背面設(shè)置有與供電電路30相連接的供電端子41、與第二發(fā)射元件21相連接的接地端子42、以及與第一發(fā)射元件11相連接的天線端子43。除此之外，在背面還設(shè)置有用于安裝的NC端子44。另外，在層疊體40的表面也可根據(jù)需要裝載阻抗匹配用的貼片型電感器或貼片型電容器。在采用這種結(jié)構(gòu)的情況下，僅變更裝載的電感器或電容器，就可對(duì)應(yīng)于各種輸入輸出阻抗。此外，也可以在層疊體40內(nèi)利用電極圖案形成電感元件或電容元件。這里，參照?qǐng)D5，說明內(nèi)置于上述層疊體40的穩(wěn)頻電路35的第一示例。在該第一示例中，在最上層的基材層51a上形成有導(dǎo)體61，在第二層的基材層51b上形成有成為第一及第二電感元件L1、L2的導(dǎo)體62，在第三層的基材層51c上形成有成為第一及第二電感元件L1、L2的兩個(gè)導(dǎo)體63、64。在第四層的基材層51d上形成有成為第三及第四電感元件L3、L4的兩個(gè)導(dǎo)體65、66，在第五層的基材層51e上形成有成為第三及第四電感元件L3、L4的導(dǎo)體67。此外，在第六層的基材層51f上形成有接地導(dǎo)體68，在第七層的基材層51g的背面形成有供電端子41、接地端子42、以及天線端子43。另外，在最上層的基材層51a上層疊有未圖示的無圖案基材層。作為導(dǎo)體61 68，可將銀或銅等導(dǎo)電性材料作為主要成分而形成。作為基材層51a 51g，若是介質(zhì)，則可使用玻璃陶瓷材料、環(huán)氧類樹脂材料等，若是磁性體，則可使用鐵氧體陶瓷材料或含有鐵氧體的樹脂材料等。作為基材層用的材料，特別是在形成UHF頻帶用的穩(wěn)頻電路的情況下，優(yōu)選使用介質(zhì)材料，在形成HF頻帶用的穩(wěn)頻電路的情況下，優(yōu)選使用磁性體材料。通過層疊上述基材層51a 51g，各自的導(dǎo)體61 68以及端子41、42、43通過層間連接導(dǎo)體(過孔導(dǎo)體)相連接，形成圖2(A)所示的等效電路。即，供電端子41通過過孔導(dǎo)體45a、導(dǎo)體61、以及過孔導(dǎo)體4 與線圈圖案63的一端相連接，線圈圖案63的另一端通過過孔導(dǎo)體45c與線圈圖案62a的一端相連接。此外，線圈圖案62a的另一端與線圈圖案62b的一端相連接，線圈圖案62b的另一端通過過孔導(dǎo)體45d與線圈圖案64的一端相連接。線圈圖案64的另一端通過過孔導(dǎo)體4 與接地導(dǎo)體68相連接，接地導(dǎo)體68通過過孔導(dǎo)體45f與接地端子42相連接。即，利用線圈圖案63以及線圈圖案62a構(gòu)成第一線圈圖案、即電感元件Li，利用線圈圖案62b以及線圈圖案64構(gòu)成第二線圈圖案、即電感元件L2。此外，天線端子43通過過孔導(dǎo)體45g與線圈圖案65的一端相連接，線圈圖案65的另一端通過過孔導(dǎo)體45h與線圈圖案67a的一端相連接。此外，線圈圖案67a的另一端與線圈圖案67b的一端相連接，線圈圖案67b的另一端通過過孔導(dǎo)體45i與線圈圖案66的一端相連接。線圈圖案66的另一端通過過孔導(dǎo)體45j與接地導(dǎo)體68相連接，接地導(dǎo)體68通過過孔導(dǎo)體45f與接地端子42相連接。即，利用線圈圖案65以及線圈圖案67a構(gòu)成第三線圈圖案、即電感元件L3，利用線圈圖案67b以及線圈圖案66構(gòu)成第四線圈圖案、即電感元件L4。而且，如圖5所示，第一及第二線圈圖案以第一線圈圖案的卷繞軸和第二線圈圖案的卷繞軸成平行的方式相鄰配置，第三及第四線圈圖案以第三線圈圖案的卷繞軸和第四線圈圖案的卷繞軸成平行的方式相鄰配置。此外，第一及第三線圈圖案配置成第一線圈圖案的卷繞軸和第三線圈圖案的卷繞軸大體成為同一直線，第二及第四線圈圖案配置成第二
9線圈圖案的卷繞軸和第四線圈圖案的卷繞軸大體成為同一直線。另外，雖然各線圈圖案利用一匝的環(huán)狀導(dǎo)體來構(gòu)成，但也可以利用多匝的環(huán)狀導(dǎo)體來構(gòu)成。此外，第一及第三線圈圖案無需配置成各線圈圖案的卷繞軸嚴(yán)格地成為同一直線，只要在俯視時(shí)第一及第三線圈圖案的線圈開口相互重疊、即公共的磁通通過各線圈圖案那樣卷繞即可。同樣地，第二及第四線圈圖案無需配置成各線圈圖案的卷繞軸嚴(yán)格地成為同一直線，只要在俯視時(shí)第二及第四線圈圖案的線圈開口相互重疊、即公共的磁通通過各線圈圖案那樣卷繞即可。像以上那樣，通過將電感元件Ll L4內(nèi)置于由介質(zhì)或磁性體形成的層疊體40，特別是將成為一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37的耦合部的區(qū)域設(shè)置在層疊體40的內(nèi)部，從而構(gòu)成穩(wěn)頻電路35的元件的元件值、甚至一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37的耦合度難以受到來自與層疊體40相鄰配置的其他電子元件的影響。其結(jié)果是，能實(shí)現(xiàn)頻率特性的進(jìn)一步穩(wěn)定。然而，在裝載上述層疊體40的印刷布線基板(未圖示)上設(shè)置有各種布線，這些布線和穩(wěn)頻電路35有可能互相干擾。像本實(shí)施例那樣，通過在層疊體40的底部將接地導(dǎo)體68設(shè)置成覆蓋由導(dǎo)體61 67形成的線圈圖案的開口，使得由線圈圖案產(chǎn)生的磁場難以受到來自印刷布線基板上的各種布線的磁場的影響。換言之，電感元件Ll L4的L值難以產(chǎn)生偏差。在第一示例的穩(wěn)頻電路35中，如圖6所示，從供電端子41輸入的高頻信號(hào)電流像箭頭a、b所示的那樣流動(dòng)，像箭頭c、d所示的那樣導(dǎo)向第一電感元件Ll (導(dǎo)體62、63)，并進(jìn)一步像箭頭e、f所示的那樣導(dǎo)向第二電感元件L2(導(dǎo)體62、64)。通過由一次電流(箭頭c、d)產(chǎn)生的磁場C，在第三電感元件L3 (導(dǎo)體65、67)中像箭頭g、h所示的那樣激勵(lì)出高頻信號(hào)電流，流過感應(yīng)電流(二次電流)。同樣地，通過由一次電流(箭頭e、f)產(chǎn)生的磁場C，在第四電感元件L4(導(dǎo)體66、67)中像箭頭i、j所示的那樣激勵(lì)出高頻信號(hào)電流，流過感應(yīng)電流(二次電流)。其結(jié)果是，箭頭k所示的高頻信號(hào)電流流過天線端子43，箭頭1所示的高頻信號(hào)電流流過接地端子42。另外，若流過供電端子41的電流(箭頭a)是相反方向，則其他電流也沿相反方向流動(dòng)。此外，由于第一電感元件Ll的線圈圖案63與第三電感元件L3的線圈圖案65相對(duì)，因此，會(huì)產(chǎn)生電場耦合，因該電場耦合而流過的電流(位移電流)沿與感應(yīng)電流相同的方向流動(dòng)，利用磁場耦合和電場耦合提高耦合度。同樣地，第二電感元件L2的線圈圖案64與第四電感元件L4的線圈圖案66也產(chǎn)生磁場耦合和電場耦
