專(zhuān)利名稱(chēng)：驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有一驅(qū)動(dòng)控制部分和一第一和第二驅(qū)動(dòng)晶體管，其中驅(qū)動(dòng)控制部分的第一輸出端與第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，以及驅(qū)動(dòng)控制部分的第二輸出端與第二驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且在第一電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第一驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，并且在第二電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第二驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段。本發(fā)明另外還涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有一第一和第二驅(qū)動(dòng)晶體管，其中驅(qū)動(dòng)控制部分的第一輸出端與第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，以及驅(qū)動(dòng)控制部分的第二輸出端與第二驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且在第一電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第一驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，并且在第二電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第二驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段。
在集成電路中，驅(qū)動(dòng)電路用于對(duì)器件端口(針腳)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。依據(jù)有待驅(qū)動(dòng)的負(fù)載，驅(qū)動(dòng)電路必須滿(mǎn)足諸如高電流驅(qū)動(dòng)能力或精確的限流等各種要求。尤其是對(duì)ISDN-SO-接口存在有兩個(gè)對(duì)專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)電路的要求。一方面必須將有待驅(qū)動(dòng)的電流精確地限制在最大值，并且另一方面在斷開(kāi)ISDN-SO-接口器件的電源電壓時(shí)在針腳上加有電壓的情況下使驅(qū)動(dòng)電路是高阻的。
在P．吉林厄姆、D．基爾希、J．厄爾庫(kù)等著的“具有模擬定時(shí)恢復(fù)的ISDN-S-接口收發(fā)信機(jī)”，ISSCC 88,IEEE國(guó)際固體電路會(huì)議，108-109頁(yè)和317頁(yè)(“An ISDN-S-Interface Transceiver with analog TimingRecovery”,P.Gillingham,D.Kirkey,J.Errku,ISSCC 88,IEEE InternationalSolid-State Circuit Conference,S.108-109 und S.317)中，由兩個(gè)大型的驅(qū)動(dòng)晶體管實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流被電流鏡反射到驅(qū)動(dòng)晶體管內(nèi)，其中由一溫度補(bǔ)償?shù)?、?jīng)在器件上的熔斷保險(xiǎn)器調(diào)整的電流對(duì)電流鏡進(jìn)行饋送。采用此種方案的不足之處在于，在經(jīng)熔斷保險(xiǎn)器調(diào)整后電流被固定在固定預(yù)給定的不能再變化的值上。
在由F．范．西瑪伊斯、J．亞當(dāng)斯、D．拉巴伊斯著的“用于公共和專(zhuān)用數(shù)字回路的ISDN-S-接口收發(fā)信機(jī)”，233-236頁(yè)，歐洲固體電路會(huì)議’88(“An ISDN-S-Interface Transceiver for Public and Private DigitalLoops”,F.Van Simaeys,J.Adams,D.Rabaey,S.233-236,ESSCIRC’88)中披露了一種ISDN-SO-接口電路，其中驅(qū)動(dòng)電路具有一個(gè)限壓的電源，該電源具有大型的驅(qū)動(dòng)晶體管。當(dāng)電流為7.5mA時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管飽和并隨之對(duì)電流進(jìn)行限制。采用此種方案的不足之處在于，限流取決于驅(qū)動(dòng)晶體管的飽和電流，因而限流不太精確。
故本發(fā)明的目的在于提出一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有一精確的限流功能并且在斷開(kāi)電源時(shí)電路進(jìn)入高阻狀態(tài)。
