本實(shí)用新型涉及過(guò)壓保護(hù)電路領(lǐng)域，特別涉及在潮濕環(huán)境下的過(guò)壓保護(hù)電路的應(yīng)用領(lǐng)域，具體是指一種抗潮濕LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

隨著LED照明的普及，LED燈在各種場(chǎng)合下得到了廣泛應(yīng)用。為了保證應(yīng)用的安全性和可靠性，目前市場(chǎng)上主流的恒流LED驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部都集成了多重保護(hù)功能。當(dāng)LED燈珠損壞導(dǎo)致輸出開(kāi)路時(shí)，輸出電壓會(huì)不斷升高至線(xiàn)纜電壓，會(huì)造成觸電等危險(xiǎn)，而當(dāng)輸出電容耐壓選擇較低時(shí)，還可能發(fā)生電容爆炸等危害。通常LED驅(qū)動(dòng)器會(huì)集成輸出過(guò)壓保護(hù)電路，防止輸出電壓過(guò)高的情況發(fā)生。而目前市場(chǎng)上的集成了過(guò)壓保護(hù)功能的LED電路，當(dāng)其應(yīng)用于浴室、戶(hù)外等潮濕環(huán)境中時(shí)，會(huì)誤觸發(fā)過(guò)壓保護(hù)，造成LED燈不斷閃爍，無(wú)法保證LED照明的正常使用。

如圖1所示，是一種典型的LED驅(qū)動(dòng)電路，當(dāng)M1內(nèi)部功率管開(kāi)啟時(shí)，電感L1充電電流逐漸增大，給輸出提供電流，并對(duì)負(fù)載輸出電容C3充電，當(dāng)達(dá)到設(shè)定的峰值電流時(shí)，開(kāi)關(guān)管標(biāo)記關(guān)斷，名稱(chēng)D1導(dǎo)通，負(fù)載輸出電容C3放電，電感L1放電，忽略D1上的壓降，L1兩端電壓近似等于輸出電壓。有公式(1)

其中Vout為輸出電壓，Ipeak為電感峰值電流，Tdem為電感消磁時(shí)間。由公式(1)可見(jiàn)，Tdem與Vout成反比關(guān)系。當(dāng)LED輸出開(kāi)路，處于空載狀態(tài)時(shí)，負(fù)載電容失去放電回路，如果沒(méi)有保護(hù)，功率管仍然開(kāi)啟，對(duì)電容充電，使空載時(shí)，輸出電壓一直升高，直到到達(dá)輸入電壓，而輸入電壓通常為120～380V的高壓，不僅容易造成危險(xiǎn)，也對(duì)輸出電容的耐壓有更高的要求。輸出過(guò)壓保護(hù)電路的原理是，在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷后，控制芯片M1內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)預(yù)設(shè)的比較時(shí)間Tovp，對(duì)應(yīng)外部輸出過(guò)壓保護(hù)閾值Vovp，將采樣到的時(shí)間Tdem與Tovp比較，當(dāng)Tdem小于Tovp時(shí)，說(shuō)明輸出電壓Vout大于Vovp，芯片關(guān)閉功率管，停止對(duì)負(fù)載輸出電容C3充電，并控制芯片重新啟動(dòng)。

如圖2所示，一種典型的過(guò)壓保護(hù)核心電路結(jié)構(gòu)。功率管開(kāi)啟時(shí)，CTR為高電平，MN3開(kāi)啟，電容C1放電，C1上的電壓為0V，比較器COMP1輸出為低電平，經(jīng)或非門(mén)NOR1，OUT輸出低電平。當(dāng)功率管關(guān)閉時(shí)，CTR跳變?yōu)榈碗娖?，MN3截止，運(yùn)放AMP形成的單位增益負(fù)反饋，使OVP引腳電壓與V1電壓相等，通過(guò)外置采樣電阻標(biāo)記，形成電流，鏡像后，對(duì)電容C1充電。在C1電壓充電至VREF電壓之前，比較器標(biāo)記輸出低電平，從而輸出OUT輸出高電平。當(dāng)電容標(biāo)記充電至VREF電壓之后，比較器翻轉(zhuǎn)，輸出高電平，OUT輸出低電平。通過(guò)這種方式，該電路在功率管標(biāo)記關(guān)斷后形成一個(gè)高脈沖。波形如圖3所示。產(chǎn)生的脈沖寬度計(jì)算公式(2)為：

