本發(fā)明涉及電源管理技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種電機(jī)保護(hù)電路和控制電機(jī)保護(hù)電路的方法。

背景技術(shù)：

在運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域，電源開關(guān)的閉合或斷開都會(huì)產(chǎn)生較大的浪涌及尖峰，從而產(chǎn)生較大的瞬態(tài)電流和瞬態(tài)電壓，對(duì)電機(jī)及控制電路容易造成損壞或者使電機(jī)工作異常。因此，有必要設(shè)計(jì)一種過(guò)流過(guò)壓保護(hù)電路來(lái)防止電流或電壓突然增大時(shí)對(duì)控制電路及電機(jī)造成損壞。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑制器來(lái)防止電源電壓電流突變對(duì)設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電機(jī)保護(hù)電路和控制電機(jī)保護(hù)電路的方法，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑制器來(lái)防止電源電壓電流突變對(duì)設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問(wèn)題。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種電機(jī)保護(hù)電路，包括：分壓電阻和采樣電阻；控制芯片，分壓電阻的一端接入控制芯片，采樣電阻的兩端都接入控制芯片，用于在檢測(cè)到分壓電阻兩端的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，將電源電壓穩(wěn)定為預(yù)設(shè)電壓值，和/或在檢測(cè)到流經(jīng)采樣電阻的電流值大于預(yù)設(shè)電流值的情況下，發(fā)出關(guān)斷信號(hào)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管，柵極接入控制芯片，源極接入采樣電阻的一端，用于根據(jù)控制芯片產(chǎn)生的關(guān)斷信號(hào)進(jìn)行關(guān)斷。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，還提供了一種控制電機(jī)保護(hù)電路的方法，包括：控制芯片檢測(cè)接入控制芯片的分壓電阻兩端的電壓值，并判斷電壓值是否大于預(yù)設(shè)電壓值，和/或檢測(cè)流經(jīng)兩端都接入控制芯片的采樣電阻的電流值，并判斷電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值；其中，在電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，控制芯片將電壓值穩(wěn)定為 預(yù)設(shè)電壓值之后輸出至負(fù)載；其中，在電流值大于預(yù)設(shè)電流值的情況下，控制芯片控制連接于電源和負(fù)載之間的場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷，以斷開電源與負(fù)載的電連接。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)控制芯片檢測(cè)分壓電阻兩端的電壓值，確定電源輸出端輸出的電壓，并在判斷出電源輸出端輸出的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，將電壓值穩(wěn)定為鉗位電壓之后輸出至負(fù)載，通過(guò)控制芯片檢測(cè)流經(jīng)采樣電阻的電流值，確定電源輸出端輸出的電流，并在判斷出電流值大于最大電流值的情況下，控制連接于電源和負(fù)載之間的場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)在電壓突然增大時(shí)，可通過(guò)自身的輸出鉗位電路，將輸出電壓穩(wěn)定為設(shè)置的鉗位電壓，為電機(jī)及后級(jí)電路提供安全穩(wěn)定的工作電壓；在電流超出設(shè)置的最大閾值電流時(shí)，可通過(guò)關(guān)斷外部的mos關(guān)來(lái)切斷輸出電流，以達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路和電機(jī)的目的，進(jìn)一步解決現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑制器來(lái)防止電源電壓電流突變對(duì)設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問(wèn)題。通過(guò)本申請(qǐng)?zhí)峁?shí)施例，檢測(cè)和控制過(guò)程簡(jiǎn)便快捷，整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路成本低，集成度高，實(shí)用性強(qiáng)。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種電機(jī)保護(hù)電路的示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的電機(jī)保護(hù)電路的示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種可選的電機(jī)保護(hù)電路的示意圖；以及

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種控制電機(jī)保護(hù)電路的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的說(shuō)明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這 樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語(yǔ)“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒(méi)有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過(guò)程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

實(shí)施例1

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種電機(jī)保護(hù)電路實(shí)施例，圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種電機(jī)保護(hù)電路的示意圖，如圖1所示，該電機(jī)保護(hù)電路：分壓電阻11，采樣電阻13，控制芯片15和場(chǎng)效應(yīng)晶體管17。

其中，控制芯片15，分壓電阻11的一端接入控制芯片15，采樣電阻13的兩端都接入控制芯片15，用于在檢測(cè)到分壓電阻兩端的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，將電源電壓穩(wěn)定為預(yù)設(shè)電壓值，和/或在檢測(cè)到流經(jīng)采樣電阻的電流值大于預(yù)設(shè)電流值的情況下，發(fā)出關(guān)斷信號(hào)。

具體地，上述預(yù)設(shè)電壓值可以是電機(jī)保護(hù)電路輸出的鉗位電壓，上述預(yù)設(shè)電流值可以是電源線上允許通過(guò)的最大電流值，上述負(fù)載可以是后級(jí)的電路和電機(jī)。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管17，柵極接入控制芯片15，源極接入采樣電阻13的一端，用于根據(jù)控制芯片產(chǎn)生的關(guān)斷信號(hào)進(jìn)行關(guān)斷。

