本實(shí)用新型涉及傳感器領(lǐng)域，具體涉及一種霍爾傳感傳感器。

背景技術(shù)：

波段開(kāi)關(guān)是在各類數(shù)控機(jī)械、智能設(shè)備中廣泛應(yīng)用的操作部件。機(jī)械式波段開(kāi)關(guān)雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低，但是機(jī)械式波段開(kāi)關(guān)中通過(guò)兩個(gè)觸片相互觸動(dòng)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通與關(guān)閉，但在實(shí)際應(yīng)用中動(dòng)觸片和靜觸片長(zhǎng)期相互接觸，會(huì)出現(xiàn)靜觸片變形或動(dòng)觸片斷裂的情況，造成機(jī)械式波段開(kāi)關(guān)接觸不良；另外，機(jī)械式波段開(kāi)關(guān)裸露在空氣中無(wú)保護(hù)，動(dòng)觸片和靜觸片容易被氧化，從而接觸不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的就是為了彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種無(wú)觸點(diǎn)且可進(jìn)行180°位置檢測(cè)的霍爾傳感器。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種霍爾傳感器，它包括轉(zhuǎn)子件、霍爾元件以及磁鐵件，所述磁鐵件包括分離設(shè)置的半圓形磁鐵A及半圓形磁鐵B，霍爾元件設(shè)置于半圓形磁鐵A或半圓形磁鐵B的中段位置。所述轉(zhuǎn)子件包括收容磁鐵件的收容腔，所述收容腔包括固定收容半圓形磁鐵A的第一收容腔及固定收容半圓形磁鐵B的第二收容腔。

優(yōu)選的霍爾傳感器包括上蓋，上蓋設(shè)有端子卡槽。

優(yōu)選的上蓋為中空設(shè)置，轉(zhuǎn)子件包括突出上蓋的轉(zhuǎn)子軸，轉(zhuǎn)子軸可帶動(dòng)磁鐵件進(jìn)行0度～180度旋轉(zhuǎn)。

優(yōu)選的半圓形磁鐵A及半圓形磁鐵B的接口處的空隙為0nm～2cm。

優(yōu)選的半圓形磁鐵A及半圓形磁鐵B相對(duì)的一邊的接口處的空隙為0nm，半圓形磁鐵A及半圓形磁鐵B相對(duì)的另一邊的接口處的空隙為5nm～1cm。

優(yōu)選的霍爾傳感器包括底座，磁鐵件安裝于底座與上蓋之間。

本實(shí)用霍爾傳感器可以無(wú)觸點(diǎn)、連續(xù)的采集信號(hào)，使用壽命長(zhǎng)，安全系數(shù)高。本實(shí)用新型中的霍爾傳感器通過(guò)兩個(gè)分離式磁鐵、霍爾元件設(shè)于半圓形磁鐵A或半圓形磁鐵B的中段位置的結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)霍爾元件檢測(cè)到從半圓形磁鐵A中段位置到半圓形磁鐵B中段位置的電磁場(chǎng)強(qiáng)度，半圓形磁鐵A中段位置到半圓形磁鐵B中段位置的電磁場(chǎng)強(qiáng)度的每個(gè)點(diǎn)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度不同，通過(guò)霍爾元件檢測(cè)到的電壓不同，若霍爾元件應(yīng)用于火力調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)，即可實(shí)現(xiàn)180度的從小火到持續(xù)大火的調(diào)節(jié)。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的霍爾傳感器；

圖2是圖1的本實(shí)用新型的爆炸圖；

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明。

如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型提供一種霍爾傳感器100，霍爾傳感器100包括上蓋1，轉(zhuǎn)子件2、霍爾元件3以及磁鐵件，所述磁鐵件包括分離設(shè)置的半圓形磁鐵A及半圓形磁鐵B，霍爾元件3設(shè)置于半圓形磁鐵A或半圓形磁鐵B的中段位置。上蓋1設(shè)有端子卡槽12。端子卡槽12凸伸出上蓋，霍爾元件3裝于端子卡槽12中，端子卡槽12位于半圓形磁鐵A的中端位置，霍爾元件3設(shè)有若干導(dǎo)線31以與電路板進(jìn)行連接。所述轉(zhuǎn)子件2包括收容磁鐵件的收容腔22，所述收容腔22包括固定收容半圓形磁鐵A的第一收容腔及固定收容半圓形磁鐵B的第二收容腔。在本實(shí)施方式中，收容半圓形磁鐵A的第一收容腔及固定收容半圓形磁鐵B的第二收容腔為貫通設(shè)置，其他實(shí)施方式中，收容半圓形磁鐵A的第一收容腔及固定收容半圓形磁鐵B的第二收容腔可隔斷設(shè)置。