可見(jiàn)Tovp與Rovp成正比關(guān)系。

當(dāng)OVP引腳存在灌電流時(shí)，電流Ib、Ic減小，電容充電時(shí)間變大，Tovp變大。

現(xiàn)有的過(guò)壓保護(hù)電路的問(wèn)題是：當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用于潮濕環(huán)境中時(shí)，由于芯片漏端高壓，受PCB板材影響，芯片容易出現(xiàn)從高壓漏端到Rovp引腳的灌漏電電流，這在小尺寸封裝芯片情況下更為嚴(yán)重。漏電電流經(jīng)過(guò)Rovp電阻到地，使芯片內(nèi)部產(chǎn)生的電流減小，電容充電時(shí)間變長(zhǎng)，Tovp時(shí)間變長(zhǎng)。由于過(guò)壓保護(hù)閾值和Tovp成反比關(guān)系，從而過(guò)壓保護(hù)閾值會(huì)降低，低于輸出電壓時(shí)，會(huì)誤觸發(fā)過(guò)壓保護(hù)，造成芯片重啟，LED燈熄滅，重啟后點(diǎn)亮，如此往復(fù)，導(dǎo)致LED燈不斷閃爍。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，提供一種能夠避免在潮濕應(yīng)用環(huán)境下預(yù)設(shè)保護(hù)閾值電壓下降、保證LED驅(qū)動(dòng)在潮濕環(huán)境下得以正常使用的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路。

為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本實(shí)用新型的過(guò)壓保護(hù)電路具有如下構(gòu)成：

該LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路，包括電壓比較脈沖輸出電路模塊、延時(shí)升壓控制電路模塊和參考電壓產(chǎn)生電路模塊，所述的延時(shí)升壓控制電路模塊的升壓控制端、所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的輸出控制端均與LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR管腳相連接，所述的延時(shí)升壓控制電路模塊的輸出端接于所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的第一輸入端，所述的參考電壓產(chǎn)生電路模塊的輸入端與LED驅(qū)動(dòng)芯片的OVP管腳相連接，且該參考電壓產(chǎn)生電路模塊的輸出端接于所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的第二輸入端，所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的輸出端為所述的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端；從而，當(dāng)所述的OVP管腳注入漏電電流時(shí)，所述的參考電壓產(chǎn)生電路模塊的輸出端的電壓降低。

所述參考電壓產(chǎn)生電路模塊包括內(nèi)置恒流源的外置采樣電阻輸出電路單元、恒流源電流變換電路單元，所述外置采樣電阻輸出電路單元用于輸出端通過(guò)與所述的OVP管腳相連接，且通過(guò)一外置采樣電阻接地。所述的外置采樣電阻輸出電路單元還被用于其輸出端通過(guò)所述的恒流源電流變換電路單元接于所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的第二輸入端。

所述的內(nèi)置恒流源的外置采樣電阻輸出電路單元包括第一恒流源、單位增益負(fù)反饋電路和第一NMOS管，所述的第一恒流源用于連接于電源VDD和所述的單位增益負(fù)反饋電路的同相輸入端之間，且依次通過(guò)所述的OVP管腳、外置采樣電阻接地，第一NMOS管連接于所述的恒流源電流變換電路單元與單位增益負(fù)反饋電路的反相輸入端之間。

所述的單位增益負(fù)反饋電路包括集成運(yùn)放、第一電阻、第三電阻和第四電阻，所述的集成運(yùn)放的輸出端用于連接于所述的第一NOMS管的柵極，且第一NMOS管、第三電阻、第一電阻依次用于串接于恒流源電流變換電路單元與地之間，所述的第四電阻用于其一端連接于第三電阻和第一電阻之間，另一端連接于集成運(yùn)放的反相輸入端。

所述的恒流源電流變換電路單元可以包括第二恒流源、第二電阻、依次級(jí)聯(lián)連接于所述的外置采樣電阻輸出電路單元與電壓比較脈沖輸出電路模塊的第一輸入端之間的第一電流鏡像電路和第二電流鏡像電路，所述的第二恒流源接于所述的第一電流鏡像電路的輸出端和地之間，所述的第二電阻接于所述的第二電流鏡像電路的輸出端和地之間。