具體地，上述場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以是nmos管，型號(hào)為fdb33n25。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的電機(jī)保護(hù)電路的示意圖，如圖2所示，控制芯片的第一管腳可以是fb管腳，第二管腳可以是out管腳，第三管腳可以是sns管腳，第四管腳可以是gate管腳，電源的輸出端連接電機(jī)保護(hù)電路的輸入端vin，電機(jī)保護(hù)電路的輸出端vout連接負(fù)載，控制芯片的out管腳與輸出端vout連接，采樣電阻一端與nmos管q1的源極連接，并連接控制芯片的sns管腳，另一端與輸出端vout連接，并連接控制芯片的out管腳，分壓電阻的一端接入控制芯片的fb管腳，另一端與輸出端vout連接，nmos管q1的漏極與電機(jī)保護(hù)電路的輸入端vin連接，柵極與控制芯片的gate管腳連接。

在一種可選的方案中，控制芯片可以通過(guò)檢測(cè)fb管腳的電勢(shì)，確定分壓電阻兩端的電壓值，從而確定電源輸出至電機(jī)保護(hù)電路的電壓值，將該電壓值與鉗位電壓進(jìn)行比較，如果電源輸出的電壓值小于等于鉗位電壓，則說(shuō)明電源輸出的電壓值未超過(guò)負(fù)載的安全電壓，可以直接將該電壓值輸出至后級(jí)的電路和電機(jī)；如果電源輸出的電壓值大于鉗位電壓，則說(shuō)明該電壓值超過(guò)負(fù)載的安全電壓，需要進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)，并通過(guò) 控制芯片的鉗位功能，將輸出電壓穩(wěn)定為鉗位電壓，并通過(guò)控制芯片的out管腳輸出至后級(jí)的電路和電機(jī)。

在另一種可選的方案中，控制芯片可以通過(guò)檢測(cè)sns管腳和out管腳之間的電勢(shì)差，確定采樣電阻上的電壓值，并根據(jù)歐姆定律得到流經(jīng)采樣電阻的電流值，從而得到電源輸出的電流值，將該電流值與最大電流值進(jìn)行比較，如果電源輸出的電流值大于最大電流值，則說(shuō)明該電流超出負(fù)載的安全電流，需要進(jìn)行過(guò)流保護(hù)，并通過(guò)控制芯片gate管腳控制nmos管q1關(guān)斷，切斷電源與后級(jí)的電路和電機(jī)之間的電連接，從而切斷輸出電流。

本申請(qǐng)上述實(shí)施例中，通過(guò)控制芯片檢測(cè)分壓電阻兩端的電壓值，確定電源輸出端輸出的電壓，并在判斷出電源輸出端輸出的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，將電壓值穩(wěn)定為鉗位電壓之后輸出至負(fù)載，通過(guò)控制芯片檢測(cè)流經(jīng)采樣電阻的電流值，確定電源輸出端輸出的電流，并在判斷出電流值大于最大電流值的情況下，控制連接于電源和負(fù)載之間的場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)在電壓突然增大時(shí)，可通過(guò)自身的輸出鉗位電路，將輸出電壓穩(wěn)定為設(shè)置的鉗位電壓，為電機(jī)及后級(jí)電路提供安全穩(wěn)定的工作電壓；在電流超出設(shè)置的最大閾值電流時(shí)，可通過(guò)關(guān)斷外部的mos關(guān)來(lái)切斷輸出電流，以達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路和電機(jī)的目的，進(jìn)一步解決現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑制器來(lái)防止電源電壓電流突變對(duì)設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問(wèn)題。通過(guò)本申請(qǐng)?zhí)峁?shí)施例，檢測(cè)和控制過(guò)程簡(jiǎn)便快捷，整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路成本低，集成度高，實(shí)用性強(qiáng)。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，上述控制芯片的類型為lt4363-2。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，分壓電阻包括：第一子分壓電阻和第二子分壓電阻，其中，第一子分壓電阻的一端連接于采樣電阻和負(fù)載之間，第一子分壓電阻的另一端與第二子分壓電阻的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)z1，并接入控制芯片的第一管腳，第二子分壓電阻的另一端接地。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種可選的電機(jī)保護(hù)電路的示意圖，如圖3所示，控制芯片的第一管腳可以是fb管腳，第二管腳可以是out管腳，第三管腳可以是sns管腳，第四管腳可以是gate管腳，第五管腳可以是vcc管腳，第六管腳可以是shdn管腳，第七管腳可以是ov管腳，第八管腳可以是uv管腳，第十二管腳可以是tmr管腳。在一種可選的方案中，上述第一子分壓電阻可以是電阻r4，第二子分壓電阻可以是電阻r5，r4和r5串聯(lián)連接，r4的另一端連接控制芯片的out管腳，r5的另一端接地，r4和r5的連接點(diǎn)z1接入控制芯片的fb管腳。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，采樣電阻的第一端經(jīng)由場(chǎng)效應(yīng)晶體管接入電源，第二端接入負(fù)載，其中，控制芯片的第二管腳接入采樣電阻的第二端與負(fù)載之間的節(jié)點(diǎn)z2，控制芯片的第三管腳接入采樣電阻的第一端和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極之間的節(jié)點(diǎn)z3。

