扇出線結構和顯示面板的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種扇出線結構和顯示面板，屬于顯示技術領域。本實用新型提供的扇出線結構包括多條長度不一的扇出線；每條所述扇出線均包括布線層；至少部分所述扇出線的所述布線層之上設置有與布線層電連接的附加導電膜；其中多條所述扇出線的阻抗相同。本實用新型的扇出線結構的多條扇出線之間的阻抗一致性好、制備工藝簡單，使用該扇出線結構的顯示面板的顯示效果好。
【專利說明】
扇出線結構和顯示面板
技術領域
[0001]本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種扇出線結構和包括該扇出線結構的顯示面板。
【背景技術】
[0002]顯示面板包括TFT陣列以及用于驅動TFT陣列的驅動電路模塊(例如設置驅動IC的驅動電路板)，為實現(xiàn)將驅動電路模塊的信號輸出對應施加在TF T陣列中的相應信號線(例如數(shù)據(jù)線或柵線)上，需要使用連接導線從驅動電路模塊的某一輸出引腳對應連接至TFT陣列的某一信號線上。按照常規(guī)的驅動電路模塊和TFT陣列設置，驅動電路模塊的多個輸出引腳是相對集中排列而TFT陣列的多條信號線相對分散排列，采用以上多條連接導線時會在驅動電路模塊與TFT陣列之間形成類似“扇形”結構，因此，通常稱該連接導線為“扇出線”，扇出線的設置區(qū)域則稱為“扇出區(qū)(Fan-out Area)”。
[0003]然而，從驅動電路模塊的輸出引腳到TFT陣列的信號線距離是不一致的，必然會導致扇出線的長度相差較大，因此容易導致扇出區(qū)的多條扇出線之間的阻抗不均勻，這種阻抗不均勻會影響顯示面板的顯示效果，是需要盡量避免的。
[0004]現(xiàn)有技術中，為實現(xiàn)不同扇出線之間的阻抗盡量均一化，采用對長度較短的扇出線采用繞線設計的方式來增加其阻抗，但是，這種方法需要增加用于繞線的區(qū)域，容易導致扇出區(qū)的整體寬度的增加，這種扇出區(qū)的整體寬度是會體現(xiàn)在使用該顯示面板的顯示器的邊框尺寸上，因此，扇出區(qū)的整體寬度的增加是非常不利于窄邊框顯示器的開發(fā)和設計的。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型的目的在于，實現(xiàn)扇出線結構的扇出線之間的阻抗均勻化。
[0006]為實現(xiàn)以上目的或者其他目的，本實用新型提供以下技術方案。
[0007]按照本實用新型的一方面，提供一種扇出線結構，其包括多條長度不一的扇出線；
[0008]每條所述扇出線均包括布線層；
[0009]至少部分所述扇出線的所述布線層之上設置有與布線層電連接的附加導電膜；
[0010]多條所述扇出線的阻抗相同。
[0011]根據(jù)本實用新型一實施例的扇出線結構，其中，不同長度的所述布線層的阻抗不同。
[0012]根據(jù)本實用新型一實施例的扇出線結構，其中，多條所述扇出線中，除長度最短的布線層外，其余多條所述扇出線中的布線層均設置有與布線層電連接的附加導電膜。
[0013]根據(jù)本實用新型又一實施例的扇出線結構，其中，多條所述扇出線中，每條所述布線層均設置有與布線層電連接的附加導電膜。
[0014]在之前所述實施例的扇出線結構中，所述附加導電膜厚度及寬度一致。
[0015]根據(jù)本實用新型還一實施例的扇出線結構，其中，設置有所述附加導電膜的多條扇出線中，設置在不同長度的所述布線層之上的附加導電膜的長度不同。
[0016]可選地，所述附加導電膜連續(xù)地或分段地設置在所述布線層之上。
[0017]可選地，所述附加導電膜材料與所述布線層材料相同。
[0018]可選地，所述附加導電膜材料與所述布線層材料不同，且附加導電膜材料電阻率小于所述布線層材料的電阻率。
[0019]按照本實用新型的又一方面，提供一種顯示面板，其包括驅動電路模塊和TFT陣列，以及以上所述及的任一種扇出線結構，所述扇出線結構用于連接驅動電路模塊與TFT陣列。