所述的第一電流鏡像電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，第一PMOS管和第二PMOS管用于依次串接于電源VDD與外置采樣電阻輸出電路單元的輸出端之間，第三PMOS管和第四PMOS管用于依次串接于電源VDD與第二恒流源之間，第一PMOS管與第三PMOS管共柵極且用于共同接于第一PMOS管和第二PMOS管之間，第二PMOS管與第四PMOS管共柵極且用于共同接于第二PMOS管和外置采樣電阻輸出電路單元的輸出端之間。

所述的第二電流鏡像電路包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，第五PMOS管和第六PMOS管用于依次串接于電源VDD與第二恒流源之間，第七PMOS管和第八PMOS管用于依次串接于電源VDD與第二電阻之間，第五PMOS管與第七PMOS管共柵極且用于共同接于第五PMOS管和第六PMOS管之間，第六PMOS管與第八PMOS管共柵極且用于共同接于第六PMOS管和第二恒流源之間。

所述的恒流源電流變換電路單元中的第一電流鏡像電路和第二電流鏡像電路可以組成低壓共源共柵結(jié)構(gòu)。

所述的恒流源電流變換電路單元中的第一電流鏡像電路和/或第二電流鏡像電路也可以為單層鏡像電路。

所述的延時(shí)升壓控制電路模塊包括第三恒流源、電容、第二NMOS管，第三恒流源與電容用于依次串接于電源VDD與地之間，第二NMOS管的柵極用于連接于LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR管腳，電容還用于跨接于第二NMOS管的源極和漏極之間；電壓比較脈沖輸出電路模塊的第一輸入端用于連接于第三恒流源與電容之間。

所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊可以包括電壓比較器、與門(mén)和反相器，延時(shí)升壓控制電路模塊用于其輸出端接入電壓比較器的負(fù)端，參考電壓產(chǎn)生電路模塊用于其輸出端接入電壓比較器的正端，電壓比較器用于其輸出端接入與門(mén)的第一輸入端，LED驅(qū)動(dòng)芯片用于其CTR管腳通過(guò)反相器接入與門(mén)的第二輸入端，與門(mén)的輸出端為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端。

所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊也可以包括電壓比較器、或非門(mén)，延時(shí)升壓控制電路模塊的用于其輸出端接入電壓比較器的正端，參考電壓產(chǎn)生電路模塊用于其輸出端接入電壓比較器的負(fù)端，電壓比較器用于其輸出端接入或非門(mén)的第一輸入端，LED驅(qū)動(dòng)芯片用于其CTR管腳接入或非門(mén)的第二輸入端，或非門(mén)的輸出端為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端。

采用了上述實(shí)用新型的過(guò)壓保護(hù)電路，在潮濕環(huán)境中，OVP引腳存在灌電流，OVP引腳電壓升高，流經(jīng)MP7、MP9支路電流增大，MP13、MP14電路電流減小，比較電壓VREF4降低，電容充電時(shí)間變短，Tovp時(shí)間減小。Tovp電壓減小，過(guò)壓保護(hù)電壓升高。輸出過(guò)壓閾值高于輸出電壓，避免了潮濕環(huán)境下，LED燈閃爍的現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種恒流LED驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的一種過(guò)壓保護(hù)核心電路原理示意圖。

圖3為圖2中的電路的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)波形示意圖。

圖4為本實(shí)用新型的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的第一種實(shí)施方式的電路原理示意圖。

圖5為本實(shí)用新型的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的第二種實(shí)施方式的電路原理示意圖。

圖6為本實(shí)用新型的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的第三種實(shí)施方式的電路原理示意圖。

附圖標(biāo)記

電壓比較脈沖輸出電路模塊 I

延時(shí)升壓控制電路模塊 II

參考電壓產(chǎn)生電路模塊 III

外置采樣電阻輸出電路單元 III.1

恒流源電流變換電路單元 III.2

ROVP 外置電阻

AMP2 集成運(yùn)放

Iref1 第一恒流源

Iref2 第二恒流源

Iref3 第三恒流源

R1 第一電阻

R2 第二電阻

R3 第三電阻

R4 第四電阻

MN2 第一NMOS管

MN3 第二NMOS管

MP7 第一PMOS管

MP8 第二PMOS管

MP9 第三PMOS管

MP10 第四PMOS管

MP11 第七PMOS管

MP12 第八PMOS管

MP13 第五PMOS管

MP14 第六PMOS管

C0 電容

COMP2 電壓比較器

AND1 與門(mén)