在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第二管腳可以是out管腳，第三管腳可以是sns管腳，采樣電阻可以是電阻r1，采樣電阻r1一端與nmos管q1的源極連接，并接入控制芯片的sns管腳，另一端與輸出端vout連接，并接入控制芯片的out管腳。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，控制芯片還用于根據(jù)分壓電阻的電阻值，確定預(yù)設(shè)電壓值；控制芯片還用于根據(jù)采樣電阻的電阻值，確定預(yù)設(shè)電流值。

具體地，根據(jù)如下公式確定預(yù)設(shè)電壓值和預(yù)設(shè)電流值：

其中，ureg為預(yù)設(shè)電壓值，r4和r5分別為r4和r5的電阻值，imax為預(yù)設(shè)電流值，r1為r1的電阻值。

在一種可選的方案中，可以通過(guò)改變兩個(gè)子電阻的電阻值，設(shè)置輸出的鉗位電壓，當(dāng)子電阻r4的電阻值為49.9kω，子電阻r5的電阻值為4.7kω時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到鉗位電壓為14.8v?？梢酝ㄟ^(guò)改變采樣電阻r1的電阻值，設(shè)置電源線上允許通過(guò)的最大電流值，當(dāng)采樣電阻r1的電阻值為12.5mω時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到最大電流值為4a。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，上述電機(jī)保護(hù)電路還包括：

保護(hù)電阻，一端與電源連接，另一端與控制芯片連接。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，保護(hù)電阻包括：第一子保護(hù)電阻，第二子保護(hù)電阻和第三子保護(hù)電阻，其中，第一子保護(hù)電阻的一端連接于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和電源之間，第一子保護(hù)電阻的另一端與第二子保護(hù)電阻的一端連接于第二節(jié)點(diǎn)z4，并接入控制芯片的第八管腳，第二子保護(hù)電阻的另一端與第三子保護(hù)電阻的一端連接于第三節(jié)點(diǎn)z5，并接入控制芯片的第七管腳，第三子保護(hù)電阻的另一端接地。

在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第七管腳可以是ov管腳，第八管腳可以是uv管腳，第一子保護(hù)電阻，第二子保護(hù)電阻和第三子保護(hù)電阻可以分別是電阻r6，電阻r7和電阻r8，r6、r7和r8串聯(lián)連接，r6的另一端與輸入端vin連接，r8的另一端接地，r6和r7的連接點(diǎn)z4接入控制芯片的uv管腳，r6和r7的連接點(diǎn)z5接入控制芯片的ov管腳。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，控制芯片還用于根據(jù)保護(hù)電阻的電阻值，確定過(guò)壓電壓值和欠壓電壓值；控制芯片還用于在檢測(cè)到保護(hù)電阻兩端的電壓值大于過(guò)壓電壓值，或者小于欠壓電壓值的情況下，發(fā)出關(guān)斷信號(hào)。

具體地，可以根據(jù)如下公式確定過(guò)壓電壓值和欠壓電壓值：

其中，uov為過(guò)壓電壓值，uuv為欠壓電壓值，r6，r7和r8分別為r6，r7和r8的電阻值。

在一種可選的方案中，可以通過(guò)改變?nèi)齻€(gè)子電阻的電阻值，設(shè)置過(guò)壓電壓值和欠壓電壓值，當(dāng)子電阻r6的電阻值為100kω，子電阻r7的電阻值為11.1kω，子電阻r8的電阻值為10kω時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到過(guò)壓電壓值為15.4v，欠壓電壓值為7.3v。控制芯片可以在檢測(cè)到電源輸出端輸出的電壓值之后，進(jìn)一步判斷該電壓值是否大于15.4v或者小于7.3v，如果判斷出電壓值大于15.4v時(shí)，或者判斷出電壓值小于7.3v時(shí)，則通過(guò)gate管腳控制nmos管q1關(guān)斷，切斷電源與后級(jí)的電路和電機(jī)之間的電路，從而切斷輸出電壓。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，上述電機(jī)保護(hù)電路還包括：

電容，一端接入控制芯片的第十二管腳，另一端接地，用于根據(jù)控制芯片發(fā)出的充電信號(hào)進(jìn)行充電。

在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第十二管腳可以是tmr管腳，電容c2的一端接控制芯片的tmr管腳，另一端接地?？刂菩酒梢栽贆z測(cè)到電源輸出的電壓值大于過(guò)壓電壓值，或者小于欠壓電壓值時(shí)，控制電容c2進(jìn)行充電，并在充電的過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)電容c2的電壓值。

