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陣列基板及顯示裝置的制造方法

文檔序號:10193921閱讀:250來源:國知局
陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光顯示(Organic Light-Emitting D1de;0LED)器件作為一種新型的平板顯示,由于具有主動發(fā)光、發(fā)光亮度高、寬視角、響應(yīng)速度快、低能耗以及可柔性化等特點,受到了越來越多的關(guān)注,成為可能取代液晶顯示的下一代顯示技術(shù)。0LED以驅(qū)動方式分為主動式驅(qū)動(AM-0LED)和被動式驅(qū)動(PM-0LED)。
[0003]PM-0LED的典型結(jié)構(gòu)是由玻璃基板、IT0(indium tin oxide ;銦錫氧化物)陽極(Anode)、有機發(fā)光層(Emitting Material Layer)與陰極(Cathode)等所組成,具有結(jié)構(gòu)簡單,驅(qū)動引線少,周邊電路占用區(qū)域少等特性。
[0004]AM-0LED則被應(yīng)用于顯示面板的每一個子像素中,且在每一個子像素中還配備具有開關(guān)功能的低溫多晶娃薄膜晶體管(Low Temperature Poly-Si Thin FilmTransistor,LTP-Si TFT)和電荷存儲電容,外圍驅(qū)動電路和顯示陣列整個系統(tǒng)集成在同一玻璃基板上。具有響應(yīng)速度快,高對比度,色域廣,節(jié)能等優(yōu)點,是0LED技術(shù)發(fā)展的主流方向,但是由于每個低溫多晶硅薄膜晶體管都至少具有柵極驅(qū)動,源漏極驅(qū)動等大量的外圍引線。而這些引線區(qū)域無法發(fā)光,導(dǎo)致最終顯示裝置必然存在一定寬度的無法顯示畫面的黑色區(qū)域,也就是顯示面板的邊框區(qū)域,造成顯示面板無法實現(xiàn)窄邊化。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型所要解決的技術(shù)問題包括,針對現(xiàn)有的陣列基板存在的上述問題,提供一種可以實現(xiàn)窄邊化的陣列基板及顯示裝置。
[0006]解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板,包括顯示區(qū)域和將所述顯示區(qū)域包圍的周邊區(qū)域,在所述顯示區(qū)域設(shè)置有多個主動式有機電致發(fā)光二極管,所述陣列基板還包括設(shè)置在所述周邊區(qū)域的多個被動式有機電致發(fā)光二極管;其中,所述主動式有機電致發(fā)光二極管和被動式有機電致發(fā)光二極管均與電源驅(qū)動單元電連接。
[0007]優(yōu)選的是,所述主動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極同層設(shè)置且材料相同;
[0008]所述主動式有機電致發(fā)光二極管的底電極與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的底電極同層設(shè)置且材料相同;
[0009]所述主動式有機電致發(fā)光二極管的發(fā)光層與所述被動式有機電致發(fā)光二極管的發(fā)光層同層設(shè)置且材料相同。
[0010]優(yōu)選的是,多個所述被動式有機電致發(fā)光二極管呈矩陣排列,設(shè)于同一行的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的底電極連接成一體;設(shè)于同一列的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的頂電極連接成一體。
[0011]優(yōu)選的是,所述陣列基板還包括:位于周邊區(qū)域的所述被動式有機電致發(fā)光二極管所在層下方的柵極驅(qū)動電路。
[0012]優(yōu)選的是,所述陣列基板還包括:位于顯示區(qū)域的所述主動式有機電致發(fā)光二極管所在層下方的多個開關(guān)晶體管;其中,每一個所述開關(guān)晶體管的漏極連接一個所述主動式有機電致發(fā)光二極管的底電極。
[0013]優(yōu)選的是,所述陣列基板還包括位于顯示區(qū)域的所述主動式有機電致發(fā)光二極管的像素限定層上方的多個第一隔墊柱;以及,位于周邊區(qū)域的所述被動式有機電致發(fā)光二極管的像素限定層上方的多個第二隔墊柱。
[0014]進一步優(yōu)選的是,所述第一隔墊柱的形狀為正梯形;所述第二隔墊柱的形狀為倒梯形。
[0015]解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置,其包括上述的陣列基板。
[0016]本實用新型具有如下有益效果:
[0017]本實用新型的陣列基板的周邊區(qū)域設(shè)置有多個被動式有機電致發(fā)光二極管,能夠使得陣列基板的周邊區(qū)域進行發(fā)光,因此可以實現(xiàn)窄邊框的顯示效果。
[0018]本實用新型的顯示裝置由于包括上述的陣列基板,故其邊框較窄。
【附圖說明】
[0019]圖1為本實用新型的實施例1的陣列基板的平面示意圖;
[0020]圖2為圖1的A-A'的剖視圖;
[0021]圖3為本實用新型的實施例2的陣列基板的制備方法的步驟六的示意圖;
[0022]圖4為本實用新型的實施例2的陣列基板的制備方法的步驟七的示意圖;
[0023]圖5為本實用新型的實施例2的陣列基板的制備方法的步驟八的示意圖;
[0024]圖6為本實用新型的實施例2的陣列基板的制備方法的步驟九的示意圖。