口 O在一次側(cè)串聯(lián)電路36中，第一及第二電感元件Li、L2相互以相同相位進(jìn)行耦合，在二次側(cè)串聯(lián)電路37中，第三及第四電感元件L3、L4相互以相同相位進(jìn)行耦合，各自形成閉合磁路。因此，能減少第一電感元件Ll與第二電感元件L2之間、以及第三電感元件L3與第四電感元件L4之間的能量損耗。另外，若使第一及第二電感元件Li、L2的電感值、第三及第四電感元件L3、L4的電感值實(shí)質(zhì)上為相同元件值，則閉合磁路的泄漏磁場減少，能進(jìn)一步減少能量損耗。此外，由于通過接地導(dǎo)體68，第三電感元件L3及第四電感元件L4進(jìn)行電場耦合，因此，因該電場耦合而流過的位移電流增強(qiáng)了元件L3、L4之間的耦合度。同樣地，通過在元件Li、L2之間產(chǎn)生電場耦合，能增強(qiáng)元件Li、L2之間的耦合度。此外，由一次側(cè)串聯(lián)電路36中的一次電流所激勵(lì)的磁場C、和由二次側(cè)串聯(lián)電路37中的二次電流所激勵(lì)的磁場D，是以通過感應(yīng)電流抵消彼此之間的磁場的方式產(chǎn)生。通過利用感應(yīng)電流來減少能量損耗，第一及第三電感元件Li、L3、以及第二及第四電感元件L2、L4以高耦合度進(jìn)行耦合。即，一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37通過高耦合度進(jìn)行耦合。另外，穩(wěn)頻電路35的電感值優(yōu)選小于連接兩個(gè)發(fā)射元件11、21的連接線33的電感值。這是由于能減少與頻率特性相關(guān)的連接線33的電感值的影響。通過使第一及第二電感元件Li、L2、第三及第四電感元件L3、L4以相同相位進(jìn)行耦合，能減少穩(wěn)頻電路35的電感值。根據(jù)以上那樣的本實(shí)施例，由于一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37利用閉合磁路與閉合磁路之間的耦合(電磁場耦合)，因此，通過一次側(cè)串聯(lián)電路36實(shí)現(xiàn)與供電電路30 —側(cè)的阻抗匹配，并通過二次側(cè)串聯(lián)電路37實(shí)現(xiàn)與第一發(fā)射元件11 一側(cè)的阻抗匹配，從而能在一次側(cè)和二次側(cè)獨(dú)立地進(jìn)行阻抗匹配。而且，由于高頻信號(hào)能量的傳輸效率提高，因此，不會(huì)受到發(fā)射元件11、21和殼體10、20的形狀、開關(guān)狀態(tài)等的較大影響，能在寬頻帶內(nèi)穩(wěn)定高頻信號(hào)的頻率特性。接下來，參照?qǐng)D7，說明穩(wěn)頻電路35的第二示例。該第二示例與上述第一示例采用基本相同的結(jié)構(gòu)，與第一示例的不同點(diǎn)在于省略基材層51a而在基材層51b上形成導(dǎo)體61，以及省略接地導(dǎo)體68而在基材層51h上形成連接用導(dǎo)體69。在本第二示例中，由于省略了接地導(dǎo)體68，因此，優(yōu)選在裝載該層疊體40的印刷布線基板上設(shè)置與接地導(dǎo)體68相當(dāng)?shù)钠帘斡脤?dǎo)體。(實(shí)施例2、參照?qǐng)D8 圖10)在圖8中表示實(shí)施例2的天線裝置。這里所使用的穩(wěn)頻電路35是在上述一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37的基礎(chǔ)上設(shè)置又一個(gè)二次側(cè)串聯(lián)電路38 ( 二次側(cè)電抗電路)的電路。構(gòu)成二次側(cè)串聯(lián)電路38的第五電感元件L5和第六電感元件L6相互以相同相位進(jìn)行耦合。第五電感元件L5與第一電感元件Ll以相反相位進(jìn)行耦合，第六電感元件L6與第二電感元件L2以相反相位進(jìn)行耦合。第五電感元件L5的一端與第一發(fā)射元件11相連接，第六電感元件L6的一端與第二發(fā)射元件21相連接。參照?qǐng)D9，說明將該穩(wěn)頻電路35作為層疊體40而構(gòu)成的第三示例。該第三示例是在上述第一示例所示的層疊體40上，進(jìn)一步層疊形成有成為二次側(cè)串聯(lián)電路38的第五及第六電感元件L5、L6的導(dǎo)體71、72、73的基材層51i、51j。即，與上述第一 第四電抗元件相同，分別由第五及第六電感元件L5、L6構(gòu)成第五及第六電抗元件，利用線圈圖案形成該第五及第六電感元件L5、L6，并且，將構(gòu)成第五及第六電感元件L5、L6的線圈圖案以該電感元件L5、L6所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞。本實(shí)施例2和層疊體40的第三示例的動(dòng)作與上述實(shí)施例1和上述第一示例基本相同。在本實(shí)施例2中，通過利用兩個(gè)二次側(cè)串聯(lián)電路37、38夾著一次側(cè)串聯(lián)電路36，從一次側(cè)串聯(lián)電路36到二次側(cè)串聯(lián)電路37、38的高頻信號(hào)的能量傳輸損耗減少。接下來，參照?qǐng)D10，說明將該穩(wěn)頻電路35作為層疊體40而構(gòu)成的第四示例。該第四示例在上述第三示例的層疊體40上進(jìn)一步層疊設(shè)置有接地導(dǎo)體74的基材層51k。接地導(dǎo)體74與設(shè)置在底部的接地導(dǎo)體68相同，具有覆蓋由導(dǎo)體71、72、73所形成的線圈的開口的面積。因此，在本第四示例中，通過設(shè)置接地導(dǎo)體74，由線圈形成的磁場難以受到來自配置在層疊體40的正上方的各種布線的磁場的影響。這樣，即使第一及第三電感元件Li、L3、第二及第四電感元件L2、L4分別以相同相位進(jìn)行耦合，也能使一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37進(jìn)行耦合。(實(shí)施例3、參照?qǐng)D11)在圖11中表示實(shí)施例3的天線裝置。這里所使用的穩(wěn)頻電路35具有與上述實(shí)施例1基本相同的結(jié)構(gòu)。不同點(diǎn)在于第一電感元件Ll和第三電感元件L3相互以相同相位進(jìn)行耦合，第二電感元件L2和第四電感元件L4相互以相同相位進(jìn)行耦合。即，第一及第三電感元件Li、L3主要通過磁場進(jìn)行耦合，第二及第四電感元件L2、L4主要通過磁場進(jìn)行耦合。本實(shí)施例3的作用效果與實(shí)施例1基本相同。通過使構(gòu)成各電感元件Ll L4的線圈圖案像這樣進(jìn)行卷繞，由于形成有在電感元件Ll與電感元件L2之間形成的閉合磁路(第一閉合磁路)、在電感元件L3與電感元件L4之間形成的閉合磁路(第二閉合磁路)、由該第一閉合磁路和第二閉合磁路形成的閉合磁路(第三閉合磁路)，因此，能將各電感元件Ll L4中的高頻信號(hào)的損耗抑制在最低限度。(實(shí)施例4、參照?qǐng)D12)在圖12中表示實(shí)施例4的天線裝置。這里所使用的穩(wěn)頻電路35與實(shí)施例1相同，其作用效果與實(shí)施例1相同。與實(shí)施例1的不同點(diǎn)在于在穩(wěn)頻電路35與第二發(fā)射元件21之間配置有電容元件C4。電容元件C4起到作為用于隔離直流分量、低頻分量的偏置隔離(bias cut)用的作用，還起到作為ESD應(yīng)對(duì)元件的作用。(實(shí)施例5、參照?qǐng)D13)在圖13中表示實(shí)施例5的天線裝置。該天線裝置是可與GSM方式或CDMA方式對(duì)應(yīng)的多頻帶對(duì)應(yīng)型移動(dòng)無線通信系統(tǒng)(800MHz頻帶、900MHz頻帶、1800MHz頻帶、1900MHz頻帶)所使用的天線裝置。這里所使用的穩(wěn)頻電路35是在一次側(cè)串聯(lián)電路36與二次側(cè)串聯(lián)電路37之間插入電容元件C5的電路，其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，其作用效果與實(shí)施例1基本相同。此外，設(shè)置有分岔單極型天線11a、lib作為發(fā)射元件。另外，電容元件C5起到作為用于使高頻帶側(cè)(1800MHz頻帶、1900MHz頻帶)的信號(hào)主要不通過一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37而從分岔單極型天線IlaUlb通到供電電路30 (或者相反)的耦合電容器的作用。