控制芯片還用于在檢測(cè)到電容的電壓值大于等于第一預(yù)設(shè)值的情況下，發(fā)出關(guān)斷信號(hào)。

具體地，上述第一預(yù)設(shè)值可以是1.375v。

在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測(cè)到電容c2的電壓值到達(dá)1.375v時(shí)，控制gate管腳的nmos管q1關(guān)斷，從而切斷電源輸出端至后級(jí)的電路和電機(jī)輸入端的連接，保護(hù)后級(jí)的電路和電機(jī)。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，控制芯片還用于控制電容繼續(xù)進(jìn)行充電，在充電過(guò)程中當(dāng)檢測(cè)到電容的電壓值大于等于第二預(yù)設(shè)值時(shí)，控制電容進(jìn)行放電，在放電過(guò)程中當(dāng)檢測(cè)到電容的電壓值小于等于第三預(yù)設(shè)值，且檢測(cè)到保護(hù)電阻兩端的電壓值和/或流經(jīng)采樣電阻的電流值滿足導(dǎo)通條件時(shí)，發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管還用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通信號(hào)進(jìn)行導(dǎo)通。

具體地，上述第二預(yù)設(shè)值可以是4.3v，上述第三預(yù)設(shè)值可以是0.5v。

在一種可選的方案中，控制芯片可以在控制nmos管q1關(guān)斷之后，繼續(xù)控制電容c2進(jìn)行充電，并在充電的過(guò)程中實(shí)時(shí)檢測(cè)電容c2的電壓值，當(dāng)檢測(cè)到電容c2的電壓值達(dá)到4.3v時(shí)，控制電容c2進(jìn)行放電，并在放電過(guò)程中實(shí)時(shí)檢測(cè)電容c2的電壓，當(dāng)檢測(cè)到電容c2的電壓值降至0.5v時(shí)，控制芯片檢測(cè)電源輸出的電壓值是否滿足導(dǎo)通條件，或者電源輸出的電流值是否滿足導(dǎo)通條件，如果滿足導(dǎo)通條件，則控制nmos管q1導(dǎo)通。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，控制芯片還用于在場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷之后，開始計(jì)時(shí)，并當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)預(yù)設(shè)時(shí)間，且檢測(cè)到保護(hù)電阻兩端的電壓值和/或流經(jīng)采樣電阻的電流值滿足導(dǎo)通條件時(shí)，發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管還用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通信號(hào)進(jìn)行導(dǎo)通。

具體地，上述延時(shí)時(shí)間可以是控制芯片的冷卻時(shí)間，可以根據(jù)如下公式計(jì)算得到：

其中，t為預(yù)設(shè)時(shí)間，c2為c2的電容值。

在一種可選的方案中，當(dāng)電容c2的電容值為0.1μf時(shí)，根據(jù)上述公式可以計(jì)算得到冷卻時(shí)間為336ms，控制芯片可以在nmos管q1關(guān)斷之后，開始計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms時(shí)，控制芯片檢測(cè)電源輸出的電壓值是否滿足導(dǎo)通條件，或者電源輸出 的電流值是否滿足導(dǎo)通條件，如果滿足導(dǎo)通條件，則控制nmos管q1導(dǎo)通。

此處需要說(shuō)明的是，上述控制芯片根據(jù)電容的電壓值控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通和控制芯片根據(jù)計(jì)時(shí)時(shí)間控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，兩種方案的實(shí)現(xiàn)效果均為控制芯片在控制nmos管q1關(guān)斷之后，等待一段冷卻時(shí)間在控制nmos管q1導(dǎo)通。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，控制芯片還用于在檢測(cè)到保護(hù)電阻兩端的電壓值大于等于欠壓電壓值，且小于等于過(guò)壓電壓值的情況下，和/或在檢測(cè)到流經(jīng)采樣電阻的電流值小于等于預(yù)設(shè)電流值的情況下，發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)。

在一種可選的方案中，當(dāng)控制芯片因?yàn)榕袛喑鲭娫摧敵龅碾妷褐荡笥谶^(guò)壓電壓15.4v，或者小于7.3v而控制nmos管q1關(guān)斷之后，控制芯片可以在電容c2的電壓值降至0.5v，或者計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms時(shí)，判斷電源輸出的電壓值是否大于等于7.3v，且小于等于15.4v，并在電壓值大于等于7.3v，且小于等于15.4v時(shí)，控制nmos管q1導(dǎo)通；如果電壓值小于7.3v，或者大于15.4v，則需等待電源輸出的電壓值恢復(fù)至7.3v～15.4v范圍內(nèi)再控制nmos管q1導(dǎo)通。

在另一種可選的方案中，當(dāng)控制芯片因?yàn)榕袛喑鲭娫摧敵龅碾娏髦荡笥谧畲箅娏髦?a而控制nmos管q1關(guān)斷之后，控制芯片可以在電容c2的電壓值降至0.5v，或者計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms時(shí)，判斷電源輸出的電流值是否小于等于4a，并在電流值小于等于4a時(shí)，控制nmos管q1導(dǎo)通；如果電流值大于4a，則需等待電源輸出的電流值低于設(shè)定的最大電流4a時(shí)再控制nmos管q1導(dǎo)通。