[0025]其中附圖標記為:10、基底;11、緩沖層;12、有源層;13、柵極絕緣層;14、柵極;15、層間絕緣層;16A、源極;16B、漏極;17、平坦化層;18、AM-0LED的陽極;19、AM-0LED的像素限定層;20、第一隔墊柱;21、AM-0LED的發(fā)光層;22、PM-0LED的發(fā)光層;23、PM-0LED的像素限定層;24、第二隔墊柱;25、PM-0LED的陽極;26、AM-0LED的陰極;27、PM-0LED的陰極。
【具體實施方式】
[0026]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0027]首先,在此需要說明的是,有機電致發(fā)光二極管(0LED)包括正置型和倒置型;其中,正置型的0LED其陰極設(shè)置于陽極上方,也就是說頂電極為陰極,底電極為陽極;而倒置型的0LED其陽極設(shè)置于陰極上方,也就是說底電極為陰極,頂電極為陽極。在以下實施例中均以正置型的0LED為例進行說明,但是這并不作為對本實用新型的保護范圍的限定,倒置型的0LED也在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
[0028]其中,以下實施例中所述的構(gòu)圖工藝可只包括光刻工藝,或,包括光刻工藝以及刻蝕步驟,同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝;光刻工藝,是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝??筛鶕?jù)本實施例中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0029]接下來,結(jié)合下述實施例對本實用新型的陣列基板及其制備方法,顯示裝置進行說明。
[0030]實施例1:
[0031]如圖1和2所示,本實施例提供一種陣列基板,包括顯示區(qū)域AR和將所述顯示區(qū)域AR包圍的周邊區(qū)域AR'(其中圖中所示的PR為整個非顯示區(qū)域),在所述顯示區(qū)域AR設(shè)置有多個主動式有機電致發(fā)光二極管,在所述周邊區(qū)域AR'設(shè)置有多個被動式有機電致發(fā)光二極管;其中,所述主動式有機電致發(fā)光二極管和被動式有機電致發(fā)光二極管均與電源驅(qū)動單元電連接。
[0032]具體的,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是,陣列基板包括基底10,交叉且絕緣設(shè)置在基底上方的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線,其中在相鄰柵線和相鄰數(shù)據(jù)線交叉的位置將限定出一個像素,每個像素中都包括一個發(fā)光元件和用于驅(qū)動該發(fā)光元件發(fā)光的開關(guān)晶體管,由于該發(fā)光元件的發(fā)光與否,是由與其連接的開關(guān)晶體管所控制的(每一個所述開關(guān)晶體管的漏極16B連接一個AM-0LED的陽極18),故該發(fā)光元件也就是本實施例中所述的多個主動式(有源)有機電致發(fā)光二極管(AM-0LED)。而陣列基板上的像素所在位置適用于顯示畫面所用,故稱這部分區(qū)域為顯示區(qū)域AR。而將該顯示區(qū)域AR包圍的區(qū)域則為周邊區(qū)域ARS也就是現(xiàn)有技術(shù)中通常所講的邊框區(qū)域,而邊框區(qū)域通常是不能夠用來顯示的。但是,在本實施例中,將周邊區(qū)域AR'設(shè)置多個被動式有機電致發(fā)光二極管(PM-0LED),其中,PM_0LED的陰極和陽極的電壓均是通過電源驅(qū)動單元所施加的,無需開關(guān)晶體管的控制。由于在周邊區(qū)
設(shè)置有PM-0LED,因此在陣列基板的周邊區(qū)域AR'也可以發(fā)光,有效的減小了非顯示的邊框的寬度,提高了整體的用于顯示的區(qū)域范圍,實現(xiàn)窄邊框的效果。
[0033]其中,在本實施例中AM-0LED的陽極18與PM-0LED的陽極25同層設(shè)置且材料相同,也就是說這兩者是采用一次構(gòu)圖工藝制備的;AM-0LED的陰極26與PM-0LED的陰極27同層設(shè)置且材料相同,也就是說這兩者是采用一次構(gòu)圖工藝制備的;AM-0LED的發(fā)光層21與PM-0LED的發(fā)光層22同層設(shè)置且材料相同,也就是說這兩者是采用一次構(gòu)圖工藝制備的。由此可知,本實施例的陣列基板的構(gòu)圖工藝次數(shù)并沒有增加,因此可以提高效率,節(jié)約生產(chǎn)成本。
[0034]其中,在本實施例中設(shè)于周邊區(qū)域AR丨的多個PM-0LED是成矩陣排列的,其中設(shè)于同一行的PM-0LED的陽極25連接成一體;設(shè)于同一列的PM-0LED的陰極27連接成一體。如此設(shè)置,當(dāng)電源驅(qū)動單元給第一行的陽極和給第一列的陰極施加電壓,此時可以控制第一行第一個PM-0LED發(fā)光,由此可知,該種設(shè)置方式不僅可以節(jié)約工藝步驟,而且還可以實現(xiàn)每個PM-0LED的單獨控制。
[0035]其中,在本實施例的陣列基板的周邊區(qū)域AR'還設(shè)置有位于PM-0LED所在層下方的柵極驅(qū)動電路,也就是說該柵極驅(qū)動電路為用于驅(qū)動AM-0LED的G0A電路,從而進一步減小陣列基板的邊框區(qū)域的寬度。
[0036]其中,所述陣列基板還包括位于顯示區(qū)域AR的AM-0LED的像素限定層上方的多個第一隔墊柱20;以及,位于周邊區(qū)域AR'的PM-0LED的像素限定層上方的多個第二隔墊柱24。
[0037]優(yōu)選的,第一隔墊柱20的形狀為正梯形;第二隔墊柱24的形狀為倒梯形。
[0038]之所以設(shè)置正梯形的第一隔墊柱20和倒梯形的第二隔墊柱24的原因是,在采用同一次蒸鍍工藝形成AM-OLED的陰極26與PM-
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