本實(shí)施例中，在半圓形磁鐵A的中端位置時(shí)，霍爾元件檢測(cè)到的電壓值為半圓形磁鐵A或者半圓形磁鐵B磁鐵所在兩點(diǎn)電壓的平均值?；魻杺鞲衅?00還包括底座4，磁鐵件安裝于底座4與上蓋1之間。底座4對(duì)應(yīng)霍爾元件3的導(dǎo)線31設(shè)有導(dǎo)線卡槽，用以將導(dǎo)線31進(jìn)行卡位。上蓋1與底座4通過(guò)熱壓固定在一起。在安裝過(guò)程中，上蓋1的塑殼里拉伸出柱子，上蓋1與底座4安裝后，將柱子燙平用以固定上蓋1與底座4，采用上述熱壓固定的方式可以減少成本和縮小產(chǎn)品體積。在其他實(shí)施方式中，上蓋1與底座4還可通過(guò)螺釘固裝或卡扣固裝。

上蓋1為中空設(shè)置，設(shè)有中空腔11，轉(zhuǎn)子件2包括突出上蓋中空腔的轉(zhuǎn)子軸21，轉(zhuǎn)子軸21為中空結(jié)構(gòu)，且與外部轉(zhuǎn)動(dòng)閥緊密干涉配合，轉(zhuǎn)動(dòng)閥帶動(dòng)轉(zhuǎn)子軸21，且轉(zhuǎn)子軸21帶動(dòng)磁鐵件進(jìn)行0度～180度旋轉(zhuǎn)。半圓形磁鐵A及半圓形磁鐵B的接口處的空隙為0mm～2cm。在本實(shí)施例中半圓形磁鐵A及半圓形磁鐵B相對(duì)的一邊的接口處的空隙為0mm，半圓形磁鐵A及半圓形磁鐵B相對(duì)的另一邊的接口處的空隙為2mm～1cm。

以霍爾元件3所在的半圓形磁鐵A的中間位置為基點(diǎn)，半圓形磁鐵A隨轉(zhuǎn)子軸以轉(zhuǎn)子軸為軸心旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)動(dòng)到半圓形磁鐵B原來(lái)所在的中心位置，可轉(zhuǎn)動(dòng)180度，本實(shí)施例中，半圓形磁鐵A的內(nèi)環(huán)為N極，外環(huán)為S極，半圓形磁鐵B的內(nèi)環(huán)為S極，外環(huán)為N極。在其他實(shí)施例中，半圓形磁鐵A和半圓形磁鐵B的內(nèi)環(huán)及外環(huán)的磁性可根據(jù)需要進(jìn)行對(duì)應(yīng)調(diào)整。轉(zhuǎn)子軸21為軸心順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，裝于轉(zhuǎn)子件2中的半圓形磁鐵A和半圓形磁鐵B也隨轉(zhuǎn)子件同時(shí)旋轉(zhuǎn)，隨著半圓形磁鐵A和半圓形磁鐵B的旋轉(zhuǎn)，霍爾元件3所在位置處的磁場(chǎng)強(qiáng)度也隨之變化，檢測(cè)到的電流值亦從小到大逐漸增強(qiáng)。半圓形磁鐵A中段位置到半圓形磁鐵B中段位置的電磁場(chǎng)強(qiáng)度的每個(gè)點(diǎn)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度不同，通過(guò)霍爾元件3檢測(cè)到的電壓不同，若霍爾元件應(yīng)用于火力調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)，即可實(shí)現(xiàn)180度的從小火到持續(xù)大火的調(diào)節(jié)。本實(shí)用新型中霍爾元件3是可以進(jìn)行360度旋轉(zhuǎn)，因磁鐵環(huán)形充磁后磁感線強(qiáng)度呈左右對(duì)稱，為了便于組裝，故我們采取2塊180度的磁鐵用以有效的去電壓值和同時(shí)降低生產(chǎn)成本，0度-180度和181-360檢測(cè)的電壓值是重復(fù)的。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出：對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。