本申請(qǐng)上述實(shí)施例中，在持續(xù)過(guò)壓欠壓和過(guò)流的情況下，通過(guò)切斷外接的nmos管q1，使電源的輸出端與負(fù)載的輸入端斷開，從而不會(huì)損壞保護(hù)電路本身，并且當(dāng)電壓電流恢復(fù)正常值時(shí)，電源的輸出端和負(fù)載的輸入端會(huì)重新導(dǎo)通，使整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路工作正常，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)保護(hù)電路的發(fā)生過(guò)流過(guò)壓故障時(shí)，具有重新接通功能的目的。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，上述電路還包括：

第一保護(hù)電阻，一端接入控制芯片的第五管腳和第六管腳，另一端連接于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和電源之間。

第二保護(hù)電阻，一端接入控制芯片的第四管腳，另一端與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接。

保護(hù)電容，一端連接于采樣電阻和負(fù)載之間，另一端接地。

在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第五管腳可以是vcc管腳， 第六管腳可以是shdn管腳，第一保護(hù)電阻可以是電阻r2，第二保護(hù)電阻可以是r3，保護(hù)電容可以是c1，電阻r2的一端與輸入端vin和nmos管q1的漏極連接，另一端接入控制芯片的vcc管腳和shdn管腳，電阻r3的連接nmos管q1的柵極，另一端接入控制芯片的gate管腳，c1一端連接輸出端vout，另一端接地，電阻r2和電阻r3用于進(jìn)行限流，電容c1用于對(duì)電流尖峰進(jìn)行濾波。

需要說(shuō)明的是，如圖3所示，電阻r2，電阻r3和電容c1的選擇，以及控制芯片vcc管腳和shdn管腳的連接方式可以參考linear公司的lt4363數(shù)據(jù)手冊(cè)，由于本申請(qǐng)中沒(méi)有使用flt管腳被置低以提示電源系統(tǒng)有異常的功能，因此控制芯片enout管腳和flt管腳沒(méi)有進(jìn)行連接，實(shí)際使用過(guò)程中可以根據(jù)需要進(jìn)行連接。

實(shí)施例2

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種控制電機(jī)保護(hù)電路的方法實(shí)施例，需要說(shuō)明的是，在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行，并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種控制電機(jī)保護(hù)電路的方法的流程圖，如圖4所示，結(jié)合圖4可知，該方法包括如下步驟：

步驟s102，控制芯片檢測(cè)接入控制芯片的分壓電阻兩端的電壓值，并判斷電壓值是否大于預(yù)設(shè)電壓值，和/或檢測(cè)流經(jīng)兩端都接入控制芯片的采樣電阻的電流值，并判斷電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值。

具體地，上述控制芯片可以是lt4363-2芯片，上述預(yù)設(shè)電壓值可以是電機(jī)保護(hù)電路輸出的鉗位電壓，上述預(yù)設(shè)電流值可以是電源線上允許通過(guò)的最大電流值。

如圖3所示，控制芯片的第一管腳可以是fb管腳，第二管腳可以是out管腳，第三管腳可以是sns管腳，第四管腳可以是gate管腳，電源的輸出端連接電機(jī)保護(hù)電路的輸入端vin，電機(jī)保護(hù)電路的輸出端vout連接負(fù)載，控制芯片的vcc管腳與輸入端vin連接，out管腳與輸出端vout連接，采樣電阻一端與nmos管q1的源極連接，并連接控制芯片的sns管腳，另一端與輸出端vout連接，并連接控制芯片的out管腳，分壓電阻的一端接入控制芯片的fb管腳，另一端與輸出端vout連接，nmos管q1的漏極與電機(jī)保護(hù)電路的輸入端vin連接，柵極與控制芯片的gate管腳連接。

在一種可選的方案中，控制芯片可以通過(guò)檢測(cè)fb管腳的電勢(shì)，確定分壓電阻兩端的電壓值，從而確定電源輸出端輸出至電機(jī)保護(hù)電路的電壓值，將該電壓值與鉗位電壓進(jìn)行比較，如果電源輸出端輸出的電壓值大于鉗位電壓，則說(shuō)明該電壓值超過(guò)負(fù)載 的安全電壓，需要進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)。

在另一種可選的方案中，控制芯片可以通過(guò)檢測(cè)sns管腳和out管腳之間的電勢(shì)差，確定采樣電阻上的電壓值，并根據(jù)歐姆定律得到流經(jīng)采樣電阻的電流值，從而得到電源輸出的電流值，將該電流值與最大電流值進(jìn)行比較，如果電源輸出的電流值大于最大電流值，則說(shuō)明該電流超出負(fù)載的安全電流，需要進(jìn)行過(guò)流保護(hù)。

步驟s104，在電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，控制芯片將電壓值穩(wěn)定為預(yù)設(shè)電壓值之后輸出至負(fù)載。

具體地，上述負(fù)載可以是后級(jí)的電路和電機(jī)。

在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測(cè)電源輸出的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值，即出現(xiàn)過(guò)壓現(xiàn)象時(shí)，通過(guò)控制芯片的鉗位功能，將輸出電壓穩(wěn)定為鉗位電壓，并通過(guò)控制芯片的out管腳輸出至后級(jí)的電路和電機(jī)。

