本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,尤其涉及一種抑制橫向雜波的tc-saw諧振器及其制備方法。
背景技術(shù):
1、隨著通訊技術(shù)的發(fā)展,聲表面波(surface?acoustic?wave,saw)濾波器在得到廣泛應(yīng)用的同時(shí)也面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。其中,tc-saw(temperature?compensated-saw,溫度補(bǔ)償型聲表面波)濾波器在普通saw濾波器的基礎(chǔ)上通過(guò)結(jié)合溫度補(bǔ)償層,使器件頻率溫度系數(shù)(tcf)下降從而獲得更寬的使用溫度窗口。其叉指換能器結(jié)構(gòu)雖然具有制作簡(jiǎn)單,電聲轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢(shì),但在使用過(guò)程中激發(fā)的聲波模態(tài)具有復(fù)雜性,不可避免會(huì)產(chǎn)生雜波導(dǎo)致諧振器/濾波器的性能惡化。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種抑制橫向雜波的tc-saw諧振器及其制備方法,實(shí)現(xiàn)有效抑制諧振器的雜波,以構(gòu)建高性能tc-saw濾波器。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,第一方面,本發(fā)明提供一種抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,包括:
3、壓電襯底;
4、叉指換能器,所述叉指換能器設(shè)置于所述壓電襯底上,所述叉指換能器包括第一叉指換能器和第二叉指換能器,所述第一叉指換能器包括第一匯流電極以及與所述第一匯流電極連接的多個(gè)第一叉指電極,所述第二叉指換能器包括第二匯流電極以及與所述第二匯流電極連接的多個(gè)第二叉指電極,多個(gè)所述第一叉指電極和多個(gè)第二叉指電極在所述第一匯流電極和所述第二匯流電極之間沿第一方向平行交替分布;
5、溫度補(bǔ)償層,所述溫度補(bǔ)償層覆蓋所述叉指換能器;
6、多個(gè)雜波抑制結(jié)構(gòu),多個(gè)所述雜波抑制結(jié)構(gòu)分布于所述第一叉指電極的連接端、所述第一叉指電極的自由端、所述第二叉指電極的連接端和所述第二叉指電極的自由端,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述壓電襯底上,且所述雜波抑制結(jié)構(gòu)位于所述叉指換能器所在的電極層內(nèi)。
7、可選地,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)為金屬塊,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)在平行于所述壓電襯底表面方向的截面為矩形。
8、可選地,位于所述第一叉指電極連接端的雜波抑制結(jié)構(gòu)以及位于所述第二叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)沿所述第一方向間隔分布于同一直線上;
9、位于所述第二叉指電極連接端的雜波抑制結(jié)構(gòu)以及位于所述第一叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)沿所述第一方向間隔分布于同一直線上。
10、可選地,位于所述第一叉指電極連接端的雜波抑制結(jié)構(gòu)與所述第一匯流電極之間的距離大于位于所述第二叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)與所述第一匯流電極之間的距離;
11、位于所述第二叉指電極連接端的雜波抑制結(jié)構(gòu)與所述第二匯流電極之間的距離大于位于所述第一叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)與所述第二匯流電極之間的距離。
12、可選地,位于所述第一叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的邊緣與所述第一叉指電極自由端的邊緣對(duì)齊;
13、位于所述第二叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的邊緣與所述第二叉指電極自由端的邊緣對(duì)齊。
14、可選地,分布于所述第一叉指電極連接端和自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的寬度與所述第一叉指電極的寬度相等;
15、分布于所述第二叉指電極連接端和自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的寬度與所述第二叉指電極的寬度相等。
16、可選地,分布于所述第一叉指電極連接端和自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的寬度大于所述第一叉指電極的寬度;
17、分布于所述第二叉指電極連接端和自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的寬度大于所述第二叉指電極的寬度。
18、可選地,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)的材料包括鉻、銅、鉑、鉭、鈦和鎢中的一種或多種。
19、可選地,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)的厚度小于所述叉指換能器所在電極層的厚度。
20、第二方面,本發(fā)明提供一種第一方面所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器的制備方法,包括:
21、在壓電襯底上形成第一光刻膠層;
22、圖案化所述第一光刻膠層,形成暴露所述壓電襯底部分表面的第一開(kāi)口;
23、沉積第一金屬層,所述第一金屬層覆蓋所述第一光刻膠層以及所述第一開(kāi)口露出的壓電襯底表面;
24、去除所述第一光刻膠層以及所述第一光刻膠層上的第一金屬層,在所述壓電襯底上形成多個(gè)雜波抑制結(jié)構(gòu);
25、在所述壓電層上形成第二光刻膠層;
26、圖案化所述第一光刻膠層,形成暴露所述壓電襯底部分表面和所述雜波抑制結(jié)構(gòu)的第二開(kāi)口;
27、沉積第二金屬層,所述第二金屬層覆蓋所述第二光刻膠層、所述第二開(kāi)口露出的壓電襯底表面以及所述雜波抑制結(jié)構(gòu);
28、去除所述第二光刻膠層以及所述第二光刻膠層上的第二金屬層,在所述壓電襯底上剩余的所述第二金屬層形成叉指換能器;
29、在所述叉指換能器上形成溫度補(bǔ)償層。
30、第三方面,本發(fā)明提出一種tc-saw濾波器,所述tc-saw濾波器包括第一方面所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器。
31、本發(fā)明的有益效果在于:
32、本發(fā)明的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器結(jié)構(gòu),在第一叉指電極和第二叉指電極兩端的壓電襯底與電極層之間分別設(shè)置分布式雜波抑制結(jié)構(gòu),通過(guò)該雜波抑制結(jié)構(gòu)能夠有效抑制在第一匯流電極和第二匯流電極之間由于反射諧振形成的橫向雜波。
33、進(jìn)一步,本發(fā)明中的雜波抑制結(jié)構(gòu)采用矩形金屬塊結(jié)構(gòu),分布式的金屬結(jié)構(gòu)自由度更高,容易通過(guò)調(diào)整尺寸大小優(yōu)化抑制雜波的效果。同時(shí)可通過(guò)調(diào)整非端部的雜波抑制結(jié)構(gòu)位置,在第一叉指電極和第二叉指電極靠近第一匯流電極和第二匯流電極的兩端分別形成兩種低聲速區(qū),從而起到有效抑制雜波的效果。
1.一種抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)為金屬塊,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)在平行于所述壓電襯底表面方向的截面為矩形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,位于所述第一叉指電極連接端的雜波抑制結(jié)構(gòu)以及位于所述第二叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)沿所述第一方向間隔分布于同一直線上;
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,位于所述第一叉指電極連接端的雜波抑制結(jié)構(gòu)與所述第一匯流電極之間的距離大于位于所述第二叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)與所述第一匯流電極之間的距離;
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,位于所述第一叉指電極自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的邊緣與所述第一叉指電極自由端的邊緣對(duì)齊;
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,分布于所述第一叉指電極連接端和自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的寬度與所述第一叉指電極的寬度相等;
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,分布于所述第一叉指電極連接端和自由端的雜波抑制結(jié)構(gòu)的寬度大于所述第一叉指電極的寬度;
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)的材料包括鉻、銅、鉑、鉭、鈦和鎢中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器,其特征在于,所述雜波抑制結(jié)構(gòu)的厚度小于所述叉指換能器所在電極層的厚度。
10.一種權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器的制備方法,其特征在于,包括:
11.一種tc-saw濾波器,其特征在于,所述tc-saw濾波器包括權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的抑制橫向雜波的tc-saw諧振器。