[0020]本實用新型的扇出線結構通過設置附加導電膜來改變長度不一的扇出線的阻抗，多條扇出線的阻抗能夠相同，阻抗一致性好，制備工藝簡單，使用該扇出線結構的顯示面板的顯示效果好。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1是按照本實用新型一實施例的扇出線結構的示意圖。
[0023]圖2是按照本實用新型一實施例的扇出線結構的扇出線的俯視圖，圖3是圖2所示實施例的扇出線的A-A截面結構示意圖。
[0024]圖4至圖10示意按照本實用新型一實施例的制備方法來制備扇出線結構的過程示意圖。
[0025]附圖標記:
[0026]10-扇出線結構；100、1001、1002、1003、1005、1006、1007 -扇出線；110’-第一導電層；110-布線層；130’-第二導電層；130、130a、130b-附加導電膜；131-未設置附加導電膜的區(qū)段;200-引腳；300-信號線;80-光刻膠;80b-光刻膠完全保留區(qū)域;80c-光刻膠半保留區(qū)域;80a-光刻膠完全去除區(qū)域;90-玻璃襯底。
【具體實施方式】
[0027]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0028]在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且，由于刻蝕引起的圓潤等形狀特征未在附圖中示意出。
[0029]圖1所示為按照本實用新型一實施例的扇出線結構的示意圖。在該實施例中，扇出線結構10設置在驅動電路模塊與TFT陣列之間的扇出區(qū)中，該扇出線結構10用于將某一驅動電路模塊(例如驅動IC)的多個引腳200對應連接至TFT陣列的多條信號線300上，從而，該驅動電路模塊可以驅動該TFT陣列的多條信號線對應的區(qū)域，實現(xiàn)顯示功能。為方便說明，在圖1中示例給出了包括7條扇出線100的扇出線結構，即扇出線lOOhlOO^lOO^lOO^lOOs、106和1007，扇出線100的具體條數(shù)不是限制性的，可以根據(jù)驅動電路模塊需要驅動的TFT陣列區(qū)域的大小來設置。
[0030]在該實施例中，多條扇出線100的長度不一，例如，位于中間的扇出線1004長度最短，扇出線1004的兩側的其它扇出線的長度依次增加，這樣，扇出線1005、扇出線106和扇出線1007的長度依次增加，扇出線1003、扇出線102和扇出線101的長度也依次增加。
[0031]對應每條扇出線100，如圖1所示，均設置有一布線層110，多條扇出線10(h、1002、1003、1004、1005、106和1007上分別設置的布線層110的長度不一，也即它們的長度不相同。在一實施例中，不同扇出線100的布線層110可以采用相同材料制成，并且它們寬度、厚度也基本相同，因此，不同扇出線100的不同長度的布線層的阻抗不相同。在又一實施例中，即使不同扇出線100的布線層的長度不同，也可以通過對其中若干布線層進行寬度或厚度進行分別具體設置，例如，長度越短的布線層的寬度設置越窄，從而使該若干布線層的阻抗大致相同。
[0032]至少部分扇出線100的布線層110之上，設置有附加導電膜130，附加導電膜130是與布線層110電導通的，這樣，扇出線100整體也是電導通的。附加導電膜130相對布線層110具有較小的電阻率，因此，對應設置附加導電膜130的扇出線100的區(qū)段中，其對應的阻抗能夠得到減小，其阻抗減小的大小可以根據(jù)附加導電膜130的長度、寬度和/或厚度等條件來確定，尤其是受附加導電膜130的長度影響。
[0033]附加導電膜130可以為連續(xù)的一段，例如扇出線100jP1007上的附加導電膜130，其是連續(xù)地設置在布線層110之上。附加導電膜130也可以為分段的設置，例如，扇出線1002、1003、105和106上設置的附加導電膜130a和130b，其是分段地設置在布線層110之上。當然，扇出線結構10中所有設置附加導電膜130的扇出線100中，可以扇出線100上的附加導電膜130可以全部地連續(xù)地設置，或者可以全部地分段地設置，或者如圖1所示部分分段地設置、部分連續(xù)地設置。
