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基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器和方法

文檔序號(hào):40611869發(fā)布日期:2025-01-07 20:56閱讀:11來源:國(guó)知局
基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器和方法

本發(fā)明屬于磁能收集,特別是基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器和方法。


背景技術(shù):

1、磁能收集技術(shù)因其功率密度高、不受天氣條件影響和免維護(hù)等優(yōu)點(diǎn),在電力系統(tǒng)傳感器自供電領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而,由于輸電線路電流的寬范圍波動(dòng),現(xiàn)有磁能收集器主要面臨兩個(gè)問題:1、一次側(cè)電流過小時(shí)輸出功率不足;2、一次側(cè)電流過大時(shí)磁芯深度飽和而嚴(yán)重發(fā)熱并損害電路元件。

2、現(xiàn)有技術(shù)中,采用二極管串聯(lián)數(shù)量需兼顧飽和抑制性能和取能下限的問題,且二極管發(fā)熱問題較嚴(yán)重,磁芯復(fù)合結(jié)構(gòu)和相應(yīng)電路優(yōu)化拓?fù)淇商嵘拍苁占髟谝淮蝹?cè)電流寬范圍波動(dòng)條件下的穩(wěn)定性,但雙磁芯結(jié)構(gòu)顯著增大了裝置體積和成本。通過電容補(bǔ)償和阻抗匹配法提升不同電流下的收集功率,并使用半控有源整流橋調(diào)整短路角以避免大電流時(shí)磁芯飽和,該方法所需控制電路復(fù)雜,控制參數(shù)精度要求高且受一次側(cè)電流波動(dòng)影響,因此難以實(shí)際應(yīng)用。因此,現(xiàn)有技術(shù)難以同時(shí)解決磁能收集器在一次側(cè)電流過小和過大時(shí)存在的問題,且現(xiàn)有的控制電路復(fù)雜,控制參數(shù)精度要求高且受一次側(cè)電流波動(dòng)影響,因此難以實(shí)際應(yīng)用;為適應(yīng)寬范圍一次側(cè)電流需額外加入磁芯,增大裝置體積和成本。

3、在背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解,因此可能包含不構(gòu)成在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器和方法,其能夠同時(shí)解決磁能收集器在一次側(cè)電流過小和過大時(shí)存在的問題且無需增大體積、便于控制。

2、基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器包括:

3、磁芯,其套設(shè)于一次側(cè)電流線路中;

4、二次側(cè)取能線圈,其卷繞所述磁芯的一側(cè)上,

5、整流橋,其連接所述二次側(cè)取能線圈,

6、恒壓負(fù)載,其連接所述整流橋以存儲(chǔ)來自二次側(cè)取能線圈的電能,

7、二次側(cè)控制線圈,其卷繞所述磁芯的另一側(cè)上,

8、受控開關(guān)s,其連接所述二次側(cè)控制線圈,受控開關(guān)s經(jīng)由信號(hào)開閉,

9、控制器,其連接并發(fā)送信號(hào)到所述受控開關(guān)s,所述控制器包括用于檢測(cè)一次側(cè)電流過零點(diǎn)的比較電路。

10、所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器中,當(dāng)一次側(cè)電流為小于第一預(yù)定電流值的小電流條件下,在一次側(cè)電流過零點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s導(dǎo)通且在峰值點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s關(guān)斷,受控開關(guān)s導(dǎo)通前后磁芯磁通勢(shì)的突變?cè)诙蝹?cè)取能線圈兩端感應(yīng)電壓進(jìn)而驅(qū)動(dòng)整流橋?qū)ā?/p>

11、所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器中,第一預(yù)定電流值為5arms。

12、所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器中,當(dāng)一次側(cè)電流為大于第二預(yù)定電流值的大電流條件下,在一次側(cè)電流過零點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s關(guān)斷,在峰值點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s導(dǎo)通。

13、所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器中,第二預(yù)定電流值為25arms。

14、所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器中,所述磁能收集器為電流互感器式磁能收集器。

15、所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器中,所述比較電路包括采樣電阻和運(yùn)算放大器。

