本公開涉及顯示裝置和制造顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

1、顯示裝置是顯示圖像的裝置，并且最近，作為一種發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置正在引起關(guān)注。發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光的，并且與液晶顯示裝置不同，發(fā)光顯示裝置不需要單獨(dú)的光源，因此發(fā)光顯示裝置可以制造得比典型的液晶顯示裝置更薄且更輕。另外，發(fā)光顯示裝置通常呈現(xiàn)出諸如低功耗、高亮度和高響應(yīng)速度的高質(zhì)量特性。

2、通常，發(fā)光顯示裝置包括：基底；多個(gè)薄膜晶體管，設(shè)置在基底上；多個(gè)絕緣層，設(shè)置在構(gòu)成薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)上或設(shè)置在構(gòu)成薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)之間；以及有機(jī)發(fā)光元件，連接到薄膜晶體管。發(fā)光顯示裝置通常包括多個(gè)像素，并且每個(gè)像素包括多個(gè)晶體管。晶體管可以包括多晶半導(dǎo)體。為了形成多晶半導(dǎo)體，非晶半導(dǎo)體通過諸如可以使用激光施加的熱處理而經(jīng)歷結(jié)晶步驟。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本文中所公開的實(shí)施例可以提供一種制造顯示裝置的方法并且可以防止在氟摻雜期間靜電的產(chǎn)生。實(shí)施例還可以包括通過所述方法所制造的顯示裝置。

2、根據(jù)本公開的實(shí)施例的制造顯示裝置的方法包括：在基底上形成非晶硅；在所述非晶硅上形成導(dǎo)電保護(hù)層、用氟進(jìn)行摻雜；以及去除所述導(dǎo)電保護(hù)層。

3、所述方法可以進(jìn)一步包括在所述去除所述導(dǎo)電保護(hù)層之后，使所述非晶硅結(jié)晶。

4、在所述在所述基底上形成所述非晶硅之前，可以進(jìn)一步包括在所述基底上形成絕緣膜。

5、所述導(dǎo)電保護(hù)層可以包括金屬，并且所述金屬可以不與所述非晶硅形成硅化物。

6、所述金屬可以包括鉬。

7、所述導(dǎo)電保護(hù)層可以包括透明導(dǎo)電氧化物。

8、所述透明導(dǎo)電氧化物可以包括從igzo、ito和izo中選擇的至少一者。

9、所述導(dǎo)電保護(hù)層可以具有至的厚度。

10、通過所述氟摻雜，氟可以被摻雜到定位在所述非晶硅之下的絕緣膜中。

11、在所述氟摻雜期間，氟可以定位在所述導(dǎo)電保護(hù)層上。

12、所述絕緣膜可以是無機(jī)層。

13、所述無機(jī)層可以包括氮化硅或氧化硅。

14、所述絕緣膜可以包括定位在所述基底上的有機(jī)層以及定位在所述有機(jī)層上并與所述非晶硅接觸的無機(jī)層，并且所述無機(jī)層可以包括氧化硅。

15、在去除所述導(dǎo)電保護(hù)層之后，氟可以不位于所述非晶硅上。

16、可以通過濕法蝕刻來執(zhí)行去除所述導(dǎo)電保護(hù)層。

17、根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置包括：基底；在所述基底上的絕緣膜；在所述絕緣膜上的半導(dǎo)體層；包括所述半導(dǎo)體層的晶體管；以及連接到所述晶體管的發(fā)光元件，其中，所述半導(dǎo)體層是晶體。所述晶體包括硅，并且對(duì)所述絕緣膜和所述半導(dǎo)體層的上部中的至少一層用氟進(jìn)行摻雜。

18、所述絕緣膜可以包括與所述基底接觸的有機(jī)層以及與所述半導(dǎo)體層接觸的無機(jī)層。

19、無機(jī)層可以包括氮化硅或氧化硅。

20、無機(jī)層可以包括包含氮化硅的第一無機(jī)層以及包含氧化硅的第二無機(jī)層，并且第二無機(jī)膜可以直接接觸半導(dǎo)體層。

21、第一無機(jī)層的厚度可以是至并且第二無機(jī)層的寬度可以是至

22、根據(jù)實(shí)施例，提供了一種防止在氟摻雜期間產(chǎn)生靜電的制造顯示裝置的方法以及通過所述方法制造的顯示裝置。

技術(shù)特征：

1.一種制造顯示裝置的方法，其中，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括：在所述在所述基底上形成所述非晶硅之前，在所述基底上形成絕緣膜。

9.一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及制造顯示裝置的方法和顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造顯示裝置的方法包括：在基底上形成非晶硅；在所述非晶硅上形成導(dǎo)電保護(hù)層；用氟進(jìn)行摻雜；以及去除所述導(dǎo)電保護(hù)層。

技術(shù)研發(fā)人員：柳春基
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9