[0034]根據(jù)每條扇出線100的布線層110的電阻，可以確定每條扇出線100的附加導電膜130的長度(對于多段的附加導電膜130a和130b是指總長度)、寬度和/或厚度等，從而使多條扇出線100^100^100^100^100^1006和1007之間的阻抗基本相同，也即實現(xiàn)扇出結構10的每條扇出線100的阻抗基本相同。在一實施例中，設置有附加導電膜130的多條扇出線100中，設置在不同長度的布線層110之上的附加導電膜130的長度不同，這樣，可以調節(jié)不同長度的扇出線100之間的阻抗一致性。
[0035]優(yōu)選地，將多條扇出線100的阻抗設置為與最短的扇出線的阻抗基本一致，也即其他扇出線以最短扇出線的阻抗為基準來調節(jié)設置，使它們與最短扇出線104的阻抗基本一致。因此，在一實施例中，可以對最短的扇出線1004不設置附加導電膜130，而對于其他的扇出線100^100^100^100^1006和1007均設置附加導電膜130，也就是說，除長度最短的扇出線104外，其余多條扇出線中的布線層110之上均設置有與該布線層電連接的附加導電膜130。當然在其他實施例中，也可以長度較短的幾條扇出線的布線層110上不設置附加導電膜130，長度較短的幾條扇出線100之間，可以通過調節(jié)長度不一的布線層110的寬度，來使這幾條扇出線loo的阻抗一致。設置附加導電膜130的扇出線101Joo2Uoo3Uoo5Uoo6和1007的具體結構實施例在以下描述。
[0036]但是，需要說明的是，在其他實施例中，也可以在長度最短的扇出線104上設置附加導電膜130以減小最短的扇出線1004的阻抗，從而使扇出線結構100的每條扇出線的阻抗進一步一致減小。這樣，扇出線結構的所有扇出線的布線層上。
[0037]圖2所示為按照本實用新型一實施例的扇出線結構的扇出線的俯視圖，圖3是圖2所示實施例的扇出線的A-A截面結構示意圖。
[0038]結合圖2和圖3所示，扇出線100整體是電導通的，可以用來傳導由驅動電路模塊至TFT陣列的信號線上的驅動信號。扇出線10包括布線層110和堆疊在布線層110上的附加導電膜130，其中，布線層110的電阻率大于附加導電膜130的電阻率，例如，布線層110可以選擇電阻率相對較大的ITO(氧化銦錫)材料制成的ITO布線，附加導電膜130可以選擇電阻率相對較小的金屬材料(例如鋁等)制成的金屬布線。在一實施例中，布線層110的電阻率可以為附加導電膜130的電阻率的10倍以上，例如100倍。因此，在布線層110和附加導電膜130同時存在情況下，基本以附加導電膜130來導電，這樣，附加導電膜130也可以理解為導電工作層。具體地，布線層110和附加導電膜130的布線方向基本相同。需要說明的是，附加導電膜130嵌置在布線層110的表面的情形，也可以理解為附加導電膜130設置在布線層110之上。
[0039]繼續(xù)如圖2和圖3所示，分段設置的附加導電膜130中，附加導電膜130a和附加導電膜130b之間即對應為未設置附加導電膜的區(qū)段131。并且，在對應未設置附加導電膜的區(qū)段131處，附加導電膜130a與附加導電膜130b 二者自身之間是不能夠導電的，必須借助區(qū)段131對應的部分布線層110來導電;未設置附加導電膜的區(qū)段131的長度為L時，由于長度為L的布線層110的電阻明顯大于長度為L的附加導電膜130的電阻，這樣，區(qū)段131的扇出線部分的阻抗將明顯增加，扇出線1的電阻也增加。
[0040]需要說明的是，未設置附加導電膜的區(qū)段在連續(xù)設置的附加導電膜的情形下也是存在的，例如，將附加導電膜130a與附加導電膜130b接合在一起設置，附加導電膜之外的區(qū)段即為未設置附加導電膜的區(qū)段。
[0041 ]在扇出線100導電工作時，附加導電膜130a和130b對應的區(qū)段基本以附加導電膜130a和130b導電(因為其電阻率相對小)，未設置附加導電膜的區(qū)段131則完全以布線層110進行導電。區(qū)段131的長度L不同時，區(qū)段131對應的布線層110的電阻也不同，因此，扇出線100的整體電阻或阻抗大小也不同。未設置附加導電膜的區(qū)段131的長度L越長，扇出線100的阻抗越大。