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明。

在本文中，諸如第一和第二之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)實(shí)體或動(dòng)作與另一個(gè)實(shí)體或動(dòng)作，而不一定要求或暗示這種實(shí)體或動(dòng)作之間的任何實(shí)際的這種關(guān)系或順序。術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或任何其他變體旨在涵蓋非排他性的包含，由此使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包含這些要素，而且還包含沒(méi)有明確列出的其他要素，或者為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。

請(qǐng)參閱圖4所示，其為本實(shí)用新型的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的第一種實(shí)施方式的電路原理示意圖，所述的過(guò)壓保護(hù)電路包括：電壓比較脈沖輸出電路模塊I、延時(shí)升壓控制電路模塊II和參考電壓產(chǎn)生電路模塊III。所述的延時(shí)升壓控制電路模塊II的升壓控制端、所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊I的輸出控制端均與LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR管腳相連接，所述的延時(shí)升壓控制電路模塊II的輸出端接于所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊I的第一輸入端。所述的參考電壓產(chǎn)生電路模塊III的輸入端與LED驅(qū)動(dòng)芯片的OVP管腳相連接，且該參考電壓產(chǎn)生電路模塊III的輸出端接于所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊I的第二輸入端，所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊I的輸出端為所述的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端；從而，當(dāng)所述的OVP管腳注入漏電電流時(shí)，所述的參考電壓產(chǎn)生電路模塊III的輸出端的電壓降低。

所述的參考電壓產(chǎn)生電路模塊III包括內(nèi)置恒流源的外置采樣電阻輸出電路單元III.1、恒流源電流變換電路單元III.2，所述的外置采樣電阻輸出電路單元III.1的輸入端與所述的OVP管腳相連接，且通過(guò)一外置采樣電阻Rovp接地；所述的外置采樣電阻輸出電路單元III.1的輸出端通過(guò)所述的恒流源電流變換電路單元III.2接于所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊I的第二輸入端。

所述的內(nèi)置恒流源的外置采樣電阻輸出電路單元III.1包括第一恒流源Iref1、單位增益負(fù)反饋電路和第一NMOS管MN2，所述的第一恒流源Iref1接于電源VDD和所述的單位增益負(fù)反饋電路的同相輸入端之間，且該第一恒流源Iref1依次通過(guò)所述的OVP管腳、所述的外置采樣電阻接地Rovp，所述的第一NMOS管MN2接于所述的恒流源電流變換電路單元與單位增益負(fù)反饋電路的反相輸入端之間。

所述的單位增益負(fù)反饋電路包括集成運(yùn)放AMP2、第一電阻R1、第三電阻R3和第四電阻R4，所述的集成運(yùn)放AMP2的輸出端接于所述的第一NOMS管MN2的柵極，且所述的第一NMOS管MN2、第三電阻R3、第一電阻R1依次串接于所述的恒流源電流變換電路單元與地之間，所述的第四電阻R4的一端接于所述的第三電阻R3和第一電阻R1之間，該第四電阻R4的另一端接于所述的集成運(yùn)放AMP2的反相輸入端。

作為本實(shí)用新型的第一種較佳實(shí)施方式，所述的恒流源電流變換電路單元III.2可以包括第二恒流源Iref2、第二電阻R2、依次級(jí)聯(lián)連接于所述的外置采樣電阻輸出電路單元與電壓比較脈沖輸出電路模塊的第一輸入端之間的第一電流鏡像電路和第二電流鏡像電路，所述的第二恒流源Iref2接于所述的第一電流鏡像電路的輸出端和地之間，所述的第二電阻R2接于所述的第二電流鏡像電路的輸出端和地之間。

所述的第一電流鏡像電路包括第一PMOS管MP7、第二PMOS管MP8、第三PMOS管MP9和第四PMOS管MP10，所述的第一PMOS管MP7和第二PMOS管MP8依次串接于電源VDD與所述的外置采樣電阻輸出電路單元的輸出端之間，所述的第三PMOS管MP9和第四PMOS管MP10依次串接于電源VDD與所述的第二恒流源Iref2之間，所述的第一PMOS管MP7與第三PMOS管MP9共柵極且共同接于所述的第一PMOS管MP7和第二PMOS管MP8之間，所述的第二PMOS管MP8與第四PMOS管MP10共柵極且共同接于所述的第二PMOS管MP8和所述的外置采樣電阻輸出電路單元的輸出端之間。

