一種陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制作方法，用以通過設(shè)置凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔?，從而增大了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。所述陣列基板包括：像素單元和平坦化層；其中，所述像素單元在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域。
【專利說明】
一種陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本申請(qǐng)涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的急速進(jìn)步，作為顯示裝置核心的半導(dǎo)體元件技術(shù)也隨之得到了飛躍性的進(jìn)步。對(duì)于現(xiàn)有的顯示裝置而言，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de，OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。其中，0LE按驅(qū)動(dòng)方式可分為無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(Passive Matrix Driving，0LED，PM0LED)和有源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Driving，OLED，AM0LED)，由于AMOLED顯示器具有低制造成本、高應(yīng)答速度、省電、可用于便攜式設(shè)備的直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大等等優(yōu)點(diǎn)，而可望成為取代液晶顯示器(Liquid Crystal Display，IXD)的下一代新型平面顯示器。在現(xiàn)有的AMOLED顯示面板中，每個(gè)OLED均包括多個(gè)薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)開關(guān)電路。其中，低溫多晶娃(Low Temperature Poly Silicon)TFT由于其具有優(yōu)越的靜態(tài)電學(xué)特性，被作為一種重要的電子器件在液晶顯示、矩陣圖像傳感器等方面已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。
[0003]在OLED的背板工藝中，平坦化層(Planar Layer，PLN)起著相當(dāng)重要的作用。通過有機(jī)膜材料，將下層電路的非平坦區(qū)域推平。不過，由于從現(xiàn)有的OLED顯示面板中射出的光線大多是平行光，因此，顯示面板的觀看角度范圍很小，即影響了OLED顯示面板的觀看視角(View Angle)。
[0004]綜上所述，由于從現(xiàn)有的OLED顯示面板中射出的光線大多是平行光，因此，顯示面板的觀看角度范圍很小，即影響了 OLED顯示面板的觀看視角。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制作方法，用以通過設(shè)置凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔?，從而增大了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。
[0006]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板，該陣列基板包括:像素單元和平坦化層；其中，所述像素單元在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域。
[0007]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過設(shè)置凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔?，從而增大了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。
[0008]較佳地，所述凹陷區(qū)域的厚度值在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
[0009]較佳地，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.9微米，且小于或等于3.0微米。
[0010]較佳地，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于2.6微米。
[0011]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過對(duì)凹陷區(qū)域的厚度值的限制，保證了凹陷區(qū)域的微腔效應(yīng)，避免凹陷區(qū)域?qū)︼@示面板顯示效果的影響。
[0012]較佳地，所述陣列基板還包括:源漏極和陽(yáng)極，其中，所述平坦化層位于所述源漏極與所述陽(yáng)極之間；
[0013]所述源漏極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域與所述陽(yáng)極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的重疊區(qū)域的厚度值大于所述凹陷區(qū)域的厚度值。
[0014]較佳地，所述重疊區(qū)域的厚度值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
[0015]較佳地，所述第二預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.5微米，且小于或等于3.0微米。
[0016]較佳地，所述重疊區(qū)域的厚度值為2.0微米。
[0017]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過對(duì)重疊區(qū)域的厚度的限制，避免了源漏極與陽(yáng)極之間的串?dāng)_。
[0018]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板，該顯示面板包括:任一項(xiàng)上述的陣列基板。
[0019]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種上述陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0020]在源漏極、像素單元上形成平坦化層，其中，所述像素單元在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域；
[0021 ]在所述平坦化層上形成陽(yáng)極。
[0022]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過設(shè)置凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔猓瑥亩龃罅税ㄓ性撽嚵谢宓娘@示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。
[0023]較佳地，所述凹陷區(qū)域的厚度值在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
[0024]較佳地，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.9微米，且小于或等于3.0微米。
[0025]較佳地，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于2.6微米。
[0026]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過對(duì)凹陷區(qū)域的厚度值的限制，保證了凹陷區(qū)域的微腔效應(yīng)，避免凹陷區(qū)域?qū)︼@示面板顯示效果的影響。
[0027]較佳地，在源漏極、像素單元上形成平坦化層，包括:
[0028]在源漏極、像素單元上形成第一平坦化層，其中，所述第一平坦化層的厚度在第三預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；
[0029]利用灰階掩膜板，通過曝光工藝，得到所述像素單元在所述第一平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域的第二平坦化層。
[0030]較佳地，所述第三預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于3.6微米。
[0031]較佳地，所述第三預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.9微米，且小于或等于3.1微米。
[0032]較佳地，所述灰階掩膜板的透過率大于或等于0.1%，且小于或等于10%。
[0033]較佳地，所述灰階掩膜板的透過率大于或等于I %，且小于或等于5%。