該目的的實(shí)現(xiàn)方案是，一種驅(qū)動(dòng)電路具有一驅(qū)動(dòng)控制部分和一第一和第二驅(qū)動(dòng)晶體管，其中驅(qū)動(dòng)控制部分的第一輸出端與第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且驅(qū)動(dòng)控制部分的第二輸出端與第二驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且在第一電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第一驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，并且在第二電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第二驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，其特征在于，兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管中的一個(gè)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而另一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管是雙極晶體管；一種驅(qū)動(dòng)電路具有一第一和第二驅(qū)動(dòng)晶體管，其中驅(qū)動(dòng)控制部分的第一輸出端與第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且驅(qū)動(dòng)控制部分的第二輸出端與第二驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且在第一電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第一驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，并且在第二電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第二驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，其特征在于，驅(qū)動(dòng)電路具有一個(gè)限流機(jī)構(gòu)，其中限流機(jī)構(gòu)通過(guò)一雙向控制端口與第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且為了實(shí)現(xiàn)限流對(duì)第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口上的電壓進(jìn)行調(diào)整，并且限流機(jī)構(gòu)的調(diào)節(jié)輸入端通過(guò)一反饋線路與驅(qū)動(dòng)電路輸出端連接。
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有一第一和第二驅(qū)動(dòng)晶體管。在第一電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第一驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段。在第二電源電壓與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第二驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段。兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管中的一個(gè)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而另一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管是雙極晶體管。因此可以有益地避免在驅(qū)動(dòng)電路的電源斷開(kāi)時(shí)雙極晶體管的基極-發(fā)射極-二極管，或者場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生二極管導(dǎo)通并且始終有一電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)電路。
在一優(yōu)選實(shí)施方式中，第一晶體管是p-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管或p-溝道-阻擋層場(chǎng)效應(yīng)晶體管并且第二晶體管是pnp雙極晶體管。該電路的優(yōu)點(diǎn)在于，當(dāng)在驅(qū)動(dòng)電路輸出端上加有一個(gè)負(fù)壓并且驅(qū)動(dòng)電路的電源電壓斷開(kāi)時(shí)，則與驅(qū)動(dòng)電路輸出端連接的由p-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極端口上的PN結(jié)或由p-溝道-阻擋層場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極-柵極-PN-結(jié)和pnp雙極晶體管的發(fā)射極-基極-PN-結(jié)形成的二極管截止。從而避免了當(dāng)負(fù)壓加在驅(qū)動(dòng)電路的輸出端并且電源電壓斷開(kāi)時(shí)電流流入驅(qū)動(dòng)電路。
在驅(qū)動(dòng)電路的另一實(shí)施方式中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管是npn-雙極晶體管并且第二驅(qū)動(dòng)晶體管是n-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管或n-溝道-阻擋層場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其中當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路輸出端上加有正電壓時(shí)，由n-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的N’P結(jié)或由n-溝道-阻擋層場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極-柵極-NP-結(jié)和npn-雙極晶體管的NP-結(jié)構(gòu)成的二極管截止。