步驟s106，在電流值大于預(yù)設(shè)電流值的情況下，控制芯片控制連接于電源和負(fù)載之間的場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷，以斷開電源與負(fù)載的電連接。

具體地，上述場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以是nmos管。

在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測(cè)電源輸出的電流值大于最大電流值，即出現(xiàn)過(guò)流現(xiàn)象時(shí)，通過(guò)控制芯片gate管腳控制nmos管q1關(guān)斷，切斷電源與后級(jí)的電路和電機(jī)之間的電連接，從而切斷輸出電流。

本申請(qǐng)上述實(shí)施例中，通過(guò)控制芯片檢測(cè)分壓電阻兩端的電壓值，確定電源輸出端輸出的電壓，并在判斷出電源輸出端輸出的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，將電壓值穩(wěn)定為鉗位電壓之后輸出至負(fù)載，通過(guò)控制芯片檢測(cè)流經(jīng)采樣電阻的電流值，確定電源輸出端輸出的電流，并在判斷出電流值大于最大電流值的情況下，控制連接于電源和負(fù)載之間的場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)在電壓突然增大時(shí)，可通過(guò)自身的輸出鉗位電路，將輸出電壓穩(wěn)定為設(shè)置的鉗位電壓，為電機(jī)及后級(jí)電路提供安全穩(wěn)定的工作電壓；在電流超出設(shè)置的最大閾值電流時(shí)，可通過(guò)關(guān)斷外部的mos關(guān)來(lái)切斷輸出電流，以達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路和電機(jī)的目的，進(jìn)一步解決現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑制器來(lái)防止電源電壓電流突變對(duì)設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問(wèn)題。通過(guò)本申請(qǐng)?zhí)峁?shí)施例，檢測(cè)和控制過(guò)程簡(jiǎn)便快捷，整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路成本低，集成度高，實(shí)用性強(qiáng)。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，在步驟s102，控制芯片檢測(cè)接入控制芯片的分壓電阻兩端的電壓值，并判斷電壓值是否大于預(yù)設(shè)電壓值，和/或檢測(cè)流經(jīng)兩端都接入控制芯片 的采樣電阻的電流值，并判斷電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值之前，上述方法還包括如下步驟：

步驟s112，控制芯片根據(jù)分壓電阻的電阻值，根據(jù)如下公式確定預(yù)設(shè)電壓值：

其中，ureg為預(yù)設(shè)電壓值，r4和r5分別為分壓電阻中的第一子分壓電阻和第二子分壓電阻的電阻值，第一子分壓電阻的一端連接于采樣電阻和負(fù)載之間，第一子分壓電阻的另一端與第二子分壓電阻的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)z1，并接入控制芯片的第一管腳，第二子分壓電阻的另一端接地。

在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第一管腳可以是fb管腳，第一子分壓電阻可以是r4，第二子分壓電阻可以是r5，r4和r5串聯(lián)連接，r4的另一端連接控制芯片的out管腳，r5的另一端接地，r4和r5的連接點(diǎn)z1接入控制芯片的fb管腳?？梢酝ㄟ^(guò)改變兩個(gè)子電阻的電阻值，設(shè)置輸出的鉗位電壓，當(dāng)子電阻r4的電阻值為49.9kω，子電阻r5的電阻值為4.7kω時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到鉗位電壓為14.8v。

步驟s114，控制芯片根據(jù)采樣電阻的電阻值，根據(jù)如下公式確定預(yù)設(shè)電流值：

其中，imax為預(yù)設(shè)電流值，r1為采樣電阻的電阻值，控制芯片的第二管腳接入采樣電阻的第二端與負(fù)載之間的節(jié)點(diǎn)z2，控制芯片的第三管腳接入采樣電阻的第一端和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極之間的節(jié)點(diǎn)z3。

在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第二管腳可以是out管腳，第三管腳可以是sns管腳，采樣電阻可以是電阻r1，采樣電阻r1一端與nmos管q1的源極連接，并接入控制芯片的sns管腳，另一端與輸出端vout連接，并接入控制芯片的out管腳?？梢酝ㄟ^(guò)改變采樣電阻r1的電阻值，設(shè)置電源線上允許通過(guò)的最大電流值，當(dāng)采樣電阻r1的電阻值為12.5mω時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到最大電流值為4a。

此處需要說(shuō)明的是，上述步驟s112和步驟s114的執(zhí)行順序可以互換，本發(fā)明對(duì)此不作具體限定?？蛇x地，控制芯片可以先根據(jù)采樣電阻的電阻值確定預(yù)設(shè)電流值， 然后在根據(jù)分壓電阻的電阻值確定預(yù)設(shè)電壓值。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，在步驟s102，控制芯片檢測(cè)接入控制芯片的分壓電阻兩端的電壓值之后，上述方法還包括如下步驟：

步驟s122，控制芯片判斷接入控制芯片的保護(hù)電阻兩端的電壓值是否大于過(guò)壓電壓值，或者小于欠壓電壓值。

具體地，上述過(guò)壓電壓值和欠壓電壓值可以根據(jù)保護(hù)電壓的需求進(jìn)行設(shè)置。

步驟s124，在保護(hù)電阻兩端的電壓值大于過(guò)壓電壓值，或者小于欠壓電壓值的情況下，控制芯片控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷。