若由一次側(cè)串聯(lián)電路36及二次側(cè)串聯(lián)電路37形成的阻抗比在高頻帶側(cè)(1800MHz頻帶、1900MHz頻帶)和低頻帶側(cè)(800MHz頻帶、900MHz頻帶)的任一側(cè)均進(jìn)行匹配，則不一定需要設(shè)置電容元件C5。該天線裝置可用作為移動(dòng)通信終端的主天線。在該分岔單極型天線IlaUlb中，天線Ila主要起到作為高頻帶側(cè)(1800 MOOMHz頻帶)的天線發(fā)射元件的作用，天線lib主要起到作為低頻帶側(cè)(800 900MHz頻帶)的天線發(fā)射元件的作用。這里，分岔單極型天線IlaUlb在各自的對(duì)應(yīng)頻帶作為天線無需進(jìn)行諧振。這是由于穩(wěn)頻電路35使天線11a、lib所具有的特性阻抗與RF電路的阻抗相匹配。例如，穩(wěn)頻電路35在800 900MHz頻帶下，使天線lib所具有的特性阻抗與RF電路的阻抗(通常為50 Ω )相匹配。由此，可從天線lib發(fā)送RF電路的信號(hào)，或利用天線lib接收給RF電路的信號(hào)。另外，在這樣相距較大的多個(gè)頻帶實(shí)現(xiàn)阻抗匹配的情況下，也可以將多個(gè)穩(wěn)頻電路35并聯(lián)配置等，在各自的頻帶實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。此外，也可以使多個(gè)二次側(cè)串聯(lián)電路37與一次側(cè)串聯(lián)電路36進(jìn)行耦合，利用多個(gè)二次側(cè)串聯(lián)電路37實(shí)現(xiàn)在各自的頻帶的阻抗匹配。(實(shí)施例6、參照?qǐng)D14及圖15)如圖14㈧所示，實(shí)施例6的天線裝置所使用的穩(wěn)頻電路35由與供電電路30相連接的一次側(cè)電抗電路、以及通過電場或磁場與該一次側(cè)電抗電路進(jìn)行耦合的二次側(cè)電抗電路構(gòu)成。一次側(cè)電抗電路由包括第一電抗元件以及與該第一電抗元件串聯(lián)連接的第二電抗元件的一次側(cè)串聯(lián)電路36構(gòu)成。二次側(cè)電抗電路由包括與第一電抗元件耦合的第三電抗元件、以及與該第三電抗元件串聯(lián)連接且與第二電抗元件耦合的第四電抗元件的二次側(cè)串聯(lián)電路37構(gòu)成。具體而言，第一電抗元件由第一電感元件Ll構(gòu)成，第二電抗元件由第二電感元件L2構(gòu)成，第三電抗元件由第三電感元件L3構(gòu)成，第四電抗元件由第四電感元件L4構(gòu)成。一次側(cè)串聯(lián)電路36的一端(第一電感元件Ll的一端)與供電電路30相連接，二次側(cè)串聯(lián)電路37的一端(第三電感元件L3的一端)與第一發(fā)射元件11相連接。一次側(cè)串聯(lián)電路36的另一端(第二電感元件L2的另一端)以及二次側(cè)串聯(lián)電路37的另一端(第四電感元件L4的另一端)與第二發(fā)射元件21相連接。如圖14(B)所示，第一電感元件Ll與第二電感元件L2相互以相反相位進(jìn)行耦合，同樣地，第三電感元件L3和第四電感元件L4相互以相反相位進(jìn)行耦合。此外，第一電感元件Ll和第三電感元件L3相互以相反相位進(jìn)行耦合，同樣地，第二電感元件L2和第四電感元件L4相互以相反相位進(jìn)行耦合。在采用以上結(jié)構(gòu)的穩(wěn)頻電路35中，從供電電路30流入到一次側(cè)串聯(lián)電路36的高頻信號(hào)電流導(dǎo)向第一電感元件Li，并且，在各電感元件由線圈圖案形成的情況下，通過感應(yīng)磁場作為二次電流導(dǎo)向第三電感元件L3。此外，導(dǎo)向第二電感元件L2的高頻信號(hào)電流通過感應(yīng)磁場作為二次電流導(dǎo)向第四電感元件L4。其結(jié)果是，高頻信號(hào)電流沿圖14(B)中箭頭所示的方向流動(dòng)。在本實(shí)施例6的結(jié)構(gòu)中，第一電感元件Ll和第二電感元件L2以相互增強(qiáng)磁場的方式進(jìn)行動(dòng)作，并且，第三電感元件L3和第四電感元件L4也以相互增強(qiáng)磁場的方式進(jìn)行動(dòng)作，一次側(cè)串聯(lián)電路36與二次側(cè)串聯(lián)電路37之間的磁場形成閉合磁路。因而，特別是如圖15所示，通過利用包括電感元件L3和電感元件L4的串聯(lián)電路的第一二次側(cè)串聯(lián)電路37、以及包括電感元件L5和電感元件L6的串聯(lián)電路的第二二次側(cè)串聯(lián)電路38夾著一次側(cè)串聯(lián)電路36，能減少從二次側(cè)串聯(lián)電路37、38到一次側(cè)串聯(lián)電路36的高頻信號(hào)的能量傳輸損耗。另外，本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)還改變了圖8所示的天線裝置、以及電感元件L2、L4、L6的卷繞方向。(高頻器件的第一示例、參照?qǐng)D16 圖18)高頻器件135可作為圖16所示的貼片型的層疊體140而構(gòu)成。該層疊體140是將由介質(zhì)或磁性體形成的多個(gè)基材層進(jìn)行層疊的部件，在其背面設(shè)置有與供電電路30相連接的供電端子141、與第二發(fā)射體21相連接的接地端子142、以及與第一發(fā)射體11相連接的天線端子143。除此之外，在背面還設(shè)置有用于安裝的NC端子144。另外，在層疊體140的表面也可根據(jù)需要裝載阻抗匹配用的電感或電容器。此外，也可以在層疊體140內(nèi)利用電極圖案形成電感或電容器。這里，參照?qǐng)D17，說明內(nèi)置于上述層疊體140的高頻器件135的第一示例。在該第一示例中，在第一層的基材層151a上形成有上述各種端子141、142、143、144，在第二層的基材層151b上形成有成為第一及第三電感元件L1、L3的導(dǎo)體161、163，在第三層的基材層151c上形成有成為第二及第四電感元件L2、L4的導(dǎo)體162、164。作為導(dǎo)體161 164，可將以銀或銅等導(dǎo)電性材料作為主要成分的糊料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷、或?qū)饘俨M(jìn)行蝕刻等而形成。作為基材層151a 151c，若是介質(zhì)，則可使用玻璃陶瓷材料、環(huán)氧類樹脂材料等，若是磁性體，則可使用鐵氧體陶瓷材料或含有鐵氧體的樹脂材料等。通過層疊上述基材層151a 151c，各自的導(dǎo)體161 164以及端子141、142、143通過層間連接導(dǎo)體(過孔導(dǎo)體)相連接，形成上述圖14(A)所示的等效電路。即，供電端子141通過過孔導(dǎo)體16 與導(dǎo)體161 (第一電感元件Li)的一端相連接，導(dǎo)體161的另一端通過過孔導(dǎo)體16 與導(dǎo)體162(第二電感元件I^)的一端相連接。導(dǎo)體162的另一端通過過孔導(dǎo)體165c與接地端子142相連接，分岔后的導(dǎo)體164(第四電感元件L4)的另一端通過過孔導(dǎo)體165d與導(dǎo)體163(第三電感元件L3)的一端相連接。導(dǎo)體163的另一端通過過孔導(dǎo)體16 與天線端子143相連接。像以上那樣，通過將電感元件Ll L4內(nèi)置于由介質(zhì)或磁性體形成的層疊體140，特別是將成為一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37的耦合部的區(qū)域設(shè)置在層疊體140的內(nèi)部，從而高頻器件135難以受到來自與層疊體140相鄰配置的其他電子元件的影響。其結(jié)果是，能實(shí)現(xiàn)頻率特性的進(jìn)一步穩(wěn)定。