特別優(yōu)選的是將本發(fā)明的用于控制ISDN-SO-接口的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路組合在一起。由于通過(guò)傳送電路對(duì)雙線電路進(jìn)行控制時(shí)兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中總是有一個(gè)是高阻的，所以總是有一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管是截止的，并且在電源斷開(kāi)時(shí)ISDN-SO-接口消耗很少的電流，因而滿(mǎn)足高阻條件。
本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)限流機(jī)構(gòu)。限流機(jī)構(gòu)將流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流精確地限制在調(diào)整的值上。限流機(jī)構(gòu)宜具有一個(gè)大大高于驅(qū)動(dòng)控制部分的動(dòng)作速度，從而實(shí)現(xiàn)尤其對(duì)電感和電容負(fù)載的補(bǔ)償。
在一優(yōu)選實(shí)施方式中，限流機(jī)構(gòu)的調(diào)節(jié)輸入端與驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接，從而通過(guò)此反饋對(duì)低阻負(fù)載較快地并對(duì)正常的或高阻負(fù)載稍遲地實(shí)現(xiàn)限流。其中可以更為精確地調(diào)整ISDN-SO-接口允許的脈沖包絡(luò)。
在另一實(shí)施方式中，限流機(jī)構(gòu)的調(diào)節(jié)輸入端被調(diào)整到預(yù)先給定的電位上，從而對(duì)所有負(fù)載都可以相同地實(shí)現(xiàn)限流。
限流機(jī)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施方式是具有一個(gè)晶體管和一與晶體管串聯(lián)的電源。作為反射晶體管的晶體管用于兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管中的一個(gè)，從而使由電源決定的電流被反射進(jìn)入驅(qū)動(dòng)晶體管中。
在一特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，限流機(jī)構(gòu)具有一個(gè)源-耦合微分級(jí)，其中微分級(jí)的第一輸入端與反射晶體管的端口，以及第二輸入端與調(diào)節(jié)輸入端連接。微分級(jí)的負(fù)載由一第一和一第二作為二極管連接的負(fù)載晶體管構(gòu)成，其中第一負(fù)載晶體管的控制端口與控制晶體管的控制端口連接?？刂凭w管對(duì)在驅(qū)動(dòng)晶體管和反射晶體管的控制端口上的電壓進(jìn)行調(diào)整，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流的限制。
下面將對(duì)照實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)、特征和應(yīng)用加以說(shuō)明。圖中示出

圖1為本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路的第一實(shí)施例；圖2為限流機(jī)構(gòu)的實(shí)施例；圖3A為本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路的第二實(shí)施例；圖3B為本發(fā)明驅(qū)動(dòng)電路的第三實(shí)施例，和圖4為ISDN-SO-接口的驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例。
如圖1所示，驅(qū)動(dòng)控制部分2具有一輸入端IN和一第一輸出端11和一第二輸出端12。第一輸出端11與p溝道-MOS-驅(qū)動(dòng)晶體管TPMOS連接。第二輸出端12與pnp-雙極-驅(qū)動(dòng)晶體管TPN-P的控制端口連接。第一驅(qū)動(dòng)晶體管TPMOS的負(fù)載線段接在第一電源電壓VDD與驅(qū)動(dòng)電路輸出端13之間。第二驅(qū)動(dòng)晶體管TPNP的負(fù)載線段接在第二電源電壓VSS與驅(qū)動(dòng)電路輸出端13之間?？梢圆捎肕OS技術(shù)或雙極技術(shù)實(shí)現(xiàn)兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管。一般在數(shù)字電路中，第一電源電壓VDD為5V并且第二電源電壓VSS為0V，但也可以選用其它的電源電壓，例如在采用3V技術(shù)時(shí)選用第一電源電壓3.3V。
限流機(jī)構(gòu)1的第一端口7為實(shí)現(xiàn)供電與第一電源電壓VDD連接。通過(guò)第二端口9，限流機(jī)構(gòu)1與第二電源電壓VSS連接。限流機(jī)構(gòu)1的雙向控制端口8通過(guò)一條控制線路5與p-溝道-MOS晶體管TPMOS的控制端口連接。通過(guò)調(diào)整驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電壓，實(shí)現(xiàn)限流機(jī)構(gòu)對(duì)流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流的限制。在其它的實(shí)施例中，限流機(jī)構(gòu)1的雙向控制端口8為實(shí)現(xiàn)限流還與pnp-雙極晶體管TPNP進(jìn)行連接。限流機(jī)構(gòu)1的調(diào)節(jié)輸入端10起著反饋的作用并且通過(guò)一條線路(圖1中用虛線示出)與驅(qū)動(dòng)電路輸出端13連接。通過(guò)反饋可實(shí)現(xiàn)取決于負(fù)載的限流。調(diào)節(jié)輸入端10也可以與固定電壓連接，因此不再產(chǎn)生反饋。
在驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，限流機(jī)構(gòu)對(duì)流過(guò)第一晶體管TPMOS的電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電壓的調(diào)整將流過(guò)晶體管的電流限制在最大值上。
在圖2中示出應(yīng)用MOS技術(shù)的限流機(jī)構(gòu)的實(shí)施例。限流機(jī)構(gòu)通過(guò)第一端口7與驅(qū)動(dòng)電路的第一電源電壓VDD連接，并且通過(guò)第二端口9與驅(qū)動(dòng)電路的第二電源電壓VSS連接。作為p-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的反射晶體管TP3與基準(zhǔn)電流源IREF串聯(lián)。反射晶體管與p-溝道-MOS驅(qū)動(dòng)晶體管等效。基準(zhǔn)電流源IREF對(duì)流過(guò)反射晶體管TP3的最大電流進(jìn)行預(yù)給定。該電流IREF被反射入p-溝道-MOS-驅(qū)動(dòng)晶體管TPMOS內(nèi)。當(dāng)反射比為1∶20時(shí)，由1mA的基準(zhǔn)電流將導(dǎo)致流過(guò)p-溝道-MOS-驅(qū)動(dòng)晶體管的最大電流為20mA。在節(jié)點(diǎn)14上具有基準(zhǔn)電流IREF的情況下，將受到自動(dòng)調(diào)整的電壓傳輸給微分放大級(jí)的第一n-溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管TN1的控制端口上，并通過(guò)微分放大級(jí)與電位加以比較，所述電位通過(guò)調(diào)節(jié)輸入端10加在微分放大級(jí)的第二n-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管TN2的控制端口上。微分放大級(jí)的輸出通過(guò)控制晶體管TP4被反饋到反射晶體管TP3的控制端口上。第一p-溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管TP1和第二p-溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管TP2分別作為二極管連接，并構(gòu)成微分放大級(jí)的第一n-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管TN1和第二n-溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管TN2的負(fù)載器件。由負(fù)載線段接在第一電源電壓VDD和控制端口8之間的控制晶體管TP4對(duì)加在反射晶體管TP3控制端口上的電壓和通過(guò)控制端口8對(duì)p-溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管TPMOS的控制電壓進(jìn)行控制。
當(dāng)要有一個(gè)較大的電流流過(guò)p-溝道-MOS-驅(qū)動(dòng)晶體管TPMOS時(shí)，則在驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口上的電壓降低。同時(shí)在反射晶體管TP3的控制端口上的控制電壓降低，并且節(jié)點(diǎn)14上的電位升高。當(dāng)節(jié)點(diǎn)14上的電位高于調(diào)節(jié)輸入端10上的電位時(shí)，則微分放大級(jí)的輸出電壓和控制晶體管TP4控制端口上的控制電壓升高?？刂凭w管TP4隨之降低反射晶體管TP3和p-溝道-MOS驅(qū)動(dòng)晶體管TPMOS的控制電壓，從而使流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流受到限制。
調(diào)節(jié)輸入端10這時(shí)可以與諸如(VDD+VSS)/2的一個(gè)固定電壓連接，從而不受負(fù)載的影響限流的作用總是相同的。當(dāng)調(diào)節(jié)輸入端10與驅(qū)動(dòng)電路輸出端13連接時(shí)，則實(shí)現(xiàn)反饋。其中在低阻負(fù)載的情況下限流動(dòng)作較快，并且在正常的或高阻負(fù)載的情況下限流動(dòng)作稍遲。從而使限流更為精確。
圖3A示出集成驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例，該集成驅(qū)動(dòng)電路具有一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制部分100、一個(gè)p-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管TPMOS和一個(gè)pnp-雙極晶體管TPNP。P-溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極端口與驅(qū)動(dòng)控制部分的第一輸出端104，并且pnp-雙極晶體管TPNP的基極與驅(qū)動(dòng)控制部分的第二輸出端105連接。P-溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的負(fù)載線段接在第一電源電壓VDD與驅(qū)動(dòng)電路輸出端103之間。pnp雙極晶體管TPNP的負(fù)載線段接在第二電源電壓VSS與驅(qū)動(dòng)電路輸出端103之間。通常第一電源電壓與數(shù)字電路的電源電壓相同，約為5V，但視應(yīng)用的技術(shù)可以采用大于0V的不同的值，也可以取負(fù)值。