所述的第二電流鏡像電路包括第五PMOS管MP13、第六PMOS管MP14、第七PMOS管MP11和第八PMOS管MP12，所述的第五PMOS管MP13和第六PMOS管MP14依次串接于電源VDD與所述的第二恒流源Iref2之間，所述的第七PMOS管MP11和第八PMOS管MP12依次串接于電源VDD與所述的第二電阻R2之間，所述的第五PMOS管MP13與第七PMOS管MP11共柵極且共同接于所述的第五PMOS管MP13和第六PMOS管MP14之間，所述的第六PMOS管MP14與第八PMOS管MP12共柵極且共同接于所述的第六PMOS管MP14和所述的第二恒流源Iref2之間。

再請(qǐng)參閱圖5所示，作為本實(shí)用新型的第二種實(shí)施方式，當(dāng)電源電壓低時(shí)，所述的恒流源電流變換電路單元III.2中的第一電流鏡像電路和第二電流鏡像電路可以組成低壓共源共柵結(jié)構(gòu)。

其中，所述的第一電流鏡像電路包括第一PMOS管MP7、第二PMOS管MP8、第三PMOS管MP9和第四PMOS管MP10，所述的第一PMOS管MP7和第二PMOS管MP8依次串接于電源VDD與所述的外置采樣電阻輸出電路單元的輸出端之間，所述的第三PMOS管MP9和第四PMOS管MP10依次串接于電源VDD與所述的第二恒流源Iref2之間，所述的第一PMOS管MP7與第三PMOS管MP9共柵極且共同接于所述的第二PMOS管MP8和所述的外置采樣電阻輸出電路單元的輸出端之間，所述的第二PMOS管MP8與第四PMOS管MP10共柵極且共同接于電路內(nèi)置的一偏置電壓輸出端Vb。

所述的第二電流鏡像電路包括第五PMOS管MP13、第六PMOS管MP14、第七PMOS管MP11和第八PMOS管MP12，所述的第五PMOS管MP13和第六PMOS管MP14依次串接于電源VDD與所述的第二恒流源Iref2之間，所述的第七PMOS管MP11和第八PMOS管MP12依次串接于電源VDD與所述的第二電阻R2之間，所述的第五PMOS管MP13與第七PMOS管MP11共柵極且共同接于所述的第六PMOS管MP14和所述的第二恒流源Iref2之間之間，所述的第六PMOS管MP14與第八PMOS管MP12共柵極且共同接于所述的偏置電壓輸出端Vb。

再請(qǐng)參閱圖6所示，作為本實(shí)用新型的第三種實(shí)施方式，所述的恒流源電流變換電路單元III.2中的第一電流鏡像電路和/或第二電流鏡像電路也可以采用單層鏡像電路。

當(dāng)?shù)谝浑娏麋R像電路采用單層鏡像電路時(shí)，所述的第一電流鏡像電路包括第一PMOS管MP7和第三PMOS管MP9，所述的第一PMOS管MP7接于電源VDD與所述的外置采樣電阻輸出電路單元的輸出端之間，所述的第三PMOS管MP9接于電源VDD與所述的第二恒流源Iref2之間，所述的第一PMOS管MP7與第三PMOS管MP9共柵極且共同接于所述的第一PMOS管MP7和所述的外置采樣電阻輸出電路單元的輸出端之間。

當(dāng)?shù)诙娏麋R像電路采用單層鏡像電路時(shí)，所述的第二電流鏡像電路包括第五PMOS管MP13和第七PMOS管MP11，所述的第五PMOS管MP13接于電源VDD與所述的第二恒流源Iref2之間，所述的第七PMOS管MP11接于電源VDD與所述的第二電阻R2之間，所述的第五PMOS管MP13與第七PMOS管MP11共柵極且共同接于所述的第五PMOS管MP13和所述的第二恒流源Iref2之間。

所述的延時(shí)升壓控制電路模塊II包括第三恒流源Iref3、電容、第二NMOS管MN3，所述的第三恒流源Iref3與電容C0依次串接于電源VDD與地之間，所述的第二NMOS管MN3的柵極接于所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR管腳，且所述的電容C0跨接于所述的第二NMOS管MN3的源極和漏極之間；所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的第一輸入端接于所述的第三恒流源Iref3與電容C0之間。