16、所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器中,所述恒壓負(fù)載包括儲(chǔ)能電容。

17、所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器中,受控開關(guān)s包括mosfet管。

18、基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器的收集方法包括以下步驟,

19、磁芯套設(shè)于一次側(cè)電流線路中,二次側(cè)取能線圈卷繞所述磁芯的一側(cè)上,二次側(cè)控制線圈卷繞所述磁芯的另一側(cè)上,恒壓負(fù)載連接整流橋以存儲(chǔ)來自二次側(cè)取能線圈的電能;

20、受控開關(guān)s連接所述二次側(cè)控制線圈,受控開關(guān)s經(jīng)由信號(hào)開閉,當(dāng)控制器檢測(cè)一次側(cè)電流為小于第一預(yù)定電流值的小電流條件下,在一次側(cè)電流過零點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s導(dǎo)通且在峰值點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s關(guān)斷,受控開關(guān)s導(dǎo)通前后磁芯磁通勢(shì)的突變?cè)诙蝹?cè)取能線圈兩端感應(yīng)電壓進(jìn)而驅(qū)動(dòng)整流橋?qū)?;?dāng)控制器檢測(cè)一次側(cè)電流為大于第二預(yù)定電流值的大電流條件下,在一次側(cè)電流過零點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s關(guān)斷,在峰值點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s導(dǎo)通。

21、和現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):

22、基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器通過附加控制線圈和受控開關(guān),并結(jié)合不同一次側(cè)電流條件下的控制策略,本方法能對(duì)磁芯勵(lì)磁電流和磁通進(jìn)行調(diào)控,進(jìn)而控制并改善磁能收集器輸出特性,同時(shí)解決磁能收集器在一次側(cè)電流過小和過大時(shí)存在的問題,在小電流條件下提升收集功率以降低供電死區(qū),在大電流條件下抑制磁芯飽和并保護(hù)后端電路元件,控制電路簡(jiǎn)潔,控制參數(shù)少,實(shí)用性強(qiáng),受控元件僅為一個(gè)開關(guān),控制參數(shù)僅有開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間。無需額外加入磁芯,控制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔。



技術(shù)特征:

1.一種基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,其包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,優(yōu)選的,控制受控開關(guān)s導(dǎo)通且在峰值點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s關(guān)斷,受控開關(guān)s導(dǎo)通前后磁芯磁通勢(shì)的突變。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,第一預(yù)定電流值為5arms。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,控制受控開關(guān)s關(guān)斷,在峰值點(diǎn)兩側(cè)附近時(shí),控制器發(fā)生信號(hào)控制受控開關(guān)s導(dǎo)通。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,第二預(yù)定電流值為25arms。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,所述磁能收集器為電流互感器式磁能收集器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,所述比較電路包括采樣電阻和運(yùn)算放大器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,所述恒壓負(fù)載包括儲(chǔ)能電容。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器,其特征在于,受控開關(guān)s包括mosfet管。

10.一種根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器的收集方法,其特征在于,其包括以下步驟,


技術(shù)總結(jié)
一種基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器及方法,磁能收集器中,磁芯套設(shè)于一次側(cè)電流線路中;二次側(cè)取能線圈卷繞所述磁芯的一側(cè)上,整流橋連接所述二次側(cè)取能線圈,恒壓負(fù)載連接所述整流橋以存儲(chǔ)來自二次側(cè)取能線圈的電能,二次側(cè)控制線圈卷繞所述磁芯的另一側(cè)上,受控開關(guān)S連接所述二次側(cè)控制線圈,受控開關(guān)S經(jīng)由信號(hào)開閉,控制器連接并發(fā)送信號(hào)到所述受控開關(guān)S,所述控制器包括用于檢測(cè)一次側(cè)電流過零點(diǎn)的比較電路。基于雙線圈結(jié)構(gòu)的磁能收集器同時(shí)解決磁能收集器在一次側(cè)電流過小和過大時(shí)存在的問題。

技術(shù)研發(fā)人員:楊愛軍,劉柱,周丹,李端姣,蔡玲瓏,姜爍,邰彬,王小華,榮命哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者:西安交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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