[0034]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過上述灰階掩膜板利用曝光工藝逐漸減薄，從而得到平滑弧度的凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔?，從而增大了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。
[0035]較佳地，在形成第一平坦化層之后，該方法還包括:
[0036]對(duì)所述源漏極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域與所述陽(yáng)極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的重疊區(qū)域進(jìn)行固化工藝，形成第三平坦化層；
[0037]利用灰階掩膜板，通過曝光工藝，得到所述像素單元在所述第一平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域的第二平坦化層，包括:
[0038]利用灰階掩膜板，通過曝光工藝，得到所述像素單元在所述第三平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域的第二平坦化層。
[0039]較佳地，所述重疊區(qū)域的厚度值大于所述凹陷區(qū)域的厚度值。
[0040]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過設(shè)置大于凹陷區(qū)域的厚度值的重疊區(qū)域，避免了源漏極與陽(yáng)極之間的串?dāng)_，且平坦化層中像素單元所對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置凹陷區(qū)域，改善了過于平坦的平坦化層對(duì)觀看視角的影響。
[0041]較佳地，所述重疊區(qū)域的厚度值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
[0042]較佳地，所述第二預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.5微米，且小于或等于3.0微米。
[0043]較佳地，所述重疊區(qū)域的厚度值為2.0微米。
[0044]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過對(duì)重疊區(qū)域的厚度值的限制，有效的避免了源漏極與陽(yáng)極之間的串?dāng)_。
【附圖說明】
[0045]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板的工作原理示意圖；
[0047]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板的凹陷區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種上述陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0051]圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述陣列基板的平坦化層的制作方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0052]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制作方法，用以通過設(shè)置凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔猓瑥亩龃罅税ㄓ性撽嚵谢宓娘@示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。
[0053]下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。
[0054]參見圖1，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括:像素單元101和平坦化層102;其中，所述像素單元101在所述平坦化層102上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域103。
[0055]其中，所述凹陷區(qū)域103用于將入射光201轉(zhuǎn)化為散射光202，本申請(qǐng)實(shí)施例的效果如圖2所示。
[0056]具體地，所述凹陷區(qū)域103的弧度在第四預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。其中，所述第四預(yù)設(shè)范圍大于或等于0.1度，且小于180度。
[0057]具體地，所述第四預(yù)設(shè)范圍大于或等于15度，且小于或等于40度。
[0058]具體地，所述第四預(yù)設(shè)范圍大于或等于15度，且小于或等于36度。
[0059]其中，所述凹陷區(qū)域103的弧度為平滑過度的弧度，即所述凹陷區(qū)域的弧度為等差數(shù)列，且公差越小，所述凹陷區(qū)域的散射效果越好。參見圖3，所述凹陷區(qū)域包括，第一凹陷區(qū)域與第二凹陷區(qū)域，其中，所述第一凹陷區(qū)域?qū)?yīng)的弧度301，所述第二凹陷區(qū)域?qū)?yīng)的弧度302，所述第三凹陷區(qū)域?qū)?yīng)的弧度303，且弧度301、弧度302與弧度303成等差數(shù)列。
[0060]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過設(shè)置凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔?，從而增大了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。
[0061]參見圖4，所述凹陷區(qū)域103的厚度值401在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，其中，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.9微米，且小于或等于3.0微米。
[0062]具體地，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于2.6微米。
[0063]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過對(duì)凹陷區(qū)域的厚度值的限制，保證了凹陷區(qū)域的微腔效應(yīng)，避免凹陷區(qū)域?qū)︼@示面板顯示效果的影響。
[0064]參見圖5，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板還包括:源漏極501和陽(yáng)極502，其中，所述平坦化層102位于所述源漏極501與所述陽(yáng)極502之間；
[0065]所述源漏極501在所述平坦化層102上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域與所述陽(yáng)極502在所述平坦化層102上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的重疊區(qū)域的厚度值503大于所述凹陷區(qū)域103的厚度值。
[0066]其中，所述重疊區(qū)域的厚度值503在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，其中，所述第二預(yù)設(shè)范圍為大于或等于1.5微米，且小于或等于3.0微米。
[0067]具體地，所述重疊區(qū)域的厚度值503為2.0微米。
[0068]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過對(duì)重疊區(qū)域的厚度的限制，避免了源漏極與陽(yáng)極之間的串?dāng)_。
[0069]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板，該顯示面板包括:任一項(xiàng)上述的陣列基板。
[0070]給予相同的構(gòu)思，參見圖6，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于制作上述陣列基板的制作方法，該制作方法包括:
[0071]S601、在源漏極、像素單元上形成平坦化層，其中，所述像素單元在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域；
[0072]S602、在所述平坦化層上形成陽(yáng)極。
[0073]具體地，參見圖7，步驟S601，包括:
[0074]S701、在源漏極、像素單元上形成第一平坦化層，其中，所述第一平坦化層的厚度在第三預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；
[0075]S702、利用灰階掩膜板，通過曝光工藝，得到所述像素單元在所述第一平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域的第二平坦化層。
[0076]其中，所述灰階掩膜板的透過率大于或等于0.1%，且小于或等于10%。
[0077]較佳地，所述灰階掩膜板的透過率大于或等于I %，且小于或等于5%。
[0078]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過上述灰階掩膜板利用曝光工藝逐漸減薄，從而得到平滑弧度的凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔?，從而增大了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。