此外，通過將第一電抗元件Ll和第三電抗元件L3設(shè)置在層疊體140的同一層(基材層151b)，將第二電抗元件L2和第四電抗元件L4設(shè)置在層疊體140的同一層(基材層151c)，從而層疊體140(高頻器件13 的厚度變薄。此外，由于可通過同一工序(例如，導(dǎo)電性糊料的涂布)來分別形成相互耦合的第一電抗元件Ll和第三電抗元件L3、以及第二電抗元件L2和第四電抗元件L4，因此，可抑制因?qū)盈B偏移等而引起的耦合度的偏差，提高可靠性。在第一示例的高頻器件135中，如圖18所示，從供電端子141輸入的高頻信號(hào)電流在第一及第二電感元件L1、L2(導(dǎo)體161、16幻中像箭頭a所示的那樣流動(dòng)。通過由該一次電流(箭頭a)產(chǎn)生的磁場，在第三及第四電感元件L3、L4(導(dǎo)體163、164)中激勵(lì)出箭頭b所示的高頻信號(hào)電流，流過感應(yīng)電流(二次電流)。另一方面，若流過第一及第二電感元件L1、L2(導(dǎo)體161、162)的電流的方向與箭頭a相反，則在第三及第四電感元件L3、L4 (導(dǎo)體163、164)中流過方向與箭頭b相反的電流。在一次側(cè)串聯(lián)電路36中，第一及第二電感元件Li、L2相互以相反相位進(jìn)行耦合，在二次側(cè)串聯(lián)電路37中，第三及第四電感元件L3、L4相互以相反相位進(jìn)行耦合，各自形成閉合磁路。因此，能減少能量損耗。另外，若使第一及第二電感元件Li、L2的電感值、第三及第四電感元件L3、L4的電感值實(shí)質(zhì)上相同，則閉合磁路的泄漏磁場減少，能進(jìn)一步減少能量損耗。此外，由一次側(cè)串聯(lián)電路36中的一次電流所激勵(lì)的磁場、和由二次側(cè)串聯(lián)電路37中的二次電流所激勵(lì)的磁場，是以通過感應(yīng)電流抵消彼此之間的磁場的方式產(chǎn)生。通過利用感應(yīng)電流來減少能量損耗，第一及第三電感元件Li、L3、以及第二及第四電感元件L2、L4以高耦合度進(jìn)行耦合。即，一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37通過高耦合度進(jìn)行耦
14口 O另外，高頻器件135的電感值優(yōu)選小于連接線33的電感值。這是由于能減少連接線33的電感值的影響。通過使第一及第二電感元件L1、L2、第三及第四電感元件L3、L4以相反相位進(jìn)行耦合，能減少高頻器件135的電感值。根據(jù)以上那樣的本第一示例，由于一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37利用電磁場(閉合磁路)進(jìn)行耦合，因此，通過一次側(cè)串聯(lián)電路36實(shí)現(xiàn)與供電電路30 —側(cè)的阻抗匹配，并通過二次側(cè)串聯(lián)電路37實(shí)現(xiàn)與第一發(fā)射體11 一側(cè)的阻抗匹配，從而能在一次側(cè)和二次側(cè)獨(dú)立地進(jìn)行阻抗匹配。而且，由于高頻信號(hào)能量的傳輸效率提高，因此，不會(huì)受到發(fā)射體11、21和殼體10、20的形狀、開關(guān)狀態(tài)等的較大影響，能在寬頻帶內(nèi)穩(wěn)定高頻信號(hào)的頻率特性。此外，通過將第一電抗元件Ll和第三電抗元件L3設(shè)置在同一層，將第二電抗元件L2和第四電抗元件L4設(shè)置在同一層，從而層疊體40的厚度變薄，可抑制因?qū)盈B偏移等而引起的耦合度的偏差，提高可靠性。(高頻器件的第二示例、參照?qǐng)D19)接下來，參照?qǐng)D19，說明高頻器件的第二示例。在第一層的基材層171a上形成有上述各種端子141、142、143、144，在第二層的基材層171b上形成有導(dǎo)體17h、172b。在第三層的基材層171c上，各形成有兩匝成為第一及第三電感元件Li、L3的導(dǎo)體173、175，在第四層的基材層171d上，各形成有兩匝成為第二及第四電感元件L2、L4的導(dǎo)體174、176。通過層疊上述基材層171a 171d，各自的導(dǎo)體173 176以及端子141、142、143通過層間連接導(dǎo)體(過孔導(dǎo)體)相連接，形成上述圖14㈧所示的等效電路。即，供電端子141通過過孔導(dǎo)體177a與導(dǎo)體173 (第一電感元件Li)的一端相連接，導(dǎo)體173的另一端通過過孔導(dǎo)體177b與導(dǎo)體174(第二電感元件L2)的一端相連接。導(dǎo)體174的另一端通過過孔導(dǎo)體177c、導(dǎo)體172a、以及過孔導(dǎo)體177d與接地端子142相連接，導(dǎo)體17 的另一端通過過孔導(dǎo)體177e與導(dǎo)體176(第四電感元件L4)的一端相連接，導(dǎo)體176的另一端通過過孔導(dǎo)體177f與導(dǎo)體175(第三電感元件U)的一端相連接。導(dǎo)體175的另一端通過過孔導(dǎo)體177g、導(dǎo)體172b、以及過孔導(dǎo)體17 與天線端子143相連接。在第二示例的高頻器件中，也起到與上述第一示例相同的作用效果。一次電流(箭頭a)與二次電流(箭頭b)的關(guān)系如圖19所示的那樣。特別是在第二示例中，將形成電感元件Ll L4的導(dǎo)體173 176各卷繞兩阻，若線圈的匝數(shù)增多，則能增大電感值。當(dāng)然，也可以是三匝以上，或者，也可以使各線圈跨過多層進(jìn)行卷繞。(高頻器件的第三示例、參照?qǐng)D20)接下來，參照?qǐng)D20，說明高頻器件的第三示例。該第三示例是如下示例在作為上述第一示例而示出的層疊體140的基材層151a、151b之間，層疊設(shè)置有接地導(dǎo)體166的基材層151d，并且，在基材層151c下層疊設(shè)置有接地導(dǎo)體167的基材層151e。S卩，供電端子141通過過孔導(dǎo)體165a、設(shè)置于基材層151d的導(dǎo)體168、以及過孔導(dǎo)體165f與導(dǎo)體161(第一電感元件Li)的一端相連接，導(dǎo)體161的另一端通過過孔導(dǎo)體16 與導(dǎo)體162(第二電感元件L2)的一端相連接。導(dǎo)體162的另一端通過過孔導(dǎo)體165c與接地導(dǎo)體166的一端部相連接，接地導(dǎo)體166的另一端部通過過孔導(dǎo)體16 與接地端子142相連接。此外，導(dǎo)體162的另一端通過過孔導(dǎo)體165g與接地導(dǎo)體167相連接。從導(dǎo)體162分岔的導(dǎo)體164(第四電感元件L4)的另一端通過過孔導(dǎo)體165d與導(dǎo)體163 (第三電感元
1件L3)的一端相連接。導(dǎo)體163的另一端通過過孔導(dǎo)體16 與天線端子143相連接。在第三示例的高頻器件中，也起到與上述第一示例相同的作用效果。特別是在第三示例中，通過在層疊體140的上部和底部將接地導(dǎo)體166、167設(shè)置成覆蓋由導(dǎo)體161 164形成的線圈的開口，使得由線圈產(chǎn)生的磁場難以受到來自印刷布線基板上的各種布線的磁場的影響。換言之，電感元件Ll L4的L值難以產(chǎn)生偏差。(實(shí)施例7、參照?qǐng)D21及圖22)在圖21 (A)中表示實(shí)施例7的天線裝置。這里所使用的穩(wěn)頻電路135采用基本與圖2(A)所示的穩(wěn)頻電路35相同的結(jié)構(gòu)，還在一次側(cè)串聯(lián)電路36與二次側(cè)串聯(lián)電路37之間(在第一電感元件Ll的一端與第三電感元件L3的一端之間)連接有電容元件C11，且將電容元件C12與第三電感元件L3及第四電感元件L4并聯(lián)連接。此外，如圖21(B)所示，除了上述電容元件Cll、C12之外，還可將電容元件C13與第一電感元件Ll及第二電感元件L2并聯(lián)連接。圖21(A)所示的高頻器件135(第四示例)是作為圖22所示的層疊體140而構(gòu)成。