過壓過流保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請屬于電源領(lǐng)域，尤其涉及過壓過流保護(hù)電路和移動終端。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著時代的進(jìn)步，互聯(lián)網(wǎng)和移動通信網(wǎng)提供了海量的功能應(yīng)用。用戶不但可以使用移動終端進(jìn)行傳統(tǒng)應(yīng)用，例如:使用智能手機(jī)接聽或撥打電話；同時，用戶不但可以還可以使用移動終端進(jìn)行網(wǎng)頁瀏覽、圖片傳輸，游戲等。
[0003]伴隨著移動終端的使用頻率增加，移動終端需要經(jīng)常充電，為了避免充電異常而導(dǎo)致安全事故，現(xiàn)已提供了大量的一級保護(hù)電路來實現(xiàn)防止過度充電和過度放電；但是，在過度充電和過度放電時，現(xiàn)有的一級保護(hù)電路(包括過度充電和過度放電保護(hù)電路)是通過MOS管來斷開充電回路或放電回路。一旦該MOS管被擊穿或者損壞，導(dǎo)致一級保護(hù)電路的防止過度充電和過度放電的保護(hù)作用失效，進(jìn)而可能導(dǎo)致一級保護(hù)電路的電子元器件損壞，以及導(dǎo)致移動終端內(nèi)部的其它電路損壞，甚至引起火災(zāi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本申請的目的在于提供一種采用熔絲進(jìn)行二級保護(hù)的過壓過流保護(hù)電路和移動終端，以解決現(xiàn)有技術(shù)的一級保護(hù)電路采用MOS管來控制導(dǎo)通或關(guān)斷，一旦MOS管損壞將導(dǎo)致過充過放功能失效的問題。
[0005]本申請?zhí)峁┮环N過壓過流保護(hù)電路，包括:
[0006]—級保護(hù)電路，其包括電源端、檢測端和低電位接口端；其中，電源端與電芯的正極連接，檢測端與電芯的負(fù)極連接，低電位接口端與充放電接口的地端連接；所述一級保護(hù)電路用于:在對電芯充電時檢測是否過充，過充時斷開通過所述充放電接口對所述電芯的充電；所述一級保護(hù)電路還用于:在所述電芯放電時檢測是否過放，過放時斷開所述電芯通過所述充放電接口放電；
[0007]還包括:二級保護(hù)電路，其包括高電位電芯端、低電位電芯端和高電位接口端；其中，高電位電芯端外接所述電芯的正極，低電位電芯端外接所述電芯的負(fù)極，高電位接口端外接所述充放電接口的電源端；所述二級保護(hù)電路用于:在通過所述充放電接口對電芯充電時，通過熔絲進(jìn)行過壓保護(hù)和過流保護(hù)。
[0008]本申請的有益效果:如果過流或過壓，通過一級保護(hù)電路控制MOS管來斷開充電回路或放電回路的同時，還通過二級保護(hù)電路提供的熔絲進(jìn)一步在過壓或過流時對電芯以及充放電電路進(jìn)行保護(hù)。進(jìn)而，即使一級保護(hù)電路提供的MOS管損壞而導(dǎo)致失去過流或過壓保護(hù)功能，仍然能夠通過二級保護(hù)電路提供的熔絲對電芯以及充放電電路進(jìn)行保護(hù)。
【附圖說明】
[0009]圖1是本申請實施例提供的過壓過流保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0010]一種過壓過流保護(hù)電路，包括:
[0011]—級保護(hù)電路2，其包括電源端、檢測端和低電位接口端；其中，電源端與電芯的正極連接，檢測端與電芯的負(fù)極連接，低電位接口端與充放電接口的地端連接；所述一級保護(hù)電路2用于:在對電芯充電時檢測是否過充，過充時斷開通過所述充放電接口對所述電芯的充電；所述一級保護(hù)電路2還用于:在所述電芯放電時檢測是否過放，過放時斷開所述電芯通過所述充放電接口放電；
[0012]還包括:二級保護(hù)電路1，其包括高電位電芯端、低電位電芯端和高電位接口端；其中，高電位電芯端外接所述電芯的正極，低電位電芯端外接所述電芯的負(fù)極，高電位接口端外接所述充放電接口的電源端；所述二級保護(hù)電路I用于:在通過所述充放電接口對電芯充電時，通過熔絲進(jìn)行過壓保護(hù)和過流保護(hù)。
【主權(quán)項】
1.一種過壓過流保護(hù)電路，包括:一級保護(hù)電路，其包括電源端、檢測端和低電位接口端；其中，電源端與電芯的正極連接，檢測端與電芯的負(fù)極連接，低電位接口端與充放電接口的地端連接；所述一級保護(hù)電路用于:在對電芯充電時檢測是否過充，過充時斷開通過所述充放電接口對所述電芯的充電；所述一級保護(hù)電路還用于:在所述電芯放電時檢測是否過放，過放時斷開所述電芯通過所述充放電接口放電； 其特征在于，還包括:二級保護(hù)電路，其包括高電位電芯端、低電位電芯端和高電位接口端；其中，高電位電芯端外接所述電芯的正極，低電位電芯端外接所述電芯的負(fù)極，高電位接口端外接所述充放電接口的電源端；所述二級保護(hù)電路用于:在通過所述充放電接口對電芯充電時，通過熔絲進(jìn)行過壓保護(hù)和過流保護(hù)。
【專利摘要】本申請涉及過壓過流保護(hù)電路；所述過壓過流保護(hù)電路包括：一級保護(hù)電路，其包括電源端、檢測端和低電位接口端；電源端和檢測端分別與電芯的正極和負(fù)極對應(yīng)連接，低電位接口端與充放電接口的地端連接；還包括：二級保護(hù)電路，其包括高電位電芯端、低電位電芯端和高電位接口端；高電位電芯端分別與所述電芯的正極和負(fù)極對應(yīng)連接，高電位接口端外接所述充放電接口的電源端。如果過流或過壓，可通過一級保護(hù)電路控制MOS管來斷開充放電回路的同時，還可通過二級保護(hù)電路提供的熔絲進(jìn)一步對充放電電路進(jìn)行保護(hù)。進(jìn)而即使MOS管損壞，仍然能夠通過二級保護(hù)電路提供的熔絲對電芯以及充放電電路進(jìn)行保護(hù)。
【IPC分類】H02H7/18
【公開號】CN105119242
【申請?zhí)枴緾N201510563618
【發(fā)明人】倪進(jìn)革
【申請人】倪進(jìn)革
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年8月28日