在圖3A中給出基于晶體管結(jié)構(gòu)形成的二極管。在p-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極-和整體端口之間的P’N結(jié)形成第一二極管101，并且一旦在驅(qū)動(dòng)電路輸出端103的電位高于在整體-端口上的電位時(shí)，第一二極管101導(dǎo)通。在pnp雙極二極管TPNP的發(fā)射極和基極之間的PN結(jié)上形成第二二極管，并且當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路輸出端103上的電位高出基極上的電位一個(gè)二極管導(dǎo)通電壓時(shí)，第二二極管導(dǎo)通。在第一電源電壓VDD斷開(kāi)時(shí)，n-溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管的n池以及pnp雙極晶體管的n基極在第二電源電壓VSS上，從而當(dāng)電位高于加在驅(qū)動(dòng)電路輸出端103上的二極管截止電壓時(shí)，第一二極管101和第二二極管102導(dǎo)通，并且當(dāng)電位低于二極管導(dǎo)通電壓時(shí)截止，并且沒(méi)有電流經(jīng)過(guò)二極管流入電路。
圖3B示出一個(gè)實(shí)施例，其中驅(qū)動(dòng)控制部分106的第一輸出端110與npn雙極晶體管TNP的基極連接并且其第二輸出端111與n溝道-MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極端口連接。npn雙極晶體管TNPN的負(fù)載線段接在第二電源電壓VSS與驅(qū)動(dòng)電路輸出端109之間。與在上述實(shí)施例中相同，在雙極晶體管的發(fā)射極和基極及MOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極-和整體-端口之間形成第一二極管107和第二二極管108。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路輸出端上的電位低于在基極及整體端口上的電位一個(gè)二極管導(dǎo)通電壓時(shí)，兩個(gè)二極管導(dǎo)通。當(dāng)電源電壓斷開(kāi)時(shí)，p池和p基極在第二電源電壓VSS上，從而當(dāng)電壓小于在驅(qū)動(dòng)電路輸出端上的負(fù)的二極管導(dǎo)通電壓時(shí)二極管導(dǎo)通，并且當(dāng)電壓大于負(fù)的二極管導(dǎo)通電壓時(shí)二極管截止，并且沒(méi)有電流由驅(qū)動(dòng)電路流出。
在圖4中應(yīng)用了兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路201和202，所述驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)一諸如在ISDN-SO-接口中的傳送電路對(duì)雙線線路進(jìn)行控制。不管在傳送器線路端上電壓VOUT具有什麼極性，一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的二極管總是截止的。為了節(jié)省電流，在正好不使用電路時(shí)，在許多電子電路中將電源電壓調(diào)整到較小的值或完全斷開(kāi)。當(dāng)用戶(hù)終端機(jī)不工作或被斷開(kāi)時(shí)，在ISDN-SO-接口中電源電壓VDD被斷開(kāi)。在這種情況下，當(dāng)在傳送器線路端的電壓VOUT到約1.2V時(shí)，二極管截止并且沒(méi)有電流流入驅(qū)動(dòng)電路。當(dāng)電壓VOUT高于1.2V時(shí)，則視電壓VOUT的極性至少兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)截止，并且對(duì)流入兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的電流進(jìn)行限制。
權(quán)利要求
1．一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有一驅(qū)動(dòng)控制部分(100、106)和一第一驅(qū)動(dòng)晶體管(TPMOS、TNPN)和一第二驅(qū)動(dòng)晶體管(TPNP、TNMOS)，其中驅(qū)動(dòng)控制部分的第一輸出端(104)與第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且驅(qū)動(dòng)控制部分的第二輸出端(105)與第二驅(qū)動(dòng)晶體管的的控制端口連接，并且在第一電源電壓(VDD)與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第一驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，并且在第二電源電壓(VSS)與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第二驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，其特征在于，兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管中的一個(gè)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而另一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管是雙極晶體管。
