本公開的示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置。更具體地，本公開的示例實(shí)施例涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著dram裝置中的集成度已經(jīng)增加，dram裝置的組件的尺寸已經(jīng)減小，并且外圍電路區(qū)域中的晶體管的面積可需要被減小。在平面晶體管中，柵電極具有溝道的低可控性，并且平面晶體管可具有柵極感應(yīng)漏極泄漏(gidl)或柵極感應(yīng)結(jié)泄漏(gijl)的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、示例實(shí)施例提供具有改進(jìn)特性的半導(dǎo)體裝置。

2、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置可包括：第一有源圖案和第二有源圖案，分別在基底的單元區(qū)域和外圍電路區(qū)域上；第一柵極結(jié)構(gòu)，延伸穿過第一有源圖案的上部；第二柵極結(jié)構(gòu)，在第二有源圖案的上表面和上側(cè)壁上；源極/漏極層，在第二有源圖案的與第二柵極結(jié)構(gòu)鄰近的部分上；位線結(jié)構(gòu)，在第一有源圖案的中心部分上，位線結(jié)構(gòu)在基本平行于基底的上表面的水平方向上與第二柵極結(jié)構(gòu)疊置；接觸插塞結(jié)構(gòu)，在第一有源圖案的背對(duì)的端部上；以及電容器，在接觸插塞結(jié)構(gòu)上。

3、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置可包括：第一有源圖案，在基底上；第一柵極結(jié)構(gòu)，在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸穿過第一有源圖案的上部；位線結(jié)構(gòu)，在第一有源圖案的中心部分上，位線結(jié)構(gòu)在基本平行于基底上表面并與第一方向相交的第二方向上延伸，其中，位線結(jié)構(gòu)包括在基本垂直于基底的上表面的垂直方向上堆疊的第一導(dǎo)電圖案、阻擋圖案、第二導(dǎo)電圖案和覆蓋圖案；接觸插塞結(jié)構(gòu)，在第一有源圖案的背對(duì)的端部上；以及電容器，在接觸插塞結(jié)構(gòu)上。阻擋圖案在第二方向上的端部在剖視圖中可具有“l(fā)”形。

4、根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置可包括：第一有源圖案和第二有源圖案，分別在基底的單元區(qū)域和外圍電路區(qū)域上；隔離結(jié)構(gòu)，在基底上并且在第一有源圖案和第二有源圖案的側(cè)壁上，隔離結(jié)構(gòu)包括第一隔離圖案、第二隔離圖案和第三隔離圖案；第一柵極結(jié)構(gòu)，在基底的單元區(qū)域上在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸穿過第一有源圖案和隔離結(jié)構(gòu)的上部；第二柵極結(jié)構(gòu)，在第二有源圖案的上表面和上側(cè)壁上，其中，第二柵極結(jié)構(gòu)在隔離結(jié)構(gòu)上并且在基底的外圍電路區(qū)域上；源極/漏極層，在第二有源圖案的與第二柵極結(jié)構(gòu)鄰近的部分上；位線結(jié)構(gòu)，在第一有源圖案的中心部分上并且在隔離結(jié)構(gòu)上，位線結(jié)構(gòu)在基本平行于基底的上表面并與第一方向相交的第二方向上延伸，其中，位線結(jié)構(gòu)在單元區(qū)域上并且在外圍電路區(qū)域的與單元區(qū)域鄰近的部分上，并且其中，位線結(jié)構(gòu)包括在基本垂直于基底的上表面的垂直方向上堆疊的第一導(dǎo)電圖案、阻擋圖案、第二導(dǎo)電圖案和覆蓋圖案；接觸插塞結(jié)構(gòu)，在第一有源圖案的背對(duì)的端部上；以及電容器，在接觸插塞結(jié)構(gòu)上。

5、根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置可包括基底的外圍電路區(qū)域上的晶體管，并且晶體管的柵極結(jié)構(gòu)可接觸從基底突出的有源圖案的上側(cè)壁以及有源圖案的上表面。因此，可提高有源圖案中的溝道上的柵極結(jié)構(gòu)的可控性，并且可減少gidl或gijl現(xiàn)象。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：隔離結(jié)構(gòu)，在基底上并且在第一有源圖案和第二有源圖案的側(cè)壁上，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，隔離結(jié)構(gòu)的在基底的單元區(qū)域上的第一部分包括第一隔離圖案，并且

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一隔離圖案的在基底的單元區(qū)域上的部分的上表面與第一有源圖案的最上表面共面。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二有源圖案在平行于基底的上表面的第一方向上延伸，并且第二柵極結(jié)構(gòu)在平行于基底的上表面并與第一方向相交的第二方向上延伸，并且

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二隔離圖案的在基底的外圍電路區(qū)域上并且在第二方向上與源極/漏極層鄰近的部分的最上表面高于第一隔離圖案和第三隔離圖案的在基底的外圍電路區(qū)域上并且在第二方向上與源極/漏極層鄰近的部分的最上表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二隔離圖案的所述部分的最上表面與第二有源圖案的上表面共面。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：絕緣中間層圖案，在隔離結(jié)構(gòu)與第二柵極結(jié)構(gòu)之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：間隔件，在絕緣中間層圖案上，其中，間隔件在第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一柵極結(jié)構(gòu)在平行于基底的上表面的第一方向上延伸，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，阻擋圖案在第二導(dǎo)電圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁上，

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，基底的外圍電路區(qū)域上的阻擋圖案在第二方向上的剖面為“l(fā)”形。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁在垂直方向上不與阻擋圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁對(duì)齊，使得阻擋圖案和第一導(dǎo)電圖案在第二方向上共同具有階梯狀輪廓，并且

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁與阻擋圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁在垂直方向上對(duì)齊，

15.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，阻擋圖案在第二導(dǎo)電圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁上。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁在垂直方向上不與阻擋圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁對(duì)齊，使得阻擋圖案和第一導(dǎo)電圖案在第二方向上共同具有階梯狀輪廓。

18.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其中，阻擋圖案在第二導(dǎo)電圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁上，

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一導(dǎo)電圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁在垂直方向上不與阻擋圖案的在第二方向上的端部的側(cè)壁對(duì)齊，使得阻擋圖案和第一導(dǎo)電圖案在第二方向上共同具有階梯狀輪廓，并且

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體裝置可包括第一有源圖案和第二有源圖案、第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)、源極/漏極層、位線結(jié)構(gòu)、接觸插塞結(jié)構(gòu)和電容器。第一有源圖案和第二有源圖案分別在基底的單元區(qū)域和外圍電路區(qū)域上。第一柵極結(jié)構(gòu)延伸穿過第一有源圖案的上部。第二柵極結(jié)構(gòu)在第二有源圖案的上表面和上側(cè)壁上。源極/漏極層在第二有源圖案的與第二柵極結(jié)構(gòu)鄰近的部分上。位線結(jié)構(gòu)在第一有源圖案的中心部分上，并且在水平方向上與第二柵極結(jié)構(gòu)疊置。接觸插塞結(jié)構(gòu)在第一有源圖案的背對(duì)的端部上。電容器在接觸插塞結(jié)構(gòu)上。

技術(shù)研發(fā)人員：金鐘珉,尹燦植,李基碩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9