在該層疊體140中，設(shè)置有導(dǎo)體161、163(電感元件Li、L3)的基材層151b以及設(shè)置有導(dǎo)體162、164(電感元件L2、L4)的基材層151c與圖17所示的基材層相同。在基材層151a、151b之間層疊有基材層151f、151g、151h。在基材層151f上形成有電容電極181，在基材層151g上形成有電容電極182和導(dǎo)體183，在基材層151h上形成有接地導(dǎo)體184。通過層疊基材層151a 151h，在電容電極181、182之間形成電容元件C11，在電容電極182與接地導(dǎo)體184之間形成電容元件C12。更詳細(xì)而言，供電端子141通過過孔導(dǎo)體165j與電容電極181相連接，且通過過孔導(dǎo)體165i與導(dǎo)體183的一端相連接。導(dǎo)體183的另一端通過過孔導(dǎo)體165f與導(dǎo)體161 (第一電感元件Li)的一端相連接，導(dǎo)體161的另一端通過過孔導(dǎo)體16 與導(dǎo)體162(第二電感元件I^)的一端相連接。導(dǎo)體162的另一端通過過孔導(dǎo)體165c與接地導(dǎo)體184的一端部相連接，接地導(dǎo)體184的另一端部通過過孔導(dǎo)體16 與接地端子142相連接。此外，從導(dǎo)體162分岔的導(dǎo)體164(第四電感元件L4)的另一端通過過孔導(dǎo)體165d與導(dǎo)體163(第三電感元件U)的一端相連接。導(dǎo)體163的另一端通過過孔導(dǎo)體16 與天線端子143相連接。過孔導(dǎo)體16 在基材層151g與電容電極182相連接。在該高頻器件135的第四示例中，可通過電容元件Cll的電容值來調(diào)整一次側(cè)串聯(lián)電路36與二次側(cè)串聯(lián)電路37的耦合度。此外，可通過電容元件C12的電容值來調(diào)整二次側(cè)串聯(lián)電路37的諧振頻率。在圖21(B)所示的變形例中，可通過電容元件C13的電容值來調(diào)整一次側(cè)串聯(lián)電路36的諧振頻率。(實(shí)施例8、參照?qǐng)D23及圖在圖23中表示實(shí)施例8的天線裝置。這里所使用的穩(wěn)頻電路是在上述一次側(cè)串聯(lián)電路36和二次側(cè)串聯(lián)電路37的基礎(chǔ)上設(shè)置又一個(gè)一次側(cè)串聯(lián)電路38 ( 一次側(cè)電抗電路)的電路。構(gòu)成一次側(cè)串聯(lián)電路38的第五電感元件L5和第六電感元件L6相互以相反相位進(jìn)行耦合。第五電感元件L5與第一電感元件Ll以相反相位進(jìn)行耦合，第六電感元件L6與第二電感元件L2以相反相位進(jìn)行耦合。第三電感元件L3的一端與第一發(fā)射體11相連接，第四電感元件L4的一端與第二發(fā)射體21相連接。參照?qǐng)D對(duì)，說明該高頻器件135(第五示例)。該第五示例在第一層的基材層181a上形成有上述各種端子141、142、143、144，在第二層的基材層181b上形成有導(dǎo)體197、198、199。在第三層的基材層181c上形成有成為第一、第三、以及第五電感元件Li、L3、L5的導(dǎo)體191、193、195，在第四層的基材層181d上形成有成為第二、第四、以及第六電感元件L2、L4、L6的導(dǎo)體192、194、196。由導(dǎo)體191、195夾著導(dǎo)體193，由導(dǎo)體192、196夾著導(dǎo)體194。通過層疊上述基材層181a 181d，各自的導(dǎo)體197 199、191 196、以及端子141、142、143通過層間連接導(dǎo)體(過孔導(dǎo)體)相連接，形成圖23所示的等效電路。S卩，供電端子141通過過孔導(dǎo)體201a與導(dǎo)體197的中間部相連接，導(dǎo)體197的一端通過過孔導(dǎo)體201b與導(dǎo)體191(第一電感元件Li)的一端相連接，導(dǎo)體191的另一端通過過孔導(dǎo)體201c與導(dǎo)體192(第二電感元件L2)的一端相連接。導(dǎo)體192的另一端通過過孔導(dǎo)體201d與接地端子142相連接。過孔導(dǎo)體201d在基材層181b與導(dǎo)體198的一端相連接，導(dǎo)體198的另一端通過過孔導(dǎo)體201e與導(dǎo)體196(第六電感元件L6)的一端相連接。導(dǎo)體196的另一端通過過孔導(dǎo)體201f與導(dǎo)體195(第五電感元件L5)的一端相連接，導(dǎo)體195的另一端通過過孔導(dǎo)體201g與導(dǎo)體197的另一端相連接。S卩，第五電感L5的另一端通過過孔導(dǎo)體201g、導(dǎo)體197、以及過孔導(dǎo)體201a與供電端子141相連接。另一方面，與接地端子142相連接的上述導(dǎo)體198通過過孔導(dǎo)體201h與導(dǎo)體194 (第四電感元件L4)的一端相連接，導(dǎo)體194的另一端通過過孔導(dǎo)體201i與導(dǎo)體193 (第三電感元件L3)的一端相連接。導(dǎo)體193的另一端通過過孔導(dǎo)體201 j與導(dǎo)體199的一端相連接，導(dǎo)體199的另一端通過過孔導(dǎo)體201k與天線端子143相連接。本實(shí)施例8和層疊體140的第五示例的動(dòng)作與上述實(shí)施例1和上述第一示例基本相同。在本實(shí)施例8中，通過利用兩個(gè)一次側(cè)串聯(lián)電路36、38夾著二次側(cè)串聯(lián)電路37，可提高電路36與電路37、38的耦合度，高頻信號(hào)的能量傳輸損耗減少。另外，也可以是利用兩個(gè)二次側(cè)串聯(lián)電路夾著一次側(cè)串聯(lián)電路的結(jié)構(gòu)。(實(shí)施例9、參照?qǐng)D25 圖27)在圖25中表示實(shí)施例9的天線裝置。這里所使用的高頻器件135具有基本與上述實(shí)施例1相同的結(jié)構(gòu)。不同點(diǎn)在于第一電感元件Ll和第三電感元件L3相互以相同相位進(jìn)行耦合，第二電感元件L2和第四電感元件L4相互以相同相位進(jìn)行耦合。即，第一及第三電感元件Li、L3主要通過磁場進(jìn)行耦合，第二及第四電感元件L2、L4主要通過磁場進(jìn)行耦合。本實(shí)施例9的作用效果與實(shí)施例1基本相同。在圖沈中表示高頻器件135的第六示例。該第六示例具有與圖17所示的第一示例基本相同的結(jié)構(gòu)，其不同點(diǎn)在于導(dǎo)體161(第一電感元件Li)和導(dǎo)體162(第二電感元件L2)配置在導(dǎo)體163(第三電感元件U)和導(dǎo)體164(第四電感元件L4)的內(nèi)側(cè)。此外，與該配置相對(duì)應(yīng)，在基材層151a上供電端子141和天線端子142的配置交換。在第六示例的高頻器件135中，高頻信號(hào)電流(一次電流)像圖27中箭頭a所示的那樣流動(dòng)，感應(yīng)電流(二次電流)像箭頭b所示的那樣流動(dòng)。這點(diǎn)與圖18所說明的一樣。(實(shí)施例10、參照?qǐng)D28 圖32)如圖28 (A)所示，實(shí)施例10的阻抗變換元件235由與端子PI、P2相連接的一次側(cè)串聯(lián)電路236、以及通過電場或磁場與該一次側(cè)串聯(lián)電路236進(jìn)行耦合的二次側(cè)串聯(lián)電路237構(gòu)成。一次側(cè)串聯(lián)電路236包括第一線圈元件L11、以及與該第一線圈元件Lll串聯(lián)連接的第二線圈元件L12。二次側(cè)串聯(lián)電路237包括與第一線圈元件Lll耦合的第三線圈元件L13、以及與該第三線圈元件L13串聯(lián)連接且與第二線圈元件L12耦合的第四線圈元件L14。