[0042]在一實施例中，布線層110的寬度大于附加導電膜130的寬度(如圖1所示)，在又一替換實施例中，布線層110的寬度可以基本等于附加導電膜130的寬度。同一布線層110的分段的附加導電膜130a和附加導電膜130b，它們的厚度和寬度設置為相同；不同布線層110的附加導電膜130，它們的厚度和寬度也可以設置為相同。
[0043]在又一實施例中，附加導電膜130也可以選擇與布線層110相同的材料制成，這樣，在對應設置有附加導電膜130的區(qū)段，導電截面積(附加導電膜130與布線層110的截面積之和)增加，其對應的阻抗也下降，從而也可以通過設置有附加導電膜130的長度、寬度和/或高度來調節(jié)扇出線100的阻抗。
[0044]以上實施例的扇出線結構可以實現(xiàn)阻抗均勻一致，因此，應用該扇出線結構形成顯示面板時，其顯示效果可以得到提高。并且，在該扇出線結構的扇出線并不是采用繞線方式，不需要額外增加扇出線結構所需的扇出區(qū)的寬度，非常適合應用于窄邊框顯示器中。
[0045]圖4至圖10示意按照本實用新型一實施例的制備方法來制備扇出線結構的過程示意圖。以下結合圖4至圖10來說明制備圖1所示實施例的扇出線結構，其中以某一條扇出線來示例說明的，應當理解，在其他扇出線的未設置附加導電膜的區(qū)段長度L確定的情況下，其他扇出線也可以同步地構圖制備形成。
[0046]首先，如圖4所不，在玻璃襯底90上沉積形成第一導電層110’，其用于構圖形成布線層110，然后在第一導電層110’上沉積形成第二導電層130’，其用于構圖形成附加導電膜130。第一導電層110’和第二導電層130’的厚度基本分別可以分別按照欲形成的布線層110和附加導電膜130的厚度來確定。第一導電層110’具體可以但不限于為ITO層，第二導電層130’具體可以但不限于為金屬層。
[0047]進一步，如圖5所示，在第二導電層130’上涂覆光刻膠80。
[0048]進一步，如圖6所示，采用半色調掩膜板(Half tone mask)對光刻膠80進行曝光，然后顯影去膠后形成光刻膠完全保留區(qū)域80b、光刻膠半保留區(qū)域80c以及光刻膠完全去除區(qū)域80a，以上光刻膠完全保留區(qū)域80b、光刻膠半保留區(qū)域80c以及光刻膠完全去除區(qū)域80a是圖6中的光刻膠80相對圖5中的光刻膠80來定義的。光刻膠半保留區(qū)域80c至少用來對應構圖形成未設置附加導電膜的區(qū)段，其可以根據(jù)欲形成的未設置附加導電膜的區(qū)段來定義。
[0049]進一步，如圖7所示，以光刻膠80為掩膜進行刻蝕，也即以光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠為掩膜對第一導電層110’和附加導電膜130進行刻蝕，從而在玻璃基板90上形成多條包括雙層布線的扇出線結構(附加導電膜130此時為連續(xù)的)?？涛g具體可以采用濕法刻蝕完成，刻蝕后進行清洗。
[0050]進一步，如圖8所示，對光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠80同時進行灰化處理，由于光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域的厚度不一致，較薄的光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠將先被灰化處理掉，從而以暴露光刻膠半保留區(qū)域對應的部分布線層130。在光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠被灰化去除后，灰化過程結束，從而，在布線層130上還會對應光刻膠完全保留區(qū)域留下相應的光刻膠80，該光刻膠80在后續(xù)的刻蝕過程中可以用作掩膜。光刻膠完全保留區(qū)域的厚度大于光刻膠半保留區(qū)域的厚度，具體光刻膠半保留區(qū)域的厚度為光刻膠完全保留區(qū)域的厚度的1/2。