在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測(cè)到保護(hù)電阻兩端的電壓值之后，進(jìn)一步判斷該電壓值是否大于過(guò)壓電壓值或者小于欠壓電壓值，如果判斷出電壓值大于過(guò)壓電壓值時(shí)，或者判斷出電壓值小于欠壓電壓值時(shí)，則通過(guò)gate管腳控制nmos管q1關(guān)斷，切斷電源與后級(jí)的電路和電機(jī)之間的電路，從而切斷輸出電壓。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，在步驟s122，控制芯片判斷接入控制芯片的保護(hù)電阻兩端的電壓值是否大于過(guò)壓電壓值，或者小于欠壓電壓值之前，上述方法還包括如下步驟：

步驟s1232，控制芯片根據(jù)保護(hù)電阻的電阻值，根據(jù)如下公式確定過(guò)壓電壓值和欠壓電壓值：

其中，保護(hù)電阻的一端與電源的輸出端連接，另一端與控制芯片連接，uov為過(guò)壓電壓值，uuv為欠壓電壓值，r6，r7和r8分別為保護(hù)電阻中的第一子電阻，第二子電阻和第三子電阻的電阻值，第一子保護(hù)電阻的一端連接于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和電源之間，第一子保護(hù)電阻的另一端與第二子保護(hù)電阻的一端連接于第二節(jié)點(diǎn)z4，并接入控制芯片的第八管腳，第二子保護(hù)電阻的另一端與第三子保護(hù)電阻的一端連接于第三節(jié)點(diǎn)z5，并接入控制芯片的第七管腳，第三子保護(hù)電阻的另一端接地。

在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第七管腳可以是ov管腳，第 八管腳可以是uv管腳，第一子保護(hù)電阻，第二子保護(hù)電阻和第三子保護(hù)電阻可以分別是電阻r6，電阻r7和電阻r8，r6、r7和r8串聯(lián)連接，r6的另一端與輸入端vin連接，r8的另一端接地，r6和r7的連接點(diǎn)z4接入控制芯片的uv管腳，r6和r7的連接點(diǎn)z5接入控制芯片的ov管腳?？梢酝ㄟ^(guò)改變?nèi)齻€(gè)子電阻的電阻值，設(shè)置過(guò)壓電壓值和欠壓電壓值，當(dāng)子電阻r6的電阻值為100kω，子電阻r7的電阻值為11.1kω，子電阻r8的電阻值為10kω時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到過(guò)壓電壓值為15.4v，欠壓電壓值為7.3v。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，步驟s106，控制芯片控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷包括如下步驟：

步驟s1062，控制芯片控制接入控制芯片的第十二管腳的電容進(jìn)行充電，并檢測(cè)電容的電壓值。

在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第十二管腳可以是tmr管腳，電容可以是c2，電容c2的一端接控制芯片的tmr端，另一端接地?？刂菩酒梢栽贆z測(cè)到電源輸出的電壓值大于過(guò)壓電壓值，或者小于欠壓電壓值時(shí)，控制電容c2進(jìn)行充電，并在充電的過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)電容c2的電壓值。

步驟s1064，在電容的電壓值大于等于第一預(yù)設(shè)值的情況下，控制芯片控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷。

具體地，上述第一預(yù)設(shè)值可以是1.375v。

在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測(cè)到電容c2的電壓值到達(dá)1.375v時(shí)，控制gate管腳的nmos管q1關(guān)斷，從而切斷電源輸出端至后級(jí)的電路和電機(jī)輸入端的連接，保護(hù)后級(jí)的電路和電機(jī)。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，在步驟s106，控制芯片控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷之后，上述方法還包括如下步驟：

步驟s132，控制芯片控制電容繼續(xù)進(jìn)行充電，并實(shí)時(shí)檢測(cè)電容在充電過(guò)程中的電壓值。

在一種可選的方案中，控制芯片可以在控制nmos管q1關(guān)斷之后，繼續(xù)控制電容c2進(jìn)行充電，并在充電的過(guò)程中實(shí)時(shí)檢測(cè)電容c2的電壓值。

步驟s134，在充電過(guò)程中，當(dāng)電容的電壓值大于等于第二預(yù)設(shè)值時(shí)，控制芯片控制電容進(jìn)行放電，并繼續(xù)檢測(cè)電容在放電過(guò)程中的電壓值。

具體地，上述第二預(yù)設(shè)值可以是4.3v。

在一種可選的方案中，控制芯片可以當(dāng)檢測(cè)到電容c2的電壓值達(dá)到4.3v時(shí)，控制電容c2進(jìn)行放電，并在放電過(guò)程中實(shí)時(shí)檢測(cè)電容c2的電壓。

步驟s136，在放電過(guò)程中，當(dāng)電容的電壓值小于等于第三預(yù)設(shè)值，且檢測(cè)到保護(hù)電阻兩端的電壓值和/或流經(jīng)采樣電阻的電流值滿足導(dǎo)通條件時(shí)，控制芯片控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通。