所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊I可以包括電壓比較器COMP2、與門(mén)AND1和反相器，所述的延時(shí)升壓控制電路模塊的輸出端接入所述的電壓比較器的負(fù)端，所述的參考電壓產(chǎn)生電路模塊的輸出端接入所述的電壓比較器的正端，所述的電壓比較器的輸出端接入所述的與門(mén)的第一輸入端，所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR管腳通過(guò)所述的反相器接入所述的與門(mén)的第二輸入端，所述的與門(mén)的輸出端為所述的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端。

所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊I也可以包括電壓比較器COMP2、或非門(mén)，所述的延時(shí)升壓控制電路模塊的輸出端接入所述的電壓比較器COMP2的正端，所述的參考電壓產(chǎn)生電路模塊的輸出端接入所述的電壓比較器COMP2的負(fù)端，所述的電壓比較器COMP2的輸出端接入所述的或非門(mén)的第一輸入端，所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR管腳接入所述的或非門(mén)的第二輸入端，所述的或非門(mén)的輸出端為所述的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端。

在實(shí)際使用當(dāng)中，本實(shí)用新型的LED驅(qū)動(dòng)過(guò)壓保護(hù)電路的的具體工作過(guò)程具體如下：

(1)所述第一恒定電流源Iref1恒定輸出一個(gè)恒定電流，通過(guò)改變所述外置采樣電阻Rovp，產(chǎn)生不同大小的MP7電流；

(2)產(chǎn)生的不同大小的MP7電流經(jīng)過(guò)所述第一電流鏡像電路后，所述第二恒定電流源Iref2與其相減，再經(jīng)過(guò)所述第二電流鏡像電路鏡，最終流過(guò)所述第二電阻R2，產(chǎn)生一個(gè)與所述外置采樣電阻Rovp相關(guān)的恒定電壓V1。

(3)當(dāng)功率管導(dǎo)通時(shí)，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR為高電平，所述的延時(shí)升壓控制電路模塊的電容電壓為0，所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的輸出控制端OUT輸出為低電平。

(4)當(dāng)功率管關(guān)斷，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR信號(hào)變低，DRV的反相信號(hào)先到達(dá)所述電壓比較脈沖輸出電路模塊與門(mén)AND1，此時(shí)，所述的延時(shí)升壓控制電路模塊的電容開(kāi)始充電，在電容充電至V1之前，所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的電壓比較器始終輸出高電平，與CTR反相信號(hào)相與，OUT由功率管關(guān)斷時(shí)的低電平變?yōu)楦唠娖健?/p>

(5)當(dāng)所述的延時(shí)升壓控制電路模塊的電容充電至大于V1，所述電壓比較器翻轉(zhuǎn)，輸出低電平，OUT信號(hào)由高變低。

(6)綜上所述，所述的電壓比較脈沖輸出電路模塊的輸出控制端OUT在LED驅(qū)動(dòng)芯片的CTR信號(hào)由高變低，即功率管關(guān)斷后，產(chǎn)生一個(gè)高脈沖。其脈沖寬度等于電容從0V充電至V1所需的時(shí)間，該時(shí)間即為設(shè)定的最小消磁時(shí)間，當(dāng)系統(tǒng)的消磁時(shí)間小于該時(shí)間時(shí)，芯片會(huì)進(jìn)行重啟。

計(jì)算OUT高脈沖時(shí)間寬度Tovp，得公式(3)：

通過(guò)公式(3)，可見(jiàn)所述時(shí)間寬度Tovp與所述外置采樣電阻Rovp關(guān)系為：

Tovp＝A-B·Rovp……(4)

其中，

由以上公式(4)～(6)可以看出，潮濕環(huán)境中，OVP引腳存在灌電流，OVP引腳電壓升高，流經(jīng)MP7、MP9支路電流增大，MP13、MP14電路電流減小。比較電壓VREF4降低，電容充電時(shí)間變短，Tovp時(shí)間減小。Tovp電壓減小，過(guò)壓保護(hù)電壓升高。

在本實(shí)用新型所述的過(guò)壓保護(hù)電路結(jié)構(gòu)下，當(dāng)OVP引腳存在灌電流時(shí)，輸出過(guò)壓閾值高于輸出電壓，避免了潮濕環(huán)境下，LED燈閃爍的現(xiàn)象。

在此說(shuō)明書(shū)中，本實(shí)用新型已參照其特定的實(shí)施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出各種修改和變換而不背離本實(shí)用新型的精神和范圍。因此，說(shuō)明書(shū)和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的而非限制性的。