[0051]進一步，如圖9所示，對暴露的部分附加導電膜130進行刻蝕以形成每條扇出線的分段的附加導電膜130a和130b，同時，每條扇出線的未設置附加導電膜的區(qū)段131也形成。在該步驟中，光刻膠80用作掩膜層以保護需要保留的附加導電膜130a和130b?？涛g具體可以采用濕法刻蝕完成，刻蝕后進行清洗。在對暴露的部分附加導電膜130進行刻蝕的過程中，選擇性地刻蝕部分附加導電膜130而不刻蝕布線層110，具體可以通過選擇刻蝕溶液等來實現(xiàn)。
[0052]進一步，如圖10所示，去除光刻膠80、清洗，從而制備形成了包括多條如圖1所示的扇出線的扇出線結構。
[0053]以上顯示面板中的扇出線結構的制備方法過程中，只需要采用一個半色調掩膜板，由一次曝光、一次灰化、兩次刻蝕即可制備形成，制備過程簡單、成本低。基于以上扇出線結構的制備方法，可以制造相應的顯示面板。
[0054]應當理解到，扇出線結構的制備方法并不限于以上實施例，在其他實施例中，也可以采用多塊掩膜板、多次曝光來制備，例如，對雙層扇出線結構的形成采用一掩膜板進行一次曝光，對未設置附加導電膜的區(qū)段的形成采用另一掩膜板進行另一次曝光，只是相對工藝復雜。
[0055]本實用新型還提供基于以上圖1所示實施例的扇出線結構形成的顯示面板實例，其包括驅動電路模塊、TFT陣列以及驅動電路模塊和TFT陣列之間的扇出線結構。該顯示面板顯示效果好。
[0056]需要說明的是，以上實施例的扇出線100的布線層110上的附加導電膜130在分段設置時，其也可以按三段或更多段的形式來設置，其具體分段形式不是限制性的，通過控制附加導電膜130的總長度，即可控制未設置附加導電膜的區(qū)段的總長度，從而可以設置每條扇出線100的阻抗。
[0057]以上例子主要說明了本實用新型的扇出線結構、扇出線結構的制備方法以及采用該扇出線結構的顯示面板。盡管只對其中一些本實用新型的實施方式進行了描述，但是本領域普通技術人員應當了解，本實用新型可以在不偏離其主旨與范圍內以許多其他的形式實施。因此，所展示的例子與實施方式被視為示意性的而非限制性的，在不脫離如所附各權利要求所定義的本實用新型精神及范圍的情況下，本實用新型可能涵蓋各種的修改與替換以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種扇出線結構，其特征在于，包括多條長度不一的扇出線； 每條所述扇出線均包括布線層； 至少部分所述扇出線的所述布線層之上設置有與布線層電連接的附加導電膜； 多條所述扇出線的阻抗相同。2.根據(jù)權利要求1所述的扇出線結構，其特征在于，不同長度的所述布線層的阻抗不同。3.根據(jù)權利要求2所述的扇出線結構，其特征在于，多條所述扇出線中，除長度最短的布線層外，其余多條所述扇出線中的布線層均設置有與布線層電連接的附加導電膜。4.根據(jù)權利要求2所述的扇出線結構，其特征在于，多條所述扇出線中，每條所述布線層均設置有與布線層電連接的附加導電膜。5.根據(jù)權利要求3或4所述的扇出線結構，其特征在于，所述附加導電膜厚度及寬度一致。6.根據(jù)權利要求2所述的扇出線結構，其特征在于，設置有所述附加導電膜的多條扇出線中，設置在不同長度的所述布線層之上的附加導電膜的長度不同。7.根據(jù)權利要求1所述的扇出線結構，其特征在于，所述附加導電膜連續(xù)地或分段地設置在所述布線層之上。8.根據(jù)權利要求1所述的扇出線結構，其特征在于，所述附加導電膜材料與所述布線層的材料相同。9.根據(jù)權利要求1所述的扇出線結構，其特征在于，所述附加導電膜材料與所述布線層的材料不同，且附加導電膜材料電阻率小于所述布線層材料的電阻率。10.—種顯示面板，其特征在于，包括驅動電路模塊和TFT陣列，以及如權利要求1至9任一項所述的扇出線結構，所述扇出線結構用于連接驅動電路模塊與TFT陣列。
【文檔編號】H01L21/48GK205488119SQ201620247303
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月29日
【發(fā)明人】王劭顓, 金熙哲
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司