一次側(cè)串聯(lián)電路236的一端(第一線圈元件Lll的一端)與端子Pl相連接，二次側(cè)串聯(lián)電路237的一端(第三線圈元件L13的一端)與端子P3相連接。一次側(cè)串聯(lián)電路236的另一端(第二線圈元件L12的另一端)與端子P2相連接，二次側(cè)串聯(lián)電路237的另一端(第四線圈元件L14的另一端)與端子P4相連接。如圖28(B)所示，第一線圈元件Lll與第二線圈元件L12相互以相反相位進(jìn)行耦合，同樣地，第三線圈元件L13和第四線圈元件L14相互以相反相位進(jìn)行耦合。此外，第一線圈元件Lll和第三線圈元件L13相互以相反相位進(jìn)行耦合，同樣地，第二線圈元件L12和第四線圈元件L14相互以相反相位進(jìn)行耦合。在采用以上結(jié)構(gòu)的阻抗變換元件235中，從端子Pl流入到一次側(cè)串聯(lián)電路236的高頻信號(hào)電流導(dǎo)向第一線圈元件L11，并且，在各線圈元件由線圈圖案形成的情況下，通過感應(yīng)磁場作為二次電流導(dǎo)向第三線圈元件L13。此外，導(dǎo)向第二線圈元件L12的高頻信號(hào)電流通過感應(yīng)磁場作為二次電流導(dǎo)向第四線圈元件L14。其結(jié)果是，高頻信號(hào)電流沿圖觀(B)中箭頭所示的方向流動(dòng)。在本實(shí)施例10的結(jié)構(gòu)中，第一線圈元件Lll和第二線圈元件L12以相互減弱磁場的方式進(jìn)行動(dòng)作，并且，第三線圈元件L13和第四線圈元件L14也以相互減弱磁場的方式進(jìn)行動(dòng)作，一次側(cè)串聯(lián)電路236與二次側(cè)串聯(lián)電路237之間的磁場形成閉合磁路。此外，因第一線圈元件Lll與第三線圈元件L13之間的電場耦合而流過的電流、與因第一線圈元件Lll與第三線圈元件L13之間的磁場耦合而流過的電流沿同一方向流動(dòng)，以這樣的方式產(chǎn)生電磁場耦合。在第二線圈元件L12與第四線圈元件L14之間也同樣，因電場耦合而流過的電流、與因磁場耦合而流過的電流沿同一方向流動(dòng)，以這樣的方式產(chǎn)生電磁場耦合。此外，第一線圈元件Lll和第二線圈元件L12通過未圖示的電極圖案進(jìn)行電容耦合，使得電流沿與圖示電流的方向相同的方向流動(dòng)。第三線圈元件L13和第四線圈元件L14也同樣地通過未圖示的電極圖案進(jìn)行電容耦合，使得電流沿與圖示電流的方向相同的方向流動(dòng)。這里，說明上述阻抗變換元件235中的各線圈元件Ll L4的具體結(jié)構(gòu)。圖四表示線圈元件Ll L4的示意性結(jié)構(gòu)，圖32表示更具體的結(jié)構(gòu)。首先，參照?qǐng)D31和圖32說明具體的結(jié)構(gòu)。阻抗變換元件235可作為圖31所示的貼片型的層疊體240而構(gòu)成。該層疊體240是將由介質(zhì)或磁性體形成的多個(gè)基材層進(jìn)行層疊的部件，在其背面還設(shè)置有端子Pl P4、用于安裝的NC端子P5。這里，參照?qǐng)D四和圖32，說明內(nèi)置于上述層疊體MO的阻抗變換元件235的具體例。該具體例與圖5所示的層疊結(jié)構(gòu)基本相同，并標(biāo)注有與圖5相同的標(biāo)號(hào)。S卩，在最上層的基材層51a上形成有導(dǎo)體61，在第二層的基材層51b上形成有成為第一及第二線圈元件Lll、L12的導(dǎo)體62，在第三層的基材層51c上形成有成為第一及第二線圈元件Lll、L12的兩個(gè)導(dǎo)體63、64。在第四層的基材層51d上形成有成為第三及第四線圈元件L13、L14的兩個(gè)導(dǎo)體65、66，在第五層的基材層51e上形成有成為第三及第四線圈元件L13、L14的導(dǎo)體67。此外，在第六層的基材層51f上形成有導(dǎo)體68，在第七層的基材層51g的背面形成有端子Pl P4。另外，在最上層的基材層51a上層疊有未圖示的無圖案基材層。通過層疊上述基材層51a 51g，各自的導(dǎo)體61 68以及端子Pl P4通過層間連接導(dǎo)體(過孔導(dǎo)體)相連接，形成圖^(A)所示的等效電路。即，端子Pl通過過孔導(dǎo)體45a、導(dǎo)體61、以及過孔導(dǎo)體4 與線圈圖案63的一端相連接，線圈圖案63的另一端通過過孔導(dǎo)體45c與線圈圖案62a的一端相連接。此外，線圈圖案6 的另一端與線圈圖案62b的一端相連接，線圈圖案62b的另一端通過過孔導(dǎo)體45d與線圈圖案64的一端相連接。線圈圖案64的另一端通過過孔導(dǎo)體4 與導(dǎo)體68相連接，導(dǎo)體68通過過孔導(dǎo)體45f與端子P2相連接。即，利用線圈圖案63以及線圈圖案6 構(gòu)成第一線圈圖案、即線圈元件L11，利用線圈圖案62b以及線圈圖案64構(gòu)成第二線圈圖案、即線圈元件L12。此外，端子P3通過過孔導(dǎo)體45g與線圈圖案65的一端相連接，線圈圖案65的另一端通過過孔導(dǎo)體45h與線圈圖案67a的一端相連接。此外，線圈圖案67a的另一端與線圈圖案67b的一端相連接，線圈圖案67b的另一端通過過孔導(dǎo)體45i與線圈圖案66的一端相連接。線圈圖案66的另一端通過過孔導(dǎo)體45j與端子P4相連接。即，利用線圈圖案65以及線圈圖案67a構(gòu)成第三線圈圖案、即線圈元件L13，利用線圈圖案67b以及線圈圖案66構(gòu)成第四線圈圖案、即線圈元件L14。而且，如圖四和圖32所示，第一及第二線圈圖案以第一線圈圖案的卷繞軸和第二線圈圖案的卷繞軸成平行的方式相鄰配置，第三及第四線圈圖案以第三線圈圖案的卷繞軸和第四線圈圖案的卷繞軸成平行的方式相鄰配置。此外，第一及第三線圈圖案配置成第一線圈圖案的卷繞軸和第三線圈圖案的卷繞軸大體成為同一直線，第二及第四線圈圖案配置成第二線圈圖案的卷繞軸和第四線圈圖案的卷繞軸大體成為同一直線。另外，雖然各線圈圖案利用一匝的環(huán)狀導(dǎo)體來構(gòu)成，但也可以利用多匝的環(huán)狀導(dǎo)體來構(gòu)成。此外，第一及第三線圈圖案無需配置成各線圈圖案的卷繞軸嚴(yán)格地成為同一直線，只要在俯視時(shí)第一及第三線圈圖案的線圈開口相互重疊、即公共的磁通通過各線圈圖案那樣卷繞即可。同樣地，第二及第四線圈圖案無需配置成各線圈圖案的卷繞軸嚴(yán)格地成為同一直線，只要在俯視時(shí)第二及第四線圈圖案的線圈開口相互重疊、即公共的磁通通過各線圈圖案那樣卷繞即可。像以上那樣，通過將線圈元件Lll L14內(nèi)置于由介質(zhì)或磁性體形成的層疊體M0，特別是將成為一次側(cè)串聯(lián)電路236和二次側(cè)串聯(lián)電路237的耦合部的區(qū)域設(shè)置在層疊體240的內(nèi)部，從而構(gòu)成阻抗變換元件235的元件的元件值、甚至一次側(cè)串聯(lián)電路236和二次側(cè)串聯(lián)電路237的耦合度難以受到來自與層疊體240相鄰配置的其他電子元件的影響。在實(shí)施例10的阻抗變換元件235中，如圖30所示，從端子Pl輸入的高頻電流像箭頭a所示的那樣流動(dòng)，像箭頭c、d所示的那樣導(dǎo)向第一線圈元件Lll (導(dǎo)體62、63)，并進(jìn)一步像箭頭e、f所示的那樣導(dǎo)向第二線圈元件L12 (導(dǎo)體62、64)，從端子P2像箭頭1所示的那樣流出。通過由一次電流(箭頭c、d)產(chǎn)生的磁場C，在第三線圈元件L13(導(dǎo)體65、67)中像箭頭g、h所示的那樣激勵(lì)出高頻電流，流過感應(yīng)電流(二次電流)。同樣地，通過由一次電流(箭頭e、f)產(chǎn)生的磁場C，在第四線圈元件L14(導(dǎo)體66、67)中像箭頭i、j所示的那樣激勵(lì)出高頻電流，流過感應(yīng)電流(二次電流)。其結(jié)果是，箭頭k所示的高頻電流流過端子P3，箭頭m所示的高頻電流流過端子P4。另外，若流過端子Pl的電流(箭頭a)是