2．按照權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，第一晶體管是p-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管或p-溝道-阻擋層-場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并且第二晶體管是pnp-雙極晶體管。
3．按照權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，第一驅(qū)動(dòng)晶體管是npn-雙極晶體管，并且第二驅(qū)動(dòng)晶體管是n-溝道-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管或n-溝道-阻擋層-場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
4．一種驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有一第一(TPMOS)和一第二(TPNP)驅(qū)動(dòng)晶體管，其中驅(qū)動(dòng)控制部分的第一輸出端(11)與第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且驅(qū)動(dòng)控制部分的第二輸出端(12)與第二驅(qū)動(dòng)晶體管的的控制端口連接，并且在第一電源電壓(VDD)與驅(qū)動(dòng)電路輸出端(13)之間接有第一驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，并且在第二電源電壓(VSS)與驅(qū)動(dòng)電路輸出端之間接有第二驅(qū)動(dòng)晶體管的負(fù)載線段，其特征在于，-驅(qū)動(dòng)電路具有一個(gè)限流機(jī)構(gòu)(1)，其中限流機(jī)構(gòu)通過(guò)一雙向控制端口(8)與第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口連接，并且為實(shí)現(xiàn)限流對(duì)第一驅(qū)動(dòng)晶體管(TPMOS)的控制端口上的電壓進(jìn)行調(diào)整，和-限流機(jī)構(gòu)的調(diào)節(jié)輸入端通過(guò)一反饋線路(6)與驅(qū)動(dòng)電路輸出端連接。
5．按照權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，限流機(jī)構(gòu)的調(diào)節(jié)輸入端與一預(yù)給定的電位((VDD+VSS)/2)連接。
6．按照權(quán)利要求4或5所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，限流機(jī)構(gòu)具有一個(gè)反射晶體管(TP3)和一個(gè)第一電源(IREF)，兩者具有一個(gè)共同的節(jié)點(diǎn)(14)。
7．按照權(quán)利要求4、5或6所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，限流機(jī)構(gòu)具有一個(gè)源-耦合微分級(jí)(TN1、TN2、I)、一第一(TP1)和一第二(TP2)作為二極管連接的負(fù)載晶體管，以及一控制晶體管(TP4)，其中微分級(jí)的第一輸入端與連接點(diǎn)(14)以及微分級(jí)的第二輸入端與調(diào)節(jié)輸入端(10)連接，并且微分級(jí)的輸出(15)通過(guò)控制晶體管(TP4)被反饋到反射晶體管(TP3)的雙向控制端口(8)和控制端口上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路具有一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制部分、一個(gè)第一和第二驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)限流機(jī)構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)對(duì)流經(jīng)第一驅(qū)動(dòng)晶體管的電流的限制,限流機(jī)構(gòu)對(duì)在第一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端口上的電壓進(jìn)行控制。通過(guò)限流機(jī)構(gòu)的調(diào)節(jié)輸入端,限流機(jī)構(gòu)的工作點(diǎn)通過(guò)反饋與有待驅(qū)動(dòng)的負(fù)載進(jìn)行適配。本發(fā)明的另一實(shí)施方式涉及一種驅(qū)動(dòng)電路,其中一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管是MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管并且另一驅(qū)動(dòng)晶體管是雙極晶體管,從而使兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的二極管在電源電壓斷開(kāi)時(shí),根據(jù)加在驅(qū)動(dòng)電路輸出端上的電壓截止或?qū)ā?br> 文檔編號(hào)H03K19/0944GK1315079SQ99809557
公開(kāi)日2001年9月26日 申請(qǐng)日期1999年8月2日 優(yōu)先權(quán)日1998年8月18日
發(fā)明者馬丁·格勒普爾, 迪爾克·基拉特, 奧德溫·哈澤, 海因茨·韋克爾 申請(qǐng)人:印芬龍科技股份有限公司