具體地，上述第三預(yù)設(shè)值可以是0.5v。

在一種可選的方案中，控制芯片可以當(dāng)檢測(cè)到電容c2的電壓值降至0.5v時(shí)，控制芯片檢測(cè)電源輸出的電壓值是否滿足導(dǎo)通條件，或者電源輸出的電流值是否滿足導(dǎo)通條件，如果滿足導(dǎo)通條件，則控制nmos管q1導(dǎo)通。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，在步驟s106，控制芯片控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管關(guān)斷之后，上述方法還包括如下步驟：

步驟s142，控制芯片開始計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)預(yù)設(shè)時(shí)間，且檢測(cè)到保護(hù)電阻兩端的電壓值和/或流經(jīng)采樣電阻的電流值滿足導(dǎo)通條件時(shí)，控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，其中，預(yù)設(shè)時(shí)間可以根據(jù)如下公式確定：

其中，t為預(yù)設(shè)時(shí)間，c2為電容的電容值，電容的一端接入控制芯片的第十二管腳，另一端接地。

具體地，上述延時(shí)時(shí)間可以是控制芯片的冷卻時(shí)間。

在一種可選的方案中，當(dāng)電容c2的電容值為0.1μf時(shí)，根據(jù)上述公式可以計(jì)算得到冷卻時(shí)間為336ms，控制芯片可以在nmos管q1關(guān)斷之后，開始計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms時(shí)，控制芯片檢測(cè)電源輸出的電壓值是否滿足導(dǎo)通條件，或者電源輸出的電流值是否滿足導(dǎo)通條件，如果滿足導(dǎo)通條件，則控制nmos管q1導(dǎo)通。

此處需要說(shuō)明的是，上述步驟s132至s136和步驟s142兩種方案的實(shí)現(xiàn)方式不同，但是本質(zhì)都是控制芯片在控制nmos管q1關(guān)斷之后，需要等待一段時(shí)間在控制nmos管q1導(dǎo)通，因此可以根據(jù)實(shí)際電路的需要選擇兩種方案中的任意一種。

根據(jù)本申請(qǐng)上述實(shí)施例，控制芯片控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通包括如下步驟：

步驟s152，控制芯片判斷接入控制芯片的保護(hù)電阻兩端的電壓值是否大于等于欠壓電壓值，且小于等于過(guò)壓電壓值，其中，在接入控制芯片的保護(hù)電阻兩端的電壓值大于等于欠壓電壓值，且小于等于過(guò)壓電壓值的情況下，控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通。

在一種可選的方案中，當(dāng)控制芯片因?yàn)榕袛喑鲭娫摧敵龅碾妷褐荡笥谶^(guò)壓電壓15.4v，或者小于7.3v而控制nmos管q1關(guān)斷之后，控制芯片可以在電容c2的電壓值降至0.5v，或者計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms時(shí)，判斷電源輸出的電壓值是否大于等于7.3v，且小于等于15.4v，并在電壓值大于等于7.3v，且小于等于15.4v時(shí)，控制nmos管q1導(dǎo)通；如果電壓值小于7.3v，或者大于15.4v，則需等待電源輸出的電壓值恢復(fù)至7.3v～15.4v范圍內(nèi)再控制nmos管q1導(dǎo)通。

步驟s154，控制芯片判斷流經(jīng)采樣電阻的電流值是否小于等于預(yù)設(shè)電流值，其中，在流經(jīng)采樣電阻的電流值小于等于預(yù)設(shè)電流值的情況下，控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通。

在一種可選的方案中，當(dāng)控制芯片因?yàn)榕袛喑鲭娫摧敵龅碾娏髦荡笥谧畲箅娏髦?a而控制nmos管q1關(guān)斷之后，控制芯片可以在電容c2的電壓值降至0.5v，或者計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms時(shí)，判斷電源輸出的電流值是否小于等于4a，并在電流值小于等于4a時(shí)，控制nmos管q1導(dǎo)通；如果電流值大于4a，則需等待電源輸出的電流值低于設(shè)定的最大電流4a時(shí)再控制nmos管q1導(dǎo)通。

本申請(qǐng)上述實(shí)施例中，在持續(xù)過(guò)壓欠壓和過(guò)流的情況下，通過(guò)切斷外接的nmos管q1，使電源的輸出端與負(fù)載的輸入端斷開，從而不會(huì)損壞保護(hù)電路本身，并且當(dāng)電壓電流恢復(fù)正常值時(shí)，電源的輸出端和負(fù)載的輸入端會(huì)重新導(dǎo)通，使整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路工作正常，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)保護(hù)電路的發(fā)生過(guò)流過(guò)壓故障時(shí)，具有重新接通功能的目的。

上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。

在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒(méi)有詳述的部分，可以參見其他實(shí)施例的相關(guān)描述。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。

所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯 示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可為個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：u盤、只讀存儲(chǔ)器(rom，read-onlymemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram，randomaccessmemory)、移動(dòng)硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。