19相反方向，則其他電流也沿相反方向流動(dòng)。此外，因第一線圈元件Lll與第三線圈元件L13之間的電場耦合而流動(dòng)的位移電流沿與感應(yīng)電流相同的方向流動(dòng)。此外，對(duì)于第二線圈元件L12與第四線圈元件L14也同樣，因各自的電場耦合而流動(dòng)的位移電流沿與感應(yīng)電流相同的方向流動(dòng)。此外，第一線圈元件Lll和第二線圈元件L12通過未圖示的電極圖案進(jìn)行電容耦合，電流沿與一次電流(箭頭d、e)相同的方向流動(dòng)。第三線圈元件L13和第四線圈元件L14也同樣地通過未圖示的電極圖案進(jìn)行電容耦合，電流沿與二次電流(箭頭h、i)相同的方向流動(dòng)。在一次側(cè)串聯(lián)電路236中，第一及第二線圈元件Lll、L12相互以相反相位進(jìn)行耦合，在二次側(cè)串聯(lián)電路237中，第三及第四線圈元件L13、L14相互以相反相位進(jìn)行耦合，各自形成閉合磁路。因此，能減少第一線圈元件Lll與第二線圈元件L12之間、以及第三線圈元件L13與第四線圈元件L14之間伴隨著阻抗變換的能量損耗。另外，若使第一及第二線圈元件L11、L12的電感值、第三及第四線圈元件L13、L14的電感值實(shí)質(zhì)上為相同元件值，則閉合磁路的泄漏磁場減少，能進(jìn)一步減少能量損耗。此外，由一次側(cè)串聯(lián)電路236中的一次電流所激勵(lì)的磁場C、和由二次側(cè)串聯(lián)電路237中的二次電流所激勵(lì)的磁場D，是以通過感應(yīng)電流抵消彼此之間的磁場的方式產(chǎn)生。通過利用感應(yīng)電流來減少能量損耗，第一及第三線圈元件L11、L13、以及第二及第四線圈元件L12、L14以高耦合度進(jìn)行耦合。即，一次側(cè)串聯(lián)電路236和二次側(cè)串聯(lián)電路237通過高耦合度進(jìn)行耦合。(實(shí)施例11、參照?qǐng)D33及圖34)在圖33中表示實(shí)施例11的阻抗變換元件235。該阻抗變換元件235是在上述一次側(cè)串聯(lián)電路236和二次側(cè)串聯(lián)電路237的基礎(chǔ)上設(shè)置又一個(gè)二次側(cè)串聯(lián)電路238的元件。構(gòu)成二次側(cè)串聯(lián)電路238的第五線圈元件L15和第六線圈元件L16相互以相反相位進(jìn)行耦合。第五線圈元件L15與第一線圈元件Lll以相反相位進(jìn)行耦合，第六線圈元件L16與第二線圈元件L12以相反相位進(jìn)行耦合。第五線圈元件L15的一端與端子P3相連接，第六線圈元件L16的一端與端子P4相連接。參照?qǐng)D34，說明將該阻抗變換元件235作為層疊體240而構(gòu)成的具體例。該具體例是在上述圖32所示的層疊體240上，進(jìn)一步層疊形成有成為二次側(cè)串聯(lián)電路238的第五及第六線圈元件L15、L16的導(dǎo)體71、72、73的基材層51i、51j。即，與上述第一 第四線圈元件Lll L14相同，利用線圈圖案形成第五及第六線圈元件L15、L16，并且，將構(gòu)成第五及第六線圈元件L15、L16的線圈圖案以該線圈元件L15、L16所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞。本實(shí)施例11的動(dòng)作與上述實(shí)施例10基本相同。在本實(shí)施例11中，通過利用兩個(gè)二次側(cè)串聯(lián)電路237、238夾著一次側(cè)串聯(lián)電路236，從一次側(cè)串聯(lián)電路236到二次側(cè)串聯(lián)電路237、238的高頻電流的能量傳輸損耗減少。(實(shí)施例12、參照?qǐng)D35及圖36)實(shí)施例12的阻抗變換元件235是作為圖35所示的貼片型的層疊體240而構(gòu)成。該層疊體240是將由介質(zhì)或磁性體形成的多個(gè)基材層進(jìn)行層疊的部件，其結(jié)構(gòu)與圖17所示的層疊體140基本相同，標(biāo)注與圖17相同的標(biāo)號(hào)。即，在第一層的基材層151a上形成有端子Pl P4，在第二層的基材層151b上形成有成為第一及第三線圈元件L11、L13的導(dǎo)體161、163，在第三層的基材層151c上形成有成為第二及第四線圈元件L12、L14的導(dǎo)體162、164。作為導(dǎo)體161 164，可將以銀或銅等導(dǎo)電性材料作為主要成分的糊料進(jìn)行絲網(wǎng)印刷、或?qū)饘俨M(jìn)行蝕刻等而形成。作為基材層151a 151c，若是介質(zhì)，則可使用玻璃陶瓷材料、環(huán)氧類樹脂材料等，若是磁性體，則可使用鐵氧體陶瓷材料或含有鐵氧體的樹脂材料等。通過層疊上述基材層151a 151c，各自的導(dǎo)體161 164以及端子Pl P4通過層間連接導(dǎo)體(過孔導(dǎo)體)相連接，形成上述圖^(A)所示的等效電路。即，端子Pl通過過孔導(dǎo)體16 與導(dǎo)體161 (第一線圈元件Lll)的一端相連接，導(dǎo)體161的另一端通過過孔導(dǎo)體16 與導(dǎo)體162(第二線圈元件L12)的一端相連接。導(dǎo)體162的另一端通過過孔導(dǎo)體165c與端子P2相連接。導(dǎo)體163(第三線圈元件L13)的一端通過過孔導(dǎo)體16 與端子P3相連接，導(dǎo)體163的另一端通過過孔導(dǎo)體165d與導(dǎo)體164 (第四線圈元件L14)的一端相連接，導(dǎo)體164的另一端通過過孔導(dǎo)體165f與端子P4相連接。在本實(shí)施例12中，通過將第一線圈元件Lll和第三線圈元件L13設(shè)置在層疊體240的同一層(基材層151b)，將第二線圈元件L12和第四線圈元件L14設(shè)置在層疊體240的同一層(基材層151c)，從而層疊體240的厚度變薄。此外，由于可通過同一工序(例如，導(dǎo)電性糊料的涂布)來分別形成相互耦合的第一線圈元件Lll和第三線圈元件L13、以及第二線圈元件L12和第四線圈元件L14，因此，可抑制因?qū)盈B偏移等而引起的耦合度的偏差，提高可靠性。在該阻抗變換元件235中，如圖36所示，從端子Pl輸入的高頻電流在第一及第二線圈元件L11、L12(導(dǎo)體161、162)中像箭頭a所示的那樣流動(dòng)。通過由該一次電流(箭頭a)產(chǎn)生的磁場，在第三及第四線圈元件L13、L14(導(dǎo)體163、164)中激勵(lì)出箭頭b所示的高頻電流，流過感應(yīng)電流(二次電流)。另一方面，若流過第一及第二線圈元件L11、L12(導(dǎo)體161,162)的電流的方向與箭頭a相反，則在第三及第四線圈元件L13、L14 (導(dǎo)體163、164)中流過方向與箭頭b相反的電流。在一次側(cè)串聯(lián)電路236中，第一及第二線圈元件Lll、L12相互以相反相位進(jìn)行耦合，在二次側(cè)串聯(lián)電路237中，第三及第四線圈元件L13、L14相互以相反相位進(jìn)行耦合，各自形成閉合磁路。因此，能減少能量損耗。另外，若使第一及第二線圈元件L11、L12的電感值、第三及第四線圈元件L13、L14的電感值實(shí)質(zhì)上相同，則閉合磁路的泄漏磁場減少，能進(jìn)一步減少能量損耗。此外，由一次側(cè)串聯(lián)電路236中的一次電流所激勵(lì)的磁場、和由二次側(cè)串聯(lián)電路237中的二次電流所激勵(lì)的磁場，是以通過感應(yīng)電流抵消彼此之間的磁場的方式產(chǎn)生。通過利用感應(yīng)電流來減少能量損耗，第一及第三線圈元件L11、L13、以及第二及第四線圈元件L12、L14以高耦合度進(jìn)行耦合。即，一次側(cè)串聯(lián)電路236和二次側(cè)串聯(lián)電路237通過高耦合度進(jìn)行耦合。