[0079]其中，所述第三預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于3.6微米。
[0080]較佳地，所述第三預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.9微米，且小于或等于3.1微米。
[0081]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過對(duì)凹陷區(qū)域的厚度值的限制，保證了凹陷區(qū)域的微腔效應(yīng)，避免凹陷區(qū)域?qū)︼@示面板顯示效果的影響。
[0082]其中，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.9微米，且小于或等于3.0微米。
[0083]較佳地，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于2.6微米。
[0084]在步驟S701之后，該方法還包括:
[0085]對(duì)所述源漏極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域與所述陽(yáng)極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的重疊區(qū)域進(jìn)行固化工藝，形成第三平坦化層；
[0086]步驟S702，包括:
[0087]利用灰階掩膜板，通過曝光工藝，得到所述像素單元在所述第三平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域的第二平坦化層。
[0088]具體地，所述重疊區(qū)域的厚度值大于所述凹陷區(qū)域的厚度值。
[0089]具體地，所述重疊區(qū)域的厚度值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。其中，所述第二預(yù)設(shè)范圍為大于或等于1.5微米，且小于或等于3.0微米。
[0090]具體地，所述重疊區(qū)域的厚度值為2.0微米。
[0091]本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過對(duì)所述重疊區(qū)域的厚度的限制，避免了源漏極與陽(yáng)極之間的串?dāng)_。
[0092]綜上所述，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板及該陣列基板的制作方法，用以通過設(shè)置凹陷區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了將入射光轉(zhuǎn)變?yōu)樯⑸涔猓瑥亩龃罅税ㄓ性撽嚵谢宓娘@示面板的觀看角度范圍，提升了包括有該陣列基板的顯示面板的觀看視角。
[0093]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍。這樣，倘若本申請(qǐng)的這些修改和變型屬于本申請(qǐng)權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請(qǐng)也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，該陣列基板包括:像素單元和平坦化層;其中，所述像素單元在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凹陷區(qū)域的厚度值在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.9微米，且小于或等于3.0微米。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于2.6微米。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括:源漏極和陽(yáng)極，其中，所述平坦化層位于所述源漏極與所述陽(yáng)極之間； 所述源漏極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域與所述陽(yáng)極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的重疊區(qū)域的厚度值大于所述凹陷區(qū)域的厚度值。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述重疊區(qū)域的厚度值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.5微米，且小于或等于3.0微米。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述重疊區(qū)域的厚度值為2.0微米。9.一種顯示面板，其特征在于，該顯示面板包括:權(quán)利要求1?8任一項(xiàng)所述的陣列基板。10.一種權(quán)利要求1?8任一項(xiàng)所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該方法包括: 在源漏極、像素單元上形成平坦化層，其中，所述像素單元在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域； 在所述平坦化層上形成陽(yáng)極。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述凹陷區(qū)域的厚度值在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.9微米，且小于或等于3.0微米。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于2.6微米。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在源漏極、像素單元上形成平坦化層，包括: 在源漏極、像素單元上形成第一平坦化層，其中，所述第一平坦化層的厚度在第三預(yù)設(shè)范圍內(nèi)； 利用灰階掩膜板，通過曝光工藝，得到所述像素單元在所述第一平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域的第二平坦化層。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第三預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.4微米，且小于或等于3.6微米。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第三預(yù)設(shè)范圍大于或等于2.9微米，且小于或等于3.1微米。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述灰階掩膜板的透過率大于或等于0.1%，且小于或等于10%。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述灰階掩膜板的透過率大于或等于I %，且小于或等于5%。19.根據(jù)權(quán)利要求14?18任一權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在形成第一平坦化層之后，該方法還包括: 對(duì)所述源漏極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域與所述陽(yáng)極在所述平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的重疊區(qū)域進(jìn)行固化工藝，形成第三平坦化層； 利用灰階掩膜板，通過曝光工藝，得到所述像素單元在所述第一平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域的第二平坦化層，包括: 利用灰階掩膜板，通過曝光工藝，得到所述像素單元在所述第三平坦化層上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘枷輩^(qū)域的第二平坦化層。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述重疊區(qū)域的厚度值大于所述凹陷區(qū)域的厚度值。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述重疊區(qū)域的厚度值在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)范圍大于或等于1.5微米，且小于或等于3.0微米。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述重疊區(qū)域的厚度值為2.0微米。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK106024831SQ201610366307
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月27日
【發(fā)明人】田宏偉, 牛亞男, 劉亮亮, 張朝波
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司