(實(shí)施例13、參照?qǐng)D37)實(shí)施例13的阻抗變換元件235是如下元件如圖37所示，在層疊體MO內(nèi)，將第一線圈元件Lll和第二線圈元件L12靠近配置在同一平面上，并將第三線圈元件L13和第四線圈元件L14靠近配置在同一平面上，各線圈元件Lll L14分別卷繞三匝。此外，第一線圈元件Lll的卷繞軸與第三線圈元件L13的卷繞軸配置在大體同一直線上，第二線圈元件L12的卷繞軸與第四線圈元件L14的卷繞軸配置在大體同一直線上。本實(shí)施例13的等效電路與圖^(A)所示的實(shí)施例10相同，其作用效果也與實(shí)施例10相同。特別是在實(shí)施例13中，通過增加線圈元件Lll L14的匝數(shù)，提高耦合值。(其他實(shí)施例)另外，本實(shí)用新型所涉及的高頻器件及通信終端設(shè)備不限于上述實(shí)施例，可以在其要點(diǎn)范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。例如，本實(shí)用新型不僅用于移動(dòng)數(shù)字電視或?qū)?yīng)多頻帶的移動(dòng)無線通信系統(tǒng)，還可用于藍(lán)牙或W-LAN之類的近距離無線系統(tǒng)(2. 4GHz頻帶)、GPS系統(tǒng)(1. 5GHz頻帶)等各種通信系統(tǒng)。此外，穩(wěn)頻電路、高頻器件的方式除作為貼片型的層疊體而構(gòu)成之外，也可作為與帶狀線路等其他元件形成一體化的模塊、裝載或內(nèi)置于設(shè)置有發(fā)射元件的印刷布線基板的模塊而構(gòu)成。此外，穩(wěn)頻電路、高頻器件除將一次側(cè)串聯(lián)電路和二次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置成一套以外，還可組合多套而形成為多級(jí)。也可將像實(shí)施例2所示那樣的利用二次側(cè)串聯(lián)電路夾著一次側(cè)串聯(lián)電路的結(jié)構(gòu)作為一套而形成為多級(jí)。通過形成為多級(jí)，能減少高頻信號(hào)的能量傳輸損耗，使回程損耗(return loss)急劇衰減。此外，一次側(cè)串聯(lián)電路、二次側(cè)串聯(lián)電路中的線圈元件(電抗元件)的元件數(shù)量也可為三個(gè)以上。作為供電方式，在將第一發(fā)射元件及第二發(fā)射元件分別視為發(fā)射元件的情況下是平衡供電型，在將第一發(fā)射元件視為發(fā)射元件、將第二發(fā)射元件視為接地的情況下是非平衡供電型。此外，上述阻抗變換元件可用于升壓/降壓電路、變流/分流電路、平衡-非平衡變換電路等。在上述阻抗變換元件中，通過適當(dāng)設(shè)定一次側(cè)串聯(lián)電路的電感值和二次側(cè)串聯(lián)電路的電感值(例如，線圈元件中的環(huán)狀圖案的匝數(shù))，可任意設(shè)定阻抗的變換比。工業(yè)上的實(shí)用性如上所述，本實(shí)用新型對(duì)于高頻器件及通信終端設(shè)備是有用的，特別是在穩(wěn)定高頻信號(hào)的頻率這一點(diǎn)較優(yōu)。標(biāo)號(hào)說明1、2 便攜式通信終端10 第一殼體11 第一發(fā)射元件IlaUlb分岔單極型天線20 第二殼體21 第二發(fā)射元件30 供電電路35 穩(wěn)頻電路36 一次側(cè)串聯(lián)電路37、38 二次側(cè)串聯(lián)電路40 層疊體135 高頻器件[0218]140 層疊體235 阻抗變換元件Ll L6 電感元件Lll L16 線圈元件
權(quán)利要求1.一種高頻器件，其特征在于，包括層疊體，該層疊體是將多個(gè)介質(zhì)層或磁性體層層疊而成；供電端子，該供電端子設(shè)置于所述層疊體，并與供電電路相連接；天線端子，該天線端子設(shè)置于所述層疊體，并與發(fā)射元件相連接；一次側(cè)串聯(lián)電路，該一次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置于所述層疊體，包括第一線圈元件、以及與該第一線圈元件串聯(lián)連接的第二線圈元件，并與所述供電端子相連接；以及二次側(cè)串聯(lián)電路，該二次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置于所述層疊體，包括與所述該第一線圈元件耦合的第三線圈元件、以及與所述第三線圈元件串聯(lián)連接且與所述第二線圈元件耦合的第四線圈元件，并與所述天線端子相連接，所述第一及第二線圈元件以這些線圈元件所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞，所述第三及第四線圈元件以這些線圈元件所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻器件，其特征在于，所述層疊體還包括接地的接地端子。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高頻器件，其特征在于，還包括電容元件，該電容元件裝載于所述層疊體的一個(gè)主面。
4.一種通信終端設(shè)備，其特征在于，包括高頻器件、供電電路、以及發(fā)射元件，所述高頻器件包括層疊體，該層疊體是將多個(gè)介質(zhì)層或磁性體層層疊而成；供電端子，該供電端子設(shè)置于所述層疊體；天線端子，該天線端子設(shè)置于所述層疊體；一次側(cè)串聯(lián)電路，該一次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置于所述層疊體，包括第一線圈元件、以及與該第一線圈元件串聯(lián)連接的第二線圈元件，并與所述供電端子相連接；以及二次側(cè)串聯(lián)電路，該二次側(cè)串聯(lián)電路設(shè)置于所述層疊體，包括與所述該第一線圈元件耦合的第三線圈元件、以及與所述第三線圈元件串聯(lián)連接且與所述第二線圈元件耦合的第四線圈元件，并與所述天線端子相連接，所述第一及第二線圈元件以這些線圈元件所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞，所述第三及第四線圈元件以這些線圈元件所產(chǎn)生的磁場形成閉合磁路的方式進(jìn)行卷繞，所述供電電路與所述供電端子相連接，所述發(fā)射元件與所述天線端子相連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種高頻器件及通信終端設(shè)備，該高頻器件及通信終端設(shè)備能不受發(fā)射元件或殼體的形狀、靠近元器件的配置狀況等的影響，穩(wěn)定高頻信號(hào)的頻率特性。高頻器件包括第一及第二發(fā)射元件(11、21)、與該發(fā)射元件(11、21)分別連接的供電電路(30)、設(shè)置在供電電路(30)與第一發(fā)射元件(11)之間的穩(wěn)頻電路(35)。穩(wěn)頻電路(35)包括與供電電路(30)相連接的一次側(cè)串聯(lián)電路(36)、以及通過電場或磁場與該一次側(cè)串聯(lián)電路(36)進(jìn)行耦合的二次側(cè)串聯(lián)電路(37)。第一及第二電感元件(L1、L2)串聯(lián)連接，第三及第四電感元件(L3、L4)串聯(lián)連接。第一及第三電感元件(L1、L3)相互耦合，第二及第四電感元件(L2、L4)相互耦合。
文檔編號(hào)H04B1/38GK202178378SQ20112002909
公開日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2011年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月19日
發(fā)明者加藤登 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所